SBT1020

SBT1020 ... SBT10100
SBT1020 ... SBT10100
Schottky Barrier Rectifier Diodes – Single Diode
Schottky-Barrier-Gleichrichterdioden – Einzeldiode
Version 2013-05-07
±0.3
0.42±0.1
±0.3
2.8
Type
Typ
3
3.9
13.9±0.3
±0.2
2.67
4
±0.3
Ø 3.8±0.2
4
1
Nominal current
Nennstrom
8.7
14.9±0.7
±0.2
4.5
10.1
±0.3
±0.2
1.2
±0.1
1.3
1
3
10 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
20...100 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
TO-220AC
Weight approx.
Gewicht ca.
1.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.2
0.8
±0.1
5.08
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] 1)
IF = 5 A
IF = 10 A
SBT1020
20
20
< 0.48
< 0.55
SBT1030
30
30
< 0.48
< 0.55
SBT1040
40
40
< 0.48
< 0.55
SBT1045
45
45
< 0.48
< 0.55
SBT1050
50
50
< 0.63
< 0.70
SBT1060
60
60
< 0.63
< 0.70
SBT1090
90
90
< 0.78
< 0.85
SBT10100
100
100
< 0.78
< 0.85
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100°C
IFAV
10 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1020... TA = 25°C
SBT1060
IFSM
135/150 A
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
SBT1090... TA = 25°C
SBT10100
IFSM
115/125 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
1
1
i2t
80 A2s
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C
Tj = 25°C
Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SBT1020 ... SBT10100
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
IR
IR
< 300 µA
< 7 mA
RthC
120
< 3 K/W
102
[%]
[A]
SBT1020...SBT1045
100
10
SBT1050, SBT1060
80
1
60
40
SBT1080, SBT10100
10-1
20
IF
IFAV
0
10
-2
0
TC
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the case
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses
2
http://www.diotec.com/
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG