569 KB

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DS04–21215–4
DATA SHEET
ASSP SIMPLL
CMOS
小型パッケージ
搭載
IF 用 PLL 周波数シンセサイザ
MB15C101
■ 概要
MB15C101 は , PHS 用に開発された IF 帯の周波数シンセサイザを構成するために最適な , 固定分周のパルススワロー方
式 PLL 周波数シンセサイザ LSI です。
MB15C101 は , 基準分周段や比較分周段の分周比を固定にしており , 外部からの設定が不要です。また , 小型パッケージ
(SSOP-8) に搭載しており , 機器の小型化や設計を容易にします。
電源電圧は標準 3 V, 消費電流は CMOS プロセスの採用により標準 1.0 mA であり , 機器の低消費電力化が実現できます。
SIMPLL :Small-package and IF-band Mask ROM PLL
PHS
:Personal Handyphone System
PLL
:Phase Locked Loop
IF
:Intermediate Frequency
■ 特長
・ パルススワロー方式 PLL
・ 設定周波数
設定周波数
基準周波数
DIV = L
DIV = H
259.20 MHz
233.15 MHz
・ ロック検出回路内蔵
PLL のロック時に “H” レベル出力となるデジタル方式のロック検出回路内蔵
・ 低電圧動作
:2.4 V ∼ 3.6 V
・ 低消費電流
:標準 1.0 mA (VCC = 3 V, 270 MHz)
・ 電源投入時からの高速同期が可能
当社独自の高速同期用チャージポンプを搭載 (IOH/IOL = 6.0 mA)
・ 動作温度
:− 40 °C ∼+ 85 °C
Copyright©1999-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2012.11
19.2 MHz
MB15C101
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
VCC
1
8
OSC IN
DO
2
7
LD
GND
3
6
fout
fin
4
5
DIV
(FPT-8P-M03)
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
1
VCC
⎯
電源端子です (VCC = 2.4 V ∼ 3.6 V) 。
2
DO
O
チャージポンプの出力端子です。
3
GND
⎯
GND 端子です。
4
fin
I
プリスケーラの入力端子です。AC 結合にて入力してください。
5
DIV
I
分周比切換え端子です。DIV:“H” レベル /“L” レベルで 2 種類の分周比を選択します。
6
fout
O
試験用端子 ( オープンドレイン出力 ) です。開放状態でご使用ください。
7
LD
O
ロック検出出力端子です。ロック時 LD = “H”, アンロック時 LD = “L” です。
8
OSCIN
I
リファレンスカウンタの入力端子です。AC 結合にて入力してください。
SSOP-8
2
機能説明
DS04–21215–4
MB15C101
■ ブロックダイヤグラム
VCC
基準分周段
水晶入力
バッファ
OSCIN
リファレンス
カウンタ
(R)
スワロー
カウンタ
(A)
プリス
ケーラ
16/17 (P)
fin
位相比較器
チャージ
ポンプ
Do
ディジタル
ロック
検出回路
LD
fp
比較分周段
データ
設定回路
DIV
fr
fout
出力選択回路
メイン
カウンタ
(N)
コントロール
回路
GND
■ 固定分周比のパルススワロー機能
fVCO =〔 (P × N) + A〕× fOSC ÷ R
記号
内容
fVCO
VCO の出力周波数
fOSC
基準発振周波数
N
メインカウンタ設定値
A
スワローカウンタ設定値
P
プリスケーラの分周比
R
リファレンスカウンタ設定値
DS04–21215–4
DIV = H
DIV = L
233.15 MHz
259.20 MHz
19.2 MHz
19.2 MHz
291
33
7
12
16, 17 分周
16, 17 分周
384 (fr = 50 kHz)
40 (fr = 480 kHz)
3
MB15C101
■ 絶対最大定格
定格値
項目
記号
単位
最小
最大
電源電圧
VCC
− 0.5
+ 4.0
V
出力電圧
VO
− 0.5
VCC + 0.5
V
入力電圧
VI
− 0.5
VCC + 0.5
V
出力電流
IO
0
+5
mA
保存温度
Tstg
− 55
+ 125
°C
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
規格値
項目
記号
単位
最小
標準
最大
電源電圧
VCC
2.4
3.0
3.6
V
入力電圧
VIN
GND
⎯
VCC
V
動作温度
Ta
− 40
⎯
+ 85
°C
<注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。
4
DS04–21215–4
MB15C101
■ 電気的特性
( 推奨動作条件において )
規格値
項目
記号
入力感度
入力電圧
入力電流
標準
最大
PLL ロック時 (270 MHz)
Ta =+ 25 °C, VCC = 3.0 V
0.1
1.0
2.0
mA
fin
fin
1000 pF で AC 結合時
50
⎯
270
MHz
OSCIN
fOSC
1000 pF で AC 結合時
3
⎯
26
MHz
fin
Pfin
1000 pF で AC 結合時
− 10
⎯
2
dBm
OSCIN
VOSC
1000 pF で AC 結合時
0.5
⎯
⎯
VP-P
VIH
⎯
0.7 × VCC
⎯
⎯
V
VIL
⎯
⎯
⎯
0.3 × VCC
V
IIH
⎯
⎯
⎯
1.0
μA
IIL
⎯
− 1.0
⎯
⎯
μA
IOSC
⎯
− 100
⎯
+ 100
μA
DIV
DIV
入力電流
OSCIN
出力電圧
Do
出力電流
Do
ハイインピーダンス
カットオフ電流
Do
DS04–21215–4
単位
最小
ICC
電源電流
動作周波数
条件
VOH
VCC = 3.0 V, IOH =− 0.3 mA
2.6
⎯
⎯
V
VOL
VCC = 3.0 V, IOL = 0.3 mA
⎯
⎯
0.4
V
IOH
VCC = 3.0 V,VOH = 2 V, Ta =+ 25 °C
⎯
− 6.0
⎯
mA
IOL
VCC = 3.0 V, VOL = 1 V, Ta =+ 25 °C
⎯
6.0
⎯
mA
IOFF
0 V ≦ VDO ≦ VCC
⎯
⎯
3.0
nA
5
MB15C101
■ 位相比較器の出力波形
fr
fp
tWU
tWL
LD
DO
ハイインピーダンス
(注意事項)・ 位相差の検出は− 2π ∼ + 2π です。
・ LD 出力は位相差 tWU 以上になると “L” レベルを出力し , 位相差 tWL の状態が 3 周期以上連続したとき ,
“H” レベルを出力します。
・ ロック時の DO パルス ( ひげ ) は不感地帯をなくすために出力しています。
・ tWU, tWL は OSCIN 入力周波数で決定され下記の通りとなります。
tWU ≧ 8 × fOSC[s]
tWL ≦ 16 × fOSC[s]
6
例 ) fOSC = 12.8 MHz :tWU ≧ 625.0 ns
:tWL ≦ 1250.0 ns
DS04–21215–4
MB15C101
■ 標準特性曲線
1. fin 入力感度特性
入力感度−入力周波数特性
(dBm)
Ta = +25 °C
10
5
0
SPEC
入力感度 Pfin
-5
-10
-15
-20
-25
-30
VCC = 2.4 V
VCC = 3.0 V
VCC = 3.6 V
-35
-40
-45
-50
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 (MHz)
入力周波数 fin
2. OSCIN 入力感度特性
入力感度−入力周波数特性
(dBm)
Ta = +25°C
10
5
VCC = 2.4 V
VCC = 3.0 V
VCC = 3.6 V
SPEC
0
入力感度 Vosc
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 (MHz)
入力周波数 fosc
DS04–21215–4
7
MB15C101
・測定回路例 (fin, OSCIN 入力感度測定 )
< SSOP-8 ピン>
VCC
S.G
1000 pF
1
8
2
7
0.1 uF
50 Ω
VCC
2 KΩ
3
6
4
5
オシロ
スコープ
S.G
DIV : H or L
1000 pF
50 Ω
3. fin 入力インピーダンス特性
4 : 11.867 Ω
−131.54 Ω
4.0331 pF
300.000 000 MHz
1 : 58.875 Ω
−850.16 kΩ
50 MHz
2 : 16.891 Ω
−416.2 Ω
100 MHz
3 : 12.047 Ω
−202.87 Ω
200 MHz
1
2
4
START .500 000 MHz
8
3
STOP 1 000.000 000 MHz
DS04–21215–4
MB15C101
4. OSCIN 入力インピーダンス特性
4 : 068.25 Ω
−1.4236 Ω
4.3 pF
26.000 000 MHz
1 : 5.1345 Ω
−10.288 kΩ
3 MHz
2 : 529.87 Ω
−3.6659 kΩ
10 MHz
3 : 114.44 Ω
−1.8514 kΩ
4
20 MHz
1
23
START .500 000 MHz
DS04–21215–4
STOP 100.000 000 MHz
9
MB15C101
5. DO 出力電流特性
VOH − IOH 特性
VCC = 3.0 V, Ta =+ 25 °C
3.0
2.5
VOH (V)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
IOH (mA)
VOL − IOL 特性
VCC = 3.0 V, Ta = +25 °C
3.0
2.5
VOL (V)
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
2
4
6
8
10
12
IOL (mA)
【測定回路例】
VCC
fin
OSCIN
S.G.
50 
1000 pF
IOH
VCC
Parameter Analyzer
Do
GND
VCC
fin
S.G.
10
50 
1000 pF
OSCIN
IOL
VCC
Do
Parameter Analyzer
GND
DS04–21215–4
MB15C101
■ 応用特性例
1. アプリケーション特性例
・測定結果 ( 参考 )
Results
ロック時間± 1 kHz
Un look → Lock
Power on → Lock
2.3 ms
3.4 ms
リファレンス・リーク (Δf = 58 kHz)
位相ノイズ
− 88.5 dBc
− 88.0 dBc/Hz
− 111.0 dBc/Hz
− 118.0 dBc/Hz
− 134.0 dBc/Hz
(Δf = 1 kHz)
(Δf = 10 kHz)
(Δf = 100 kHz)
(Δf = 1 MHz)
VCC (V)
3.0 V
Discrete VCO (KV = 3.5 MHz/V)
Lock Frequency = 274.0 MHz (fr = 58 kHz)
VCO
・測定回路図 ( 参考 )
18 Ω
VCC = 3.0 V
1000 pF
18 Ω
18 Ω
Spectrum
Analyzer
Loop Filter
fin
R1
MB15C101
VCO
S.G
1000 pF
50 Ω
DS04–21215–4
OSCIN
C1
R2
C2
C3
C1 = 6800 pF
C2 = 0.068 μF
C3 = 4800 pF
R1 = 3.0 kΩ
R2 = 3.9 KΩ
11
MB15C101
2. VCO スペクトラム波形
Δ f = 1 kHz
SPAN 2.0 kHz
ATTEN 10dB
RL −1.5 dBm
10 dB/
CENTER 273.999827 MHz
RBW 30 Hz
VBW 3.0 Hz
Δ f = 100 kHz
SPAN 200 kHz
ATTEN 10dB
RL −1.5 dBm
10 dB/
CENTER 274.0002 MHz
RBW 1.0 kHz
VBW 30 Hz
12
ΔMKR −73.83 dB
1.000 kHz
SPAN 2.000 kHz
SWP 3.00 sec
ΔMKR −88.50 dB
58.0 kHz
SPAN 200.0 kHz
SWP 30.0 sec
Δ f = 10 kHz
SPAN 20 kHz
ATTEN 10dB
RL −1.5 dBm
10 dB/
CENTER 273.999827 MHz
RBW 100 Hz
VBW 30 Hz
Δ f = 1 MHz
SPAN 2 MHz
ATTEN 10dB
RL −30.0 dBm
10 dB/
START 274.000 MHz
RBW 1.0 Hz
VBW 100 Hz
ΔMKR −91.83 dB
10.00 kHz
SPAN 20.00 kHz
SWP 30. 0 sec
ΔMKR −105.5 dB
275.000 MHz
STOP 276.000 MHz
SWP 100 sec
DS04–21215–4
MB15C101
3. ロック時間:アンロック→ロック
VCC “OFF” to VCC “ON”
Un-Lock to Lock:DIV = “L” → “H”
Δ Mkr : 2.30 ms
Δ Mkr : 3.40 ms
30.00300
MHz
30.00300
MHz
1.00
kHz/div
1.000
kHz/div
29.99800
MHz
29.99800
MHz
0s
20.0000000 ms
0s
10.0000000 ms
■ 取扱い上の注意
静電気破壊に対しては , 静電防止素子を付加し , また回路上で向上を図っておりますが , 取扱いについては下記の事項
を守ってください。
・ 保管の移動の際には , 導電性ケースに入れてください。
・ 取り扱う前に , 作業者および治具 , 工具類が帯電のない状態 ( アース ) であることを確認し , 作業台にはアースされた
導電性シートをご用意ください。
・ LSI をソケットに挿入 , またはソケットから取り外す際には , 電源をオフにしてください。
・ LSI を実装したボードを取り扱う ( 運搬など ) 際には , リードを導電性のシートで保護してください。
DS04–21215–4
13
MB15C101
■ オーダ型格
14
型格
パッケージ
MB15C101PFV
プラスチック・SSOP, 8 ピン
(FPT-8P-M03)
備考
DS04–21215–4
MB15C101
■ パッケージ・外形寸法図
プラスチック・SSOP, 8 ピン
(FPT-8P-M03)
プラスチック・SSOP, 8 ピン
(FPT-8P-M03)
リードピッチ
0.80mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
4.2 × 3.5mm
リード形状
ガルウィング
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
1.45mm MAX
質量
0.04g
コード(参考)
P-SSOP8-4.2×3.5-0.80
注 1)*1 印寸法のレジン残りは片側 +0.15(.006)MAX
注 2)*2 印寸法はレジン残りを含まず。
注 3)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
注 4)端子幅はタイバ切断残りを含まず。
+0.03
*1 3.50±0.10(.138±.004)
0.17 –0.04
+.001
8
.007 –.002
5
*2 4.20±0.10
6.20±0.20
(.165±.004) (.244±.008)
INDEX
Details of "A" part
+0.20
1.25 –0.10
+.008
.049 –.004
(Mounting height)
0.25(.010)
1
0.80(.031)
"A"
4
0.37±0.08
(.015±.003)
0.10(.004)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.10±0.10
(.004±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED F08005S-c-3-6
DS04–21215–4
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です。
15
MB15C101
■ 本版での主な変更内容
変更箇所は , 本文中のページ左側の|によって示しています。
ページ
1
2
16
場所
■ 概要
変更内容
BCC パッケージ (LCC-16P-M06) の記述を削除
■ 端子配列図
■ 端子機能説明
8
■ 標準特性曲線
・測定回路例 (fin, OSCIN 入力感度測定 )
14
■ オーダ型格
15
■ パッケージ・外形寸法図
DS04–21215–4
MB15C101
MEMO
DS04–21215–4
17
MB15C101
MEMO
18
DS04–21215–4
MB15C101
MEMO
DS04–21215–4
19
MB15C101
富士通セミコンダクター株式会社
〒 222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時∼ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 プロモーション推進部
Similar pages