PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2012-10-09 Type: PB... Nominal current – Nennstrom Type: PB...S Alternating input voltage Eingangswechselspannung 10.9±0.5 12.7±0.3 10.9 ±0.5 = Ø 3.9 = ±0.2 Type: PB...S 6.3 ±0.5 5.5 g 15.1 x 15.1 x 6.3 [mm] Plastic case with Al-bottom – Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Weight approx. – Gewicht ca. 19 19 1.2 19 x 19 x 6.8 [mm] Plastic case – Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. _ 6.8±0.2 35...700 V Type: PB... Ø 3.6 15.1 19±0.2 10 A 1.0 3.5 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) PB1000 / PB1000S 35 50 PB1001 / PB1001S 70 100 PB1002 / PB1002S 140 200 PB1004 / PB1004S 280 400 PB1006 / PB1006S 420 600 PB1008 / PB1008S 560 800 PB1010 / PB1010S 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 50 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 135/150 A 1) Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 93 A2s -50...+150°C -50...+150°C Per diode – Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S Characteristics Kennwerte 2 Max. current with cooling fin 300 cm Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2 TA = 50°C R-load C-load IFAV 10.0 A 8.0 A Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.2 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 3.3 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment M4 120 9 ± 10% lb.in 1 ± 10% Nm 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 60 Tj = 25°C 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-2 Rated forward current vs. ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. 1 2 150a-(5a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode – Pro Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG