English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
EconoDUAL™3モジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3
diode内蔵andNTCサーミスタ
EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 600A / ICRM = 1200A
一般応用
• チョッパーアプリケーション
TypicalApplications
• ChopperApplications
電気的特性
• Tvjop=150°C
ElectricalFeatures
• Tvjop=150°C
機械的特性
• 標準ハウジング
MechanicalFeatures
• StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 150°C
IC nom 600
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
1200
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
2250
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V
IC = 600 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
typ.
max.
1,30
1,35
1,60
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
9,60
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,33
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
60,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,70
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,115
0,115
µs
µs
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,15
0,16
µs
µs
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,81
0,85
µs
µs
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 150 V
VGE = ±15 V
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,09
0,11
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs
RGon = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
4,00
6,10
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 1500 V/µs
RGoff = 2,4 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
15,5
17,5
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
6300
4500
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,016
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 125°C
0,055 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 600
V
IF
600
A
IFRM
1200
A
I²t
20000
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,15
1,05
1,45
順電圧
Forwardvoltage
IF = 600 A, VGE = 0 V
IF = 600 A, VGE = 0 V
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 150 V
Tvj = 125°C
IRM
80,0
150
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 150 V
Tvj = 125°C
Qr
10,0
30,0
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 150 V
Tvj = 125°C
Erec
3,00
7,50
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,023
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
V
V
0,08 K/W
K/W
125
°C
Diode、リバース/Diode,Reverse
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 600
V
IF
60
A
IFRM
120
A
I²t
700
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,25
1,20
1,60
順電圧
Forwardvoltage
IF = 60 A, VGE = 0 V
IF = 60 A, VGE = 0 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,23
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
3
VF
V
V
0,80 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
14,5
13,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
12,5
10,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,009
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
1,10
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,0
-
6,0
Nm
質量
Weight
G
345
g
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
1200
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
900
900
800
800
700
700
IC [A]
1000
IC [A]
1000
600
600
500
500
400
400
300
300
200
200
100
100
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
1100
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
伝達特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,3
0,6
0,9
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
3,0
スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=150V
1200
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
45
1000
40
900
35
800
30
E [mJ]
IC [A]
700
600
500
25
20
400
15
300
10
200
5
100
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
5
0
200
400
600
IC [A]
800
1000
1200
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=600A,VCE=150V
過渡熱インピーダンスIGBT-ブレーキチョッパー
transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
65
0,1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
60
ZthJC : IGBT
55
50
45
ZthJC [K/W]
E [mJ]
40
35
30
0,01
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0033 0,01815 0,0176 0,01595
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
5
0
0
2
4
6
8
0,001
0,001
10 12 14 16 18 20 22 24
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT-ブレーキチョッパー(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper
(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125°C
1400
IC, Modul
IC, Chip
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
1200
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
1100
1200
1000
900
1000
800
700
IF [A]
IC [A]
800
600
600
500
400
400
300
200
200
100
0
0
200
400
VCE [V]
600
0
800
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
6
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(IF)
RGon=2.4Ω,VCE=150V
スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical)
switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical)
Erec=f(RG)
IF=600A,VCE=150V
12
12
Erec, Tvj = 125°C
10
10
9
9
8
8
7
7
6
6
5
5
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
200
400
Erec, Tvj = 125°C
11
E [mJ]
E [mJ]
11
600
IF [A]
800
1000
0
1200
過渡熱インピーダンスDiode、ブレーキチョッパー
transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper
ZthJC=f(t)
0
1
2
3
4
5
6
7
RG [Ω]
8
9
10 11 12
順電圧特性Diode、リバース(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical)
IF=f(VF)
0,1
120
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
110
100
90
70
IF [A]
ZthJC [K/W]
80
0,01
60
50
40
30
20
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0048 0,0264 0,0256 0,0232
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
10
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
7
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
1,6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
過渡熱インピーダンスDiode、リバース
transientthermalimpedanceDiode,Reverse
ZthJC=f(t)
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
1
100000
ZthJC : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJC [K/W]
10000
0,1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
8
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
9
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FD600R06ME3_S2
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約
このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が
使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。
このデータシートには、保証されている特性が記述されております。
その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。
保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。
実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに
お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
Terms&Conditionsofusage
Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill
havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch
application.
Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted
exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof
ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
salesoffice,whichisresponsibleforyou.
ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please
note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:CU
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MK
revision:2.4
10
Similar pages