GBU4A ... GBU4M GBU4A ... GBU4M Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2013-12-10 – 5.3 +0.5 5.6 3.6±0.2 Nominal current Nennstrom ±0.7 GBU ... ~ ~ + 2.2 0.5+0.1 +0.2 1.1 - 0.1 1.8 +0.2 1.8+0.7 18.2 ±0.3 21.5 ±0.1 1.7 ±0.1 3.4 4A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35...700 V Plastic case Kunststoffgehäuse 21.5 x 18.2 x 3.4 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 3.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert 5.08 Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) GBU4A 35 50 GBU4B 70 100 GBU4D 140 200 GBU4G 280 400 GBU4J 420 600 GBU4K 560 800 GBU4M 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 27 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 135/150 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 1 1 Tj TS M3 91 A2s -50...+150°C -50...+150°C 9 ± 10% lb.in. 1 ± 10% Nm Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 GBU4A ... GBU4M Characteristics Kennwerte Max. rectified current without cooling fin Dauergrenzstrom ohne Kühlblech TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 2.8 A 1) 2.2 A 1) Max. rectified current with cooling fin 300 cm2 Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 4.0 A 3.2 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 4 A VF < 1.0 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Type Typ RthC Max. admissible load capacitor Max. zulässiger Ladekondensator CL [µF] < 3.3 K/W Min. required protective resistor Min. erforderl. Schutzwiderstand Rt [Ω] GBU4A 20000 0.25 GBU4B 10000 0.5 GBU4D 5000 1.0 GBU4G 2500 2.0 GBU4J 1500 4.0 GBU4K 1000 5.0 GBU4M 800 6.5 120 102 [%] [A] 100 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 2 180a-(4a-1v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden Valid per diode – Gültig pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG