KT20A120

KT20A120,KT20K150
KT20A120,KT20K150
Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection
Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz
Version 2013-05-07
Nominal current
Nennstrom
±0.3
2.8
4
1
±0.3
3
4
±0.3
±0.1
1.3
13.9
±0.1
0.42
8.7
Type
Typ
1
2.67±0.2
±0.2
A
Stand off voltage
Sperrspannung
3
Plastic case
Kunststoffgehäuse
K
Weight approx.
Gewicht ca.
3
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.3
Ø 3.8
4
±0.3
10.1
3.9
±0.2
4.5
14.9±0.7
1.2±0.2
±0.2
0.8
1
20 A
5.08±0.1
120...150 V
TO-220AC
1.8 g
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Low forward losses, high reverse pulse power capability
Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit
Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C)
Type / Typ
Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C)
Stand-off
voltage
Sperrspannung
Max. rev. current
Max. Sperrstrom
at/bei VWM
Breakdown voltage
Abbruch-Spannung
K
A
(Standard) (Reverse)
VWM [V]
ID [µA]
VBR min [V] @ IT [mA]
KT20K120 KT20A120
120
5
150
KT20K150 KT20A150
150
5
160
Polarity / Polarität
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5A
IF = 20A
5
< 0.85
< 0.98
5
< 0.85
< 0.98
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
20 A
Total steady state power dissipation
Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb
TC = 100°C
Ptot
25 W
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
70 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
350/385 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
612 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+175°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC
< 1.5 K/W
1
1
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
KT20A120,KT20K150
Characteristics
Kennwerte
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VWM
ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge
ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung
C = 100pF
R = 1.5kΩ
IR
< 5 µA
20 kV
Peak pulse power dissipation
Impuls-Verlustleistung
10/1000µs pulse 1) TA = 25°C
PPPM
750 W
Max. reverse peak pulse current
Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung
8/20µs pulse 2)
IPPM
200 A
Reverse recovery time
Sperrverzug
TA = 25°C
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
120
trr
< 300 ns
103
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
2
10
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
10
400a-(5a-0,8v)
-1
0
0
TC
100
50
150
[°C]
0.4
VF
tr = 10 µs
100
[%]
[%]
80
80
60
IPPM/2
PPPM/2
40
2
1.4
[V] 1.8
PPPM/2
IPP
20
20
PPP
PPP
tP
0
t
1
2
3
0
[ms] 4
10/1000µs - pulse waveform
10/1000µs - Impulsform
1
2
1.2
IPPM/2
40
IPP
0
1.0
tr = 8 µs
100
60
0.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
tP
0
t
20
40
60
[µs]
8/20µs - pulse waveform
8/20µs - Impulsform
See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs
See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs
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