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For IC substrate
low warpage circuit board materials
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
半導体パッケージ向け 低反り基板材料
Low warpage
Can be multi-layered thin
Halogen-free
基板の反り低減
薄物多層化
ハロゲンフリー
1. Low CTE 0.5ppm/℃(X-axis) 0.5ppm/℃(Y-axis)
2. Decrease the warpage by 40% compared to 5.5ppm/℃ type
(measured by the company)
3. Can be multi-layered (lineup of ultra thin 25μm prepreg)
1. 低熱膨張 タテ0.5ppm/℃ ヨコ0.5ppm/℃
2. 反り量低減 当社5.5ppm/℃タイプ比で約40%低減
(当社にて実測)
3. 多層化可能(極薄プリプレグ25μmをラインアップ)
Applications 用途
IC Packages
Smartphone
半導体パッケージ
スマートフォン
■ Coefficient of thermal expansion
熱膨張率
■ IC packages warpage
0.40
200
0.35
150
0.30
0.20
0.15
0.10
0.00
R-1515U
50
Chip size
チップサイズ
Chip thickness
チップ厚
0
50
100
150
200
250
300
350
-150
Temp 温度(℃)
13×13mm
0.10mm
10×10mm
0.16mm
Company’s
5.5ppm/℃ type
-100
0
PKG size
PKGサイズ
Core material
(2-layer board)
thickness
コア材
(2層基板)
厚み
-50
R-1515U
(0.5ppm/℃)
0.05
半導体パッケージ基板反り評価結果
●Evaluation sample 評価サンプル
100
Company’s
5.5ppm/℃ type
0.25
Warpage (μm)
反り量
Expansion (%)
熱膨張率
Circuit Board Materials 電子回路基板材料
Proposals ご提案
25
150
260
150
50
Temp 温度(℃)
■ General properties 一般特性
Item
項目
Glass transition temp (Tg) ガラス転移温度
Thermal decomposition temp (Td) 熱分解温度
CTE x-axis 熱膨張係数
(タテ方向)
CTE y-axis 熱膨張係数
(ヨコ方向)
Dielectric constant (Dk) 比誘電率※
Dissipation factor (Df) 誘電正接※
Condition
条件
Unit
単位
R-1515U
Company’s 5.5ppm/℃ type
DMA
A
℃
275
270
TG/DTA
A
℃
400
410
0.5
5.5
0.5
5.5
α1
IPC TM-650 2.4.41
A
ppm/℃
1GHz
IPC TM-650 2.5.5.9
C-24/23/50
ー
IPC TM-650 2.5.17.1
C-96/35/90
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
Volume resistivity 体積抵抗率
Surface resistivity 表面抵抗
Water absorption 吸水率
Flexural modulus 曲げ弾性率※
Peel strength 銅箔引き剥がし強さ
Test method
試験方法
25℃
JIS C6481
1/3oz
250℃
IPC TM-650 2.4.8
The sample thickness is 0.1mm 試験片の厚さは0.1mmです。
A
MΩ・cm
MΩ
%
GPa
kN/m
4.4
4.7
0.010
0.010
1x109
1x109
8
1x108
0.3
1x10
0.3
32
35
14
0.6
20
0.7
※ 0.8mm
The above data is actual values and not guaranteed values. 上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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半導体パッケージ向け基板材料 MEGTRON GXシリーズ
industrial.panasonic.com/em/
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