“MEGTRON6”

For ICT infrastructure equipment
ultra-low transmission loss multi-layer circuit board materials
Circuit Board Materials
電子回路基板材料
ICTインフラ機器向け 超低伝送損失多層基板材料
High speed & ultra-low transmission loss
High reliability
Lead-free soldering
高速伝送・超低伝送損失
高信頼性
鉛フリーはんだ対応
1. Low dielectric constant and dielectric dissipation factor
-R-5775：Dk=3.6,Df=0.004(12GHz)
-R-5775(N)：Dk=3.35, Df=0.0035(12GHz)
2. Good through-hole reliability
3. Compatible with lead-free soldering
1. 低誘電率・低誘電正接
・R-5775：Dk=3.6,Df=0.004（12GHz）
・R-5775（N）
：Dk=3.35, Df=0.0035（12GHz）
2. 優れたスルーホール接続信頼性
3. 鉛フリーはんだ対応
Applications 用途
Networking equipment
Mainframe, IC tester
High frequency measuring device, etc.
通信ネットワーク機器
大型コンピュータ、ICテスター
高周波計測装置 など
■ Dielectric property 誘電特性
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
3.6
R-5775
3.5
3.4
3.3
R-5775(N)
3.2
3.1
■ Frequency dependence of transmission loss 伝送損失比較
0.010
0.0
0.009
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
Transmission loss (dB/10cm)
伝送損失
3.7
0.008
0.007
R-5775
0.006
0.005
0.004
0.003
R-5775(N)
0.002
0
10
20
30
Frequency [GHz]
周波数
40
0.000
0
10
20
30
Frequency [GHz]
周波数
40
-65℃/30min⇔125℃/30min
Cu thickness
銅箔厚
90
Conventional
High Tg FR-4
R-1766(T)
80
70
TH diameter
TH径
50
40
Circuit pattern
回路パターン
R-5775
30
20
1000
2000
Cycle numbe（
r Cycle）
サイクル数
0
5
10
15
Frequency (GHz) 周波数
Thermal decomposition temp (Td)
熱分解温度
12μm
T288
20
0.3mm
CTE (α1) y-axis
熱膨張係数
（ヨコ方向）
160Holes
Daisy chain
デージーチェーン
3000
Condition
条件
Unit
単位
R-5775
R-5775(N)
DSC
As received
℃
185
185
170
TG/DTA
As received
℃
410
410
315
min
>120
>120
1
14-16
14-16
11-13
14-16
14-16
13-15
IPC TM-650 2.4.41
below Tg
ppm/℃
below Tg
45
45
60
above Tg
260
260
260
IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz
3.7
3.4
4.3
IPC TM-650 2.5.5.9 C-24/23/50 @1GHz
0.002
0.0015
0.016
%
0.14
0.14
0.14
GPa
19
18
21
1.2
1.2
2.0
CTE (α1) z-axis
熱膨張係数
（厚さ方向）
IPC TM-650 2.4.24
Dielectric constant (Dk)
比誘電率
Dissipation factor (Df)
誘電正接
Water absorption
吸水率
IPC TM-650 2.6.2.1
D-24/23
JIS C6481
As received
IPC TM-650 2.4.8
As received
kN/m
Flexural modulus (Weft)
曲げ弾性率
＊Failure is over 10% changes of resistance
NG判定 :10%抵抗変化率以上
Peel strength 1 oz (35μm)
銅箔引き剥がし強さ
Conventional
High Tg FR-4
R-1766(T)
Test method
試験方法
IPC TM-650 2.4.24.1 As received
CTE (α1) x-axis
熱膨張係数
（タテ方向）
0
0
R-5775
Glass transition temp (Tg)
ガラス転移温度
R-5775(N)
10
-3.5
-4.0
-4.5
Item
評価項目
Plating thickness
15μm
メッキ厚
60
R-5775(N)
Cu thickness
18μm
銅箔厚
Cu type
H-VLP
銅箔種
0.15mm
Core
（＃1078x2ply）
コア
Prepreg
#1078×2ply
プリプレグ
Impedance
50Ω
インピーダンス
■ General properties 一般特性
Board thickness
2mm
板厚
100
0.30mm
-2.5
-3.0
0.001
■ Through-hole reliability スルーホール導通信頼性
Failure ratio（％）故障率
Circuit Board Materials 電子回路基板材料
Proposals ご提案
The sample thickness of R-5775, R-5775(N) is 0.75mm. The sample thickness of R-1766(T) is 0.8mm.
R-5775, R-5775(N)の試験片の厚さは0.75mmです。R-1766(T)の試験片の厚さは0.8mmです。
The above data is actual values and not guaranteed values. 上記データは当社の実測値であり、保証値ではありません。
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モバイル機器・車載機器向けLCPフレキシブル基板材料
industrial.panasonic.com/em/
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page 43
2014
28
201406