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Low stress materials for thinner IC substrate
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
低応力 薄物半導体パッケージ基板材料
Low stress
Excellent warpage performance
Considerable cost advantage (E-glass)
応力の緩和
基板の反り低減
優れたコストパフォーマンス
Proposals ご提案
1. Decrease the warpage by low stress
2. Available to wide range of PKG types
1. 応力を緩和し反りを低減
2. 幅広いタイプのパッケージに適応可能
Applications 用途
IC Packages
半導体パッケージ
■ IC packages warpage 半導体パッケージ基板反り評価結果
Chip 150μm
Chip 150μm
Chip 100μm
PKG type
パッケージタイプ
Substrate 260μm
200
Substrate 160μm
200
25℃
150
0
-50
-100
-150
100
50
0
-50
-100
260℃
3ppm material
(S glass)
Warpage (μm)
反り
50
-150
R-G525
(E glass)
25℃
150
100
Warpage (μm)
反り
Warpage (μm)
反り
Warpage
反り
25℃
150
100
Substrate 160μm
200
0
-50
-100
260℃
2ppm material
(S glass)
50
-150
R-G525
(E glass)
260℃
2ppm material
(S glass)
R-G525
(E glass)
■ General properties 一般特性
Item
項目
m)
Glass transition temp (Tg) ガラス転移温度
Test method
試験方法
Condition
条件
Unit
単位
DMA※2
A
A
℃
290
℃
360
α1
IPC TM-650
2.4.41
A
ppm/℃
1GHz
IPC TM-650
2.5.5.9
C-24/23/50
Thermal decomposition temp (Td) 熱分解温度
CTE x-axis 熱膨張係数
（タテ方向）
CTE y-axis 熱膨張係数
（ヨコ方向）
Dielectric constant (Dk) 比誘電率※1
Dissipation factor (Df) 誘電正接※1
TG/DTA
Volume resistivity 体積抵抗率
Surface resistivity 表面抵抗
Water absorption 吸水率
Flexural modulus 曲げ弾性率※1
Peel strength 銅箔引き剥がし強さ
IPC TM-650
2.5.17.1
C-96/35/90
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
25℃
JIS C6481
1/3oz
250℃
IPC TM-650 2.4.8
A
ー
R-G525
4-6
4-6
4.5
0.016
MΩ･cm
1x109
MΩ
1x108
0.3
%
GPa
kN/m
14※3
5
0.5
The sample thickness is 0.1mm. (E-glass cloth specification) 試験片の厚さは0.1mmです。
※1 0.8mm ※2 Measurement in tensile mode 引張りモードでの測定
※3 20℃
The above data is actual values and not guaranteed values.　上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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For IC substrate
narrow
pitch
corresponding circuit board materials
Circuit Board
Materials
電子回路基板材料
半導体パッケージ向け 狭ピッチ対応基板材料
Contribute to IC substrates as thinner and smaller and low warpage.
半導体パッケージの薄型化・小型化、反り低減に貢献
■ Line-up ラインアップ
CSP
FC-CSP
FC-BGA
• Single-chip
• Stacked-chip
• NAND-Flash
etc.
• PoP-Bottom over mold
• PoP-Bottom TMV
• Flip-Chip
etc.
• Flip-Chip
etc.
R-1515E
R-G525
R-1515U
R-1515W
R-1515A
0.02～0.15mm
0.06～0.2mm
0.2～0.8mm
Low CTE
Ultra thin material
Ultra low CTE
Thinner material
Low CTE
Mechanical drilling-ability
PKG type
Product
No.
Product
Thickness
Key
Technology
Test method
試験方法
Condition
条件
Unit
単位
R-G525
R-1515U
R-1515E
R-1515W
R-1515A
Glass transition temp (Tg)
ガラス転移温度
DMA※2
A
℃
290
275
270
250
205
Thermal decomposition temp (Td)
熱分解温度
TG/DTA
A
℃
360
400
390
390
390
9
12
ppm/℃
0.5
9
A
4-6
IPC TM-650 2.4.41
4-6
0.5
9
9
12
4.5
4.4
4.7
4.8
4.8
IPC TM-650 2.5.5.9
C-24/23/50
0.016
0.010
0.011
0.015
0.015
MΩ･cm
1×109
1×109
1×109
1×109
1×109
MΩ
1×108
1×108
1×108
1×108
1×108
%
0.3
0.3
0.3
ー
ー
14※3
32
33
35
27
5
14
18
21
10
ー
ー
ー
1.2
1.3
0.5
0.6
0.9
0.8
0.9
Item
項目
CTE x-axis
熱膨張係数（タテ方向）
CTE y-axis
熱膨張係数（ヨコ方向）
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
Dissipation factor (Df)※1
誘電正接
α1
※1
1GHz
Volume resistivity
体積抵抗率
IPC TM-650 2.5.17.1
Surface resistivity
表面抵抗
Water absorption
吸水率
IPC TM-650 2.6.2.1
Flexural modulus※1
曲げ弾性率
Peel strength
銅箔引き剥がし強さ
JIS C6481
ー
C-96/35/90
D-24/23
25℃
GPa
250℃
1oz
IPC TM-650 2.4.8
A
kN/m
1/3oz
The sample thickness is 0.1mm　試験片の厚さは0.1mmです。
※1 0.8mm
※2 R-G525, R-1515U, R-1515E : Measurement in tensile mode　引張りモードでの測定
R-1515W, R-1515A : Measurement in bending mode　曲げモードでの測定
※3 20℃
● Please contact us for 0.02mm specification　0.02mm仕様につきましては別途ご相談ください。
The above data is actual values and not guaranteed values.　上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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