テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F PrimePACK™2モジュール高周波スイッチング向け高速IGBT2内蔵andNTCサーミスタ PrimePACK™2modulewithfastIGBT2andSiCDiodeforhighfrequencyswitchingandNTC 暫定データ/PreliminaryData VCES = 1200V IC nom = 600A / ICRM = 1200A 一般応用 • 高周波スイッチングアプリケーション • 医療機器アプリケーション TypicalApplications • HighFrequencySwitchingApplication • MedicalApplications 電気的特性 • 低スイッチング損失 • 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧 ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient 機械的特性 MechanicalFeatures • 4kVAC1分 絶縁耐圧 • 4kVAC1minInsulation • CTI(比較トラッキング指数）>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400 • 長い縁面/空間距離 • HighCreepageandClearanceDistances • 低熱インピーダンスのDCB • SubstrateforLowThermalResistance ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData IGBT- インバータ/IGBT,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 55°C, Tvj max = 150°C IC nom 600 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1200 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150°C Ptot 3,70 kW ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues min. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat typ. max. 3,20 3,80 3,75 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 25V QG 6,30 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,3 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 39,0 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,20 0,20 µs µs ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,06 0,07 µs µs ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,53 0,55 µs µs ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,07 0,08 µs µs ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 42 nH VGE = ±15 V, di/dt = 6800 A/µs RGon = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 10,0 20,0 mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 42 nH VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs RGoff = 0,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 35,0 40,0 mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 2 tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C 3900 A 34,0 K/kW 13,0 K/kW 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData Diode、インバータ/Diode,Inverter 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 1200 V IF 360 A IFRM 720 A I²t 10,5 kA²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,60 2,20 2,05 順電圧 Forwardvoltage IF = 360 A, VGE = 0 V IF = 360 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 190 190 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 0,00 0,00 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 600 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 10,0 10,0 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW V V 80,0 K/kW 30,0 K/kW °C NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 3 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL 4,0 kV Cu Al2O3 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 33,0 33,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 19,0 19,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 400 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature min. typ. RthCH 4,50 LsCE 18 nH RCC'+EE' 0,30 mΩ Tstg -40 125 °C 3,00 - 6,00 Nm 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 825 g 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM4 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 取り付けネジM8 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 質量 Weight G preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 4 max. K/kW テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT- インバータ(Typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1200 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 960 960 840 840 720 720 600 600 480 480 360 360 240 240 120 120 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 1080 IC [A] IC [A] 1080 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 伝達特性IGBT- インバータ(Typical) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=0.5Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=600V 1200 140 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1080 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 120 960 100 840 80 E [mJ] IC [A] 720 600 60 480 360 40 240 20 120 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 5 0 200 400 600 IC [A] 800 1000 1200 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=600A,VCE=600V 過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 120 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C ZthJC : IGBT 100 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 80 60 40 1 20 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 8,067796 0,1152543 23,05085 2,766102 τi[s]: 0,004 0,02 0,05 0,1 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 0,1 0,001 5,0 逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=125°C 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、インバータ（typical) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1400 600 IC, Modul IC, Chip 560 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 520 1200 480 440 1000 400 360 IF [A] IC [A] 800 600 320 280 240 200 400 160 120 200 80 40 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 VF [V] テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=0.5Ω,VCE=600V スイッチング損失Diode、インバータ(Typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=360A,VCE=600V 25 25 Erec, Tvj = 125°C E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C 15 5 0 200 400 600 IF [A] 800 1000 5 1200 過渡熱インピーダンスDiode、インバータ transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 15 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 RG [Ω] 3,5 4,0 4,5 5,0 NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100 100000 ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/kW] 10000 10 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 18,98305 0,2711865 54,23729 6,508474 τi[s]: 0,004 0,02 0,05 0,1 1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 7 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 8 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FF600R12IS4F 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:GB dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MS revision:2.5 9