BY228G

D-BY228G
D-BY228G
Standard Si- Rectifier Didoes
Standard Si- Gleichrichter Dioden
Version 2012-04-04
Nominal Current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
±0.1
±0.1
Ø 1.2
1500 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7.5
Type
62.5
±0.5
Ø 4.5
3A
~ DO-201
Weight approx.
Gewicht ca.
0.12g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.05
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
D-BY228G
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1500
1500
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
3A
Working peak forward current
Spitzenwert des Dauergrenzstroms
TA = 50°C
IFAV = 3 A
IFWM
9.5 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
20 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
70/80 A 1)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Tj
TS
24 A2s
-50...+150°C
-50...+175°C
Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte 1n 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
D-BY228G
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 2000 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht − umgebende Luft
120
< 25 K/W 1)
RthA
10
2
[%]
[A]
100
10
80
Tj = 125°C
1
60
Tj = 25°C
40
10-1
20
IF
IFAV
0
70a-(3a-1.3v)
10
-2
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
VF
0.4
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
2
10
[A]
10
îF
1
1
10
102
[n]
103
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
1
2
Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte 1n 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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© Diotec Semiconductor AG
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