UF600A ... UF600M UF600A ... UF600M Ultrafast Switching Silicon Rectifier Diodes – Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal current Nennstrom 7,5±0.1 62.5±0.5 Ø 8±0.1 Type ±0.05 Ø 1.2 Dimensions - Maße [mm] 6A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] UF600A 50 50 UF600B 100 100 UF600D 200 200 UF600G 400 400 UF600J 600 600 UF600K 800 800 UF600M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 6 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 270/300 A Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 370 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 UF600A ... UF600M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Tj = 25°C Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns]1) VF [V] UF600A ... UF600D < 75 < 1.0 5 UF600G < 75 < 1.25 5 UF600J ... UF600M < 100 < 1.7 5 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C at / bei IR < 10 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 14 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 4 K/W 120 VR = VRRM IF = [A] 102 [%] [A] 100 UF600A...D 10 UF600G 80 UF600J...M 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 1 1 2 Tj = 25°C 10-2 0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG