Japanese/English

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
EasyPACKモジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵and
PressFIT/NTCサーミスタ
EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC
J
VCES = 600V
IC nom = 30A / ICRM = 60A
一般応用
• 3レベル　アプリケーション
• ソーラーアプリケーション
• UPSシステム
TypicalApplications
• 3-Level-Applications
• SolarApplications
• UPSSystems
電気的特性
• 低インダクタンスデザイン
• 低スイッチング損失
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• LowInductiveDesign
• LowSwitchingLosses
• LowVCEsat
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3　DCB
• コンパクトデザイン
• PressFIT接合技術
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• PressFITContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
45
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
150
W
VGES
+/-20
V
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
5,80
6,50
V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
VGEth
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
4,90
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
0,012
0,015
0,016
µs
µs
µs
0,17
0,19
0,20
µs
µs
µs
0,06
0,08
0,09
µs
µs
µs
Eon
0,18
0,28
0,31
mJ
mJ
mJ
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,75
0,95
1,00
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
0,900 1,00 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,850
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
td on
tr
td off
tf
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
2
-40
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
44,0
50,0
53,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
順電圧
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,25
1,40 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,05
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
3
-40
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
ダイオード、D5-D6/Diode,D5-D6
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
135
125
電気的特性/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,00
VF
1,60
1,55
1,50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
44,0
50,0
53,0
A
A
A
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,30
2,40
2,80
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,37
0,67
0,76
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,00
1,10 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,900
K/W
順電圧
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 2200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
逆回復電荷量
Recoveredcharge
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
V
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
4
kΩ
5
%
20,0
mW
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
> 200
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
VISOL CTI
min.
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
nH
RCC'+EE'
2,00
mΩ
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
質量
Weight
G
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
5
max.
15
-40
preparedby:CM
typ.
LsCE
Tstg
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin
kV
2,5
24
125
°C
50
N
g
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
45
45
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
55
IC [A]
IC [A]
55
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
48
54
60
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=300V
60
2,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,8
50
1,6
45
1,4
40
1,2
E [mJ]
IC [A]
35
30
25
1,0
0,8
20
0,6
15
0,4
10
0,2
5
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
6
0
6
12
18
24
30 36
IC [A]
42
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
4,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
3,5
ZthJH : IGBT
3,0
ZthJH [K/W]
E [mJ]
2,5
2,0
1
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,142 0,309 0,719 0,58
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,5
0,0
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
0,1
0,001
160
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
70
60
IC, Modul
IC, Chip
55
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
50
40
35
IF [A]
IC [A]
40
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0
100
200
300
400 500
VCE [V]
600
700
0
800
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
7
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,2
1,2
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,0
1,0
0,9
0,9
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
6
12
18
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,1
E [mJ]
E [mJ]
1,1
24
30 36
IF [A]
42
48
54
0,0
60
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
順電圧特性ダイオード、D5-D6（typical)
forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical)
IF=f(VF)
10
60
ZthJH: Diode
55
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
35
IF [A]
ZthJH [K/W]
40
1
30
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,29
0,495 0,894 0,622
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(IF)
RGon=15Ω,VCE=300V
スイッチング損失ダイオード、D5-D6(Typical)
switchinglossesDiode,D5-D6(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,2
1,2
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,0
1,0
0,9
0,9
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
6
12
18
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
1,1
E [mJ]
E [mJ]
1,1
24
30 36
IF [A]
42
48
54
0,0
60
過渡熱インピーダンスダイオード、D5-D6
transientthermalimpedanceDiode,D5-D6
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100
RG [Ω]
120
140
160
140
160
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH: Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,215 0,396 0,752 0,537
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
9
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
F3L30R06W1E3_B11
回路図/Circuitdiagram
J
パッケージ概要/Packageoutlines
Infineon
preparedby:CM
dateofpublication:2015-07-30
approvedby:RS
revision:V3.2
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-Module
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この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
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その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。　(www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー　リスク　及び　品質の評価
ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価
上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
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approvedby:RS
revision:V3.2
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