BAT46W

BAT46W
BAT46W
Surface Mount Schottky Barrier Diodes
Schottky-Barrier-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-07-31
1 .1 ±0 .1
Type
Code
200 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
100 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse
3.8±0.2
1 .6±0 .1
0.6± 0.1
0 .1 2
Power dissipation – Verlustleistung
2.7±0.1
Dimensions - Maße [mm]
SOD-123
Weight approx. – Gewicht ca.
0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BAT46W
Power dissipation − Verlustleistung
Ptot
200 mW 1)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
IFAV
150 mA 1)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
IFRM
350 mA 1)
IFSM
750 mA
VRRM
100 V
Tj
TS
-55...+125°C
-55…+150°C
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 10 ms
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Characteristics (Tj = 25°C)
Kennwerte (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
IF = 0.1 mA
IF = 10 mA
IF = 250 mA
VF
VF
VF
< 0.25 V
< 0.45 V
<1V
Leakage current – Sperrstrom 2)
VR
VR
VR
VR
=
=
=
=
1.5 V
10 V
50 V
75 V
IR
IR
IR
IR
< 0.5 µA
< 0.8 µA
< 2 µA
< 5 µA
=
=
=
=
1.5 V
10 V
50 V
75 V
IR
IR
IR
IR
< 5 µA
< 7.5 µA
< 15 µA
< 20 µA
CT
CT
typ. 20 pF
typ. 12 pF
RthA
< 420 K/W 1)
Leakage current – Sperrstrom 2)
Tj = 60°C
VR
VR
VR
VR
Total capacitance
Gesamtkapazität
f = 1 Mhz
VR = 0 V
VR = 1 V
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAT46W
Marking – Stempelung
BAT46W = XH
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
60
10
-2
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
IFAV
0
0
TA
50
100
150
[°C]
10-4
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
2
http://www.diotec.com/
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
© Diotec Semiconductor AG
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