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For IC substrate
narrow pitch corresponding circuit board materials
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
半導体パッケージ向け 狭ピッチ対応基板材料
High heat resistance
Low CTE
Mechanical drilling-ability
高耐熱
低熱膨張
メカニカルドリル対応
1. High heat resistance
Td: 390℃ (TG/DTA)
Tg:250℃ (DMA)
2. Low CTE CTE X, Y = 9ppm/℃
3. High elasticity 25℃=35GPa 250℃=21GPa
4. Excellent CAF resistance
5. Halogen-free
1. 優れた耐熱性
熱分解温度(Td)390℃ (TG/DTA)
ガラス転移温度(Tg)
:250℃(DMA)
2. 低熱膨張 タテ9ppm/℃ ヨコ9ppm/℃
3. 優れた熱時剛性 25℃=35GPa 250℃=21GPa
4. 優れた耐CAF性
5. ハロゲンフリー
Applications 用途
IC Packages
PC
半導体パッケージ
パソコン
■ Heat resistance
耐熱性
■ Thermal expansion
熱膨張量
35
-2.0
30
-4.0
25
-6.0
Amount of change (μm)
熱膨張変化量
Weight decrease rate (%)
重量減少率
Circuit Board Materials 電子回路基板材料
Proposals ご提案
R-1515W
-8.0
-10.0
R-1515A
-12.0
-14.0
R-1515A
(12ppm/℃)
20
15
10
R-1515W
(9ppm/℃)
5
50
100
150
200
250
300
350
Temp(℃)
温度
0
400
50
100
150
Temp(℃)
温度
Method: TG/DTA
200
250
Thickness: 0.8mm (8ply)
Method: TMA
■ General properties 一般特性
Test method
試験方法
Item
項目
Glass transition temp (Tg) ガラス転移温度
DMA
Thermal decomposition temp (Td) 熱分解温度
CTE x-axis 熱膨張係数
(タテ方向)
CTE y-axis 熱膨張係数
(ヨコ方向)
Dielectric constant (Dk) 比誘電率※
Dissipation factor (Df) 誘電正接※
A
TG/DTA
α1
IPC TM-650 2.4.41
A
1GHz
IPC TM-650 2.5.5.9
C-24/23/50
Volume resistivity 体積抵抗率
IPC TM-650 2.5.17.1
Surface resistivity 表面抵抗
Flexural modulus 曲げ弾性率※
Peel strength 銅箔引き剥がし強さ
Condition
条件
25℃
JIS C6481
1/3oz
250℃
IPC TM-650 2.4.8
The sample thickness is 0.1mm 試験片の厚さは0.1mmです。
C-96/35/90
A
Unit
単位
R-1515W
R-1515A
℃
250
205
℃
390
390
9
12
ppm/℃
ー
9
12
4.8
4.8
0.015
0.015
MΩ・cm
1x109
1x109
MΩ
1x108
1x108
GPa
kN/m
35
27
21
0.8
10
0.9
※ 0.8mm
The above data is actual values and not guaranteed values. 上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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For IC substrate circuit board materials MEGTRON GX Series
半導体パッケージ向け基板材料 MEGTRON GXシリーズ
industrial.panasonic.com/em/
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