F12K120 F12K120 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage Protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2010-06-02 ±0.1 Type Ø 1.2 12 A Stand off voltage Sperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehäuse 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5 Ø8 Nominal current Nennstrom Ø 8 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert ±0.05 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Maße [mm] Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ F12K120 Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM Breakdown voltage Abbruch-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) VWM [V] ID [µA] VBR min [V] @ IT [mA] IF = 5A IF = 12A 120 5 130 5 < 0.82 < 0.9 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 12 A 2) Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb TA = 50°C Ptot 8W Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 375/390 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+175°C +200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C 1 2 Tj = 25°C Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 F12K120 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VWM VR = VWM ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung C = 100pF R = 1.5kΩ IR IR < 5 µA < 200 µA 20 kV Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung 10/1000µs pulse 1) TA = 25°C PPPM 1500 W Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung 8/20µs pulse 2) IPPM 230 A Reverse recovery time Sperrverzug TA = 25°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 3) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2 K/W 120 10 3 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 2 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10-1 0 TC 50 100 150 [°C] Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 1 2 3 2 400a-(5a-0,8v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG F12K120 tr = 10 µs tr = 8 µs 100 100 [%] [%] 80 80 60 60 IPPM/2 PPPM/2 40 IPP 20 20 0 PPP tP 0 t PPPM/2 40 IPP PPP IPPM/2 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform © Diotec Semiconductor AG 0 tP 0 t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform http://www.diotec.com/ 3