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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DS04–27704–2a
DATA SHEET
ASSP 電源用 (Li イオン電池充電用 )
並列充電用 DC/DC コンバータ IC
MB3874/MB3876
■ 概 要
MB3874/MB3876 は , 出力電圧・出力電流を独立して制御できるパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の並列充電用 DC/DC コ
ンバータ IC で , ダウンコンバージョンに適しています。
AC アダプタの電圧垂下を検出し , その電力を一定に保とうとするため 2 次電池の充電電流を動的に制御 ( 動的制御充
電：Dynamically-controlled charging) 可能にしています。
この動作により , ノートパソコン動作時に AC アダプタに応じて急速充電が可能となります。
また , 2 個の電池を同時に充電できる並列充電が可能なため , 充電時間が大幅に短縮できます。
出力電圧設定抵抗を内蔵し高精度な出力電圧を設定でき , ノートパソコンなどの内蔵充電器に最適です。
MB3874 は 3 セル対応 , MB3876 は 4 セル対応です。
■ 特 長
・ AC アダプタの電圧垂下を検出し充電電流を動的に制御可能 ( 動的制御充電 )
・ 高効率
：93％ ( 逆流防止ダイオード入り )
・ 動作電源電圧範囲が広い
：7 V ∼ 25 V
・ 出力電圧精度 ( 出力電圧設定抵抗内蔵 )
：± 0.8％ (Ta ＝ +25 °C)
・ 高精度基準電圧源
：4.2 V ± 0.8％
・ 外付け抵抗による周波数設定可能 ( 周波数設定容量内蔵 )：100 kHz ∼ 500 kHz
・ 同相入力電圧範囲の広い電流検知 Amp 内蔵
：0 V ∼ VCC
・ スタンバイ電流
：0 µA ( 標準 )
・ ソフトスタート機能内蔵
・ 並列充電が可能 ( 電池パック 2 個の同時充電 )
・ Pch MOS FET 対応トーテムポール形式出力段内蔵
■ パッケージ
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
Copyright©2000-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2000.01
MB3874/MB3876
■ 端子配列図
(TOP VIEW)
−INC1 : 1
24 : +INC1
FB2 : 2
23 : GND
−INE2 : 3
22 : CS
+INE2 : 4
21 : VCC
VREF : 5
20 : OUT
CTL : 6
19 : VH
FB1 : 7
18 : OUTM
−INE1 : 8
17 : RT
+INE3 : 9
16 : −INE4
−INE3 : 10
15 : FB4
FB3 : 11
14 : −INE5
−INC2 : 12
13 : +INC2
(FPT-24P-M03)
2
MB3874/MB3876
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
機 能 説 明
1
−INC1
I
出力電圧 帰還入力端子です。
2
FB2
O
誤差増幅器 (Error Amp.2) 出力端子です。
3
−INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp.2) 反転入力端子です。
4
+INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp.2) 非反転入力端子です。
充電電流設定電圧 入力端子です。
5
VREF
O
基準電圧出力端子です。
6
CTL
I
電源コントロール端子です。
CTL 端子を “L” レベルにすることにより IC はスタンバイ状態になりま
す。
7
FB1
O
誤差増幅器 (Error Amp.1) 出力端子です。
8
−INE1
I
誤差増幅器 (Error Amp.1) 反転入力端子です。
動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) 電圧設定用入力端子
9
+INE3
I
誤差増幅器 (Error Amp.3) 非反転入力端子です。
充電電流設定電圧 入力端子です。
10
−INE3
I
誤差増幅器 (Error Amp.3) 反転入力端子です。
11
FB3
O
誤差増幅器 (Error Amp.3) 出力端子です。
12
−INC2
I
出力電圧 帰還入力端子です。
13
+INC2
I
電流検知増幅器 (Current Amp.2) 入力端子です。
14
−INE5
I
誤差増幅器 (Error Amp.5) 反転入力端子です。
15
FB4
O
誤差増幅器 (Error Amp.4, 5 共通 ) 出力端子です。
16
−INE4
I
誤差増幅器 (Error Amp.4) 反転入力端子です。
17
RT
⎯
三角波発振周波数設定用抵抗接続端子です。
18
OUTM
O
動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) 判別信号出力端子です。
“H” レベル：定電圧充電または定電流充電モード
“L” レベル：動的制御充電モード
19
VH
O
FET 駆動回路用電源端子です。(VH ＝ VCC − 5 V)
20
OUT
O
ハイサイド FET ゲート駆動端子です。
21
VCC
⎯
基準電源・制御回路の電源端子です。
22
CS
⎯
ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
23
GND
⎯
接地端子です。
24
+INC1
I
電流検出増幅器 (Current Amp.1) 入力端子です。
3
MB3874/MB3876
■ ブロックダイヤグラム
<Error Amp.1> VREF
−
208 kΩ
+
−INE1
8
VCC
<MASK Comp.>
−
+
42 kΩ
FB1
−INE2
+INC1
−INC1
+INE2
7
3
24
1
2.5 V
<Current Amp.1> <Error
Amp.2> VREF
+
100 kΩ
× 25
−
−
+
<PWM
Comp.>
+
+
+
+
−
4
2
+INC2
−INC2
+INE3
10
13
12
<Current Amp.2> <Error
Amp.3> VREF
+
100 kΩ
−
× 25
−
+
∗
R2
50 kΩ
R1
∗
R2
50 kΩ
−
+
+
CS
15
22
19
<Error
Amp.5> VREF
VH
VCC
(VCC UVLO) 215 kΩ
+
−
+
+
35 kΩ
−
0.91 V
(0.77 V)
VREF
ULVO
<SOFT>
VREF
1 µA
bias
2.5 V
1.5 V
CTL
<OSC>
<Ref>
<CTL>
(45 pF)
RT
17
VREF
5
GND
23
∗ : MB3874 100 kΩ
MB3876 150 kΩ
4
OUT
(VCC − 5 V)
<UVLO>
VREF
(4.2 V)
FB4
20
<Error
Amp.4> VREF
R1
14
Drive
<VH>
11
−INE5
<OUT>
バイアス
電圧部
9
16
VCC
VCC
FB3
−INE4
21
VCC
FB2
−INE3
OUTM
18
6
MB3874/MB3876
■ 絶対最大定格
定 格 値
項 目
記 号
条 件
単 位
最 小
最 大
電源電圧
VCC
⎯
⎯
28
V
OUT 端子出力電流
IOUT
⎯
⎯
60
mA
ピーク出力電流
IOUT
⎯
500
mA
⎯
17
V
OUTM 端子出力電圧
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fOSC × Duty)
⎯
VOUTM
許容損失
PD
保存温度
Tstg
Ta ≦ + 25 °C
⎯
⎯
740
−55
+125
＊
mW
°C
＊：10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
規 格 値
項 目
記 号
条 件
単 位
最 小
標 準
最 大
電源電圧
VCC
⎯
7
⎯
25
V
基準電圧出力電流
IREF
⎯
−1
⎯
0
mA
VH 端子出力電流
IVH
⎯
0
⎯
30
mA
入力電圧
V−INC
−INC1, −INC2
0
⎯
17
V
VINE
−INE1 ∼ −INE5, +INE2
0
⎯
VCC − 1.8
V
V+INC
+INC1, +INC2
0
⎯
VCC
V
0
⎯
25
V
⎯
CTL 端子入力電圧
VCTL
出力電流
IOUT
OUT 端子
−45
⎯
45
mA
ピーク出力電流
IOUT
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fosc × Duty)
−450
⎯
450
mA
OUTM 端子出力電圧
VOUTM
⎯
⎯
3
15
V
OUTM 端子出力電流
IOUTM
⎯
⎯
⎯
1
mA
発振周波数
fOSC
⎯
100
290
500
kHz
タイミング抵抗
RT
⎯
33
47
130
kΩ
ソフトスタート容量
CS
⎯
⎯
2200
100000
pF
VH 端子容量
CVH
⎯
⎯
0.1
1.0
µF
基準電圧出力容量
CREF
⎯
⎯
0.1
1.0
µF
Ta
⎯
−30
+25
+85
°C
動作周囲温度
＜注意事項＞ 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。
5
MB3874/MB3876
■ 電気的特性
(MB3874：Ta = +25 °C, VCC = 16 V, VREF = 0 mA)
(MB3876：Ta = +25 °C, VCC = 19 V, VREF = 0 mA)
規 格 値
項 目
1.
基準電圧
部
［Ref］
4. 三角波
発振器部
［OSC］
5-1.
誤差増幅
器部
［Error
Amp.1］
標 準
最 大
Ta =+25 °C
4.167
4.200
4.233
V
Ta =−30 °C ∼ +85 °C
4.158
4.200
4.242
V
備考
5
入力安定度
Line
5
VCC =7 V ∼ 25 V
⎯
3
10
mV
負荷安定度
Load
5
VREF =0 mA ∼ −1 mA
⎯
1
10
mV
短絡時出力電流
Ios
5
VREF =1 V
−25
−15
−5
mA
スレッショルド
電圧
VTLH
21
VCC =
6.3
6.6
6.9
V
VTHL
21
VCC =
5.3
5.6
5.9
V
VH
21
0.7
1.0
1.3
V
VTLH
5
VREF =
2.6
2.8
3.0
V
VTHL
5
VREF =
2.4
2.6
2.8
V
ヒステリシス幅
VH
5
⎯
0.05
0.20
0.35
V
充電電流
ICS
22
⎯
−1.3
−0.8
−0.5
µA
発振周波数
fOSC
20
RT =47 kΩ
260
290
320
kHz
Δf/fdt
20
Ta = −30 °C ∼ +85 °C
⎯
1＊
⎯
％
FB1 =2 V,
−INE1 =2.35 V
14.00
14.20
14.40
V
MB3874
FB1 =2 V,
−INE1 =2.83 V
16.80
17.10
17.40
V
MB3876
−INE1 =0 V
−100
−30
周波数温度変動率
スレッショルド
電圧
VTH
入力端子電流
IIN
21
8
⎯
⎯
nA
100
＊
⎯
dB
＊
⎯
MHz
7
DC
⎯
BW
7
AV =0 dB
⎯
2.0
VFBH
7
⎯
3.9
4.1
⎯
V
VFBL
7
⎯
⎯
20
200
mV
出力ソース電流
ISOURCE
7
FB1 =2 V
⎯
−2.0
−0.6
mA
出力シンク電流
ISINK
7
FB1 =2 V
150
300
⎯
µA
入力オフセット
電圧
VIO
3, 4,
FB2 =FB3 =2 V
9, 10
⎯
1＊
⎯
mV
入力端子電流
IINE
4, 9
−100
−30
⎯
nA
同相入力電圧
範囲
VCM
3, 4,
9, 10
0
⎯
VCC − 1.8
V
電圧利得
周波数帯域幅
電圧利得
周波数帯域幅
出力電圧
出力ソース電流
出力シンク電流
＊：標準設計値
6
単位
最 小
VREF
出力電圧
5-2.
誤差増幅
器部
［Error
Amp.2,
Error
Amp.3］
条 件
出力電圧
2.
低 VCC 時 ヒステリシス幅
誤動作防
止回路部 スレッショルド
［UVLO］ 電圧
3. ソフト
スタート
部
［SOFT］
記 号 端子
AV
+INE2 =+INE3 =0 V
⎯
AV
2, 11 DC
⎯
100 ＊
⎯
dB
BW
2, 11 AV =0 dB
⎯
2.0
＊
⎯
MHz
VFBH
2, 11
⎯
3.9
4.1
⎯
V
VFBL
2, 11
⎯
⎯
20
200
mV
ISOURCE 2, 11 FB2 =FB3 =2 V
⎯
−2.0
−0.6
mA
2, 11 FB2 =FB3 =2 V
150
300
⎯
µA
ISINK
MB3874/MB3876
（続き）
(MB3874：Ta =+25 °C, VCC =16 V, VREF =0 mA)
(MB3876：Ta =+25 °C, VCC =19 V, VREF =0 mA)
規 格 値
項 目
スレッショルド
電圧
記 号 端子
VTH
IINEH
5-3.
誤差増幅
器部
［Error
Amp.4,
Error
Amp.5］
単位
備考
12.700
V
MB3874
16.800
16.934
V
MB3876
12.474
12.600
12.726
V
MB3874
16.632
16.800
16.968
V
MB3876
−INC1 =−INC2 =12.6 V
⎯
84
150
µA
MB3874
−INC1 =−INC2 =16.8 V
⎯
84
150
µA
MB3876
VCC ＝ 0 V,
−INC1 ＝ −INC2 ＝ 12.6 V
⎯
0
1
µA
MB3874
VCC =0 V,
−INC1 =−INC2 =16.8 V
⎯
0
1
µA
MB3876
70
100
130
kΩ
MB3874
105
150
195
kΩ
MB3876
35
50
65
kΩ
最 小
標 準
最 大
FB4 =2 V,
Ta =+25 °C
12.500
12.600
16.666
FB1 =2 V,
Ta =−30 °C ∼ +85 °C
1, 12
1, 12
入力電流
IINEL
条 件
1, 12
R1
1, 12
⎯
R2
14, 16
⎯
電圧利得
AV
15
DC
⎯
100 ＊
⎯
dB
周波数帯域幅
BW
15
AV =0 dB
⎯
2.0 ＊
⎯
MHz
VFBH
15
⎯
3.9
4.1
⎯
V
VFBL
15
⎯
⎯
20
200
mV
入力抵抗
出力電圧
出力ソース電流 ISOURCE
15
FB4 =2 V
⎯
−2.0
−0.6
mA
出力シンク電流
15
FB4 =2 V
150
300
⎯
µA
ISINK
＊：標準設計値
（続く）
7
MB3874/MB3876
（続き）
(MB3874：Ta =+25 °C, VCC =16 V, VREF =0 mA)
(MB3876：Ta =+25 °C, VCC =19 V, VREF =0 mA)
規 格 値
項 目
記 号
I+INCH
端子
13, 24
入力電流
I+INCL
V-INE1
6.
電流検出
増幅器部
［Current
Amp.1,
Current
Amp.2］
電流検知電圧
同相入力電圧範
囲
電圧利得
出力電圧
7. PWM
比較器部
［PWM
Comp.］
8. 定電力
検出部
［MASK
Comp.］
V-INE2
13, 24
3, 10
3, 10
条 件
単位
備考
20
µA
MB3874
10
20
µA
MB3876
−130
−65
⎯
µA
+INC1 =+INC2 =12.7 V,
−INC1 =−INC2 =12.6 V
2.25
2.50
2.75
V
MB3874
+INC1 =+INC2 =16.9 V,
−INC1 =−INC2 =16.8 V
2.25
2.50
2.75
V
MB3876
+INC1 =+INC2 =12.63 V,
−INC1 =−INC2 =12.6 V
0.50
0.75
1.00
V
MB3874
+INC1 =+INC2 =16.83 V,
−INC1 =−INC2 =16.8 V
0.50
0.75
1.00
V
MB3876
最 小
標 準
最 大
+INC1 =+INC2 =12.7 V,
−INC1 =−INC2 =12.6 V
⎯
10
+INC1 =+INC2 =16.9 V,
−INC1 =−INC2 =16.8 V
⎯
+INC1 =+INC2 =0.1 V,
−INC1 =−INC2 =0 V
V-INE3
3, 10
+INC1 =+INC2 =0.1 V,
−INC1 =−INC2 =0 V
1.25
2.50
3.75
V
V-INE4
3, 10
+INC1 =+INC2 =0.03 V,
−INC1 =−INC2 =0 V
0.125
0.750
1.375
V
VCM
1, 12,
13, 24
0
⎯
VCC
V
+INC1 =+INC2 =12.7 V,
−INC1 =−INC2 =12.6 V
22.5
25
27.5
V/V MB3874
+INC1 =+INC2 =16.9 V,
−INC1 =−INC2 =16.8 V
22.5
25
27.5
V/V MB3876
AV
3, 10
⎯
VOUTCH
3, 10
⎯
3.9
4.1
⎯
V
VOUTCL
3, 10
⎯
⎯
20
200
mV
VTL
2, 7,
デューティサイクル =0 ％
11, 15
1.4
1.5
⎯
V
VTH
2, 7, デューティサイクル
11, 15 =100 ％
⎯
2.5
2.6
V
スレッショルド
電圧
スレッショルド
電圧
VTLH
18
FB1 =
2.7
2.8
2.9
V
VTHL
18
FB1 =
2.4
2.5
2.6
V
ヒステリシス幅
VH
18
0.2
0.3
0.4
V
出力リーク電流
ILEAK
18
OUTM =5 V
⎯
0
1
µA
出力電圧
VOL
18
OUTM =1 mA
⎯
0.15
0.4
V
⎯
＊：標準設計値
（続く）
8
MB3874/MB3876
（続き）
(MB3874：Ta =+25 °C, VCC =16 V, VREF =0 mA)
(MB3876：Ta =+25 °C, VCC =19 V, VREF =0 mA)
規 格 値
項 目
出力ソース電流
9.
出力部
［OUT］
出力シンク電流
11.
バイアス
電圧部
［VH］
12.
全デバイ
ス
ISOURCE
ISINK
20
20
条 件
単位
備考
⎯
mA
MB3874
−200 ＊
⎯
mA
MB3876
⎯
200 ＊
⎯
mA
MB3874
OUT =19 V,
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fOSC × Duty)
⎯
200 ＊
⎯
mA
MB3876
最 小
標 準
最 大
OUT =11 V,
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fOSC × Duty)
⎯
−200 ＊
OUT =14 V,
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fOSC × Duty)
⎯
OUT =16 V,
Duty ≦ 5 ％
(t =1 / fOSC × Duty)
ROH
20
OUT =−45 mA
⎯
8.0
16.0
Ω
ROL
20
OUT =45 mA
⎯
6.5
13.0
Ω
立上り時間
tr1
20
OUT =3300 pF
(Si4435DY 相当 )
⎯
70 ＊
⎯
ns
立下り時間
tf1
20
OUT =3300 pF
(Si4435DY 相当 )
⎯
60 ＊
⎯
ns
VON
6
IC 動作状態
2.0
⎯
25.0
V
VOFF
6
IC スタンバイ状態
0
⎯
0.8
V
ICTLH
6
CTL =5 V
⎯
100
200
µA
ICTLL
6
CTL =0 V
⎯
0
1
µA
出力電圧
VH
19
VCC =7 V ∼ 25 V,
VH =0 ∼ 30 mA
VCC − 5.5
VCC − 5.0
VCC − 4.5
V
スタンバイ電流
ICCS
21
CTL =0 V
⎯
0
10
µA
電源電流
ICC
21
CTL =5 V
⎯
6.0
9.0
mA
MB3874
⎯
6.5
9.5
mA
MB3876
出力オン抵抗
10.
コント
ロール部
［CTL］
記 号 端子
CTL 入力電圧
入力電流
＊：標準設計値
9
MB3874/MB3876
■ 標準特性
電源電流−電源電圧特性
10
基準電圧−電源電圧特性
基準電圧 VREF (V)
電源電流 ICC (mA)
8
6
4
2
0
10
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
0
5
10
15
20
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
VREF = 0 mA
8
6
4
2
0
25
0
5
電源電圧 VCC (V)
基準電圧− VREF 負荷電流特性
Ta = +25 °C
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
CTL = 5 V
8
15
20
25
基準電圧−周囲温度特性
6
4
2
2.0
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
CTL = 5 V
VREF = 0 mA
1.5
基準電圧 ΔVREF (％)
基準電圧 VREF (V)
10
10
電源電圧 VCC (V)
1.0
0.5
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
0
0
5
10
15
20
25
-2.0
-40
30
-20
VREF 負荷電流 IREF (mA)
基準電圧− CTL 電圧特性
40
60
80
100
CTL 端子電流− CTL 電圧特性
Ta = +25 °C
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
VREF = 0 mA
8
20
周囲温度 Ta ( °C)
6
4
2
0
1.0
CTL 端子電流 ICTL (mA)
基準電圧 VREF (V)
10
0
Ta = +25 °C
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
CTL 電圧 VCTL (V)
20
25
0
5
10
15
20
25
CTL 電圧 VCTL (V)
（続く）
10
MB3874/MB3876
三角波発振周波数−電源電圧特性
三角波発振周波数−タイミング抵抗特性
100 k
100 k
330
320
310
300
290
280
270
260
0
1M
5
10
15
20
25
タイミング抵抗 RT (Ω)
電源電圧 VCC (V)
三角波発振周波数−周囲温度特性
誤差増幅器スレッショルド電圧−周囲温度特性
350
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
RT = 47 kΩ
340
250
10 k
10 k
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
CTL = 5 V
RT = 47 kΩ
340
330
320
310
300
290
280
270
260
250
−40
350
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
Ta = +25 °C
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
CTL = 5 V
−20
0
20
40
60
周囲温度 Ta ( °C)
80
100
誤差増幅器スレッショルド電圧 ΔVTH (％)
三角波発振周波数 fOSC (Hz)
1M
5.0
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
CTL = 5 V
4.0
3.0
2.0
1.0
0.0
−1.0
−2.0
−3.0
−4.0
−5.0
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
（続く）
11
MB3874/MB3876
（続き）
誤差増幅器 利得 , 位相−周波数特性
Ta = +25 °C
40
AV
90
0
0
−20
−90
−40
−180
100
位相 φ (deg)
利得 AV (dB)
4.2 V
φ
20
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
180
1k
10 k
100 k
1M
240 kΩ
IN 1 µF
− +
10 kΩ
2.4 kΩ
10 kΩ
3 −
(10)
OUT
2
(11)
4 +
(9)
2.088 V Error Amp.2
(Error Amp.3)
10 M
周波数 f (Hz)
電流検出増幅器 利得 , 位相−周波数特性
Ta = +25 °C
40
VCC = 16 V (MB3874)
VCC = 19 V (MB3876)
180
20
90
0
位相 φ (deg)
利得 AV (dB)
AV
0
φ
−20
−90
−40
−180
100
1k
10 k
100 k
1M
周波数 f (Hz)
許容損失−周囲温度特性
許容損失 PD (mW)
800
740
700
600
500
400
300
200
100
0
−40
12
−20
0
20
40
60
周囲温度 Ta ( °C)
80
100
IN
0.1 V
∗
24
(13)
1
(12)
+
× 25
−
100 kΩ
3 OUT
(10)
Current Amp.1
(Current Amp.2)
∗ : MB3874 12.6 V
MB3876 16.8 V
MB3874/MB3876
■ 機能説明
1. DC/DC コンバータ部
(1) 基準電圧部 (Ref)
基準電圧回路は , VCC 端子 (21 ピン ) より供給される電圧により温度補償された安定な電圧 ( ≒ 4.2 V) を発生し , IC 内
部回路の基準電源として使用します。
また , 基準電圧 VREF 端子 (5 ピン ) から最大 1 mA まで外部に取り出せます。
(2) 三角波発振器部 (OSC)
周波数設定用コンデンサを内蔵しており , RT 端子 (17 ピン ) に周波数設定抵抗を接続することにより三角波発振波形を
発生します。
三角波は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。
(3) 誤差増幅器部 (Error Amp.1)
誤差増幅器 (Error Amp.1) は , AC アダプタの電圧垂下を検出して PWM 制御信号を出力し , 動的制御充電 (Dynamicallycontrolled charging) 検出部 (MASK Comp.) への信号も出力する増幅器です。
また , 誤差増幅器の FB1 端子 (7 ピン ) から −INE1 端子 (8 ピン ) への帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意の
ループゲインが設定できるので , システムに対して安定した位相補償ができます。
(4) 誤差増幅器部 (Error Amp.2, Error Amp.3)
誤差増幅器 (Error Amp.2, Error Amp.3) は , 電流検出増幅器 (Current Amp.1, Current Amp.2) の出力信号を検出し , +INE2 端
子 (4 ピン ) , +INE3 端子 (9 ピン ) と比較し PWM 制御信号を出力する増幅器で、充電電流の制御を行います。
また , 誤差増幅器の FB2 端子 (2 ピン ) から −INE2 端子 (3 ピン ) へ , FB3 端子 (11 ピン ) から −INE3 端子 (10 ピン ) への
帰還抵抗およびコンデンサの接続により , 任意のループゲインが設定できるので , システムに対して安定した位相補償が
できます。
(5) 誤差増幅器部 (Error Amp.4, Error Amp.5)
誤差増幅器 (Error Amp.4, Error Amp.5) は , スイッチングレギュレータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増
幅器です。誤差増幅器反転入力端子には , 出力電圧設定抵抗が IC 内部で接続されており , 出力電圧設定用外付け抵抗を必
要としません。出力電圧設定値は , MB3874 の場合は 12.6 V (3 セル ) , MB3876 の場合は 16.8 V (4 セル ) に設定されてお
り , Li イオン電池で使用する装置に最適です。
また , 誤差増幅器の FB4 端子 (15 ピン ) から −INE4 端子 (16 ピン ) , −INE5 端子 (14 ピン ) への帰還抵抗およびコンデン
サの接続により , 任意のループゲインが設定できるので , システムに対して安定した位相補償ができます。
CS 端子 (22 ピン ) にソフトスタート用コンデンサを接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。ソフト
スタート検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作
します。
(6) 電流検出増幅器部 (Current Amp1, Current Amp.2)
電流検出増幅器 (Current Amp.1, Current Amp.2) は , 充電電流により出力センス抵抗 (RS1) の両端に発生する電圧降下を
+INC1 端子 (24 ピン ) , −INC1 端子 (1 ピン ) で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp.2) へ出力します。
また , 出力センス抵抗 (RS2) の両端に発生する電圧降下を +INC2 端子 (13 ピン ) , −INC2 端子 (12 ピン ) で検出し , 25 倍に
増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp.3) へ出力します。
(7) PWM 比較器部 (PWM Comp.)
誤差増幅器 (Error Amp.1 ∼ Error Amp.5) の出力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧−パルス幅変換器
です。
三角波発振器で発生した三角波と誤差増幅器出力電圧を比較し , 三角波が誤差増幅器出力電圧より低い期間に外付け出
力トランジスタをオンさせます。
(8) 出力部 (OUT)
出力回路は , トーテムポール形式で構成しており , 外付け Pch MOS FET を駆動 できます。
出力 , “L” レベルは , バイアス電圧部 (VH) で発生した電圧を使用することで , 出力振幅を 5 V ( 標準 ) にします。
それにより , 変換効率 UP 及び入力電圧範囲が広くても使用する外付けトランジスタの耐圧を低くおさえることにつな
がります。
13
MB3874/MB3876
(9) 電源コントロール部 (CTL)
CTL 端子 (6 ピン ) を “L” レベルとすることによりスタンバイ状態となります ( スタンバイ時の電源電流 10 µA 最大 ) 。
(10) バイアス電圧部 (VH)
出力回路の最低電位として VCC − 5 V ( 標準 ) を出力します。スタンバイ時は VCC と同電位を出力します。
2. 保護機能
低 VCC 時誤動作防止回路 (UVLO)
電源 (VCC) 投入時の過渡状態や電源電圧 , あるいは内部基準電圧 (VREF) の瞬時低下は , コントロール IC の誤動作を誘
起し , システムの破壊もしくは劣化を生じます。前記のような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は電源
電圧 , あるいは内部基準電圧の電圧低下を検出し , OUT 端子 (20 ピン ) を “H” レベルに固定します。電源電圧 , および内部
基準電圧が低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
3. ソフトスタート機能
ソフトスタート部 (SOFT)
CS 端子 (22 ピン ) にコンデンサを接続することにより , 電源起動時の突入電流を防止できます。ソフトスタート検出を
誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は DC/DC コンバータの出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間
で動作します。
4. その他付加機能
動的制御充電検出部 (MASK Comp.) ＊
動的制御充電検出部 (MASK Comp.) は通常 “H” レベルを出力し , 入力電圧 (VCC) を検出する誤差増幅器 (Error Amp.1) の
出力電圧が三角波発振器 (OSC) の波高値 (2.5 V) より低下した場合 , OUTM 信号は “L” レベルとなります。
また , 入力電圧が上昇して 2.8 V 以上になると “H” レベルへ復帰します。
＊：動的制御充電：Dynamically-controlled charging
14
MB3874/MB3876
■ 充電電流設定方法
+INE2, +INE3 端子の電圧値により , 充電電流値 ( 出力制限電流値 ) が設定できます。
設定された電流値を上回る電流が流れようとした場合 , その設定電流値で充電電圧が垂下します。
電池 1 の充電電流設定用電圧：+INE2
+INE2 (V) ＝ 25 × I1 (A) × Rs1 (Ω)
電池 2 の充電電流設定用電圧：+INE3
+INE3 (V) ＝ 25 × I2 (A) × Rs2 (Ω)
■ ソフトスタート時間設定方法
IC 起動後 CS 端子に接続したコンデンサ (CS) に充電を開始します。
誤差増幅器により , DC/DC コンバータの負荷電流に関係なく出力電圧が CS 端子電圧に比例しソフトスタート動作をし
ます。
ソフトスタート時間 ts ( 出力電圧 100％までの時間 )
ts (s) ≒ 4.2 × Cs (µF)
■ 三角波発振周波数設定方法
三角波発振周波数は RT 端子 (17 ピン ) にタイミング抵抗 (RT) を接続することにより設定できます。
三角波発振周波数 fOSC
fOSC (kHz) ≒ 14444 / RT (kΩ)
■ AC アダプタ電圧検出について
AC アダプタ電圧 (VCC) の分圧点 A が −INE1 端子電圧より低下すると定電力モードとなり AC アダプタの電力を一定に
保つように充電電流を減少させます。
AC アダプタ検出電圧設定 Vth
Vth (V) ＝ (208 k ＋ 42 k) / 42 k × −INE1 ≒ 5.95 × −INE1
−INE1 設定電圧範囲：1.176 V ∼ 4.2 V (VCC 換算で 7 V ∼ 25 V)
<Error Amp.1>
−INE1
−
8
A
VCC
+
208 kΩ
42 kΩ
15
MB3874/MB3876
■ 動作タイミングチャートについて
2.8 V
2.5 V
Err Amp.2, 3 FB2,3
Err Amp.4, 5 FB4
Err Amp.1 FB1
1.5 V
OUT
OUTM
AC アダプタ
動的制御充電
定電圧制御
AC アダプタ
動的制御充電
定電流制御
OUTM 信号について
AC アダプタ電圧 (VCC) を検出する誤差増幅器 (Error Amp.1) の出力電圧が三角波発振器 (OSC) の波高値 (2.5 V) より低
下した場合 , OUTM 信号は “L” レベルとなります。
システム消費電流と充電側消費電流の合計電流が AC アダプタの電流能力を超えた場合 , AC アダプタ出力電圧が垂下
したことを検出し C.V.C.C. ( 定電圧制御 / 定電流 充電制御 ) から Dynamically-controlled charging ( 動的制御充電 ) へ切り替
ります。
システム消費電流増加により充電電流小となった場合と電池の充電完了により充電電流小となった場合を識別するた
めに , Dynamically-controlled charging ( 動的制御充電 ) 時 , OUTM 端子は “L” レベルを出力します。
L：Dynamically-controlled charging ( 動的制御充電 )
H：C.V.C.C. ( 定電圧 / 定電流 充電制御 ) または IC スタンバイ状態
ISYS
System
Power
VIN
AC
Adaptor
Mode
Signal
Battery
Charger
MB3874
MB3876
Ichg
Battery
16
MB3874/MB3876
■ 外付け逆流防止ダイオードの注意について
・ 定電圧制御で充電電流 (I1, I2) がアンバランスな場合 , 電池電圧の低い方で電圧制御するため , 一方の電池電圧は逆流
防止ダイオード (D1, D2) およびセンス抵抗 (RS1, RS2) に発生する電圧差だけ高くなります。
・ 電池の過充電停止電圧より高くならないように逆流防止ダイオード (D1, D2) 電圧電流特性にご注意願います。
VCC
21
VIN
(16 V/19 V)
24 ピンへ 1 ピンへ
A
OUT
20
B
BATT1
RS1 12.6 V/16.8 V
I1
D1
19
VH
電池 1
13 ピンへ 12 ピンへ
C
I2
D
BATT2
RS2 12.6 V/16.8 V
D2
電池 2
17
MB3874/MB3876
■ 応用回路例
R10
∗2
8
6800 pF
C8
R8
47 kΩ
R11
30 kΩ
R6
330 kΩ
<Error Amp.1> VREF
−
208 kΩ
+
−INE1
VCC
7
3900 pF −INE2
C9 +INC1
R16
22 kΩ
A
24
B
1
R9 −INC1
150 kΩ
R14
5.6 kΩ
0.1 µF
C13
R19
200 kΩ
3
2.5 V
(2.8 V)
<Current Amp.1> <Error
Amp.2> VREF
+
100 kΩ
× 25
−
−
+
<PWM
Comp.>
+
+
+
+
−
2
Q2
SW1
R15
5.6 kΩ
R18
200 kΩ
Q3
3900 pF −INE3
10
33 kΩ
C7 +INC2
R12
C
13
R17
22 kΩ
D
12
R7 −INC2
150 kΩ
9
0.1 µF
+INE3
C12
FB3
11
−INE4
33 kΩ
R13
<Current Amp.2> <Error
Amp.3> VREF
+
100 kΩ
−
× 25
−
+
∗3
14
C6
3900 pF
C5
3900 pF
R4
200 kΩ
R3
200 kΩ
FB4
CS
CS
2200 pF
15
22
Drive
A
I1
19
(VCC − 5 V)
D1
∗1
50 kΩ
27 µH
C3
100 µF
+
−
D2 0.075Ω
C4
100 µF
+
電池 1
−
13 ピンへ 12 ピンへ
VCC
(VCC UVLO) 215 kΩ
+
−
+
+
C
35 kΩ
−
D3
CTL
<OSC>
<Ref>
RT
RT
17
VREF
47 kΩ
5
∗4
0.075Ω
電池 2
bias
2.5 V
1.5 V
BATT2
RS2
VREF
ULVO
<SOFT>
VREF
1 µA
D
I2
0.91 V
(0.77 V)
VREF
(4.2 V)
<CTL>
(45 pF)
18
VH
B
BATT1
RS1 ∗4
L1
<UVLO>
<Error
Amp.5> VREF
1 ピンへ
Q1
VCC
−
+
+
C10
0.1 µF
24 ピンへ
OUT
20
<VH>
50 kΩ
−INE5
<OUT>
<Error
Amp.4> VREF
16
VIN SW2
+ +
− −
C14
0.1 µF
バイアス
電圧部
∗1
C1
C2
22 µF 22 µF
VCC
21
VCC
4
+INE2
FB2
OUTM
+
42 kΩ
FB1
18
<MASK Comp.>
−
GND
23
6
∗1 : MB3874 100 kΩ
MB3876 150 kΩ
∗2 : MB3874 22 kΩ
MB3876 15 kΩ
∗3 : MB3874 16 V
MB3876 19 V
∗4 : MB3874 12.6 V
MB3876 16.8 V
MB3874/MB3876
■ 部品表
COMPONENT
ITEM
SPECIFICATION
VENDOR
PARTS No.
Q1
Q2, Q3
FET
FET
Si4435DY
2N7002
VISHAY SILICONIX
VISHAY SILICONIX
Si4435DY
2N7002
D1
D2, D3
Diode
Diode
MBRS130LT3
RB151L-40F
MOTOROLA
ROHM
MBRS130LT3
RB151L-40F
L1
Coil
27 µH
2.8 A, 80 mΩ
SUMIDA
CDRH127-27 µH
C1, C2
C3, C4
OS Condensor
OS Condensor
22 µF
100 µF
C5, C6
C7
C8
C9
C10
CS
C12, 13
C14
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
Ceramics Condensor
3900 pF
3900 pF
6800 pF
3900 pF
0.1 µF
2200 µF
0.1 µF
0.1 µF
25 V (10 ％)
16 V (10 ％)
25 V (10 ％)
10 ％
10 ％
10 ％
10 ％
25 V
10 ％
16 V
16 V
⎯
⎯
R1, R2
R3, R4
RT
R6
R7
R8
R9
R10
R11, R12
R13
R14, R15
R16, R17
R18, R19
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
0.075 Ω
200 kΩ
47 kΩ
330 kΩ
150 kΩ
47 kΩ
150 kΩ
22 kΩ
30 kΩ
30 kΩ
5.6 kΩ
22 kΩ
200 kΩ
1.0 ％
1.0 ％
1.0 ％
5％
1.0 ％
1.0 ％
1.0 ％
0.5 ％
0.5 ％
0.5 ％
0.5 ％
0.5 ％
5％
⎯
⎯
（注意）VISHAY SILICONIX：VISHAY Intertechnology,Inc.
MOTOROLA：モトローラ株式会社
ROHM：ローム株式会社
SUMIDA：スミダ電機株式会社
19
MB3874/MB3876
■ 参考データ
・MB3874
変換効率−充電電圧特性 ( 定電流モード )
変換効率−充電電流特性 ( 定電圧モード )
100
BATT1 充電電圧＝ 12.6 V
BATT2 ＝ OPEN
効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (Vin × Iin) × 100
BATT2 ＝ OPEN
98 fOSC ＝ 286.37 kHz 98 BATT1：電子負荷
96
96
94
変換効率 η (％)
変換効率 η (％)
100
Vin = 16 V
92
90
88
86
94
92
88
86
84
82
82
80
100 m
1
Vin = 16 V
R10 = 22 kΩ
90
84
80
10 m
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
10
0
2
4
並列充電 BATT1 充電電圧＝ 12.6 V
100
fOSC ＝ 286.37 kHz
(VBATT2 × IBATT2) )/ (Vin × Iin) × 100
90
88
86
90
88
86
82
1
80
10
Vin = 16 V
R10 = 22 kΩ
92
84
0
2
4
10
12
14
16
18
Vin ＝ 16 V BATT2 ＝ OPEN
BATT1：電子負荷
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
16
12
10
Dead Battery MODE
DCC MODE
8
6
4
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
8
BATT 電圧− BATT 充電電流特性
BATT 電圧− BATT 充電電流特性
18
14
並列充電 Vin ＝ 16 V
BATT1：電子負荷
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
IBATT1 ＝ IBATT2
12
10
Dead Battery MODE
0.0 0.2
0.4
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
DCC MODE
8
6
4
2
2
0
6
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
14
16
並列充電
94
82
16
14
96 IBATT1 ＝ IBATT2
84
100 m
12
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
92
80
10 m
10
98 BATT1：電子負荷
変換効率 η (％)
変換効率 η (％)
98 効率 η (％) ＝ ( (VBATT1 × IBATT1) ＋
96 IBATT1 ＝ IBATT2
94
Vin = 16 V
8
変換効率−充電電圧特性 ( 定電流モード )
変換効率−充電電流特性 ( 定電圧モード )
100
6
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
0
0.0 0.2
0.4
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
（注意）KIKUSUI ：菊水電子工業株式会社
（続く）
20
MB3874/MB3876
（続き）
ソフトスタート動作波形
DC/DC コンバータスイッチング波形
Vin ＝ 16 V
負荷：BATT1 ＝ 20 Ω
−INE1 ＝ 0 V
BATT2 ＝ OPEN
Vin ＝ 16 V
FOSC ＝ 286.7 kHz
負荷：BATT1 ＝ 1 A
BATT2 ＝ OPEN
BATT1 (V)
20
5V
15
1 µs
5V
CTL (V)
20
10
5
OUT (V)
20
15
0
15
10
10
5
5
0
0
5V
0
40
20 ms
80
120
160
−5
200
t (ms)
0
2
4
6
8
10
t (µs)
21
MB3874/MB3876
・MB3876
変換効率−充電電圧特性 ( 定電流モード )
変換効率−充電電流特性 ( 定電圧モード )
100
100 BATT2 ＝ OPEN
98 BATT1：電子負荷
BATT1 充電電圧＝ 16.8 V fOSC ＝ 282.71 kHz
98 BATT2 ＝ OPEN
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
効率 η (％) ＝ (VBATT1 × IBATT1) / (Vin × Iin) × 100
96
変換効率 η (％)
変換効率 η (％)
96
Vin = 19 V
94
92
90
88
86
94
92
88
86
84
84
82
82
80
10 m
100 m
1
80
10
Vin = 19 V
R10 = 15 kΩ
90
0
2
100
並列充電 BATT1 充電電圧＝ 16.8 V fOSC ＝ 282.71 kHz
96
変換効率 η (％)
変換効率 η (％)
(VBATT2 × IBATT2) ) / (Vin × Iin) × 100
96 IBATT1 ＝ IBATT2
Vin = 19 V
94
92
90
88
86
92
14
16
18
16
18
88
86
82
82
1
80
10
0
2
4
6
8
10
12
14
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
BATT 電圧− BATT 充電電流特性
BATT 電圧− BATT 充電電流特性
20
20
16
14
12
10
Dead Battery MODE
DCC MODE
8
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0.0 0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
1.6
1.8
2.0
並列充電
Vin ＝ 19 V
BATT1: 電子負荷
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
IBATT1 ＝ IBATT2
18
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
Vin ＝ 19 V
BATT2 ＝ OPEN
BATT1: 電子負荷
(KIKUSUI 社製
PLZ-150W)
18
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
12
Vin = 19 V
R10 = 15 kΩ
90
84
0
10
94
84
100 m
8
並列充電
BATT1：電子負荷
(KIKUSUI 社製 PLZ-150W)
IBATT1 ＝ IBATT2
98
98 効率 η (％) ＝ ( (VBATT1 × IBATT1) ＋
80
10 m
6
変換効率−充電電圧特性 ( 定電流モード )
変換効率−充電電流特性 ( 定電圧モード )
100
4
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
16
14
12
10
Dead Battery MODE
DCC MODE
8
6
4
2
0
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0.0 0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
（注意）KIKUSUI ：菊水電子工業株式会社
（続く）
22
MB3874/MB3876
（続き）
DC/DC コンバータスイッチング波形
ソフトスタート動作波形
Vin ＝ 19 V
負荷：BATT1 ＝ 50 Ω
−INE1 ＝ 0 V
BATT2 ＝ OPEN
Vin ＝ 19 V
FOSC ＝ 282.6 kHz
負荷：BATT1 ＝ 1 A
BATT2 ＝ OPEN
10 V
15
1 µs
5V
BATT1 (V)
20
CTL (V)
10
20
OUT (V)
20
0
15
10
10
5
5
0
0
5V
0
40
20 ms
80
120
160
−5
200
t (ms)
0
2
4
6
8
10
t (µs)
23
MB3874/MB3876
■ 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合 , LSI の永久破壊となることがあります。
また , 通常動作では , 推奨動作条件下で使用することが望ましく , この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響
をおよぼすことがあります。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は , LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は , 推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3. プリント基板のアースラインは , 共通インピーダンスを考慮し設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は , 静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か , 容器に収納してください。
・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ∼ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
5. 負電圧を印加しないでください。
−0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
■ オーダ型格
型 格
MB3874PFV
MB3876PFV
24
パッケージ
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
備 考
MB3874/MB3876
■ 外形寸法図
プラスチック・SSOP, 24 ピン
(FPT-24P-M03)
注 ) ＊印寸法はレジン残りを含まず。
+0.20
* 7.75±0.10(.305±.004)
1.25 –0.10
+.008
.049 –.004
(Mounting height)
0.10(.004)
* 5.60±0.10
INDEX
0.65±0.12(.0256±.0047)
(.220±.004)
+0.10
C
6.60(.260)
NOM
"A"
+0.05
0.22 –0.05
0.15 –0.02
+.004
–.002
.006 –.001
.009
7.15(.281)REF
7.60±0.20
(.299±.008)
Details of "A" part
+.002
0.10±0.10(.004±.004)
(STAND OFF)
0
10°
0.50±0.20
(.020±.008)
1994 FUJITSU LIMITED F24018S-2C-2
単位：mm (inches)
25
MB3874/MB3876
MEMO
26
MB3874/MB3876
MEMO
27
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
富士通エレクトロニクス株式会社
〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fei/
電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで ,
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集　販売戦略部