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For ICT infrastructure equipment
ultra-low transmission loss multi-layer circuit board materials
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
ICTインフラ機器向け 超低伝送損失多層基板材料
High speed & ultra-low transmission loss
High reliability
Lead-free soldering
高速伝送・超低伝送損失
高信頼性
鉛フリーはんだ対応
1. Ultra-low transmission loss
-R-5785:Dk=3.6, Df=0.003(12GHz)
-R-5785(N):Dk=3.4, Df=0.002(12GHz)
2. High heat resistance and reliability (equivalent to MEGTRON6)
3. Compatible with lead-free soldering
1. 超低伝送損失
・R-5785:Dk=3.6, Df=0.003(12GHz)
・R-5785(N):Dk=3.4, Df=0.002(12GHz)
2. 優れた耐熱性と信頼性(MEGTRON6と同等)
3. 鉛フリーはんだ対応
Applications 用途
High-end servers, High-end routers, Supercomputers,
and other ICT infrastructure equipment,
Antenna(Base station, Automotive millimeter-wave radar), etc.
■ Dielectric property 誘電特性
■ Frequency dependence of transmission loss 伝送損失比較
3.6
3.4
3.2
Transmission loss (dB/m)
伝送損失
3.8
0.012
0.010
0.008
0.006
0.004
10
20
30
Frequency (GHz)
周波数
40
0.000
0
-20
-30
-40
-50
R-5775
0
5
10
15
Frequency (GHz) 周波数
Glass transition temp (Tg)
ガラス転移温度
Thermal decomposition temp (Td)
熱分解温度
1.0E+11
1.0E+10
CTE x-axis
熱膨張係数
(タテ方向)
1.0E+09
CTE y-axis
熱膨張係数
(ヨコ方向)
1.0E+08
1.0E+07
1.0E+06
CTE z-axis
熱膨張係数
(厚さ方向)
1.0E+05
100
200
300
Time (Hrs) 処理時間
400
1.6mm
0.35mm
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
Dissipation factor (Df)
誘電正接
0.35mm
20
Temperature
温度
121℃
Humidity
湿度
85%
Voltage
印加電圧
50V
Flexural modulus
曲げ弾性率
Peel strength
銅箔引き剥がし強さ
Condition
条件
Unit
単位
R-5785
R-5785(N)
R-5775
DSC
A
℃
200
200
185
TG/DTA
A
℃
400
400
410
14-16
14-16
14-16
14-16
14-16
14-16
A
ppm/℃
α1
IPC TM-650 2.4.24
A
IPC TM-650 2.4.24.1
A
α2
1GHz IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50
min
-
42
42
45
280
280
260
>120
>120
>120
3.6
3.4
3.7
0.0015
0.001
0.002
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
%
0.06
0.06
0.14
Fill
ヨコ方向
JIS C6481
A
GPa
19
18
19
1oz
IPC TM-650 2.4.8
A
kN/m
1.2
1.2
1.2
Water absorption
吸水率
Through-hole wall to wall distance
0.35mm
スルーホール壁間
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t
Test method
試験方法
α1 IPC TM-650 2.4.41
T288 (with copper )
T288 (銅付)
500
●Evaluation sample 評価サンプル ●Evaluation condition 評価条件
Through-hole diameter
スルーホール径
w
Trace width
(w)
0.1mm
回路幅
(w)
Trace thickness
(t)
0.035mm
回路厚み
(t)
Dielectric thickness
(h)
0.30mm
絶縁層厚み
(h)
R-5775(N)
Item
項目
1.0E+12
0
h
■ General properties 一般特性
10
20
30
40
Frequency (GHz)
周波数
■ CAF resistance 耐CAF性(実測値)
1.0E+04
R-5785(N)
R-5785
-10
0.002
0
●Evaluation sample 評価サンプル
0
0.014
4.0
3.0
ハイエンドサーバ、ハイエンドルータ、
スーパーコンピュータなどICT インフラ機器
アンテナ(基地局、車載ミリ波レーダ)など
0.016
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
4.2
Insulation resistance(Ω)
絶縁抵抗
Circuit Board Materials 電子回路基板材料
Proposals ご提案
The sample thickness is 0.75mm 試験片の厚さは0.75mmです。
The above data is actual values and not guaranteed values. 上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
Please see the page for “Notes before you use” 商品のご採用に当たっての注意事項はこちら
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page 27
page 44
2015
28
201511
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