JSMC 3DD2101

R
低频放大管壳额定的双极型晶体管
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD2101 FOR LOW FREQUENCY
3DD2101
主要参数
封装 Package
MAIN CHARACTERISTICS
TO-3P(H)IS
BVCBO
IC
VCE(sat)
tf
900
V
5
A
0.5
V(max)
0.5
μs(max)
用途
APPLICATIONS
z 彩色电视机开关电源
电路
z Switching power supply
for color TV.
1
产品特性
2 3
FEATURES
等效电路 EQUIVALENT CIRCUIT
z 3DD2101 是 NPN 双极型 z 3DD2101 is high breakdown
voltage of NPN bipolar transistor.
高反压大功率晶体管,制
造中采用的主要工艺技 The main process of manufacture:
术有:高压台面工艺技 high voltage mesa type process,
术、三重扩散技术等,采 triple diffused process etc.,
用塑料全包封结构。环保 adoption of fully plastic packge.
RoHS product.
(RoHS)产品。
订货信息 ORDER MESSAGE
订 货 型 号
印
Order codes
Marking
Halogen Free
3DD2101-O-A-N-D
D2101
否
印记说明
记
无卤素
NO
封
装
包
装
器件重量
Package
Packaging
Device
Weight
TO-3P(H)IS
泡沫 Foam
5.50 g(typ)
MARKING
商标 Trademark
型号 Part No.
年月 Year month
举例 For example
“8”-2008,“10”10 月 october
版本:200911E
1/6
3DD2101
R
绝对最大额定值
ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃)
符 号
Symbol
数 值
Value
单 位
Unit
集电极—基极直流电压
Collector−Base Voltage
BVCBO
900
V
集电极—发射极直流电压
Collector−Emitter Voltage
BVCEO
600
V
发射极—基极直流电压
Emitter−Base Voltage
BVEBO
7
V
IC
ICP
5
10
最大基极直流电流
Base Current
IB
2.5
A
最大集电极耗散功率
Collector Power Dissipation
PC
50
W
最高结温
Max. Junction Temperature
Tj
150
储存温度
Storage Temperature Range
TSTG
项
目
Parameter
最大集电极电流
Collector Current
直流 DC
脉冲 Pulse
-55~+150
A
℃
℃
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25℃)
项
目
Parameter
测试条件
Tests conditions
最小值
最大值
Min
Max
单位
Unit
V(BR)CEO
IC=10mA,IB=0
600
V
V(BR)CBO
IC=1mA,IE=0
900
V
V(BR)EBO
IE=1mA,IC=0
7
V
ICBO
VCB=800V, IE=0
100
µA
IEBO
VEB=7V, IC=0
100
µA
HFE
VCE = 4 V, IC = 1.8 A
10
25
VCE(sat)
IC=1.8A, IB=0.36A
0.5
V
VBE(sat)
IC=1.8A, IB=0.36A
1.2
V
0.5
µs
ts
IC=1.8A,2IB1=-IB2=0.9A
fH=15.75kHz
4
µs
ft
VCE=12V, IC=0.35A
tf
版本:200911E
4
MHz
2/6
3DD2101
R
特征曲线
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
IC – VCE
HFE – IC
COMMON EMITTER VCE=5V
HFE
IC(A)
COMMON EMITTER TC=25℃
VCE(V)
IC(A)
VCE(sat)- IC
VCE(V)
COMMON
EMITTER
TC=25℃
IB(A)
版本:200911E
COMMON
VCE(sat)(V)
VCE - IB
EMITTER
TC=25℃
IC(A)
3/6
3DD2101
R
SOA
TC=25℃
COMMON
IC(A)
IC(A)
IC - VBE
EMITTER
VCE=5V
DC
CURVES
MUST
DERATED
WITH
BE
LINEARLY
INCREASE
IN
TEMPERATURE
VBE(V)
VCE(V)
PC-TC
PC(W)
INFINITE HEAT SINK
Tc(℃)
版本:200911E
4/6
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA
TO-3P(H)IS
版本:200911E
3DD2101
单位 Unit :mm
5/6
3DD2101
R
注意事项
NOTE
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分
为直销和销售代理,无论哪种方式,订货
时请与公司核实。
2.购买时请认清公司商标,如有疑问请与公
司本部联系。
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大
额定值,否则会影响整机的可靠性。
4.本说明书如有版本变更不另外告知
1.
Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its
product either through direct sales or sales
agent , thus, for customers, when ordering ,
please check with our company.
2. We strongly recommend customers check
carefully on the trademark when buying our
product, if there is any question, please
don’t be hesitate to contact us.
3. Please do not exceed the absolute
maximum ratings of the device when circuit
designing.
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves
the right to make changes in this
specification sheet and is subject to
change without prior notice.
联系方式
CONTACT
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JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
公司地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin
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网址:www.hwdz.com.cn
市场营销部
地址:吉林省吉林市深圳街 99 号
邮编:132013
电话:86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
传真:86-432-64671533
MARKET DEPARTMENT
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Province, China.
Post Code: 132013
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86-432-64675588
64675688
64678411-3098/3099
Fax: 86-432-64671533
附录(Appendix):修订记录(Revision History)
日期 Date
旧版本 Last Rev.
新版本 New Rev.
修订内容 Description of Changes
2009-5-20
901C
905D
增加订货信息,印记说明等
Add order message,marking,etc.
2009-11-3
905D
911E
修改电话号码
版本:200911E
6/6