Innovative Features Integrated in Hall Switches (Chinese)(中文)

霍尔开关中的创新特性
提升系统质量、安全性和控制性
应用说明
TLE4961-x/TLE4964-x/TLE4968-x
应用说明
修订版 1.0,2012-07-16
感应与控制
版本 2012-07-16
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81726 Munich, Germany
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霍尔开关的创新特性
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EconoPIM™、 EiceDRIVER™、 eupec™、 FCOS™、 HITFET™、 HybridPACK™、 I²RF™、 ISOFACE™、
IsoPACK™、 MIPAQ™、 ModSTACK™、 my-d™、 NovalithIC™、 OptiMOS™、 ORIGA™、 PRIMARION™、
PrimePACK™、 PrimeSTACK™、 PRO-SIL™、 PROFET™、 RASIC™、 ReverSave™、 SatRIC™、 SIEGET™、
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TriCore™。
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Development Partnership 的注册商标。Bluetooth SIG Inc. 的 Bluetooth™ 。 DECT Forum 的 CAT-iq™。 Trimble
Navigation Ltd. 的 COLOSSUS™、FirstGPS™ 。EMVCo, LLC (Visa Holdings Inc.) 的 EMV™ 。Epcos AG 的
EPCOS™。Microsoft Corporation 的 FLEXGO™。FlexRay™ 是 FlexRay Consortium 的注册商标。Hilgraeve
Incorporated 的 HYPERTERMINAL™。Commission Electrotechnique Internationale 的 IEC™。Infrared Data
Association Corporation 的 IrDA™。INTERNATIONAL ORGANIZATION FOR STANDARDIZATION 的 ISO™。
MathWorks, Inc. 的 MATLAB™。Maxim Integrated Products, Inc. 的MAXIM™。Mentor Graphics Corporation 的
MICROTEC™、NUCLEUS™。NXP 的 Mifare™。MIPI Alliance, Inc. 的 MIPI™。美国 MIPS Technologies, Inc. 的
MIPS™。MURATA MANUFACTURING CO. 的 muRata™。Applied Wave Research Inc. 的 MICROWAVE
OFFICE™ (MWO)。OmniVision Technologies, Inc. 的 OmniVision™。Openwave Systems Inc. 的 Openwave™。Red
Hat, Inc. 的 RED HAT™。RF Micro Devices, Inc. 的 RFMD™。Sirius Satellite Radio Inc. 的 SIRIUS™。Sun
Microsystems, Inc. 的 SOLARIS™。Spansion LLC Ltd. 的 SPANSION™。Symbian Software Limited 的 Symbian™。
Taiyo Yuden Co. 的 TAIYO YUDEN™。CEVA, Inc. 的 TEAKLITE™。Tektronix Inc. 的 TEKTRONIX™。TOKO
KABUSHIKI KAISHA TA 的 TOKO™。X/Open Company Limited 的 UNIX™。Cadence Design Systems, Inc. 的
VERILOG™、PALLADIUM™。Texas Instruments Incorporated 的 VLYNQ™。WIND RIVER SYSTEMS, INC. 的
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应用说明
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霍尔开关的创新特性
目录
目录
目录 .......................................................................................................................................................................4
插图目录 ...............................................................................................................................................................5
表格目录 ...............................................................................................................................................................6
1
1.1
1.2
1.3
引言 .......................................................................................................................................................................7
概述 .......................................................................................................................................................................7
产品特性一览表 ...................................................................................................................................................7
目标应用 ...............................................................................................................................................................7
2
启动复位和上电时间 tPON....................................................................................................................................8
3
默认启动行为 .....................................................................................................................................................10
4
关断复位与定义的输出关断行为 .....................................................................................................................10
5
过温和过流保护 .................................................................................................................................................13
应用说明
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霍尔开关的创新特性
插图目录
插图目录
图 2-1
图 2-2
图 3-1
图 4-1
图 4-2
图 4-3
图 5-1
图 5-2
图 1-1TLE496x-yK (PG-SC59-3-5 封装)、TLE496x-yM (PG-SOT23-3-15 封装)和 TLE496x-yL
(PG-SSO-3-2 封装) ......................................................................................................................................... 7
VDD 快速斜坡上电..............................................................................................................................................8
VDD 慢速斜坡上电..............................................................................................................................................8
TLE4961-x/TLE4964-x/TLE4968-x 默认启动示意图 ......................................................................................10
现有器件的慢输出关断行为 .............................................................................................................................11
新一代霍尔开关的快速关断行为和关断复位 .................................................................................................11
功能测试时序图示例 .........................................................................................................................................12
TLE496x-yK(PG-SC59-3-5 封装)的壳温和短路输出 .................................................................................14
TLE496x-yL (PG-SSO-3-2 封装)的壳温和短路输出..................................................................................14
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霍尔开关的创新特性
表格目录
表格目录
表 5-1
绝对最大额定参数 ........................................................................................................................................... 13
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霍尔开关的创新特性
引言
引言
1
概述
1.1
TLE4961-x/TLE4964-x/TLE4968-x 是新一代高精度霍尔效应单极、双极开关和锁存部件,这些部件配备非常准确的
开关阈值,工作温度范围为 -40°C 至 170°C。为增加可读性,本文件将具备不同磁行为的各种器件统称为霍尔效应
开关或霍尔开关。
相对于以前的产品增加了一些新特性,例如定义的启动行为、启动复位、关断复位、过温和过流保护等。
本应用说明对于这些新特性的功能进行了介绍。
1.2
产品特性一览表
•
•
•
•
工作电源电压为 3.0 V 至 32 V
使用非稳压电源
低电流消耗 (1.6 mA)
过压耐受能力高达 42 V,不带外部电阻
•
•
•
•
•
•
•
•
输入电源电极反接保护 (-18 V)
输出过流与过温保护
主动误差补偿
磁性阈值稳定性高
高 ESD 性能 (7 kV)
SOT23 式 SMD 封装 PG-SC59-3-5 (TLE496x-yK)
含铅封装 PG-SSO-3-2 (TLE496x-yL)
小尺寸 SMD 封装 PG-SOT23-3-15 (TLE496x-yM)
图 1- 1
1.3
TLE496x-yK (PG-SC59-3-5 封装)、TLE496x-yM(PG-SOT23-3-15 封装)和 TLE496x-yL(PGSSO-3-2 封装)
目标应用
TLE4961-x/TLE4964-x/TLE4968-x 霍尔开关系列适合所有要求高精度霍尔开关(工作温度范围为 -40°C 至 170°C)
的应用领域。电源电压范围超强,为 3.0 V 至 32 V,加上不带外部电阻就能达到 42 V 的过压耐受能力(即负载突
降)令其成为工业应用的理想选择。
•
TLE4964-x 系列是带各种不同工作点的单极开关,非常适合在各种位置探测应用中使用,例如变速杆、座椅或
HVAC。
•
TLE4961-x 系列是锁存器,适合用于 BLDC 转子位置测量或在杆轮应用中做指数计算或速度测量之用。指数计
•
算通常在车窗升降器或汽车顶蓬等电动关闭应用中使用。
TLE4968-x 的磁性阈值非常低(非常灵敏),有双极开关行为,因此非常适合在需要高灵敏度传感器的应用中
使用。这些应用包括 BLDC 转子位置测量或凸轮轴/传动应用中速度及位置测量等。
应用说明
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修订版 1.0, 2012-07-16
霍尔开关的创新特性
启动复位和上电时间 tPON
启动复位和上电时间 tPON
2
启动复位和启动顺序
VDD 通电后,必须跨过 2V 才能令电压调节器启动。 VDD 之后是内部电源电压 VDDA 。当 VDD 达到规定的 3V 最小
电平时,触发一个活动的启动顺序。VDDA 跨过内部复位电压电平时,器件和输出晶体管被设为预先定义的状态。
图 2-1 和图 2-2 介绍了器件的两个不同的启动顺序,通过典型的斜坡来显示。
根据施加电源电压的斜坡,tPON 可在 55μs 和更小数值之间变动。逐渐逼近极限,可以达到内部信号延迟时间范围
内的最小值 td (15μs 至 20μs)。
图 2-1
VDD 快速斜坡上电
图 2-2
VDD 慢速斜坡上电
这些启动机制确保了新霍尔开关系列的上电行为的安全性和可预测性,为客户的系统设计提供一项巨大的优势。
启动复位和上电时间 tPON
上电时间 TPON 定义
上电时间 tPON 的定义如下:
从施加外部电源电压 VDD = 3.0 V 到传感器直至相对于磁性输入的输出变为有效所用的时间。
要明确 tPON ,必须满足下述条件:VDD = 3 V,B ≤ BRP - 0.5 mT 或 B ≥ BOP + 0.5 mT。
应用说明
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修订版 1.0, 2012-07-16
霍尔开关的创新特性
上电时间是内部电路通电的时间帧和额外的内部信号延迟时间 td 之和,说明见第 9 页。
应用说明
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修订版 1.0,2012-07-16
霍尔开关的创新特性
默认启动行为
默认启动行为
3
启动行为对于霍尔效应开关等传感器来说是一个非常重要的工作条件。除了上电时间 (tPON) 以外,输出信号的行为
也很重要。
与其他传感器集成电路相比,该行为的生效总是经由一个激励,即输入信号(该信号的设计目的是使其被感应到)
来实现的。霍尔开关有 3 个不同的重要条件(参见图 3-1)。
•
•
•
磁场超过工作点 (BOP) 阈值 B > BOP
磁场低于释放点 (BRP) 阈值 B < BRP
磁场在工作点 (BOP) 阈值和释放点 (BRP) 阈值之间,在滞后范围内 BOP > B > BRP 。
为避免以前器件中存在的随机启动的不确定性,定义了所谓的“默认上电”状态。
这就意味着,不受刺激(施加的实际磁场)的影响,器件将在逻辑“ZERO”状态—即 VQ 引脚达到上拉电压电平—
中启动。一定启动时间后,器件对施加的磁场做出响应。若超过 BOP 阈值,则施加逻辑 “ONE” 状态—即 VQ 引脚
达到低电压电平。
图 3-1
TLE4961-x/TLE4964-x/TLE4968-x 默认启动示意图
关断复位与定义的输出关断行为
关断复位与定义的输出关断行为
4
作为定义启动行为和启动复位的补充,新一代霍尔开关提供定义关断和关断复位功能。
该功能的好处在于可以令输出晶体管快速放电,有更出色的测试功能选项。
相较之下,现有器件输出引脚有一些容性放电行为(参见图 4-1)。
应用说明
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修订版 1.0,2012-07-16
霍尔开关的创新特性
图 4-1
现有器件的慢输出关断行为
新一代霍尔开关设有第二个内部复位功能。一旦跨过关断复位电平 2.1± 0.05 V (不同于上电复位电平 2.4±0.05 V),
立即触发输出晶体管快速放电(参见图 4-2)。
如此可令输出引脚在 5μs 左右达到 VQ 电平,而其他器件则需要数十毫秒。
图 4-2
新一代霍尔开关的快速关断行为和关断复位
应用说明
11
修订版 1.0,2012-07-16
霍尔开关的创新特性
关断复位与定义的输出关断行为
在系统功能测试示例中
要在系统中功能测试中使用此关断行为,必须考虑下述问题。有必要施加一个磁通量。
•
•
•
然后,必须断开 VDD 。
输出将在 5 μs 内达到 VQ 电平。
对 VDD 加电,上电时间(tPON,参见第 2 章)后输出将恢复至 0 V 电平。
图 4-3
功能测试时序图示例
应用说明
12
修订版 1.0,2012-07-16
霍尔开关的创新特性
过温和过流保护
过温和过流保护
5
这个功能旨在防止传感器快速损坏,提高器件的耐用性。除了高电压功能和 ESD 耐受能力得以提高外,增加这个
功能对于实现所设定的高质量标准目标也是非常必要的。
如数据手册最大额定值表,本文件表 5-1 所示,结温对器件的工作寿命有很大的影响。
表 5-1
绝对最大额定参数
参数
符号
值
最小
典型
单位
备注/测试条件
10 小时,不要求外部电阻
最大
电源电压
VDD
-18
32
42
V
输出电压
反向输出电流
结温 1)
VQ
IQ
TJ
0
-70
-40
32
V
mA
°C
存储温度
热阻
结到环境
TS
RthJA
-40
150
300
200
300
°C
K/W
热阻
结到引线
RthJL
100
150
100
K/W
155
165
175
195
2000 小时(非累计)
1000 小时(非累计)
168 小时(非累计)
3 x 1 小时(累计)
针对 PG-SC59-3-5 (2s2p)
针对 PG-SSO-3-2 (2s2p)
针对 PG-SOT23-3-15 (2s2p)
针对 PG-SC59-3-5
针对 PG-SSO-3-2
针对 PG-SOT23-3-15
1) 此工作寿命声明是基于英飞凌鉴定测试结果的推断所进行的预测。一个元件的实际工作寿命取决于其应用形式、使用类型
等,可能偏离此声明。在任何情况下,工作寿命声明都不能延长协定的保修期。
计算芯片的耗散功率 PDIS 和结温 TJ (以 SC59 为例):
例如: VDD = 12 V,IS = 2.5mA,VQSAT = 0.5 V,IQ = 20mA
耗散功率: PDIS = 12 V x 2.5mA + 0.5 V x 20mA = 30mW + 10mW = 40mW
温度 ∆T = RthJA x PDIS = 300K/W x 40mW = 12K
TA = 150°C 时: TJ = TA + ∆T = 150°C + 12K = 162°C
应用说明
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修订版 1.0,2012-07-16
霍尔开关的创新特性
过温过流保护
短路条件下数十秒之后,壳温 (Tcase) 达到最大值。但事实上数百毫秒后,结温 (TJ) 会跨过内部关断温度 192°C。壳
温进一步增加反映了器件开始在关断温度和180°C 接入温度 (TJ) 之间转换(频率 120Hz 左右,环境温度25°C )。
注:下图显示了 PG-SC59-3-5 和 PG-SSO-3-2封装的 Tcase 测量值。请记住, Tcase 和 TJ 之间差异显著。虽然芯片已
经热关断,但 Tcase 仍会较缓慢地增加至最高电平,远远低于 TJ 关断值。
图 5-1
TLE496x-yK(PG-SC59-3-5 封装)的壳温和短路输出
图 5-2
TLE496x-yL (PG-SSO-3-2 封装)的壳温和短路输出
应用说明
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修订版 1.0,2012-07-16
w w w. i n f i n eo n . c o m
由 Infineon Technologies AG 出版