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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
PrimePACK™2モジュール高周波スイッチング向け高速IGBT2内蔵andNTCサーミスタ
PrimePACK™2modulewithfastIGBT2andSiCDiodeforhighfrequencyswitchingandNTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
一般応用
• 高周波スイッチングアプリケーション
• 医療機器アプリケーション
TypicalApplications
• HighFrequencySwitchingApplication
• MedicalApplications
電気的特性
• 低スイッチング損失
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
機械的特性
MechanicalFeatures
• 4kVAC1分 絶縁耐圧
• 4kVAC1minInsulation
• CTI(比較トラッキング指数)>400のモジュールパッケージ• PackagewithCTI>400
• 長い縁面/空間距離
• HighCreepageandClearanceDistances
• 低熱インピーダンスのDCB
• SubstrateforLowThermalResistance
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 55°C, Tvj max = 150°C
IC nom 600
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Ptot
3,70
kW
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
typ.
max.
3,20
3,80
3,75
V
V
VGEth
4,5
5,5
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 25V
QG
6,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,3
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
39,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
2,60
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,20
0,20
µs
µs
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,06
0,07
µs
µs
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,53
0,55
µs
µs
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,07
0,08
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 42 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 6800 A/µs
RGon = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
10,0
20,0
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 600 V, LS = 42 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 5000 V/µs
RGoff = 0,5 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
35,0
40,0
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
3900
A
34,0 K/kW
13,0 K/kW
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
360
A
IFRM
720
A
I²t
10,5
kA²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
2,20
2,05
順電圧
Forwardvoltage
IF = 360 A, VGE = 0 V
IF = 360 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
190
190
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
0,00
0,00
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 360 A, - diF/dt = 6800 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
10,0
10,0
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
125
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
80,0 K/kW
30,0 K/kW
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 4,0
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
33,0
33,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
19,0
19,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
RthCH
4,50
LsCE
18
nH
RCC'+EE'
0,30
mΩ
Tstg
-40
125
°C
3,00
-
6,00
Nm
1,8
-
2,1
Nm
8,0
-
10
Nm
825
g
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM4
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
取り付けネジM8
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
質量
Weight
G
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
4
max.
K/kW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
1200
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
960
960
840
840
720
720
600
600
480
480
360
360
240
240
120
120
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
1080
IC [A]
IC [A]
1080
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=0.5Ω,RGoff=0.5Ω,VCE=600V
1200
140
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1080
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
120
960
100
840
80
E [mJ]
IC [A]
720
600
60
480
360
40
240
20
120
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
5
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
120
100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
100
10
ZthJC [K/kW]
E [mJ]
80
60
40
1
20
0
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 8,067796 0,1152543 23,05085 2,766102
τi[s]:
0,004
0,02
0,05
0,1
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
RG [Ω]
3,5
4,0
4,5
0,1
0,001
5,0
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=0.5Ω,Tvj=125°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
1400
600
IC, Modul
IC, Chip
560
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
520
1200
480
440
1000
400
360
IF [A]
IC [A]
800
600
320
280
240
200
400
160
120
200
80
40
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
6
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=0.5Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=360A,VCE=600V
25
25
Erec, Tvj = 125°C
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
15
5
0
200
400
600
IF [A]
800
1000
5
1200
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
15
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
RG [Ω]
3,5
4,0
4,5
5,0
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJC [K/kW]
10000
10
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 18,98305 0,2711865 54,23729 6,508474
τi[s]:
0,004
0,02
0,05
0,1
1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
7
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
8
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF600R12IS4F
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
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使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
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お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
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製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:GB
dateofpublication:2013-11-05
approvedby:MS
revision:2.5
9
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