EM 1791

モノリシック型 ホールIC EMシリーズ
EM-1791
梱包は5,000個/巻のテ−ピングとなります。
EM-1791はホール素子と波形整形用ICが一体化されている超小型スイッチタイプホールICです。ホール素子はパルス駆動されているの
でVDD=1.85V時平均消費電流6.5μAときわめて低消費電力です。さらにS,N極用の2つの出力を有しています。
両極検知
電源電圧
ホール素子
高感度
出力形式
小型表面実装
S,N極用2出力
1.6∼5.5V
パルス駆動
Bop:2.5mT
CMOS形式 S,N極用2出力
パッケージ
注意:弊社製品のご検討にあたっては本カタログ表紙裏の「重要注意事項」を良くお読みください。
●磁電変換特性
S or N
VOUT 1
VOUT 2
H
H
VOH
VOH
マーク面
Bh1
Bh2
L
VOL
N or S
0
印加磁束の方向
Brp1
Bop1
L
S極
磁束密度
最 小
最 大
単
磁束密度
1:VDD
位
電
源
電
圧
VDD
−0.1
6.0
V
出
力
電
流
IOUT
−0.5
+0.5
mA
保
存
温
度
TSTG
−40
+125
℃
記 号
最 小
標 準
最 大
Switch
●推奨動作条件
項 目
単
源
電
圧
VDD
1.6
1.85
5.5
V
動
作
温
度
Topr
−30
+25
+85
℃
出力H→L磁束密度
出力L→H磁束密度
測定条件
最小
標準
最大
Bop1
*1.4
2.5
3.2
Bop2
−3.2
−2.5
*−1.4
Brp1
1.2
2.0
*3.0
Brp2
*−3.0
−2.0
−1.2
ヒ ス テリシ ス 幅 Bh1,Bh2
0.5
50
パルス駆動周期
Tp
出力High電圧
VOH
Io=−0.2mA
出力Low電圧
VOL
Io=+0.2mA
電
IDD
平均値
源
電
流
VDD −0.4
単位
mT
項 目
記号
出力H→L磁束密度
IBopNI
出力L→H磁束密度
IBrpNI
ヒ ス テリシ ス 幅
IBhNI
mT
4:VSS
測
BopS
BrpS
定
条
件
最小
標準
最大
単位
1.3
2.5
3.5
mT
1.1
2.0
3.3
mT
BhS
0.5
注)本特性は設計保証になります。
0.4
V
9
μA
●外付け部品推奨回路
VDD
CMOS出力
OUT1
VDD
EM-1791
1
[mT]=10[Gauss]
※ 「*」印の特性は設計保証値になります。
※ 磁束密度はパッケージ上面がS極になる場合を正極とし、
OUT1が応答します。
(Bop1,Brp1)
パッケージ上面がN極になる場合を負極とし、
OUT2が応答します。
(Bop2,Brp2)
43
Schmitt Output
Trigger Stage
&
Latch
ms
V
6.5
Amplifier
●磁気特性②
(Ta=−30∼+85℃ VDD=1.85V)
mT
100
3:OUT2
(N極)
Oscillator Hall
Chopper
&
Element Stabilizer
Timing Logic
●磁気特性①及び電気的特性(Ta=25℃ VDD=1.85V)
記号
2:OUT1
(S極)
位
電
項 目
0
Brp2
Dynamic
Offset Cancellation
記 号
Bop2
N極
●回路構成
●絶対最大定格(Ta=25℃)
項 目
VOL
OUT2
CMOS出力
外付けコンデンサ
0.1μF
VSS
GND
mT
EM-1791
•製品はある確率で故障する可能性があります。医療機器、自動車、航空宇宙機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が直接または間接を問わず、生命・身体・財産
等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとりください。
•本資料の掲載内容は予告なく変更されることがあります。
a
●(参考)ランド形状(単位:mm)
2.1
1.3
0.25
●外形寸法図(単位:mm)
0.3
1
2.1±0.2
1.25
φ0.3
Sensor center
0∼0.1
0.90
2
0.50
5°
0.1
Sensor
center
5°
0.4
+0.1
0.55−0
0.3 0.25
5°
4
0.05
5°
端子番号 端子名称
VDD
1
OUT1
2
OUT2
3
VSS
4
1.90
3
備考
機能
電源
信号出力
信号出力
グラウンド
S極
N極
注1)センサ中心はφ0.3mmの
円内に位置します。
注2)公差は特に定める以外は
±0.1mmとします。
注3)リード平坦度:端子間の
スタンドオフの差は最大
0.1mmとします。
注4)センサ感磁部はマーキング
面からの深さ0.4mm(typ.)
に位置します。
●動作タイミング
f
1.30
●パルス駆動消費電流(VDD=1.85V)
IDD
IDD
50ms(typ.)
t
B
Bop
t
B
146μs(typ.)
IDD ON
(TYP=1.8mA)
j
Brp
VOUT
High
48.8μs
(typ.)
t
IDD
t (TYP=6.5μA)
48.8μs
(typ.)
IDD OFF
(TYP=1.3μA)
VOUT
High
Time
Low
Low
Operating Point Timing
t
Releasing Point Timing
t
磁界判定結果は、
内部回路OFF
(IDD OFF)
直前に内部データとして保持され、
それから48.8μs経って出力端子に結果を出力します。
●動作磁束密度温度特性
●使用電圧範囲
動作磁束密度[mT]
電源電圧[V]
Bop1
3
5
4
3
2
1
0
−40
n
4
6
2
Brp1
S極
1
0
Brp2
N極
−2
−3
−20
0
20
40
周囲温度[℃]
60
80
100
p
VDD=1.85V
−1
−4
−40
o
Bop2
−20
0
20
40
周囲温度[℃]
60
80
100
44
重要注意事項
●
本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告
なく変更することがあります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した
情報が最新のものであることを弊社営業担当、あるいは弊社特約店営業担当にご確認
ください。
● 本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、
半導体製品の動作例、応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記
載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報を使用される
場合は、お客様の責任において行ってください。本書に記載された周辺回路、応用回路、
ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生
じた損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因す
る、工業所有権その他の第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。
● 本書記載製品が、外国為替および、外国貿易管理法に定める戦略物資(役務を含む)
に該当する場合、輸出する際に同法に基づく輸出許可が必要です。
● 医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故
障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼす
ことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用さ
れる場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りください。
● この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用か
ら生ずる損害等の責任を一切負うものではありませんのでご了承ください。
●
お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、
その使用から損害等が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますの
でご了承下さい。
2013 年 2 月 1 日現在
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