Application Guide RF & Protection Devices Part 4 Protection(日本語版)

Application Guide RF & Protection Devices
Part 4 – Protection
[ www.infineon.com / rfandprotectiondevices ]
Edition 2011-12-15
Published by
Infineon Technologies AG
81726 Munich, Germany
© 2012 Infineon Technologies AG
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RF and Protection Devices
Application Guide
Infineon Technologies
A Leading Company in RF and Protection Devices
インフィニオンテクノロジーズはエネルギー効率、モビリティ、セキュリティという現代社会が抱える 3 つの大きな課題に
注力しており、産業用・民生用エレクトロニクス、車載用エレクトロニクス、チップカード、セキュリティ・アプリケーシ
ョン向けに半導体およびシステム・ソリューションを提供しています。
インフィニオンの製品は、アナログおよびミクストシグナル、RF、パワー、さらには組み込み制御における高い信頼性と
卓越した品質、革新的な最先端技術で傑出しています。
インフィニオンは優れたテクノロジーと設計ノウハウを有し、注力分野でマーケットリーダーとなっています。30 年以上
にわたり多数のアプリケーション向けに RF 製品を開発してきた経験を持ち、高性能かつコストパフォーマンスに優れた製
品で常に市場をリードしています。インフィニオンテクノロジーズの豊富な製品ポートフォリオについての詳細は、弊社ホ
ームページ www.infineon.com をご覧ください。
インフィニオンの RF/保護デバイス部門(RPD:RF and Protection Device)は、トランジスタやダイオードなどの標準的
な RF 用ディスクリート部品の供給事業から、特定用途向け MMIC やシリコンマイク、ESD 保護部品といった革新性・独
自性の高い最先端製品からなる先進的なポートフォリオへと、年月を経て進化してきました。貴社のアプリケーションに対
応した最新の RF/保護製品に関する詳細は、弊社ホームページ www.infineon.com/rfandprotectiondevices をご覧ください。
インフィニオンのアプリケーションガイドは 4 部のパンフレットで構成されており、設計するシステムに適したデバイスを
効率よく見つけられる、主として技術者向けの使いやすい資料として作成されました。このアプリケーションガイドは、最
新のアプリケーションやトレンドを盛り込むために頻繁に更新されます。4 部のパンフレットはそれぞれ、下記のとおり、
当社が対応している一つの市場分野を対象としています。
1. Application Guide for Mobile Communication:
www.infineon.com/rpd_appguide_mobile
2. Application Guide for Consumer Applications:
www.infineon.com/rpd_appguide_consumer
3. Application Guide for Industrial Applications:
www.infineon.com/rpd_appguide_industrial
4. Application Guide for Protection:
www.infineon.com/rpd_appguide_protection
インフィニオンでは、世界各地にいるアプリケーション・エキスパートによって、当社のデバイスを使ったシステム設計を
サポートできる体勢を整えています。インフィニオンのインフィニオンのリージョナル・オフィスもしくは地域のインフィ
ニオン・ワールドワイド・ディストリビューション・パートナーにお問い合わせいただければ、必要なサポートを受けるこ
とができます。
Kind Regards
Dr. Heinrich Heiss
Dipl.-Ing. Alexander Glas
Director Technical Marketing
& Application Engineering RPD
Group Leader Technical Marketing
& Application Engineering, Protection, RPD
3
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
INDEX
I n fi n eon T ech no l og i es .............................................................................................................................. 3
1
Infineon’s ESD and ESD/EMI Protection Devices ........................................................................ 5
2
2.1
2.2
ESD Protection is the Key Success Factor for Reliable Products .............................................. 8
Device Level ESD and System Level ESD – Two Sides of a Coin.................................................... 8
General Design Rules to Minimize Residual ESD Stress ................................................................. 9
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
High Speed Data Interface Protection ........................................................................................ 12
ESD Protection for USB 3.0 .......................................................................................................... 15
ESD Protection for USB 2.0 .......................................................................................................... 16
ESD Protection for Dual Port USB 2.0 ........................................................................................... 17
Serial ATA, e-SATA Generation 1 (1.5 Gbit/s), 2 (3 Gbit/s), 3 (6 Gbit/s) ......................................... 18
ESD Protection for HDMI 1.3a & 1.4 .............................................................................................. 19
ESD Protection for DisplayPort & DVI & MHL ................................................................................ 20
ESD Protection for High-Speed Digital Interface Switching ............................................................ 21
ESD and Transient Protection for VDSL, ADSL & Other Broadband Applications........................... 23
4
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
General Purpose Interface Protection ........................................................................................ 24
ESD Protection for Low Data Rate Interfaces ................................................................................ 26
ESD Protection for Dual Channel General Purpose e.g. AV I/F Interfaces...................................... 27
ESD Protection for Near Field Communication (NFC) .................................................................... 28
Reverse Polarity Protection (RPP) Circuit ...................................................................................... 29
Reverse Polarity Protection for USB Charger ................................................................................ 30
Rectifier Circuit with Schottky Diodes ............................................................................................ 31
Clipping and Clamping .................................................................................................................. 32
5
5.1
5.2
5.3
ESD / Surge Protection ............................................................................................................... 33
ESD Requirements: ...................................................................................................................... 34
Surge Requirements: .................................................................................................................... 34
ESD Surge Protection for Gigabit Ethernet .................................................................................... 37
6
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
Interface Protection with Integrated ESD/EMI Devices.............................................................. 38
ESD/EMI Protection for Differential Mode Microphone Interface – BGF113.................................... 40
ESD/EMI Protection for SIM Card Interface – BGF106c................................................................. 41
ESD/EMI Protection for 6-Pin SIM Card Interface – BGF125 ......................................................... 42
ESD/EMI Protection for 8-Pin SIM Card Interface – BGF124 ......................................................... 43
ESD/EMI Protection for Flash Memory: MicroSD/MiniSD/SD Card – BGF117 ................................ 44
ESD/EMI Protection for High-Speed MMC-Card (4 data lines) – BGF104c .................................... 45
ESD/EMI Protection for LCD/Camera Interface - BGF108c / BGF109c .......................................... 46
Abbreviations................................................................................................................................................. 47
Alphanumerical List of Symbols ................................................................................................................... 48
Package Information...................................................................................................................................... 49
Support Material ............................................................................................................................................ 50
4
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
1
Infineon’s ESD and ESD/EMI Protection Devices
今日のエレクトロニクス分野では、高速化、小型化、スマート化が新しい優れたアプリケーションを可能にし、
収益性の源泉となります。より小さいスペースに、いっそう高速な機能を詰め込む競争が、小型化ロードマッ
プを加速させています。しかしながら、半導体チップの小型化とドーピングレベルの上昇とが相まって、半導
体チップの薄膜ゲート酸化物層と PN 接合幅が劇的に縮小しました。これに回路数の増加が加わり、半導体チ
ップはますます ESD の影響を受けやすくなっています。
その結果起こる電子機器の障害は、ハードウェアの故障や機器の一時的な誤動作という形ですぐに認識される
か、あるいは潜在的な破損という形をとって、機器のライフサイクルの先になるまで認識されません。ハード
ウェアの故障は最も気づきやすく、通常、故障したデバイスの交換が必要になります。最善のケースであれば、
機器の出荷前に障害が検出され、障害のある機器が顧客のもとに届くことはありません。機器の一時的な誤動
作や潜在的な破損につながる障害は、珍しくありませんが、検出や追跡はきわめて困難です。一時的な誤動作
は、顧客から報告されずに終わったとしても、顧客は機器の再起動やリセットを何度も繰り返すため、顧客に
悪い印象を与えます。最終的に使用中におけるハードウェアの故障や信頼性を欠く機器の動作につながる潜在
的な破損は、最悪の印象を与え、その機器を供給したメーカーに対する顧客の信頼を低下させかねません。
ESD による障害が原因で交換や修理を伴う製品回収を行うことになれば、機器自体の費用よりも数倍高い費用
負担をメーカーないしはユーザ、もしくは双方が強いられる恐れがあります。
Figure 1
Integrated circuit before ESD strike
Integrated circuit after ESD strike
通常、優れたシステム設計には、ESD による破損のリスクを最小限に抑えるためのシールド・シャーシの実装
が含まれています。それでもなお、ESD パルスは、シールド・シャーシを回避する経路を簡単に見つけ、脆弱
な IC や ASIC の内部に侵入できるため、デバイスの信頼性に対する永続的な脅威となります。外部環境にさら
されるコネクタやアンテナはすべて、エンドユーザが発生させる ESD や、さらには部品の物理的な動きに伴っ
て機器自体から発生する ESD の侵入口となる可能性があります。IC や ASIC の微細化が徹底的に推し進められ
たため、もはや十分な ESD 保護構造をデバイスの基板上に搭載することは現実的とは言えなくなりました。そ
の結果、安定動作を確保し、信頼性を最大限に高めるためには、外部保護デバイスによって ESD や過渡電流か
ら機器を保護する以外に方法がなくなりました。
5
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
最も効果的かつ経済性に優れたシステム・レベルの保護は、設計サイクルの早期段階で要件を検討することで
実現できます。ESD は入念な検討を必要とする、普遍性の高い通常の動作条件となりました。さらにこのトピ
ックを掘り下げてみましょう。
Infineon’s Value Proposition
インフィニオンの保護ソリューションは、IEC61000-4-2 レベル 4 の要件を上回る最高レベルの保護を提供する
ことでシステム・レベルの ESD 耐性を向上します。具体的な特長は下記のとおりです。

優れた ESD 反復パルス吸収能力。

どんなに影響を受けやすい電子機器でも保護する安全で安定した制限電圧。

高速信号品質要件に完全適合した保護デバイス。

スペースに制約のあるアプリケーションに使用しやすい、先進の小型パッケージに搭載された単体デバ
イス。

ボードの省スペース化と部品数の削減を実現するアレイ・ソリューション。

クロストークや、信号品質への寄生的な影響を最小限に抑えた、プリント基板のレイアウトが簡単にで
きるフロースルー・パッケージ・ピンアウト。

リーク電流がきわめて小さく、バッテリー動作時間をいっそう向上。
ESD ダイオード製品ポートフォリオとそのアプリケーションについての詳細な情報は、弊社の ESD 保護製品
パンフレット(ESD Protection Brochure、www.infineon.com/tvs.brochure をご参照ください。また、保護デバ
イスについての弊社ホームページ www.infineon.com/protection もご利用いただけます。
さらに、インフィニオンは、お客様の携帯電話を ESD パルスから保護できるよう、携帯電話アプリケーション
向けにさまざまな高性能タイプの ESD 保護用ディスクリート・デバイスを提供しています。以下に示すのは、
携帯電話に使用されている各種のインターフェイス向けにインフィニオンが提供している ESD 保護デバイスの
概要です。
6
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
Analog/Digital Interfaces
RF Interfaces
ESD5V3S1B
ESD5V3L1B
ESD8V0-series
NFC
ESD18VU1B
ESD24VL1B
TV/Audio
LCD
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
USB1.1/2.0
ESD5V3U-series
USB3.0
ESD3V3U4ULC
Camera
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
ESD5V3U4U-HDMI
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
SD Card
MM Card
I/O Data
ESD8V0-series
ESD5V3S1B-series
ESD5V3L1B-series
HDMI
ESD5V3U4U-HDMI
ESD5V3U-series
Human
Interfaces
ESD8V0-series
ESD5V3L1B-series
ESD5V3L1U-02LRH
SWP
ESD3V3XU1US
Keypad
Figure 2
ESD0P2RF
ESD0P1RF
Mobile TV
ESD0P2RF
ESD0P1RF
FM
ESD0P2RF
ESD0P1RF
RPP Diode
Power Supply
USB Charger
Overview of Infineon’s ESD Diodes for Interface Protection
Headset
Figure 3
e.g. mobile/
wireless/
portable devices,
consumer
& industrial units
GPS
BGF100/BGF200
BGF113
AV I/F
BGF112
TV
BGF111
LCD
BGF108c/BGF109c
SIM Card
BGF106c
BGF124/BGF125
µSD/SD
Card
BGF117
HSMM Card
BGF104
Charger
BGF119
HDMI
BGF127/BGF128
Analog
Baseband IC
SIM Card
Electronic
Equipment
ESD0P2RF
ESD0P1RF
WLAN
Digital Baseband IC
Headset
Overview of Infineon’s Integrated ESD/EMI Devices for Interface Protection
7
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
2
ESD Protection is the Key Success Factor for Reliable Products
2.1
Device Level ESD and System Level ESD – Two Sides of a Coin
システム・レベルの ESD 保護は IEC61000-4-2 に規定されています。一般的に IC や ASIC には必ず、製造工程
でのデバイス破損を防止するために一定レベルの ESD 保護が施されています。この ESD 保護は通常、HBM
(人体モデル)仕様に基づいて設計されます。HBM に基づく ESD 耐性は、ESD が高度に管理され、最小限に
抑えられた工場の生産環境におけるデバイス処理やシステム組み立ての安全性確保に十分であるにすぎません。
生産ラインを離れた実使用環境では、機器はあらゆる場所で常時、ESD パルスの脅威にさらされることになり
ます。工場の環境を離れても機器が破損を免れることができるためには、IEC61000-4-2 に準拠したシステム・
レベルの ESD 保護が必要です。最終的なシステム・レベルの保護ソリューションは、そのあらゆる側面が対象
アプリケーションの保護要件を充足できるように、システム・ネイティブな内蔵保護機能を、慎重に選定され
た外部保護デバイスと組み合わせて考慮することで実現できます。
半導体デバイス・レベルの保護に適用されている HBM 耐性の現行工業規格値は 2kV です。一般的に、現在の
半導体デバイスに施されている保護は、ほぼ例外なく 2kV の HBM 保護が最高レベルです。これよりも高いレ
ベルの保護が施されている半導体デバイスはほとんどありません。これを下回るレベルの保護しか施さずに生
産されるデバイスが増えており、保護レベルが 250V~350V 程度の場合すら見受けられます。IEC61000-4-2 に
規定されている 2kV のシステム・レベル ESD パルスは、2kV の HBM パルスと比べて 750%多いエネルギーを
被試験デバイス(DUT)に加えます。しかし、2kV のシステム・レベル ESD 耐性が十分、ないしは標準であっ
た時代は終わりました。システム・レベル ESD 耐性の新しい要件は 8kV が一般的で、これは 2kV の HBM 規格
に比べて 12,000%の増加に相当します。システム・レベルの保護に関する将来の耐性規格は 15kV に達するこ
とを示す兆候も尐なくありません。これは 2kV の HBM パルスに比べると、DUT に印加されるパルス破壊エネ
ルギーが 41,000%増加します。
Residual ESD stress vs. ESD model
100
10
10
1
IEC_8kV
IEC_2kV
IEC_1kV
1000
100
diss_load
Reference
1000
P
0ns
factor 410
HBM_1kV
Logarithmic scaling !!!
10000 10000
factor 120
IEC_15kV
400ns
Ediss_load 
HBM_2kV
Dissipated ESD Energy [nJ/Ohm]
100000 100000
E_HBM_1kV
E_HBM_1kV
E_HBM_2kV
E_HBM_2kV
E_IEC_1kV
E_IEC_1kV
E_IEC_2kV
E_IEC_2kV
E_IEC_8kV
E_IEC_8kV
E_IEC_15kV
E_IEC_15kV
factor 7.5
1
Figure 4
Residual ESD stress versus ESD model
8
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
静電気放電が起きる物理的背景は、ある種の物質が別の種類の物質と接触した際に電荷キャリアが分離する摩
擦耐電にあります。この電荷キャリアの分離は、私たちの日常生活でも起きています。いすに腰掛け、立ち上
がるという動作の過程だけでも、人体に 15kV の静電電圧が生じますし、さらにカーペットの上を歩けば 15kV
の静電荷は簡単に 30kV に倍増します。特に冬は湿度が下がることから、静電気放電の問題は、静電気の大き
さや発生頻度という点でいっそう悪化します。
ESD Protection – An Application Tailored Business
耐性や信号品質、実装面積、価格設定などの要件はアプリケーションごとに異なります。インフィニオンの最
先端の ESD 保護デバイス製品群をご利用になれば、どんなアプリケーションでも、要件に合わせて最適な
ESD 保護ソリューションをカスタマイズすることができます。当社では、ESD パルスによるプリント基板や電
子部品への残留ストレスを最小限に抑えるために一定の原則を常に適用しています。
2.2
General Design Rules to Minimize Residual ESD Stress
システム・レベルの ESD 保護を最大限確保するためには、システムの全体コンセプトから始め、インダストリ
アルデザインからプリント基板のレイアウトにいたるまで、いくつかの基本的な考慮事項があります。考慮す
べき最初のポイントはインダストリアルデザインです。もし可能であれば機器筐体は、金属が露出したコネク
タや HID インターフェイスの周りに金属シールドを使用し、ESD パルスのシステム内部への侵入を防止しなく
てはなりません。
プリント基板のレイアウトは、システム全体のシステム・レベルの ESD 性能に大きな影響を与えます。これが
次に考慮すべきポイントです。

第 1 に、保護デバイスは ESD の侵入口に可能なかぎり近い位置に取りつけます。たとえば、コネクタ
や金属が露出しているアンテナ、その他の特定されている侵入口です。

第 2 に、外部信号の発生元となる配線パターンと、内部信号の配線パターンとの間隔を最大限確保する
必要があります。これは高電圧の ESD パルスが外部配線から内部配線へ飛び移るのを防止するためで
す。内部配線から電流が流れ込む半導体にはほとんど保護が施されていないからです。

第 3 に、直列インダクタンスが ESD ダイオードと直列に入るのを回避することです。直列インダクタ
ンスは付近の配線パターンと GND ビアホールによって生じる可能性があります。
たとえ 1nH 未満のインダクタンスであっても、残留ピーク・オーバーシュート電圧に目に見える形で影響しま
す。このピーク電圧はわずか数ナノ秒しか継続しませんが、寄生直列インダクタンスによって継続時間が長く
なると、RF 段の GaAs(ガリウムヒ素)デバイスや高速データ回路などのきわめてデリケートな部品に多大な
ダメージを及ぼしかねません。一般的に入力キャパシタンスが非常に小さい高速データ回路では、直列インダ
9
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
クタンスが入ることで発生する残留オーバーシュートが、緩和されずにデバイス入力に入り込み、破壊的な影
響を及ぼします。
ESD strike
Figure 5
PCB-Line
Induced
voltage
dITVS/dt
Dynamic TVS Diode
clamping voltage
TVS current
Rdyn
Bond wire
TVS diode
PCB-Line
Residual ESD current
PCB
inductance
Main ESD current
PCB Layout with parasitic Inductance in series with the ESD Diode
簡単な例を使って、残留ピーク制限電圧の誘導成分のレベルを示すと、15kV の接触放電パルス(IEC61000-42 準拠)は約 55A のピーク電流を発生させます。寄生インダクタンス 1nH、ESD パルスの立ち上がり時間を
0.85ns(IEC61000-4-2 での定義は 10%/90%)と仮定すると、誘導性オーバーシュートは 50V 程度もしくはそ
れ以上となります。
V 字型のレイアウトを用いて、ESD ダイオードを信号線に直接つなぐことで、寄生直列インダクタンスを大幅
に低減させることが可能です。GND ビアホールは、プリント基板のデザインルールが許す範囲で可能なかぎり、
ESD ダイオードのはんだパッドに近接して配置しなくてはなりません。
ESD strike
PCB-Line
TVS current
Rdyn
Induced
voltage
dITVS/dt
Dynamic TVS Diode
clamping voltage
Bond wire
TVS diode
PCB-Line
Figure 6
Residual ESD current
PCB-Lines
Main ESD current
Optimized “V” Shaped Routing to Reduce Parasitic Series Inductance
10
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
V 字型のプリント基板配線の長さは、V 字型配線が ESD ダイオードと直列でなくなるため、クリティカルでは
なくなります。プリント基板のインダクタンスは直列の V 字型配線と置き換わり、誘導電圧はボンドワイヤの
みに限定されます。
11
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3
High Speed Data Interface Protection
FireWire、MIPI、SATA、DVI、DisplayPort、HDMI 1.3/1.4a、USB 2.0/3.0 といった高速データ・インターフェ
イスは、現在の家電製品に広く使用されており、今後はこれに Thunderbolt も加わります。これらのインター
フェイスは一般的に通常使用時に ESD にさらされます。データ伝送速度の高速化が続くなか(例:HDMI は差
動信号線 1 対あたり最大 3.4Gbps、USB 3.0 SuperSpeed は 5Gbps)、送受信回路の設計は、データレートの
高速化に対応すべく微細化が進んでいます。しかしそれにより、IC は大電流・高エネルギーの ESD という脅
威の影響を受けやすくなります。
IEC61000-4-2 レベル 4 によると、8kV の ESD 事象はピーク放電電流が最大 30A になり、IC はこれに耐えられ
ません。この大きな放電電流に対応するためには、外部 ESD 保護デバイスが高速データ・インターフェイス上
に必要です。しかし、外部 ESD 保護デバイスに付随する寄生キャパシタンスが、インピーダンス不整合を招き、
信号品質に悪影響を与え、その結果、BER(ビット誤り率)が上昇する可能性があります。この影響はデータ
リンクの速度に比例して大きくなります。
効果的な保護を実現するためには、ESD 耐性と低寄生容量の両方が高速インターフェイスに必要です。インフ
ィニオンテクノロジーズは、最適なパフォーマンスに必要な信号品質を維持しながら、8kV の工業規格値を大
きく上回る有害な ESD エネルギーを吸収する能力を備えた、シングルラインおよびマルチラインのアレイ・ソ
リューションでシリコンベースの ESD ダイオード製品群を提供しています。
有害な ESD エネルギーを吸収する能力を左右する要因の一つは、電源投入後の保護デバイスの動作抵抗です。
通常、デバイスの動作抵抗を下げると寄生容量が増えます。デバイスのオン抵抗を下げるためにダイサイズを
大きくすることになるからです。このような抵抗と静電容量の間のトレードオフは、もしメーカーがデバイス
の動作抵抗を公表している場合には、ESD ダイオードのデータシートを比較すればすぐにわかります。インフ
ィニオン独自の最先端保護技術は、信号品質へのインパクトを最小限に抑えながら大量の ESD エネルギーを吸
収できるという、最良のトレードオフを可能にします。インフィニオンの超小容量 ESD ダイオードは、高
ESD ストレス下で超低動作抵抗を実現しています。この低抵抗が有害な ESD パルスを高速データ・インター
フェイス IC から遠ざけ、保護ダイオードへ誘導しますから、IC に伝わる ESD 電圧パルスは非常に低レベルに
効果的に制限され、IC へのダメージが回避されます。一般的に動作抵抗が低いほど保護対象 IC の制限電圧は
低くなります。
保護デバイスの動作抵抗を正確に測定する最良の手段は、TLP(Transmission Line Pulse)法です。TLP 法に
よる測定方法は AN210 に詳述されています。たとえば、TLP 法によって ESD ダイオード ESD3V3U4ULC の
動作抵抗を測定すると、次の I-V 曲線に示すように、わずか 0.19Ωであることが求められます。AN210 には他
にも保護技術の比較例が掲載されています。
12
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
Figure 7
TLP measurement of ESD3V3U4ULC from I/O to GND
13
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
信号品質は、高速データ伝送において低 BER(ビット誤り率)を達成するうえでの最重要要因です。信号品質
の尺度はアイ・ダイアグラムを使って簡単に視覚化できます。寄生容量が高速データ・パスに導入されると必
ず、パスの信号品質は低下します。信号品質への影響を最小限に抑えるために、インフィニオンの ESD ダイオ
ードは、典型値でわずか 0.4pF(対 GND)という超低寄生容量の設計となっています。
インフィニオンの ESD ダイオードを USB3.0 SuperSpeed リンクに使用した場合の効果を調べるために、
ESD3v3U4ULC をホスト側とクライアント側に使用して、データケーブル損失などの完全なシステム・シミュ
レーションを実施しました。次のアイ・ダイアグラムに示すシミュレーション結果では、受信アイパターンの
開き具合を、ESD ダイオードなしの場合(赤色の等高線)と ESD ダイオードによる保護がある場合(青色の
等高線)で比較しています。インフィニオンの ESD ダイオードは超小容量であるため、アイ等高線はごくわず
かに悪化するだけで、USB 3.0 仕様のマスクに対して非常に大きな安全余裕度が保たれます。
USB3.0 SS eye-pattern Spec. Mask (BER 10E-12)
USB3.0 SS eye-contour
statistic of 10E12 bits
- without TVS diode -
USB3.0 SS eye-contour
statistic of 10E12 bits
- with TVS diode -
Inner eye opening
statistic of ~10E6 bits
Figure 8
Eye diagram w. and w/o. ESD3V3U4ULC located at host and device sides
インフィニオンの拡大する ESD ダイオード製品ポートフォリオは、世界最小クラスのパッケージと、フロース
ルー設計のアレイで提供され、どんなにスペースの制約が厳しいアプリケーションでも、信号品質への影響を
最小限に抑えながら高速データ・インターフェイスの保護が可能です。高速データリンクの差動ペアは各信号
パスの遅延が一致していて、インピーダンスの整合がとれている必要があり、他の信号パスとのクロストーク
が回避されていなければなりません。これらの条件はインフィニオンのフロースルー・パッケージ採用保護ア
レイを使って簡単に満たすことができます。差動データ・ペアはパッケージの一方の側へ入り、他方の側から
出ますから、各パスの遅延は同一に保たれ、プリント基板の複雑な配線レイアウトによる隣接信号のクロスト
ークは最小限に抑えられます。
14
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD Protection for USB 3.0
TX+
SuperSpeed
Data IN
TX+
TX-
connector
USB3.0: SS-Hub
e.g. PC
+ RX+
RX-
USB3.0: SS-Device
e.g. storage
RX+
TX+
RX-
ESD diodes
USB2.0 HUB
HS/FS/LS
TX+
D+
SuperSpeed
Data IN
+
-
TXRX-
SuperSpeed
Data OUT
+
-
TX-
USB3.0 cable
SuperSpeed Link
RX+
SuperSpeed
Data OUT
USB2.0 Device
HS/FS/LS
D+
+
-
USB2.0
Data OUT
+
RX
D-
TX-
USB2.0
Data OUT
RX+
RX-
TX-
USB2.0
Data IN
TX+
+
-
connector
3.1
mated
connector
+
RX
-
D-
USB3.0 cable
USB2.0 Link
mated
connector
TX+
USB2.0
Data IN
+
-
TX-
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
+3.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.2
3
8.5
0.35
4
TSLP-9-1
+3.3
±20
[email protected]
[email protected]
0.2
3
8.5
0.35
1
TSSLP-2-1
ESD3V3U4ULC
ESD3V3XU1U
high speed
SuperSpeed
high speed
SuperSpeed
ESD5V5U5ULC
USB2.0-HS,
Vcc
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
5
SC74
ESD5V3L1B
USB2.0-FS,
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
15
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.2
ESD Protection for USB 2.0
Host
controller
Device
controller
ESD
diodes
GND
D+
D1+
Data
IN / OUT
D+
D1+
Data #1
IN / OUT
D1-
D1D-
DVcc
USB2.0 cable
USB2.0 Host1
LS/FS/HS
USB2.0 Device1
LS/FS/HS
USB
Connectors
Vcc
Vcc
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U1U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V3L1B
USB2.0-FS,
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
16
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.3
ESD Protection for Dual Port USB 2.0
Host
controller
Device
controller
ESD
diodes array
GND
D+
D1+
Data #1
IN / OUT
D+
D1+
Data #1
IN / OUT
D1-
D1D-
USB2.0
Connector
Vcc
USB2.0 Host2
LS/FS/HS
DVcc
USB2.0
Cable#1
USB2.0 Device1
LS/FS/HS
Vcc
USB2.0
Connector
USB2.0 Host1
LS/FS/HS
USB2.0 Device2
LS/FS/HS
USB2.0
Cable#2
Vcc
DD-
D2-
D2-
Data #2
IN / OUT
D2+
D+
Data #2
IN / OUT
D2+
D+
GND
ESD
diodes array
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U1U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
USB2.0-HS,
Vcc
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
USB2.0-FS,
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
Vcc
D1+ D1-
D1+ D1-
D2+ D2-
D2+ D2-
Flow through layout proposal for ESD5V5U5ULC in SC74. “V-shape” routing implemented for the Vcc line
17
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
Serial ATA, e-SATA Generation 1 (1.5 Gbit/s), 2 (3 Gbit/s), 3 (6 Gbit/s)
TX+
Data IN
3Gb/s, 6Gb/s
A+
A+
RXA-
connector
TXSerial ATA Hub
e.g. PC
+ RX+
RX-
Data OUT
3Gb/s, 6Gb/s
+
-
A-
(e)Serial ATA cable
B+
Data OUT
3Gb/s, 6Gb/s
RX+
+
-
connector
3.4
Serial ATA-Device
e.g. storage
B+
TX+
+
-
TXB-
Data IN
3Gb/s, 6Gb/s
B-
ESD diodes
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD0P2RF
high speed
bidirectional
±5.3
±20
[email protected]
[email protected]
1
3
16
0.23
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD3V3XU1B
on request
high speed
bidirectional
±3.3
±20
[email protected]
[email protected]
0.4
3
-
0.2
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
18
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.5
ESD Protection for HDMI 1.3a & 1.4
+5V
HDMI Type A
Connector
HDMI Source/Sink
1
TMDS Data2
2
3
High-Speed
ESD protection
4
5
TMDS Data1
6
TMDS Channels
7
8
TMDS Data0
9
High-Speed
ESD protection
10
11
TMDS Clock
12
CEC
SCL
ESD protection
communication
channel
(Low-Speed)
SDA
13
CEC Line
14
N.C.
15
DDC (I²C Bus)
16
Hot Plug Detect
ESD protection
supply Voltage Vcc
17
DDC/CEC GND
18
+5V
19
Hot Plug Detect
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD3V3U4ULC
high speed
+3.3
±15
0.2
3
8.5
0.35
4
TSLP-9-1
ESD3V3XU1U
high speed
+3.3
±15
0.2
3
8.5
0.35
1
TSSLP-2-1
ESD5V5U5ULC
high speed
<2.0Gbps
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
Control lines
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
11
skinny trace „L2"
Clock-
width_ST
TMDS
clock
Clock shield
10
Clock+
9
Data 0Data shield 0
7
Data 0+
6
Data 1-
100 Ohm differential lines
gap_ST
width_diff100
Infineon ESD Diode
5
4
TMDS 1
Data shield 1
Data 1+
adjacent lane seperation
to control alien x-talk
gap_diff100
100 Ohm differential lines
GND_via
Data 2-
2
Data shield 2
1
Data 2+
TMDS 2
100 Ohm differential lines
Keep the „gap_(lane vs. lane)“ high to minimize adjacent lane x-talk
HDMI flow through layout recommendation for the TSLP-9-1
19
100 Ohm
3
TMDS 0
100 Ohm
8
100 Ohm differential lines
100 Ohm
W_pad=0.25 mm
Pitch: 0.5mm
skinny trace „L1"
12
100 Ohm
HDMI Receptacle type „A“ landing pads
Notes:
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.6
ESD Protection for DisplayPort & DVI & MHL
+3.3V
DisplayPort
Connector
Display Port
Source/(Sink)
1
ML_Lane 0/(3)
2
3
High-Speed
ESD protection
4
5
6
ML_Lane 1/(2)
ML_Lanes 0...3
TMDS Channels
7
8
ML_Lane 2/(1)
9
High-Speed
ESD protection
10
11
ML_Lane 3/(0)
12
Config1
13
Config1
Config2
14
Config2
AUX_pos
Communication
channel
(Low-Speed)
ESD protection
AUX_neg
Hot Plug Detect
ESD protection
supply Voltage Vcc
15
AUX_pos
16
GND
17
AUX_neg
18
Hot Plug Detect
19
Return DP_PWR
20
Power +3.3V
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
Vcc
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD3V3U4ULC
high speed
+3.3
±15
0.2
3
8.5
0.35
4
TSLP-9-1
ESD3V3XU1U
high speed
+3.3
±15
0.2
3
8.5
0.35
1
TSSLP-2-1
ESD5V5U5ULC
high speed
<2.0Gbps
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
Control lines
Vcc
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
20
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.7
ESD Protection for High-Speed Digital Interface Switching
携帯電話に搭載される外部とのインターフェイスの数が増えるにつれ、世代が新しくなるごとに、スペースの
制約はますます克服困難な障害となっています。複数の機能間でのポート共用はインターフェイス・コネクタ
数を減らすために不可欠になりました。下のブロック図に USB と MHL のポート共用の例を示します。この組
み合わせのポート共用が、共通の Micro USB AB ポートを DPDT スイッチと併用して実現されています。
インフィニオンは、携帯電話の高速デジタル・インターフェイス・スイッチング用の SPDT および DPDT スイ
ッチの実装を行うための各種ソリューションとパッケージ・オプションを提供しています。USB/MHL ポート
共用アプリケーション向けには、DPDT デバイスの BGS22W を使用することで最高の集積度と最小の消費電力
を兼ね備えたソリューションを実現できます。このデバイスについての資料は、お近くの弊社営業担当者にご
請求ください。また、SPDT デバイスの BGS12A とその派生製品もこのアプリケーションで集積オプションと
して使用できます。ディスクリート実装向けには、PIN ダイオード BAR90 が各種パッケージ・オプションで利
用可能です。前記の ESD5V3U1U は、Micro USB AB コネクタ・ポートのスイッチング機能の保護に格好のオ
プションです。
詳細については、弊社ホームページ www.infineon.com/rfswitches もしくは www.infineon.com/pindiodes をご参
照ください。あるいは、インフィニオンのリージョナル・オフィス 、もしくは地域のインフィニオン・ワール
ドワイド・ディストリビューション・パートナーにお問い合わせいただければ、必要なデザインイン・サポー
USB
PHY
USB +
USB DPDT
Switch
MHL +
MHL/USB
MHL -
MHL
PHY
MICRO USB AB
トを直接受けることができます。
RF PIN Diode Switches
Product
Application
Note
1)
BAR90-02LS
BAR90-098LRH
D
2)
2)
3)
4)
rF
[Ω]
@IF
[mA]
rF
[Ω]
@IF
[mA]
CT
[pF]
@VR
[V]
τL
[ns]
Package
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-2-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-4-7
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSSLP-8-1
1.3
3.0
0.8
10.0
0.25
1.0
750
TSLP-2-7
TR1054
BAR90-081LS
BAR90-02LRH
Notes:
Q
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) at 100 MHz;
3) at 1 MHz;
4) Switching time between the forward bias of IF = 10 mA and reverse bias of IR = 6 or 3 mA;
5) Please visit our website http://www.infineon.com/pindiodes for alternative devices.
21
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
High-Speed CMOS Switches
Product
Application
Note
BGS12A
BGS12AL7-4
AN175
BGS12AL7-6
BGS22W
Notes:
On Request
1)
2)
3)
4)
5)
Supply
[V]
Vctrl
[V]
IL
[dB]
Isolation
[dB]
P-0.1dB
[dBm]
BW
[GHz]
Package
2.4…2.8
1.4…2.8
0.3/0.6
34/27
> 21
-
FWLP-6-1
2.4…2.8
1.4…2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
-
TSLP-7-4
2.4…2.8
1.4…2.8
0.4/0.5
32/25
> 21
-
TSLP-7-6
2.8…4.7
1.5…Vdd
0.26/0.33
> 26 / > 20
> 30
4.5
TSNP-14
1) Digital Control Voltage;
2) IL = Insertion Loss at 1.0/ 2.0 GHz;
4) 0.1dB compression point;
5) measured at 1dB IL.
6) Please visit our website http://www.infineon.com/rfswitches for alternative devices.
22
3) Isolation at 1.0/ 2.0 GHz;
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
3.8
ESD and Transient Protection for VDSL, ADSL & Other Broadband
Applications
Vcc
4
Primary
Protection
DSL
Line Driver
TIP
3
2
1
DSL 70
RING
ESD Diodes
Notes:
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
DSL70
Broadband
+50
±15
[email protected]
[email protected]
0.1
27
6
2.5
2
SOT143
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
23
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4
General Purpose Interface Protection
インフィニオンの汎用 ESD ダイオードは、現行規格を遙かに上回る高ピーク過渡電流に対応できるだけでなく、
反復パルスを受けた後でも保護特性をそのまま維持できるように設計されています。これらのデバイスは、キ
ーパッドやボタン、タッチスクリーン、オーディオ配線に一般的に使用されている低速の HID データに対する
ESD/過渡電流保護にとりわけ適しています。これらの同じデバイスは、機器中心部への ESD の侵入口となる
電源配線やバッテリー配線に対する効果的で低コストの保護を可能にします。通常はフィールド修理担当者し
か触れることのないバッテリー配線でも、修理時やアップグレード時に機器を安全に保てるように保護される
場合が尐なくありません。
マイクロホンやスピーカー、ヘッドセットといった携帯電話のオーディオ・インターフェイスは、通常使用時
に著しく ESD 環境にさらされます。下のオーディオ回路図に示すように、ESD パルスはオーディオ・ヘッド
セットに捕らえられ、そこから敏感なシステム部品に伝わります。また、ESD パルスはオーディオジャックを
介して電話機に直接入り込むこともあります。現在の携帯電話機に使われているオーディオアンプは出力イン
ピーダンスが低いため、格別厄介な課題が生じます。アンプへのダメージを防止するための ESD 保護ソリュー
ションにきわめて低い制限電圧が要求されるからです。このため、低動作抵抗が堅牢な保護を実現するための
要件の一つとなります。また、至近距離にある RF アンプからも、また別の課題が生じます。オーディオ回路
に入り込んでオーディオ品質に影響を及ぼしかねない、RF 出力段のオーディオ周波数整流を防ぐためには、こ
の課題の克服が必要です。
Audio_out
single ended
-Vcc
+Vcc
Figure 9
Charge
Pump
Low loss
EMI
ferrite beat
ESD-strike
Headset
cable
ESD-strike
Headset
Ear-phone
Audio
Amp.
Time
ESD Diode
Audio_in
Voltage
+Vcc
NO-DC_offset
Headset con.
e.g. 3.5mm jack
Application Example for typical ear-stick driver stage
堅牢な ESD 保護を EMI 抑制と組み合わせるべく、インフィニオンテクノロジーズはシリコンベースの ESD ダ
イオードを、オーディオ・インターフェイス向けにカスタマイズされた各種パッケージで提供しています。こ
れらの ESD ダイオードは、動作抵抗が非常に低いため制限電圧が非常に低く、電圧に影響を受けやすいオーデ
ィオ・ドライバ IC などの部品の保護に適しています。インフィニオンの保護技術はまた、その性質上、超小リ
ーク電流がきわめて小さいため、たとえ保護ポイントが多くても、バッテリー動作機器の動作時間やスタンバ
24
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
イ時間を向上させます。これらの要因と、世界最小クラスのシングルライン・パッケージおよびマルチライ
ン・フロースルー・アレイ・ソリューションにより、プリント基板のレイアウトは簡素化され、信頼性の高い
抜群の製品パフォーマンスが実現します。
25
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.1
ESD Protection for Low Data Rate Interfaces
キーパッドやボタン、トラックボール、キーボードなどとのインターフェイスとしてポータブル機器やモバイ
ル端末に搭載されている低データレート・インターフェイスは、ESD パルスの無視できない侵入口です。これ
らの回路は一般的に DC5V 未満で動作します。ESD5V3L1B はこれらのインターフェイスに対してシンプルで
効果的な ESD 保護を提供します。ESD8V0R1B と ESD5V0S5US もこれらのアプリケーションで効果的です。
1.0x0.6x0.4mm
1.0x0.6x0.39mm
0.6x0.3x0.3mm
Keypad
*
7
4
1
0
8
5
2
#
9
6
3
R1
R2
R3
C1
C2
C3
C4
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD8V0R1B
General
purpose
+14/-8
±18
+28/-27@±16
+35/-35@±30
0.5/0.6
±1
+23/
-17
4
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
ESD5V0S5US
General
purpose
+5.0
±30
[email protected]
14@±30
0.25
10
10.5
70
5
SOT363
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
Flow Through Layout Recommendation for ESD5V0S5US in SOT363
26
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.2
ESD Protection for Dual Channel General Purpose e.g. AV I/F Interfaces
+Vcc
Audio out
single ended
Audio
Amp.
Audio_in
right
ESD strike
ESD strike
Headset
cable
ESD Diode
-Vcc
+Vcc
Headset
Ear-phone
right
Charge
Pump
Low loss Headset con.
EMI
e.g. 3.5 mm
Ferrite
jack
beat
+Vcc
Audio_in
left
Charge
Pump
Headset
Ear-phone
left
-Vcc
Audio
Amp.
ESD Diode
Headset
cable
ESD strike
ESD strike
Audio out
single ended
+Vcc
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3L1B
General
purpose
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
ESD8V0R1B
General
purpose
+14/-8
±18
+28/-27@±16
+35/-35@±30
0.5/0.6
±1
+23/
-17
4
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
27
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD Protection for Near Field Communication (NFC)
ESD
Diode
EMI-LP
filter
Tx+
GND
antenna
matching
loop antenna
Base
band
Tx+
Rx
Security
Controller
RF = 13.56 MHz
Vsignal vs. |GND| < 18 Vp
NFC
Transceiver IC
4.3
SIM
SWP
Main PCB / Top shell
Application 1: single-ended antenna
EMI-LP
filter
Tx+
TxGND
antenna
matching
loop antenna
Base
band
Rx
Security
Controller
ESD
Diode
NFC
Transceiver IC
RF = 13.56 MHz
Vsignal vs. |GND| < 18 Vp
+Vsignal vs. –Vsignal < 36V
SIM
SWP
Main PCB / Top shell
Application 2: differential antenna
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD18VU1B
on request
NFC
±18.5
±15
[email protected]
[email protected]
0.6
2
10
0.6
1
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
ESD24VL1B
NFC /
charger
protection
±24
±20
[email protected]
[email protected]
1.3
1
40
2
1
TSSLP-2-1
TSLP-2-17
ESD3V3XU1U
SWP
interface
+3.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.2
3
8.5
0.35
1
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
28
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.4
Reverse Polarity Protection (RPP) Circuit
DC
+Vs
GND
+Vs/
GND
GND
+Vs
DC
GND/
+Vs
RPP Diodes
RPP
Diode
+Vs
GND
DC protected circuit
DC protected circuit
Prevents damage to the circuit
System works with reverse polarity
AF Schottky Diodes for RPP
2)
Application
Note
CT
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS3005A-02V
-
10
5
260
10
450
500
< 300
30
SC79
BAS3005A-02LRH
-
10
5
260
10
450
500
15
5
TSLP-2-17
BAS3010A-03W
-
28
5
220
10
450
1000
< 200
30
SOD323
BAS3010S-02LRH
-
10
5
340
100
570
1000
30
10
TSLP-2-17
BAS3020B
-
30
5
350
1000
530
2000
40
30
SOT363
BAS4002S-02LRH
-
7
5
330
10
470
200
0.5
5
TSLP-2-17
Product
Notes:
1)
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) at 1 MHz;
3) Please visit our website http://www.infineon.com/schottkydiodes for alternative devices.
AF Schottky Diodes for advanced RPP (system works also with reverse polarity)
2)
Application
Note
CT
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS4002A-RPP Q
-
2.2
5
390
10
550
100
<2
30
SOT143
BAS3007A-RPP Q
-
10
5
350
100
550
700
< 100
24
SOT143
Product
Notes:
1)
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) at 1 MHz;
3) Please visit our website http://www.infineon.com/schottkydiodes for alternative devices.
29
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.5
Reverse Polarity Protection for USB Charger
RPP
Diode
DC Adapter
USB
Charger
IC
USB Power
ICHG
SYSTEM
+
MOSFET
Battery
MOSFET
AF Schottky Diodes for RPP
2)
Application
Note
CT
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAS4002A-02LRH
-
7
5
330
10
470
200
0.5
5
TSLP-2-17
BAS3005A-02LRH
-
10
5
260
10
450
500
15
5
TSLP-2-17
BAS3010S-02LRH
-
10
5
340
100
570
1000
30
10
TSLP-2-17
Product
Notes:
1)
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) at 1 MHz;
3) Please visit our website http://www.infineon.com/schottkydiodes for alternative devices.
30
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.6
Rectifier Circuit with Schottky Diodes
Bridge
Rectifier
AC
Power
Supply IC
DC
EMI/EMC filter
AF Schottky Diodes for Rectifier Circuit
2)
3)
Application
Note
VR,max
[V]
IF,max
[mA]
VBR
[V]
IR
[μA]
@VR
[V]
VF
[V]
@IF
[mA]
τrr
[ns]
Package
D
-
50
140
50
< 0.2
50
< 1.3
100
< 6.0
SOT143
BAS4002A-RPP D
-
40
200
40
< 10
40
< 0.62
<2
-
SOT143
BAS3007A-RPP D
-
30
350
30
< 350
30
< 0.4
< 100
-
SOT143
Product
BGX50A
Notes:
1)
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) Reverse voltage in maximum ratings;
3) Please visit our website http://www.infineon.com/schottkydiodes for alternative devices.
31
3) Forward current in maximum ratings;
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
4.7
Clipping and Clamping
Vs
After Filtering
Digital spikes
Discrete spike filter
RF Schottky Diodes for Clipping and Clamping
Product
1)
Application
Note
2)
CT
[pF]
@VR
[V]
VF
[mV]
@IF
[mA]
VF
[mV]
@IF
[mA]
IR
[μA]
@VR
[V]
Package
BAT54 series
-
< 10
1
< 320
1
< 800
100
<2
25
SOT23
SOT323
TSLP-2-7
SC79
BAT64 series
-
4
1
320
1
570
100
<2
25
SOT23
SOT323
SCD80
8
SOT23
SOT323
SOT343
SOT363
40
SOT23
SOT143
SOT323
SOT343
TSLP-2-1
70
SOT23
SOT143
SOT323
SOT343
SOT363
SCD80
TSLP-2-1
BAT68 series
BAS40 series
BAS70 series
Notes:
-
-
-
0.7
3
1,5
0
0
0
318
1
310
1
375
1
1) D=Dual; T=Triple; Q=Quadruple;
2) at 1 MHz;
3) Please visit our website http://www.infineon.com/schottkydiodes for alternative devices.
32
390
720
705
10
40
10
< 10
< 10
< 10
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
5
ESD / Surge Protection
サージや過渡電圧からの半導体 IC の保護は、交流主電源が関係するシステムではきわめてクリティカルです。
このようなシステムの一例としてイーサネットが挙げられます。イーサネットはバックボーンから直接、サー
バへ、さらにデスクトップにつながるネットワーク通信に最も使用されているシステムです。イーサネットは
10Mbps のデータレートから 1000Mbps のギガビット・イーサネット(1000base-T)に進化しました。今後は
さらに 10Gbps イーサネット(10GBase-T)がバックオフィス・アプリケーション向けに普及すると予想され
ます。下図はイーサネット・ネットワークの簡略図です。図に示すように、ネットワーク上のいずれの機器に
も、ESD の影響を受けやすいデバイスに、直接的または間接的な ESD パルスやサージの影響が及ぶ可能性が
あり、その破壊的影響がサービス品質の低下につながりかねません。
サージは交流主電源の障害やコンデンサのスイッチング、雷などによって発生します。サージは RJ45 コネク
タに直接侵入する場合もあれば、電磁界によってケーブル上に誘起される場合もあります。交流主電源で発生
するサージに加えて、設置時や保守時、あるいは通常運用時における人間の接触など、ESD パルスのその他の
原因からもシステムを保護することが必要です。中国などの新興国は、交流主電源の変動によって発生するサ
ージからのイーサネット・システムの保護に関する厳しい規制を導入しています。こうしたサージは、中国な
どの国に見られる比較的不安定な配電網に起因するものです。
ESD パルスとサージパルスはどちらも、RF45 コネクタを介して機器に侵入する可能性があります。その場合、
パルスは、トランシーバ IC に到達する前に標準のイーサネット・クアッドトランスを通過しなければなりませ
ん。
Direct injected ESD
and Surge strikes
Induced surges
File Server
Gigabit Ethernet
Adapter Card
RJ45 Jack for Gigabit
Ethernet Connection
Gigabit EthernetSwitch
Direct injected ESD
and Surge strikes
Workstations
Figure 10
Ethernet structure
33
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ギガビット・イーサネット・ケーブルは「レーン」と呼ばれる 4 ペアの差動ツイストペアを使用し、各レーン
で全二重データを伝送します。各レーンは 250Mbps でデータ伝送が可能です。PAM(パルス振幅変調)です
から、伝送される 1 シンボルにつき 2 ビットが必要になります。
そのため、基本伝送周波数は 62.5MHz となり、CAT5e 以上のケーブル(f T = 100MHz min.)が必要となります。
データレートが高いため、PAM 波形の完全性を――とりわけ長いリンク距離にわたって――維持できるよう、
高信号品質の確保が課題となります。システムの完全な ESD 耐性とサージ耐性は下記のように達成されます。
1. 1 次側の保護:1 次側は RJ45 コネクタ、トランス、プリント基板で構成されます。ある一定の
電圧レベルで作動し、パルスエネルギーをアースに逃がすガス放電管を使って、1 次側を超高電
圧パルスから保護することができます。
2. 2 次側の保護:2 次側は通常、イーサネット PHY などの敏感な半導体 IC に接続されています。2
次側に誘起するサージパルスによるダメージからの完全な保護を確実にするためには、高精度の
ESD/サージ保護ネットワークが必要です。
1 次、2 次両側で最大限の信号品質を保つためには、超小容量の保護デバイスが求められます。
5.1
ESD Requirements:
IEC61000-4-2 レベル 4 対応の ESD 保護回路は、この規格に従って最大 8kV の接触放電と同 15kV の気中放電
による ESD パルスに対応できなければなりません。しかし、インフィニオンのお客様の間では、サービス品質
に関わる要件を満たし、修理費用や所有コストを削減し、機器の総合的な使用実感に対する顧客満足を高める
ために、15kV の接触放電に対応できる ESD 耐性を求める声が高まっています。
5.2
Surge Requirements:
IEC61000-4-5 ではサージ波形は、短絡回路のケースで 8/20μs もしくは 5/320μs と定義されています。開回
路として作用する DUT の場合、この規格に定められている波形特性は、1.2/50μs もしくは 10/700μs です。
試験電流のピーク値は試験クラスに応じて調整されます。本文書では下に示す中国のサージ保護要件に焦点を
当てます。
34
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
5.2.1
Line-to-Line (L/L) Case
このケースでは、システムはサージ発生源から見ると短絡回路になっています。2 次側に誘起するサージ電流
とサージ電圧からシステムを保護しなければなりません。
IEC61000-4-5 ではサージ波形は 5/320μs の電流パルスと定義されており、1kV の試験サージでは 25A、2kV
の試験サージでは 50A の電流パルスが 1 次側(RJ45 コネクタ側)でシステムに印加されます。電流サージの
信号パスとリターン・パスは同一のレーンに属しています。このサージは差動モードで作用しますから、
L*dIsurge/dt で磁気トランスの 2 次側に伝達されます。この誘導電圧は、1 次 L/L サージパルスの立ち上がり時
間と、周波数応答、磁気トランスの高電流飽和に依存します。
Linepair #3
IEC61000-4-5
surge generator
Linepair #4
primary side
primary side
secondary side
Magnetic module – one lane
Gigabit Ethernet
Transceiver (PHY)
Infineon
TVS diode
ESD/surge
Linepair #2
Ethernet cable
Twisted Pair#1
1:1
RJ45
Ethernet
connector
Surge current
5/350us
1kV (25A),
2kV(50A)
RX1
1:1
TX1
75 Ohm Res each lane
one common 2nF cap
Gas-tube is NOT
triggered at „Line to Line“
ESD/surge strike
Res
Spark gap
e.g. gas tube
Figure 11
Internal ESD protection
Line to Line test configuration for Ethernet
5/320μs の 1 次側サージ電流に対して、2 次側の誘導サージパルスは大幅に時間軸圧縮され、総継続時間は 20
μs を大きく下回ることになります。たとえ 1 次側 L/L サージが 50A を大幅に上回っても(50A は 2kV の試験
サージの場合)、2 次側に発生する短絡回路ピーク電流は 20A 未満となります。
1 次側に印加されるサージパルスの形状と振幅は、2 次側の誘導サージパルスとはまったく異なります。L/L シ
ステム・レベル・サージ試験では、サージ処理能力要件が 1 次側印加サージパルス保護要件と比較して低いた
め、2 次側の ESD ダイオードを使用することができます。
イーサネット PHY が破損を免れるためにさらに格段に重要なのは、システム・レベルのサージ事象が発生した
場合の ESD ダイオードの制限電圧です。ESD ダイオードの制限電圧が低いほど、PHY へのサージ・ストレス
は軽減されます。
35
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
5.2.2
Line-to-Ground (L/GND) Case
このケースでは、システムはサージ発生源から見ると開回路になっています。システムを信号線-GND 間の高
電圧レベルから保護することが必要です。IEC6100-4-5 ではサージ波形の条件を、ピーク電圧レベルを 4kV も
しくは 6kV として 10/700μs と定義しています。このサージは、気中放電の寄生的影響を 2 次側へ破壊的な形
で貫通させることなく、1 次側で処理しなくてはなりません。一般的なソリューションは、1 次側にガス放電管
を使用し、サージ電圧レベルを 1 次側として安全なレベルに引き下げて、2 次側への気中放電の貫通によるダ
メージをなくすというものです。ガス放電管が作動するとシステムは短絡回路に変わり、サージ波形は、4kV
のサージパルスに対しては 100A の、また、6kV のサージパルスに対しては 150A の、5/300μs の電流パルス
に変換されます。
IEC61000-4-5
surge generator
primary side
primary side
Magnetic module – one lane
Linepair #1
Infineon
TVS diode
ESD/surge
Gigabit Ethernet
Transceiver (PHY)
RX1
1:1
Surge voltage
10/700us
4kV...6kV,
=> Surge current
5/320us
100A...150A
RJ45
Ethernet
connector
Linepair #2
Ethernet cable
Twisted Pair
secondary side
1:1
Linepair #4
75 Ohm Res each lane
one common 2nF cap
Linepair #3
surge voltage drop
Gas-tube is triggered at „Line
to GND“ ESD/surge strike
Res
Spark gap
e.g. gas tube
TX1
Internal ESD protection
10/700us Voltage wave
=> 5/320us Current wave
surge voltage drop till
spark-gap is triggered
Figure 12
Line to GND test configuration for Ethernet
ESD パ ル ス の み に対 す るシ ス テ ム保 護 の 場合 、イ ン フ ィ ニオ ン の 推奨 デ バ イス は 下表 に 示 すとお り
ESD5V5ULC です。中国の政府規制で要求されるように ESD 事象とサージ事象の両方に対する保護が必要な場
合には TVS3V3L4U が最適な選択肢となります。
36
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
5.3
ESD Surge Protection for Gigabit Ethernet
1:1
5
3
4
Res
TVS3V3L4U
6
2
Res
1:1
Quad
Transformer
Ethernet cable
Twisted Pair
RJ45
Ethernet connector
1:1
Gigabit Ethernet Transceiver (PHY)
1
Ethernet cable
Twisted Pair
1:1
1:1
6
2
5
3
4
Res
TVS3V3L4U
1
Ethernet cable
Twisted Pair
1:1
Res
1:1
1:1
ESD ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
TVS3V3L4U
on request
GBit
Ethernet
+3.3
±25
[email protected]
[email protected]
0.1
20
8
2.0
4
SC74
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
Flow Through Layout Recommendation for TVS3V3U4ULC in SC74
37
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
6
Interface Protection with Integrated ESD/EMI Devices
ポータブル機器やモバイル端末に搭載されるワイヤレス機能の増加とともに、ESD に対する堅牢な保護だけで
なく、EMI に対する耐性も、信頼性と最大限の機能を確保するために不可欠なものとなっています。インフィ
ニオンは、携帯電話アプリケーション向けに ESD 保護機能と EMI 保護機能を小型パッケージに統合した、各
種の高性能な統合型保護デバイスを提供しています。
BGF100/BGF200
BGF113
AV I/F
BGF112
TV
BGF111
LCD
BGF108c/BGF109c
SIM Card
BGF106c
BGF124/BGF125
µSD/SD
Card
BGF117
HSMM Card
BGF104
Charger
BGF119
HDMI
BGF127/BGF128
Digital Baseband IC
Headset
Analog
Baseband IC
以下は、各種インターフェイス向けに現在提供している ESD/EMI 保護デバイスの概要です。
Overview of Infineon’s Integrated ESD/EMI Devices for Interface Protection
38
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
あるいは、ディスクリートの ESD ダイオードを一般的なインターフェイス保護に使用することもできます。以
下の図に各種インターフェイスに適した ESD ダイオードの概要を示します。
Analog/Digital Interfaces
Headset
RF Interfaces
ESD5V3S1B
ESD5V3L1B
ESD8V0-series
NFC
ESD18VU1B
ESD24VL1B
TV/Audio
LCD
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
USB1.1/2.0
ESD5V3U-series
USB3.0
ESD3V3U4ULC
Camera
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
SIM Card
SD Card
MM Card
ESD5V3U4U-HDMI
ESD5V3U-series
ESD5V3L1B-series
I/O Data
ESD8V0-series
ESD5V3S1B-series
ESD5V3L1B-series
HDMI
ESD5V3U4U-HDMI
ESD5V3U-series
Human
Interfaces
ESD8V0-series
ESD5V3L1B-series
ESD5V3L1U-02LRH
SWP
ESD3V3XU1US
Keypad
Electronic
Equipment
e.g. mobile/
wireless/
portable devices,
consumer
& industrial units
ESD0P2RF
ESD0P1RF
WLAN
GPS
ESD0P2RF
ESD0P1RF
Mobile TV
ESD0P2RF
ESD0P1RF
FM
ESD0P2RF
ESD0P1RF
RPP Diode
Power Supply
USB Charger
Overview of Infineon’s ESD Diodes for Interface Protection
インフィニオンの ESD ダイオードの製品ラインアップやアプリケーションについての詳細は、弊社の ESD 保
護製品パンフレット(ESD Protection Brochure、www.infineon.com/tvs.brochure)をご参照ください。また、
保護デバイスについての弊社ホームページ www.infineon.com/protection もご利用いただけます。
39
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for Differential Mode Microphone Interface – BGF113
6.1
VMIC(A2 or A3)
dep. on Application
VMIC
A1
A3
BGF113
15 kV
2 kV
LPF
B3
B1
MICP1
VMICP
100 nF
C2
B2
GND
MIC
GND
VMICN
LPF
C1
C3
MICN1
100 nF
15 kV
2 kV
Baseband IC
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
1)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Stop Band Attenuation
[dB]
BGF113
Audio Line
Interface
±4
±15
40
2)
Protected
Lines
Package
2
WLP-8-6
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Measured in 50 Ohm environment @ 1 GHz;
3) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3S1B
General
purpose
±5.3
±20
±15@±16
±19@±30
0.4
±5.5
±11
17.5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
ESD8V0R1B
General
purpose
+14/-8
±18
+28/-27@±16
+35/-35@±30
0.5/0.6
±1
+23/
-17
4
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
40
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for SIM Card Interface – BGF106c
6.2
15 kV
15 kV
2 kV
C2
Vcc
BGF106c
C1
CLK
B1
I/O
RST
VCC
C3
B3
low
pass
A2
A3
GND
RST
CLK
I/O
Flash
Controller IC
SIM Card Connector
B2 (GND)
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF106c
SIM Card
Interface
+5.5
±15
16.5
4
WLP-8-11
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
41
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for 6-Pin SIM Card Interface – BGF125
6.3
15 kV
15 kV
2 kV
C2
Vcc
BGF125
C1
CLK
RST
VCC
B1
I/O
B3
low
pass
A2
C3
A3
GND
RST
CLK
I/O
Flash
Controller IC
SIM Card Connector (6-pin)
B2 (GND)
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF125
SIM Card
Interface
±5.0
±15
10
4
WLP-8-10
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
42
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for 8-Pin SIM Card Interface – BGF124
6.4
15 kV
2 kV
15 kV D1
D+
D-
CLK
I/O
RST
VCC
BGF124
A3
B3
C3
D2
D3
GND
low
pass
Vcc
RST
CLK
I/O
USB-D+
A1
B1
C1
USB-D-
Flash
Controller IC
SIM Card Connector (8-pin)
15 kV
A2, C2 (GND)
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF124
Sim Card
Interface
±5.0
±15
10
4
WLP-11-4
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
43
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for Flash Memory: MicroSD/MiniSD/SD Card – BGF117
6.5
BGF117
µSD Card
µSD Card Connector
DAT2
DAT2
DAT3
DAT3
CMD
CMD
Vcc
Vcc
CLK
Vcc
15kV
2kV
R*
CMD
DAT0
CLK
DAT1
LPF
GND
GND
DAT2
DAT0
DAT0
DAT3
DAT1
DAT1
CLK
* not applicabel f or CLK line
Flash
Controller IC
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF117
SD Card
Interface
±5.5
±15
8
7
WLP-16-4
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
[email protected]
[email protected]
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
44
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
ESD/EMI Protection for High-Speed MMC-Card (4 data lines) – BGF104c
6.6
MMC Card Connector
BGF104c
DAT2
C9
For x8 HSMMC
card only
VDD
DAT3
C1
C10
15kV
CMD
CLK
2kV
R*
C2
CMD
VSS1
C11
C3
DAT0
VDD
C4
DAT1
LPF
CLK
C5
DAT2
VSS2
C12
C6
C13
DAT3
DAT0
C7
x4 HSMMC card
DAT1
C8
* not applicabel f or CLK line
Flash
Controller IC
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF104c
SD Card
Interface
+14
±15
16
7
WLP-16-3
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
[email protected]
[email protected]
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
[email protected]
11.5@30
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
+5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
45
RF and Protection Devices
Application Guide for Protection
6.7
ESD/EMI Protection for LCD/Camera Interface - BGF108c / BGF109c
2 x BGF108c/BGF109c
LCD Source
Drive
PD[15:0]
15 kV
LPF
7 (10)
Flash
Controller IC
7 (10)
PD[15:0]
15 kV
14 (20)
VSYNC
HSYNC
DOTCLK
ENABLE
7 (10)
VSYNC
HSYNC
DOTCLK
ENABLE
15 kV
LPF
7 (10)
FPC 1
1) Flexible Printed Circuit
BGF108c (7 lines) / BGF109c (10 lines)
HiPAC – Integrated ESD/EMI Protection Device
Notes:
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
Line capacitance
of all lines to GND
[pF]
Protected
Lines
Package
BGF108c
LCD
Interface
0…5
±15
27 @ VR = 0V
17 @ VR = 3V
7
WLP-18-4
BGF109c
LCD
Interface
-7…7
±15
28 @ VR = 0V
17 @ VR = 3V
9
WLP-24-9
1)
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
ESD Diodes
1)
2)
3)
4)
5)
6)
Product
Application
VRWM
[V]
ESD
[kV]
VCL
[VCL]@[A]
Rdyn
[Ω]
IPP
[A]
VCL
[V]
CT
[pF]
Protected
Lines
Package
ESD5V3U4U-HDMI
high speed
low cap.
+5.3
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
4
TSLP-9-1
ESD5V3U1U
high speed
low cap.
+5.3
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
1
TSLP-2-7
TSSLP-2-1
ESD5V3U2U
high speed
low cap.
+5.3
±15
19@16
28@30
0.65
3
12
0.4
2
TSLP-3-7
TSFP-3
ESD5V5U5ULC
high speed
low cap.
+5.5
±25
8.9@16
11.5@30
0.2
6
10
0.45
4
SC74
ESD5V3L1B
General
purpose
±5.3
±20
+10/-13@±16
+12/-17@±30
0.2
0.35
±2.5
±10
5
1
TSLP-2-17
TSSLP-2-1
Notes:
1) Electrostatic discharge as per IEC61000-4-2, contact discharge;
2) TLP clamping voltage for 100 ns pulse length;
3) Dynamic Resistance (ON-Resistance) evaluated with TLP measurement (100ns pulse length);
4) Maximum peak pulse current according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
5) Clamping Voltage at IPP,max according to IEC61000-4-5 (8/20μs);
6) Typical capacitance at 1 MHz (unless specified), 0 V, I/O vs. GND;
7) Please visit our webpage http://www.infineon.com/tvsdiodes for alternative devices.
46
Abbreviations
Abbr.
Terms
Abbr.
Terms
ADSL
Asymmetric Digital Subscriber Line
MICP
Microphone Positive
AN
Application Note
MIPI
Mobile Industry Processor Interface
ASIC
Application Specific Integrated Circuit
MM Card
Multimedia Card
AUX
Auxiliary
MMIC
Monolithic Microwave Integrated Circuit
AV I/F
Interface
Audio Video Intermediate Frequency
Interface
NFC
Near-Field Communication (13.56 MHz)
BB
Baseband
PAM
Pulse Amplitude Modulation
BER
Bit Error Rate
PCB
Printed Circuit Board
PD
Programming Data
PHY
Physical Layer
RF
Radio Frequency
RoHS
Restriction of Hazardous Substances
RPD
RF and Protection Devices
RPP
Reserve Polarity Protection
RST
Reset
Rx
Receive
SATA
Serial Advanced Technology Attachment
SC
Semiconductor Package
BPF
Band Pass Filter
CEC
Consumer Electronics Control
CLK
Clock
CMD
Command
DAT
Data
DC
Direct Current
DPDT
Double Pole Double Throw
DSL
Digital Subscriber Line
DUT
Device under Test
DVI
Digital Visual Interface
EMI
Electromagnetic Interference
SCL
Serial Clock Line
ESD
Electro-Static Discharge
SDA
Serial Data Line
FM
Frequency Modulation (76 – 108 MHz)
(µ)SD Card
(Micro)Secure Digital Memory Card
GND
Ground
SIM Card
Subscriber Identity Module Card
GPS
Global Positioning System (1575.42 MHz)
SOT
Small Outline Transistor Package
HBM
Human Body Model
SPDT
Single Pole Double Throw
HDMI
High-Definition Multimedia Interface
SWP
Single Wire Protocol
HID
Human Interface Device
TLP
Transmission Line Pulse
TMDS
Transition Minimized Differential Signaling
HS / FS / LS
High Speed (480 Mbit/s) /
Full Speed (12 Mbit/s) /
Low Speed (1.5 Mbit/s)
TR
Technical Report
TRX
Transceiver
HSMM
High-Speed Multimedia
TSFP
Thin Small Flat Package
HSYNC
Horizontal Synchronization
TSSLP
Thin Super Small Leadless Package
IC
Integrated Circuit
TV
Television
IEC
International Electrotechnical Commission
TVS
Transient Voltage Suppression
I/O
Input / Output
Tx
Transmit
LCD
Liquid Crystal Display
USB
Universal Serial Bus
L/GND
Line-to-Ground
VDSL
Very High Speed Digital Subscriber Line
L/L
Line-to-Line
VSYNC
Vertical Synchronization
LNA
Low Noise Amplifier
VMIC
Voltage Microphone
LPF
Low Pass Filter
WLAN
Wireless Local Area Network
MHL
Mobil High-definition Link
WLP
Wafer Level Package
ML
Main Lane
MICN
Microphone Negative
Alphanumerical List of Symbols
Symbol
Term
Unit
BW
Bandwidth
[GHz]
CT
Total Diode capacitance
[pF]
IF
Forward current
[mA]
IPP
Maximum peak pulse current
[A]
IR
Reserve current
[uA]
IL
Insertion loss
[dB]
P-0.1dB
0.1dB compression point
[dBm]
Rdyn
Dynamic Resistance
[Ω]
rF
Differential forward resistance
[Ω]
VBR
Breakdown voltage
[V]
VCL
Clamping voltage
[V]
Vctrl
Digital control voltage
[V]
Vdd
DC supply voltage
[V]
VF
Forward voltage
[mV]
VR
Reverse voltage
[V]
VRWM
Reverse working voltage
[V]
τL
Storage time
[ns]
τrr
Reverse recovery time
[ns]
Package Information
Package (JEITA-code)
X
L×W ×H
PIN-Count
Scale 1:1
All products are available in green (RoHS compliant).
All Dimensions in mm
SCD80 (SC-80)
SC79 (SC-79)
2
1.6 × 0.8 × 0.55
2
2.0 × 2.1 × 0.9
4
WLP-16-4 ( - )
1.55 × 1.55 × 0.6
3:1
8
4:1
8
2
7:1
7
TSLP-7-6 ( - )
2.3 × 1.5 × 0.4
7
4:1
1.4 × 1.26 × 0.39
3:1
3:1
WLP-16-3 ( - )
WLP-8-11 ( - )
1.15 × 1.15 × 0.6
0.62 × 0.32 × 0.31
4:1
WLP-8-10 ( - )
1.16 × 1.16 × 0.6
TSSLP-2-1 ( - )
1.2 × 1.2 × 0.55
TSLP-7-4 ( - )
1.0 × 0.6 × 0.39
2.9 × 2.4 × 1.0
2:1
TSFP-3 ( - )
3
5:1
WLP-8-6 ( - )
3:1
16
3
4
2:1
TSLP-3-7 ( - )
1.0 × 0.6 × 0.39
5:1
TSLP-9-1 ( - )
2.3 × 1.0 × 0.31
2.0 × 2.1 × 0.9
SOT143 (SC - 61)
2.9 × 2.4 × 1.1
2:1
TSLP-2-7 ( - )
2
5:1
9
6
3:1
TSLP-2-17
3
SOT363 (SC - 88)
2.0 × 2.1 × 0.9
3:1
1.0 × 0.6 × 0.39
2.5 × 1.25 × 0.9
2:1
SOT343 (SC-82)
SOT323 (SC-70)
2
2
3:1
3:1
3
SOT23 ( - )
SOD323 (SC-76)
1.7 × 0.8 × 0.7
8
1.2 × 1.2 × 0.6
4:1
16
1.92 × 1.92 × 0.65
3:1
Support Material
Data Sheets / Application Notes / Technical Reports
www.infineon.com/rfandprotectiondevices
Products:
-
RF CMOS Switches
RF MMICs
RF Transistors
RF Diodes
PIN Diodes
Schottky Diodes
Varactor Diodes
ESD/EMI Protection Devices
www.infineon.com/rfswitches
www.infineon.com/rfmmics
www.infineon.com/rftransistors
www.infineon.com/rfdiodes
www.infineon.com/pindiodes
www.infineon.com/schottkydiodes
www.infineon.com/varactordiodes
www.infineon.com/ESDdiodes
Brochures:
- Selection Guide
www.infineon.com/rpd_selectionguide
- Application Guide for Mobile Communication
www.infineon.com/rpd_appguide_mobile
- Application Guide for Consumer Applications
www.infineon.com/rpd_appguide_consumer
- Application Guide for Industrial Applications
- Application Guide for Protection
- ESD Protection Solutions – Consumer and Wireless
Communication
- GPS Front-End Components for Mobile and Wireless
Applications
www.infineon.com/rpd_appguide_industrial
www.infineon.com/rpd_appguide_protection
www.infineon.com/ESD.brochure
www.infineon.com/gps
Sample Kits
www.infineon.com/rpdkits
Evaluation Boards
For more information please contact your sales
counterpart at Infineon.
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