AG3A

AG3A ... AG3M
AG3A ... AG3M
Silicon Rectifier Cells with Polysiloxane Cover
Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Abdeckung
Version 2012-02-06
-0.2
Nominal current
Nennstrom
3A
Ø 5.4
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Weight approx. – Gewicht ca.
Ø 4.6
0.3 g
2.3
max
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
AG3A
50
80
AG3B
100
130
AG3D
200
250
AG3G
400
450
AG3J
600
700
AG3K
800
1000
AG3M
1000
1300
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
3A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
150/165 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
110 A2s
Tj
-50...+125°C
-50...+150°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 3 A
VF
< 1.2 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 10 µA
1
Max. temperature of the cell T = 125°C – Max. Temperatur der Zelle T = 125°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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