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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 75°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
20
25
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
40
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
71,5
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,20
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
1,10
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,034
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,015
0,015
0,015
µs
µs
µs
tr
0,013
0,016
0,017
µs
µs
µs
td off
0,12
0,14
0,15
µs
µs
µs
tf
0,07
0,095
0,10
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 20 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGon = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
0,32
0,44
0,49
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 20 A, VCE = 300 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 18 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
0,45
0,56
0,59
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
140
100
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
1,90
2,10 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,85
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
1
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
20
A
IFRM
40
A
I²t
49,0
45,0
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,05
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
IF = 20 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
30,0
32,0
34,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
1,00
1,75
2,20
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 20 A, - diF/dt = 1800 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,21
0,37
0,48
mJ
mJ
mJ
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
2,70
3,00 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,00
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
t.b.d.
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
t.b.d.
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
5,0
5,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
3,2
3,2
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 225
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
25
nH
RCC'+EE'
9,50
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
30
-
50
N
質量
Weight
G
10
g
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
40
40
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
32
32
28
28
24
24
20
20
16
16
12
12
8
8
4
4
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
36
IC [A]
IC [A]
36
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=18Ω,RGoff=18Ω,VCE=300V
40
1,4
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
36
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,2
32
1,0
28
24
0,8
E [mJ]
IC [A]
0,5
20
0,6
16
12
0,4
8
0,2
4
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
4
0
10
20
IC [A]
30
40
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=20A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
2,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
1,8
1,6
ZthJH : IGBT
1,4
ZthJH [K/W]
E [mJ]
1,2
1,0
0,8
1
0,6
0,4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,213 0,437 1,11 0,989
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,2
0,0
0
20
40
60
80
0,1
0,001
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=18Ω,Tvj=150°C
1
10
40
IC, Modul
IC, Chip
40
36
36
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
32
32
28
28
24
24
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
44
20
20
16
16
12
12
8
8
4
4
0
0,01
0
200
400
VCE [V]
600
0
800
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
5
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=18Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=20A,VCE=300V
0,8
0,7
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,6
0,6
0,5
E [mJ]
E [mJ]
0,4
0,4
0,3
0,2
0,2
0,1
0,0
0
4
8
12
16
20 24
IF [A]
28
32
36
0,0
40
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180 200
RG [Ω]
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
10
100000
ZthJH : Diode
Rtyp
R[Ω]
ZthJH [K/W]
10000
1
1000
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,333 0,755 1,277 1,336
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
100
10
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
6
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FS20R06VE3_B2
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits
characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered.
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interestedwemayprovideapplicationnotes.
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DPK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:RK
revision:2.0
8
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