English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode
EconoPIM™2modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
暫定データ
PreliminaryData
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 65°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
37
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
125
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,10
0,10
0,10
µs
µs
µs
tr
0,06
0,065
0,07
µs
µs
µs
td off
0,60
0,65
0,70
µs
µs
µs
tf
0,04
0,045
0,05
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 600 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 56 Ω
Tvj = 150°C
Eon
1,40
1,70
1,80
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = 45 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2000 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 56 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
1,00
1,15
1,20
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
210
150
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,40
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
1
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
1,20 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
30
A
IFRM
60
A
I²t
90,0
82,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,05
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
IF = 30 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
22,0
24,0
27,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,15
2,30
2,70
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 30 A, - diF/dt = 600 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,12
0,30
0,36
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
V
V
V
1,80 K/W
K/W
150
°C
Diode、整流器/Diode,Rectifier
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 60
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 50
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
685
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,90
V
IR
1,00
mA
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,28
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 30 A
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
2
0,85 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 65°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
30
37
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
60
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
125
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
IC = 30 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,43 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,30
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,65
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,051
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,10
0,10
0,10
µs
µs
µs
tr
0,06
0,065
0,07
µs
µs
µs
td off
0,60
0,65
0,70
µs
µs
µs
tf
0,04
0,045
0,05
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 30 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
1,40
1,70
1,80
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 30 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 56 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
1,00
1,15
1,20
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
210
150
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,40
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
3
1,20 K/W
K/W
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
15
A
IFRM
30
A
I²t
28,0
21,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,05
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
IF = 15 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
20,0
24,0
25,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,75
1,30
1,60
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 15 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,17
0,30
0,40
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,00
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
3,00 K/W
K/W
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
t.b.d.
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
t.b.d.
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
4
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
7,5
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
min.
typ.
max.
RthCH
0,02
LsCE
60
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
3,00
mΩ
K/W
最大ジャンクション温度
Maximumjunctiontemperature
インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,
brake-chopper
整流器/rectifier
Tvj max
175
150
°C
°C
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
インバータ、ブレーキチョッパー/inverter,
brake-chopper
整流器/rectifier
Tvj op
-40
-40
150
150
°C
°C
Tstg
-40
125
°C
取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
質量
Weight
G
180
g
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
保存温度
Storagetemperature
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
60
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
50
45
45
40
40
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
55
IC [A]
IC [A]
55
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0 2,5
VCE [V]
3,0
3,5
4,0
4,5
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=56Ω,RGoff=56Ω,VCE=300V
60
5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
50
4,0
45
3,5
40
3,0
E [mJ]
IC [A]
35
30
25
2,5
2,0
20
1,5
15
1,0
10
0,5
5
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
6
0
10
20
30
IC [A]
40
50
60
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=30A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
5,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
4,5
4,0
ZthJC : IGBT
3,5
1
ZthJC [K/W]
E [mJ]
3,0
2,5
2,0
0,1
1,5
1,0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,072 0,396 0,384 0,348
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,5
0,0
0
0,01
0,001
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220 240
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=56Ω,Tvj=150°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
70
60
IC, Modul
IC, Chip
55
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
50
45
50
40
35
IF [A]
IC [A]
40
30
30
25
20
20
15
10
10
5
0
0
100
200
300
400
VCE [V]
500
600
0
700
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
7
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=56Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=30A,VCE=300V
1,0
1,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,8
0,8
0,7
0,7
0,6
0,6
0,5
0,5
0,4
0,4
0,3
0,3
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,9
E [mJ]
E [mJ]
0,9
0,0
10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60
IF [A]
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120
RG [Ω]
順方向特性Diode、整流器(典型)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
60
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
55
50
45
1
40
IF [A]
ZthJC [K/W]
35
30
25
0,1
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,108 0,594 0,576 0,522
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
8
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
1,8
2,0
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
60
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
55
28
26
24
45
22
40
20
35
18
IF [A]
IC [A]
50
30
16
14
25
12
20
10
15
8
6
10
4
5
0
2
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
9
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
10
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP30R06KE3
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:AS
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:2.0
11
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