AP1155ADL

[AP1155ADL]
AP1155ADL
大電力用途に最適な低ノイズ、出力電圧可変型LDOレギュレーター
1. 概 要
AP1155ADLは、出力電流1Aを安定に供給できるOn/Offコントロール付き低飽和レギュレーターICです。
放熱性の高いExposed Pad付きHSOP-8パッケージを採用しているため、大電力用途に最適です。またシ
リコン・モノリシック・バイポ-ラ構造の集積回路の採用により、優れたリップルリジェクションと低
ノイズを実現しています。出力電圧は外部抵抗により1.3~13.5Vの間で設定でき、使用されるセットに
最適な電圧を選択することができます。入出力コンデンサには小型セラミックコンデンサが使用可能な
ため実装基板の小型化に貢献します。さらに、保護機能として過電流保護、過熱保護機能を内蔵しセッ
トの高信頼性を実現します。
2. 特
長
 動作周囲温度
-40~85℃
 入力電圧
2.4~14.0V
 出力電流
1A
 出力電圧の設定可能範囲
1.3~13.5V
 基準電圧精度
1.21V ± 35mV
 入出力電圧差
300mV at Iout=1A
 リップルリジェクション
80dB at 1kHz
 低ノイズアプリケーション対応可
Vout
 小型セラミックコンデンサ使用可能
R1
24kΩ Cout
1uF
NC
Vout
Vin
Cin
1uF
FB
R2
36kΩ
Vin
2.4~14V
Exposed-Pad
Cfb
1000pF
 出力On/Offコントロール付(High active)
NC
Vcont
Vcont
1.8~14V
GND
NC
 過電流保護機能、過熱保護機能内蔵
 パッケージ
Exposed-Pad付きHSOP-8ピン
3. 用
途
 RF電源
PLL、VCO、ミキサ、LNA
 低ノイズの撮像機器
デジタルカメラ
 高速/高精度のA-D、D-A、オペアンプ
オーディオ機器、計測機器
 高精度電源
 スイッチング電源のポストレギュレーター
016001036-J-01
-1-
車載インフォテイメント
2016/01
[AP1155ADL]
4. 目
次
概 要 .................................................................................................................................................. 1
特 長 .................................................................................................................................................. 1
用 途 .................................................................................................................................................. 1
目 次 .................................................................................................................................................. 2
ブロック図........................................................................................................................................... 3
オーダリングガイド ............................................................................................................................ 3
ピン配置と機能説明 ............................................................................................................................ 3
■ ピン配置 .......................................................................................................................................................... 3
■ 機能説明 .......................................................................................................................................................... 4
8. 絶対最大定格 ....................................................................................................................................... 5
9. 推奨動作条件 ....................................................................................................................................... 5
10. 電気的特性........................................................................................................................................... 6
■ 電気的特性 (Ta=Tj=25°C) .............................................................................................................................. 6
■ 電気的特性 (Ta=-40~85°C) ............................................................................................................................ 6
11. 動作説明 .............................................................................................................................................. 7
11.1 DC特性 ...................................................................................................................................................... 7
11.2 Load Transient特性 .................................................................................................................................. 11
11.3 Line Transient特性................................................................................................................................... 12
11.4 On/Off Transient特性 .............................................................................................................................. 13
11.5 Ripple Rejection 特性 .............................................................................................................................. 14
11.6 出力ノイズ特性 ...................................................................................................................................... 15
11.7 安定性 ...................................................................................................................................................... 16
11.8 Operating Region and Power Dissipation ................................................................................................ 17
12. 用語の定義......................................................................................................................................... 18
■ 特性関連 ........................................................................................................................................................ 18
■ 保護回路関連 ................................................................................................................................................ 18
13. 外部接続回路例 ................................................................................................................................. 19
■ 外部接続回路例 ............................................................................................................................................ 19
■ レイアウト例 ................................................................................................................................................ 19
■ Test Circuit ..................................................................................................................................................... 20
14. パッケージ......................................................................................................................................... 21
■ 外形寸法図 .................................................................................................................................................... 21
15. 改訂履歴 ............................................................................................................................................ 22
重要な注意事項 ........................................................................................................................................ 23
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
016001036-J-01
-2-
2016/01
[AP1155ADL]
5. ブロック図
Vcont
VCont
On/Off
Control
Thermal &
Over Current
Protection
FB
FB
VRef
VV
Out
VVInIn
out
GND
GND
Figure 1. ブロック図
6. オーダリングガイド
AP1155ADL
Ta = -40 to 85°C
HSOP-8
7. ピン配置と機能説明
NC
Vin
Vcont
NC
■ ピン配置
8
7
6
5
3
4
GND
2
Vout
NC
1
FB
Exposed Pad
(Top View)
016001036-J-01
-3-
2016/01
[AP1155ADL]
■ 機能説明
番号
1,5,8
名称
NC
等価回路図
説明
ノンコネクション端子
出力端子
VOut端子-FB端子間に抵抗R1、FB端子-GND間に
抵抗R2を接続します。
出力電圧VOut,TYPは以下の式で決まります。
2
VOut
VIn
VOut
-
FB
4
VOut端子-FB端子間に容量を接続する事で、出力
ノイズを低減できます。
FB
GND
R1 + R 2
R2
以下の容量値以上のセラミックコンデンサを
VOut端子-GND間に接続してください。
VOut,TYP ≥ 2.4V:1μF
VOut,TYP < 2.4V:2.2μF
フィードバック端子
+
3
VOut = VFB ×
この端子のインピーダンスは非常に高くなっ
ています。外来ノイズ等の影響を受けやすいの
で、ご注意下さい。
GND接地端子
-
VCont
On/Off コントロール端子
300kΩ
6
VCont
VCont > 1.8V:ON
VCont < 0.35V:OFF
500kΩ
プルダウン抵抗(500kΩ)を内蔵しています。
入力端子
7
VIn
-
-
Exposed
Pad
-
016001036-J-01
1μF以上の容量をVIn端子-GND間に接続して下
さい。
グランド端子、放熱用パッド
必ずGNDへ接続してください。
-4-
2016/01
[AP1155ADL]
8. 絶対最大定格
Parameter
電源電圧
出力端子逆バイアス
Symbol
VIn
Vrev
min
-0.4
-0.4
VFB
VCONT
Tj
TSTG
PD
-0.4
-0.4
-55
-
max
16
14
Unit
V
V
Condition
VOut-VIn
5
V
16
V
150
°C
150
°C
2300
mW
Ta=25°C (Note 1)
Note 1. パッケージの熱抵抗(RθJA) = 50°C/W、2層基板実装時 (x=30mm、y=30mm、t=1.0mm)。
詳細は17ページの11.8項をご参照ください。
FB端子電圧
コントロール端子電圧
動作時最大接合温度
保存温度範囲
許容消費電力
注意: この値を超えた条件で使用した場合、デバイスを破壊することがあります。また通常の動作は保
証されません。
9. 推奨動作条件
Parameter
動作周囲温度
動作電圧範囲
出力電圧範囲
016001036-J-01
Symbol
min
typ
max
Unit
Ta
VOP
VOut
-40
2.4
1.3
-
85
14.0
13.5
°C
V
V
-5-
Condition
2016/01
[AP1155ADL]
10. 電気的特性
■ 電気的特性 (Ta=Tj=25°C)
限界値の記載されている項目は Ta=Tj=25°C に対して適用されます。
(VIn=4.0V, R1=53kΩ, R2=36kΩ, Vcont=1.8V, Ta=Tj=25°C, unless otherwise specified.)
Symbol
Condition
min
typ
max
Unit
VFB
IOut=5mA
1.185
1.210
1.245
V
LinReg ∆VIn=5V, IOut=5mA
0
10
mV
IOut=5~500mA
6
20
mV
LoaReg
負荷安定度 (Note 2)
IOut=5~1000mA
20
35
IOut=500mA
150
260
mV
VDrop
入出力間電圧降下 (Note 3)
IOut=1000mA
300
490
IOut,Max
1100
1400
1700
mA
最大出力電流 (Note 4)
VOut=VOut,TYP×0.9
IShort
VOut=0V
1500
mA
出力短絡電流
Iq
IOut=0mA
300
480
μA
消費電流
IStandby
VCont=0V
0.1
μA
スタンバイ電流
ICont
VCont=1.8V
5
10
μA
コントロール端子電流
1.8
V
VOut On モード
VCont
コントロール電圧
0.35
V
VOut Off モード
Note 2. 負荷安定度は出力電圧の設定値により変わります。上記規格はR1=53kΩ,R2=36kΩ (VOut,TYP=3.0V
設定)時の値です。規格は絶対値で表示されています。
Note 3. 出力電圧を2.0V以下に設定した場合、入出力間電圧降下項目の規格は適用されません。
Note 4. 最大出力電流値は許容消費電力に制限されます。
Note 5. typ値のみ記載の項目は参考値です。
Parameter
FB端子電圧
入力安定度
■ 電気的特性 (Ta=-40~85°C)
限界値の記載されている項目は Ta=-40~85°C に対して適用されます。
(VIn=4.0V, R1=53kΩ, R2=36kΩ, Vcont=1.8V, Ta=-40~85°C, unless otherwise specified.)
Symbol
Condition
min
typ
max
Unit
VFB
IOut=5mA
1.175
1.210
1.255
V
LinReg ∆VIn=5V, IOut=5mA
0
16
mV
IOut=5~500mA
6
37
mV
LoaReg
負荷安定度 (Note 6)
IOut=5~1000mA
20
95
IOut=500mA
150
335
mV
VDrop
入出力間電圧降下(Note 7)
IOut=1000mA
300
550
IOut,Max
1100
1400
1700
mA
最大出力電流(Note 8)
VOut=VOut,TYP×0.9
IShort
VOut=0V
1500
mA
出力短絡電流
Iq
IOut=0mA
300
585
μA
消費電流
IStandby
VCont=0V
1.5
μA
スタンバイ電流
ICont
VCont=1.8V
5
15
μA
コントロール端子電流
1.8
V
VOut On モード
VCont
コントロール電圧
0.35
V
VOut Off モード
Note 6. 負荷安定度は出力電圧の設定値により変わります。上記規格はR1=53kΩ,R2=36kΩ (VOut,TYP=3.0V
設定)時の値です。規格は絶対値で表示されています。
Note 7. 出力電圧を2.0V以下に設定した場合、入出力間電圧降下項目の規格は適用されません。
Note 8. 最大出力電流値は許容消費電力に制限されます。
Note 9. typ値のみ記載の項目は参考値です。
Parameter
FB端子電圧
入力安定度
016001036-J-01
-6-
2016/01
[AP1155ADL]
11.
11.1
動作説明
DC特性
■ ∆VOut vs VIn (AP1155ADL)
■ ∆VOut vs VIn (AP1155ADL)
100
10
I Out = 0mA
600mA
(100mA step)
0
∆VOut [mV]
∆VOut [mV]
0
-10
-200
-20
-30
-100
0
2
4
6
8
10
12
14
-300
-100
16
0
100
200
300
400
500
VIn - VOut [mV]
VIn [V]
■ IQ vs VIn (AP1155ADL)
■ IQ vs VIn (AP1155ADL)
350
12
340
10
330
320
IQ [µA]
IQ [mA]
8
6
4
310
300
290
280
270
2
260
0
0
2
4
6
8
10
12
14
250
16
0
2
4
VIn [V]
45
30
40
20
35
IGND [mA]
∆VOut [mV]
50
40
10
0
-10
16
20
15
10
-40
5
600
800
0
1000
IOut [mA]
016001036-J-01
14
25
-30
400
12
30
-20
200
10
■ IGND vs IOut (AP1155ADL)
50
0
8
VIn [V]
■ ∆VOut vs IOut (AP1155ADL)
-50
6
0
200
400
600
800
1000
IOut [mA]
-7-
2016/01
[AP1155ADL]
■ VDrop vs IOut (AP1155ADL)
0
0
-50
-50
-100
-100
VDrop [mV]
VDrop [mV]
■ VDrop vs IOut (AP1155ADL)
-150
-200
-150
-200
-250
-250
-300
-300
-350
0
200m
400m
600m
800m
-350
1000
0
200
400
IOut [mA]
800
1000
IOut [mA]
■ VOut vs IOut (AP1155ADL)
■ ICont vs VCont (AP1155ADL)
4
100
3
75
I Cont [µA]
VOut [V]
600
2
1
50
25
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
0
0
2
4
6
IOut [A]
8
10
12
14
16
10
12
14
16
VCont [V]
■ VOut vs VCont (AP1155ADL)
■ IStandby vs VIn (AP1155ADL)
4
1µ
100n
3
IStandby [A]
VOut [V]
10n
2
1n
100p
1
10p
1p
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
VCont [V]
016001036-J-01
0
2
4
6
8
VIn [V]
-8-
2016/01
[AP1155ADL]
■ ∆VOut vs Ta (AP1155ADL)
■ IQ vs Ta (AP1155ADL)
400
30
380
360
340
10
IQ [mA]
∆VOut [mV]
20
0
-10
320
300
280
260
240
-20
220
-30
-40
-20
0
20
40
60
80
200
-40
100
-20
0
20
TA [°C]
80
50
70
I Out = 100mA, 200mA, 400mA,
600mA, 800mA, 1000mA
IGND [mA]
LoaReg [mV]
20
10
50
40
30
20
0
10
-20
0
20
40
60
80
0
-40
100
-20
0
TA [°C]
40
60
80
100
80
100
■ VDrop vs Ta (AP1155ADL)
0
0
-100
-100
-200
-200
VDrop [mV]
VDrop [mV]
20
TA [°C]
■ VDrop vs Ta (AP1155ADL)
-300
IOut = 100mA, 200mA, 400mA,
600mA, 800mA, 1000mA
-500
-600
-40
100
IOut = 100mA, 200mA, 400mA,
600mA, 800mA, 1000mA
60
30
-400
80
■ IGND vs Ta (AP1155ADL)
60
-10
-40
60
TA [°C]
■ LoaReg vs Ta (AP1155ADL)
40
40
-300
-400
IOut = 100mA, 200mA, 400mA,
600mA, 800mA, 1000mA
-500
-20
0
20
40
60
80
-600
-40
100
TA [°C]
016001036-J-01
-20
0
20
40
60
TA [°C]
-9-
2016/01
[AP1155ADL]
■ VOut On/Off Point vs Ta (AP1155ADL)
■ ICont vs Ta (AP1155ADL)
25
1.6
1.4
20
VOut On Point
1.0
VOut Off Point
ICont [µA]
VCont [V]
1.2
0.8
0.6
0.4
VCont = 1.8V, 2.0V, 3.0V, 4.0V
15
10
5
0.2
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
0
-40
100
-20
0
20
TA [°C]
80
100
■ IRev vs Ta (AP1155ADL)
4.5
1400
4.0
1350
3.5
1300
IRev [mA]
IOut,Peak [mA]
60
TA [°C]
■ IOut,Peak vs Ta (AP1155ADL)
1250
3.0
VRev = 3.0V
2.5
2.0
1.5
1200
1.0
1150
1100
-40
40
0.5
-20
0
20
40
60
80
0.0
-40
100
0
20
40
60
80
100
TA [°C]
TA [°C]
016001036-J-01
-20
- 10 -
2016/01
[AP1155ADL]
11.2 Load Transient特性
■ IOut=0mA→1000mA, COut=1.0µF/2.2µF/4.7µF
■ IOut=1000mA→0mA, COut=1.0µF/2.2µF/4.7µF
1000mA
1000mA
IOut
1000mA/div
1000mA/div
0mA
0mA
C Out= 4.7mF
COut= 1.0mF
VOut
500mV/div
200mV/div
COut= 1.0mF
10msec/div
5msec/div
Time
Time
■ IOut=0mA→500mA, 0mA→1000mA
■ IOut=500mA→0mA, 1000mA→0mA
1000mA (500mA)
1000mA (500mA)
1000mA/div
(500mA/div)
IOut
1000mA/div
(500mA/div)
IOut
0mA
0mA
IOut= 0mA
VOut
IOut= 1000mA
IOut= 0mA
IOut= 500mA
VOut
200mV/div
10msec/div
IOut= 1000mA
IOut= 0mA
IOut= 500mA
IOut= 0mA
Time
■ IOut=0mA→1000mA, 10mA→1010mA
■ IOut=1000mA→0mA, 1010mA→10mA
1000mA (1010mA)
1000mA (1010mA)
IOut
1000mA/div
IOut
1000mA/div
0mA (10mA)
0mA (10mA)
IOut= 0mA
IOut= 10mA
IOut= 1000mA
IOut= 1010mA 200mV/div
VOut
IOut= 1000mA
IOut= 1010mA
016001036-J-01
500mV/div
5msec/div
Time
VOut
C Out= 4.7mF
10msec/div
5msec/div
Time
Time
- 11 -
IOut= 0mA
200mV/div
I Out= 10mA
2016/01
[AP1155ADL]
11.3 Line Transient特性
■ IOut=100mA, 500mA, 1000mA
■ COut=1.0µF, 2.2µF, 4.7µF
5V
5V
VIn
1V/div
VIn
1V/div
4V
4V
COut = 1.0mF, 2.2mF, 4.7mF
IOut = 100mA, 500mA, 1000mA
VOut
10mV/div
10mV/div
VOut
1msec/div
1msec/div
Time
Time
■ CFB=none, 1000pF, 0.1µF
5V
VIn
1V/div
4V
CFB= none
VOut
C FB= 0.1mF
10mV/div
1msec/div
Time
016001036-J-01
- 12 -
2016/01
[AP1155ADL]
11.4 On/Off Transient特性
■ VCont=0.0V→2.0V, COut=1.0µF/4.7µF/10µF
■ VCont=2.0V→0.0V, COut=1.0µF/4.7µF/10µF
2V
2V
VCont
VCont
2V/div
2V/div
0V
0V
VOut
1V/div
VOut
1V/div
COut = 1.0mF, 4.7mF, 10mF
COut= 10mF, 4.7mF, 1.0mF
5msec/div
250msec/div
Time
Time
■ VCont=0.0V→2.0V, IOut=100mA/500mA/1000mA
■ VCont=2.0V→0.0V, IOut=100mA/500mA/1000mA
2V
2V
VCont
VCont
2V/div
0V
VOut
2V/div
0V
IOut = 100mA, 500mA, 1000mA
VOut
1V/div
1V/div
IOut= 100mA, 500mA, 1000mA
25msec/div
5msec/div
Time
Time
■ VCont=0.0V→2.0V, CFB=none~0.1µF※
■ VCont=0.0V→2.0V, CFB=none~0.1µF※
2V
2V
VCont
2V/div
2V/div
VCont
0V
0V
VOut
1V/div
CFB= none
1V/div
VOut
CFB= 0.1mF
CFB= none
2.5msec/div
5msec/div
Time
Time
C FB= 0.1mF
※ CFB=none, 100pF, 1000pF, 0.001µF, 0.01μF, 0.1μF
016001036-J-01
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2016/01
[AP1155ADL]
11.5 Ripple Rejection 特性
■ COut=1.0μF, 2.2µF, 4.7µF, 10μF
0
0
-20
-20
-40
-40
RR [dB]
RR [dB]
■ IOut=100mA, 200mA, 500mA, 1000mA
-60
-60
COut= 1.0µF
-80
-80
COut= 10µF
IOut = 100mA, 200mA, 500mA, 1000mA
-100
100
1k
10k
100k
-100
100
1M
1k
100k
1M
Frequency [Hz]
Frequency [Hz]
■ CFB=none, 0.1µF
■ IOut=1mA~1000mA, f=1kHz
0
0
-20
-20
-40
-40
RR [dB]
RR [dB]
10k
-60
-60
CFB= none
-80
-80
-100
100
CFB= 0.1µF
1k
10k
100k
-100
1M
200
400
600
800
1000
IOut [mA]
Frequency [Hz]
016001036-J-01
0
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2016/01
[AP1155ADL]
11.6 出力ノイズ特性
■ IOut=0.1mA~1000mA
■ CFB=1pF~0.1μF
100
120
80
80
VNoise [µVrµs]
VNoise [mVrms]
100
60
40
40
20
20
0
60
0
200
400
600
800
0
1000
IOut [mA]
1p
10p
100p
0.001µ
0.01µ
0.1µ
CFB [F]
■ VOut,TYP=1.3V ~ 12V
250
VNoise [µVrµs]
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
10
12
14
VOut,TYP [V]
016001036-J-01
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2016/01
[AP1155ADL]
11.7 安定性
出力側のコンデンサは1.0μFのセラミックコンデンサが標準です。2.4V以下では2.2μFを使用して下さい。
100
ESR [Ω]
10
Unstable Area
1
0.1
0.01
Stable Area
0
200
400
600
800
1000
IOut [mA]
Figure 2. VOut,TYP=3.0V時の安定動作領域
上図は、出力容量に直列につく抵抗成分(等価直列抵抗 : ESR)が1Ω以下の場合に、全電流範囲で安定動作
することを示します。一般的に、セラミックコンデンサのESRは数10mΩと小さく、使用上問題は生じません。
アプリケーション上、大きなESRの容量が必要とされる場合、並列にセラミックコンデンサを接続すること
によって使用が可能となります。このとき、セラミックコンデンサはICの近くに配置して下さい。並列に接
続されるコンデンサはICから遠くても構いません。また、容量を大きくする事によって、ICが破損する事は
ありません。入力容量は電池が消耗し電源インピーダンスが増加した時、あるいは電源までの引き回しライ
ンが長い場合必要です。このコンデンサは複数のレギュレーターICを使用しても1個で十分である場合、ある
いはIC毎に必要な場合もあります。実装状態で確認をお願いいたします。
Figure 3. セラミックコンデンサの一般的特性
一般的にセラミックコンデンサには温度特性、電圧特性があります。使用される電圧、温度を考慮し部品の
選定をお願いします。B特性をお勧めいたします。評価には、下記等を使用。
京セラ製 CM105B224K16, CM05B224K10,CM105B474K10, CM105B105K06,CM21B225K10, CM21B475K06
村田製 GRM39B224K10, GRM39B105K6.3
016001036-J-01
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2016/01
[AP1155ADL]
11.8 Operating Region and Power Dissipation
内蔵の過熱保護回路が動作する接合部温度(Tj)でパッケージ損失は制限されます。このためパッケー
ジ損失は、内部制限としています。パッケージは小型のため、それ単体での放熱特性はよくありません。
PCBに取り付けることで熱が逃げます。この値は、PCBの材質、銅パターン等により変わります。
レギュレーターの損失が多い(外部の温度が高い、あるいは放熱が悪い)時に過熱保護回路が動作し
ます。保護回路が動作したとき、出力電流はとれず、出力電圧も低下する現象が観測されます。接合部
温度(Tj)が設定温度に到達するとICは動作停止します。しかし、動作停止し接合部温度(Tj)が低下
するとすぐに動作を開始します。
・基板実装時の熱抵抗を求める
動作時のチップ接合温度は、次式で示されます。
Tj = θ ja × PD + 25
AP1155ADLの接合部温度(Tj)は、過熱保護回路により約140℃で制限されています。PDは過熱保護回
路を動作させた時の値です。周囲温度を25°Cとすると
140 = θ ja × PD + 25
θ ja × PD + 25 = 140
θ ja × PD = 115
θ ja =
115
(°C/W)
PD
基板材質:2層ガラスエポキシ基板 (x=30mm、y=30mm、t=1.0mm 銅パターン厚35um)
上記基板に実装した場合、PD=2300mW、25℃以上では、-20mW/°C でディレーティングして下さい。
・簡単にPdを求める方法
出力端子をGNDと短絡して入力電圧を徐々に上げて行き入力電流を測定します。入力電圧を10V位まで
徐々に上げます。初期の入力電流値は瞬間最大出力電流値となりますが、チップの温度上昇により徐々
に減少し、最終的には熱的平衡状態(自然空冷)となります。一定に成った時の入力電流値と入力電圧
値を用いて計算します。
PD ≅ VIn × IIn
手順(PCB実装時に行います。)
PD (mW)
1:PDを求める(出力短絡時のVIn×IIn)
2:PDを25℃の線上にプロットする。
3:PDと140℃の線を直線で結ぶ。(太実線)
4:設計上の使用最高温度の点より(例えば75℃とす
る)垂直に線を延ばす。(破線)
5:ディレーティングカーブ(太実線)と破線の交点を
左に延ばしPDの値を読む(DPDとする)
6:DPD÷(VIn,MAX-VOut)=IOut at 75℃
2
PD
5
DPD
3
4
0
25
75
140
TA (℃)
最高温度時の最大使用電流は下式となります。
IOut≒{DPD÷(VIn,MAX-VOut)}
出来るだけ放熱しやすい工夫をし、素子温度を下げてご使用下さい。一般的に素子温度が低いほど信頼
性が向上します。
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2016/01
[AP1155ADL]
12. 用語の定義
■ 特性関連
各特性の項目は接合部温度(Tj)の影響が無いように短時間で測定されます。
・出力電圧(Vout)
入力電圧(Vin)をVoutTYP+1V , Iout=5mAとし、この時に得られた出力電圧です。
・出力電流(Iout)
通常使用できる出力電流。過熱保護が動作しない範囲とします。
・最大出力電流(IoutMAX)
入力電圧をVoutTYP+1Vとし、この時に得られた出力電圧が、負荷電流(Iout)を流すことにより、90%
に低下したときの出力電流です。
・入出力間電圧降下(Vdrop)
入力電圧の低下に伴って、回路が安定動作停止したときの、入出力電圧差です。入力電圧を、標準時
より徐々に低下させていき、出力電圧が標準時より100mV低下したときの、入力と出力の電圧差です。
・入力安定度(Line Regulation : LinReg)
入力電圧を変化させた時の出力電圧変動値です。
・負荷安定度(Load Regulation : LoaReg)
入力電圧をVoutTYP +1Vとし、負荷電流を変化させた時の出力電圧変動値です。
・リップル除去比(Ripple Rejection : R.R)
入力電圧を、VoutTYP +1.5Vとします。これに交流波形を重畳させ、この入力波形と出力に現れた出力
波形との電圧比です。
・スタンバイ電流(Istandby)
コントロール端子電圧で出力電圧をOFFモードとした時に流れる入力電流です。
■ 保護回路関連
・過電流保護(Over Current Protection)
出力を誤ってGNDに接続した場合など、過大な電流が流れようとした時、出力電流を制限しICを保
護する機能です。
・過熱保護(Thermal Protection)
レギュレーターの電力損失が多い時、許容消費電力を超えない様制限する機能です。チップ温度が約
140℃に到達すると出力はOFFになります。しかし、チップの温度が低下すると、再び出力がONにな
ります。
・ESD耐圧
容量に電荷をチャージした後、各端子に接続し(対GND 対Vin)破壊しないことを確認します。
MM 200pF 0Ω 200V以上
HBM 100pF 1.5kΩ 2000V以上
016001036-J-01
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2016/01
[AP1155ADL]
13. 外部接続回路例
4
NC
GND
3
R2
36kΩ
Cfb
1000pF
2
FB
Vout
Cin
Cout
NC
Vout
1
1uF
NC
1uF
8
Vin
2.4~14V
Vin
7
1.8~14V
R1
24kΩ
Exposed-Pad
Vcont
Vcout
6
5
■ 外部接続回路例
Figure 4. VOut,TYP=3.0V設定 周辺部品定数の選定例
出力電圧の設定値VOut,TYPは、下式で決まります。
VOut,TYP =
R1 + R 2
× VFB (1.21V )
R1
その際、帰還抵抗R1, R2には30µA以上の電流が流れるように抵抗値を選んで下さい。電流値は
VFB
で
R1
決まります。
Coutにはセラミックコンデンサのみ使用が可能です、Cinにはどのようなタイプのコンデンサでも使用
可能です。それぞれ1.0µF以上の値のコンデンサを使用して下さい。詳細については11.7安定性を参照し
て下さい。FB端子はインピーダンスが高いため外来ノイズ等の影響を受けやすくなっています。Vout
端子-FB端子間に容量Cfbを接続する事によりそれらの影響を軽減でき、出力ノイズも低減されます。
■ レイアウト例
Figure 5. レイアウトパターン例
016001036-J-01
① VIN 端子とGND端子に可能な限り近くに入力コンデンサ
Cinを配置してください。
② VOUT端子とGND端子に可能な限り近くに出力コンデンサ
Coutを配置してください。
③ 帰還抵抗R1, R2はFB端子に可能な限り近く配置してくださ
い。
出力電圧Voutと帰還抵抗R2を接続する際は、出力コンデ
ンサCoutの+端子近傍から配線してください。
④ VOUT端子とFB端子に可能な限り近くにFBバイパスコンデ
ンサCfbを配置してください。
⑤ PCBの配線は、GND領域を強化するようにしてください。
⑥ Exposed-PadはICのグランドと共有となっています。
必ずPCBのグランドへ接続してください。
⑦ ビア(放熱穴)は、PCBの各層への放熱に効果的です。
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[AP1155ADL]
■ Test Circuit
■ DC特性(DC温度特性)測定回路図
A
VIn
VOut
CIn
IIn
VIn
R1
A
VCont
ICont
VCont
VOut,TYP=3.0V(R1=53kΩ, R2=36kΩ)
VIn=4.0V, VCont=1.8V, IOut=5mA
CIn=1.0µF(Tantalum), CFB=0.001µF(Ceramic),
COut=1.0µF(Ceramic), Ta=25°C
CFB
V
COut
FB
GND
VOut
IOut
R2
■ Load Transient特性測定回路図
VOut
VIn
VIn
IOut
CIn
CFB
R1
COut
FB
VCont
10Hz
R2
GND
VCont
VOut,TYP=3.0V(R1=53kΩ, R2=36kΩ)
VIn=4.0V, VCont=1.8V
CIn=1.0µF(Tantalum), Ta=25°C
■ Line Transient特性測定回路図
VIn
VIn
VOut,TYP=3.0V(R1=53kΩ, R2=36kΩ)
VIn=4.0V↔5.0V(100Hz), VCont=1.8V
CIn=1.0µF(Tantalum), Ta=25°C
VOut
CIn
R1
VCont
CFB
COut
FB
VCont
IOut
R2
GND
■ On/Off Transient特性測定回路図
VOut
VIn
VIn
CIn
CFB
R1
IOut
COut
FB
VCont
R2
GND
VCont
VOut,TYP=3.0V(R1=53kΩ, R2=36kΩ)
VIn=4.0V, VCont=0.0V↔2.0V(10Hz)
CIn=1.0µF(Tantalum), Ta=25°C
■ Ripple Rejection特性測定回路図
VOut
VIn
VIn
VRippple=
500mVp-p
R1
VCont
VCont
VOut,TYP=3.0V(R1=53kΩ, R2=36kΩ)
VIn=4.5V, VCont=2.0V, VRipple=500mVp-p
CIn=none, Ta=25°C
CFB
COut
FB
GND
IOut
R2
■ 出力ノイズ特性測定回路図
VIn
VIn
VOut
CIn
R1
VCont
VCont
016001036-J-01
R2=36kΩ
VIn=VOut,TYP+1.0V, VCont=2.0V
BPF=400Hz~80kHz
CIn=COut=1.0µF(Ceramic), CFB=none, Ta=25°C
GND
CFB
COut
FB
IOut
V
VNoise
R2
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2016/01
[AP1155ADL]
14. パッケージ
■ 外形寸法図
(Unit: mm)
Mark
8
5
4.4 0.2
AC30
xxxX
Green Product Mark
1
4
0.40 0.05
0 - 0.25
1.45 0.1
0.1
0.15 0.05
Lot No.
4.9 0.2
1.27
4
8
5
0.4 0.2
(2.7)
1
6.2 0.3
(2.9)
016001036-J-01
- 21 -
2016/01
[AP1155ADL]
15. 改訂履歴
Date
(YY/MM/DD)
15/12/25
16/01/22
016001036-J-01
Revision
Page
Contents
00
1
1
19
初版
・「2.特長」に接続例を追加。
・「3.用途」を修正。
・「13.外部接続回路例」に“レイアウト例”を追加。
01
- 22 -
2016/01
[AP1155ADL]
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