BAT46W BAT46W Surface Mount Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2012-07-31 1 .1 ±0 .1 Type Code 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse 3.8±0.2 1 .6±0 .1 0.6± 0.1 0 .1 2 Power dissipation – Verlustleistung 2.7±0.1 Dimensions - Maße [mm] SOD-123 Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BAT46W Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 1) Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 150 mA 1) Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 350 mA 1) IFSM 750 mA VRRM 100 V Tj TS -55...+125°C -55…+150°C Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 10 ms Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Forward voltage Durchlass-Spannung IF = 0.1 mA IF = 10 mA IF = 250 mA VF VF VF < 0.25 V < 0.45 V <1V Leakage current – Sperrstrom 2) VR VR VR VR = = = = 1.5 V 10 V 50 V 75 V IR IR IR IR < 0.5 µA < 0.8 µA < 2 µA < 5 µA = = = = 1.5 V 10 V 50 V 75 V IR IR IR IR < 5 µA < 7.5 µA < 15 µA < 20 µA CT CT typ. 20 pF typ. 12 pF RthA < 420 K/W 1) Leakage current – Sperrstrom 2) Tj = 60°C VR VR VR VR Total capacitance Gesamtkapazität f = 1 Mhz VR = 0 V VR = 1 V Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft 1 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAT46W Marking – Stempelung BAT46W = XH 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 60 10 -2 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-4 Rated forward current versus ambient temperature1) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 2 http://www.diotec.com/ 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) © Diotec Semiconductor AG