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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DS04–27708–1a
DATA SHEET
ASSP 電源用 (2 次電池用 )
3/4 cell Li イオン電池 & NiMH 電池並列充電用
DC/DC コンバータ IC
MB3879
■ 概 要
MB3879 は , 出力電圧・出力電流を独立して制御できるパルス幅変調方式 (PWM 方式 ) の 3/4 cell Li イオン電池 & NiMH
電池並列充電用 DC/DC コンバータ IC です。
AC アダプタの電圧垂下を検出し , その電力を一定にするため 2 次電池の充電電流を動的に制御 ( 動的制御充電:
Dynamically-controlled charging) 可能にしています。
この動作により , ノートパソコン動作時に AC アダプタに応じて急速充
電が可能となります。
また , システム電流と制御 IC 入力電流のトータル電流を検出し , 2 次電池の制御 ( 差動充電:Differential-charging) も可
能にしています。この動作により , ノートパソコンの動作状態に応じて充電電流を可変できるため効率の良い充電が可能
となります。
さらに , 2 個の電池を同時に充電できる並列充電が可能なため , 充電時間が大幅に短縮できます。
出力電圧設定抵抗を内
蔵し , 高精度な出力電圧を設定でき , 出力電力切替え機能により , 黒鉛系とコークス系両方の Li イオン電池はもとより
NiMH 電池にも対応しており , ノートパソコンなどの内蔵充電器に最適です。
■ 特 長
・ AC アダプタの電圧垂下を検出し充電電流を動的に制御可能 (Dynamically-controlled charging)
・ システム電流と制御 IC 入力電流のトータル電流を検出可能 (Differential-charging)
・ 4 ビットのデコーダにより出力電圧の選択が可能
12.3 V (3 cell:4.1 V) , 12.6 V (3 cell:4.2 V) , 16.4 V (4 cell:4.1 V) , 16.8 V (4 cell:4.2 V)
・ 高効率
:94 % ( 逆流防止ダイオード入り )
・ 電源電圧範囲が広い
:8 V ~ 25 V
・ 出力電圧設定精度 ( 出力電圧設定抵抗内蔵 )
:± 0.8 % (Ta =+ 25 °C)
・ 充電電流設定精度
:± 5 %
・ 周波数設定抵抗を内蔵し外付け容量のみで周波数設定可能
・ 発振周波数範囲
:100 kHz ~ 500 kHz
(続く)
■ パッケージ
プラスチック・LQFP, 48 ピン
(FPT-48P-M05)
Copyright©2001-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2001.10
MB3879
(続き)
・ 同相入力電圧範囲の広い電流検知 Amp 内蔵 ・ スタンバイ電流
・ 負荷依存のないソフトスタート回路内臓
・ 充電モード検出機能内蔵
・ Pch MOS FET 対応トーテムポール形式出力段内蔵
2
:0 V ~ Vcc
:0 µA
MB3879
■ 端子配列図
+INC1
-INC1
FB1
OUTC1
-INE1
+INE1
FB2
-INE2
+INE2
DTC
GND
CT
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
(TOP VIEW)
CTL
7
30
FB5
VDD
8
29
-INE5
VB
9
28
TEST
OUT-EV
10
27
GNDO
OUT-EC
11
26
VH
OUT-EA2
12
25
VCCO
24
+INE4
OUT
31
23
6
CS1
VSS
22
-INE4
CS2
32
21
5
-INE6
D3
20
OUTC3
FB6
33
19
4
+INE3
D2
18
FB4
-INE3
34
17
3
OUTC2
D1
16
+INC3
FB3
35
15
2
+INC2
D0
14
IN2
IN1
36
13
1
OUT-EA1
VCC
(FPT-48P-M05)
3
MB3879
■ 端子機能説明
端子番号
端子記号
I/O
機 能 説 明
1
VCC

2
D0
I
VDD ロジック入力端子です。
3
D1
I
VDD ロジック入力端子です。
4
D2
I
VDD ロジック入力端子です。
5
D3
I
VDD ロジック入力端子です。
6
VSS

VDD ロジック接地端子です。
7
CTL
I
8
VDD

VDD ロジック電源端子です。
9
VB
O
基準電圧出力端子です。
10
OUT-EV
O
定電圧充電状態判別信号出力端子です。
H レベル:動的制御充電または差動充電または定電流充電モード
L レベル:BATT1 または BATT2 定電圧充電モード
11
OUT-EC
O
定電流充電状態判別信号出力端子です。
H レベル:動的制御充電または差動充電または定電圧充電モード
L レベル:BATT1 または BATT2 定電流充電モード
12
OUT-EA2
O
差動充電 (Differential-charging) 判別信号出力端子です。
H レベル:動的制御充電または定電圧充電または定電流充電モード
L レベル:差動充電モード
13
OUT-EA1
O
動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) 判別信号出力端子です。
H レベル:差動充電または定電圧充電または定電流充電モード
L レベル:動的制御充電モード
14
IN1
I
<BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。
出力電圧 帰還入力端子です。
15
+ INC2
I
<BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 入力端子です。
16
FB3
O
<BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 出力端子です。
17
OUTC2
O
<BATT1> 電流検知増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。
18
- INE3
I
<BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 反転入力端子です。
19
+ INE3
I
<BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp3) 非反転入力端子です。
20
FB6
O
<BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp6) 出力端子です。
21
- INE6
I
<BATT1> 誤差増幅器 (Error Amp6) 反転入力端子です。
22
CS2

ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
23
CS1

ソフトスタート用コンデンサ接続端子です。
24
OUT
O
外付け FET ゲート駆動端子です。
25
VCCO

ドライバ部電源端子です。
26
VH
O
FET 駆動回路用電源端子です。(VH = VCC - 6 V)
27
GND0

接地端子です。
28
TEST
O
充電電圧設定用内部基準電圧。
29
- INE5
I
<BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp5) 反転入力端子です。
30
FB5
O
<BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp5) 出力端子です。
31
+ INE4
I
<BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 非反転入力端子です。
32
- INE4
I
<BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 反転入力端子です。
33
OUTC3
O
<BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 出力端子です。
電源端子です。
電源コントロール端子です。CTL 端子を “L” レベルにすることにより
IC はスタンバイ状態になります。
(続く)
4
MB3879
(続き)
端子番号
端子記号
I/O
機 能 説 明
34
FB4
O
<BATT2> 誤差増幅器 (Error Amp4) 出力端子です。
35
+ INC3
I
<BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 入力端子です。
36
IN2
I
<BATT2> 電流検知増幅器 (Current Amp3) 入力端子です。
出力電圧 帰還入力端子です。
37
CT

三角波発振周波数設定用容量接続端子です。
38
GND

接地端子です。
39
DTC
I
外部デューティコントロール入力端子です。
40
+ INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp2) 非反転入力端子です。
41
- INE2
I
誤差増幅器 (Error Amp2) 反転入力端子です。
42
FB2
O
誤差増幅器 (Error Amp2) 出力端子です。
43
+ INE1
I
誤差増幅器 (Error Amp1) 非反転入力端子です。
44
- INE1
I
誤差増幅器 (Error Amp1) 反転入力端子です。
45
OUTC1
O
電流検知増幅器 (Current Amp2) 出力端子です。
46
FB1
O
誤差増幅器 (Error Amp1) 出力端子です。
47
- INC1
I
電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。
48
+ INC1
I
電流検知増幅器 (Current Amp1) 入力端子です。
5
MB3879
■ ブロックダイヤグラム
VCC
1
−INE
OUTC1
+INC1
48
−INC1
47
+INE1
43
FB1
FB2
46
−INE2
41
−
+INE2
40
+
DTC
−INE3
OUTC2
+INC2
39
IN1
14
+INE3
FB3
−INE4
OUTC3
+INC3
19
IN2
36
+INE4
FB4
31
44
<Current
+ Amp1>
×25
−
+
<Error Amp1>
<VDD>
−
−
+
13
OUT-EA1
12
OUT-EA2
11
OUT-EC
10
OUT-EV
25
VCCO
24
OUT
<MODE
Comp.2>
+
−
FB
Voltage
Selector
42
<Error Amp2>
<MODE
Comp.3>
+
−
<<Dynamically-Contorl>>
18
<MODE
Comp.4>
<<Current-Contorl>>
17
<Current
+ Amp2>
×25
−
15
+
<Error Amp3>
−
−
+
+
16
32
<Current
+ Amp3>
×25
−
35
34
<Error Amp4>
−
+
+
<PWM
Comp>
FB
Voltage
Selector
33
26 VH
bias
(VCC − 6 V)
Voltage
<VH>
27
GNDO
R1
22.4
kΩ
R1
<<Voltage-Contorl>>
22.4 kΩ
<Error Amp5>
29
FB5
30
Drive
VCC
<SOFT1>
VB
23
−INE5
<OUT>
+
+
+
−
−
+
+
R2
<UVLO>
FB
Voltage
Selector
CS1
<MODE
Comp.1>
<<Differencial-Control>>
45
VCC
UVLO
VB
UVLO
R2
<Error Amp6>
−INE6
21
3V
R3
8.4
kΩ
R3
8.4
kΩ
FB6
−
+
+
2.8 kΩ 2.8 kΩ
2V
20
<SOFT2>
VB
CS2
22
VDD
8
D0
D1
D2
D3
2
(4.2 V)
5
6
VSS
6
<Decoder>
4
<Larch>
3
<REF>
(4.1 V)
<OSC>
<VB>
bias
(5 V)
37
28
CT TEST
<VR>
9
38
VB
GND
<CTL> 7
CTL
MB3879
■ 絶対最大定格
項 目
記 号
VCC
電源電圧
条 件
VCC, VCCO 端子

VDD
定 格 値
単 位
最 小
最 大

28
V

17
V
出力電流
IO
OUT 端子

60
mA
ピーク出力電流
IOP
OUT 端子
Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

700
mA
許容損失
PD
Ta ≦+ 25 °C

860 *
mW
保存温度
Tstg
- 55
+ 125
°C

*:10 cm 角の両面エポキシ基板に実装時
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ
ります。
したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
■ 推奨動作条件
項 目
電源電圧
記 号
条 件
VCC
VCC, VCCO 端子
VDD

規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大
8
19
25
V
2.7
5
7
V
基準電圧出力電流
IB
VB 端子
-1

0
mA
VH 端子出力電流
IH
VH 端子
0

30
mA
VINE
- INE1 ~- INE6,
+ INE1 ~+ INE4 端子
0

VCC - 1.8
V
VINC
+ INC1 ~+ INC3, - INC1 端子
0

VCC
V
VINC
IN1, IN2 端子
0

VCC
V
VDTC
DTC 端子
0

VCC - 0.9
V
出力電流
IO
OUT 端子
- 45

+ 45
mA
ピーク出力電流
IOP
Duty ≦ 5 % (t = 1 / fosc × Duty)
OUT 端子
- 600

+ 600
mA
入力電圧
CTL 端子入力電圧
VCTL
CTL 端子
0

25
V
デコーダ部入力電圧
VDEC
D0 ~ D3 端子
0

VDD
V
発振周波数
fOSC

100
300
500
kHz
タイミング容量
CT

47
100
330
pF
ソフトスタート容量
CS


0.022
1.0
µF
VH 端子容量
CH


0.1
1.0
µF
CREF


0.1
1.0
µF
Ta

- 30
+ 25
+ 85
°C
基準電圧出力容量
動作周囲温度
<注意事項> 推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。
電気的特性の規格値は , すべてこの条
件の範囲内で保証されます。
常に推奨動作条件下で使用してください。
この条件を超えて使用すると , 信頼
性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。
記載され
ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に当社営業担当部門までご相談ください。
7
MB3879
■ 電気的特性
(VCC = VCCO = 19 V, VDD = 5 V, 充電モード= Li4C42, Ta =+ 25 °C)
項 目
1. 基準
電圧部
[REF]
VTEST1
28
VTEST2
条 件
規 格 値
単位
標 準
最 大
充電モード= Li4C42,
Ta =+ 25 °C
4.167
4.200
4.233
V
28
充電モード= Li4C42,
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C
4.158
4.200
4.242
V
VTEST3
28
充電モード= Li4C41,
Ta =+ 25 °C
4.063
4.100
4.137
V
VTEST4
28
充電モード= Li4C41,
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C
4.050
4.100
4.150
V
VB1
9
Ta =+ 25 °C
4.95
5.00
5.05
V
VB2
9
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C
4.94
5.00
5.06
V
Line
9
VCC = VCCO =
8 V ~ 25 V

3
10
mV
Load
9
VB = 0 mA ~- 1 mA

1
10
mV
短絡時出力電流
los
9
VB = 1 V
- 25
- 15
-5
mA
スレッショルド
電圧
VTLH
1
VCC = VCCO =
6.0
6.2
6.4
V
VTHL
1
VCC = VCCO =
5.0
5.2
5.4
V

1
1*

V
出力電圧
2. 制御回路
バイアス
入力安定度
電圧部
[VB]
負荷安定度
3. 低 VCC 時
誤動作防止 ヒステリシス幅
回路部
スレッショルド
[UVLO]
電圧
ヒステリシス幅
4. ソフト
スタート部
充電電流
[SOFT1,
SOFT2]
発振周波数
周波数温度変動率
入力オフセット
電圧
6. 誤差
増幅器部
[Error
Amp1 ~
Error
Amp6]
測定
端子
最 小
出力電圧
5. 三角波
発振器部
[OSC]
記号

VH
1
VTLH
9
VB =
2.5
2.7
2.9
V
VTHL
9
VB =
2.3
2.5
2.7
V

V
VH
9


ICS
22, 23

- 14
- 10
-6
µA
fOSC
24
CT = 100 pF
240
300
360
kHz
Δf/fdt
Ta =- 10 °C ~+ 85 °C

5 *1

%
24
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C

10 *1

%

1
5
mV
- 100
- 30

nA
16, 34,
Error Amp1, Error Amp2
42, 46
0

VCC - 1.8
V
VIO
入力バイアス電流
IB
同相入力電圧範囲
VCM
18, 19,
31, 32, Error Amp1 ~ Error Amp4
40, 41, FB1 ~ FB4 = 2.5 V
43, 44
18, 19,
31, 32,
40, 41,
43, 44
- INE1 =+ INE1 =
- INE2 =+ INE2 =
- INE3 =+ INE3 =
- INE4 =+ INE4 = 0 V
0.2
*1
電圧利得
AV
16, 34,
DC
42, 46

100 *1

dB
周波数帯域幅
BW
16, 34,
AV = 0 dB
42, 46

2 *1

MHz
* 1:標準設計値
(続く)
8
MB3879
(VCC = VCCO = 19 V, VDD = 5 V, 充電モード= Li4C42, Ta =+ 25 °C)
項 目
記号
条 件
規 格 値
最 小
標 準
最 大
単位
VOH
16, 20,
30, 34, FB1 ~ FB6 =- 1 mA
42, 46
4.5
4.7

V
VOL
16, 20,
30, 34, FB1 ~ FB6 = 1 mA
42, 46

1.0
1.2
V
出力ソース電流
16, 20,
ISOURCE 30, 34, FB1 ~ FB6 = 2.5 V
42, 46

-9
- 4.5
mA
出力シンク電流
ISINK
16, 20,
30, 34, FB1 ~ FB6 = 2.5 V
42, 46
4.5
9.0

mA
VTH1
FB5 = FB6 = 2.5 V,
Ta =+ 25 °C
20, 30
充電モード= Li4C42,
Li3C42
VTH*2 ×
0.992
VTH ×
1.000
VTH ×
1.008
V
VTH2
FB5 = FB6 = 2.5 V,
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C
20, 30
充電モード= Li4C42,
Li3C42
VTH*2 ×
0.990
VTH ×
1.000
VTH ×
1.010
V
VTH3
FB5 = FB6 = 2.5 V,
Ta =+ 25 °C
20, 30
充電モード= Li4C41,
Li3C41
VTH*3 ×
0.991
VTH ×
1.000
VTH ×
1.009
V
VTH4
FB5 = FB6 = 2.5 V,
Ta =- 30 °C ~+ 85 °C
20, 30
充電モード= Li4C41,
Li3C41
VTH*3 ×
0.989
VTH ×
1.000
VTH ×
1.011
V
IINEH1
14, 36
IN1 = IN2 = 16.8 V
充電モード= Li4C42

500
750
µA
IINEH2
14, 36
IN1 = IN2 = 16.4 V
充電モード= Li4C41

488
730
µA
IINL
14, 36
VCC = VCCO = 0 V,
IN1 = IN2 = 16.9 V

0
1
µA
Ra
R1 + R2
14, 36 IN1 = IN2 = 16.8 V
充電モード= Li4C42
17.6
25.2
32.8
kΩ
Rb
R3
21, 29 IN1 = IN2 = 16.8 V
充電モード= Li4C42
5.9
8.4
10.9
kΩ
Rc
R1
14, 36 IN1 = IN2 = 12.6 V
充電モード= Li3C42
15.7
22.4
29.1
kΩ
Rd
R2 + R3
21, 29 IN1 = IN2 = 12.6 V
充電モード= Li3C42
7.8
11.2
14.6
kΩ
出力電圧
6. 誤差
増幅器部
[Error
Amp1 ~
Error
Amp6]
測定
端子
スレッショルド
電圧
入力電流
入力抵抗
* 2:16.8 V (Li4C42) , 12.6 V (Li3C42)
* 3:16.4 V (Li4C41) , 12.3 V (Li3C41)
(続く)
9
MB3879
(VCC = VCCO = 19 V, VDD = 5 V, 充電モード= Li4C42, Ta =+ 25 °C)
項 目
記号
I + INCH
I - INCH
入力電流
I + INCL
I - INCL
7. 電流
検出増幅器
部
[Current
Amp1 ~
Current
Amp3]
47
+ INC1 = 3 V ~ VCC,
∆Vin =- 100 mV
15, 35, + INC1 ~+ INC3
= 0 V,
48
∆Vin =- 100 mV
47
+ INC1 = 0 V
∆Vin =- 100 mV
単位
最 小
標 準
最 大

20
30
µA

0.1
0.2
µA
- 180
- 120

µA
- 195
- 130

µA
2.375
2.500
2.625
V
VOUTC2
17, 33, + INC1 ~+ INC3
= 3 V ~ VCC,
45
∆Vin =- 20 mV
0.410
0.530
0.650
V
VOUTC3
17, 33, + INC1 ~+ INC2
= 0 V ~ 3 V,
45
∆Vin =- 100 mV
2.25
2.50
2.75
V
VOUTC4
+ INC1 ~+ INC2
17, 33,
= 0 V ~ 3 V,
45
∆Vin =- 20 mV
0.33
0.53
0.73
V
0

Vcc
V
23.75
25.00
26.25
V/V

2.0 *1

MHz
VCM
17, 33,
45

電圧利得
AV
17, 33, + INC1 ~+ INC3
= 3 V ~ VCC,
45
∆Vin =- 100 mV
周波数帯域幅
BW
17, 33,
AV = 0 dB
45
VOUTCH
17, 33,
45

4.8
4.9

V
VOUTCL
17, 33,
45


20
200
mV
出力ソース電流
ISOURCE
17, 33, OUTC1 ~ OUTC3
=2V
45

-2
-1
mA
出力シンク電流
ISINK
17, 33, OUTC1 ~ OUTC3
=2V
45
100
200

µA
スレッショルド
電圧
入力端子電流
9. DTC
検出部
[DTC]
15, 35, + INC1 ~+ INC3
= 3 V ~ VCC,
48
∆Vin =- 100 mV
規 格 値
+ INC1 ~+ INC3
17, 33,
= 3 V ~ VCC,
45
∆Vin =- 100 mV
出力電圧
8. PWM
比較器部
[PWM
Comp.]
条 件
VOUTC1
電流検知電圧
同相入力電圧範囲
測定
端子
スレッショルド
電圧
VTL
24
デューティサイクル
=0%
1.9
2.0

V
VTH
24
デューティサイクル
= 100 %

3.0
3.1
V
IDTC
39
DTC = 2.5 V
- 400
- 200

nA
VTL
24
デューティサイクル
=0%
1.9
2.0

V
VTH
24
デューティサイクル
= 100 %

3.0
3.1
V
* 1:標準設計値
(続く)
10
MB3879
(続き)
(VCC = VCCO = 19 V, VDD = 5 V, 充電モード= Li4C42, Ta =+ 25 °C)
記号
測定
端子
条 件
出力ソース電流
ISOURCE
24
出力シンク電流
ISINK
項 目
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大
OUT = 14 V, Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

- 400 *1

mA
24
OUT = 19 V, Duty ≦ 5 %
(t = 1 / fOSC × Duty)

400 *1

mA
ROH
24
OUT =- 45 mA

6.5
9.8
Ω
ROL
24
OUT = 45 mA

5.0
7.5
Ω
立上り時間
tr1
24
OUT = 3300 pF
(Si4435 相当 )

50 *1

ns
立下り時間
tf1
24
OUT = 3300 pF
(Si4435 相当 )

50 *1

ns
VH
26
VCC = VCCO =
8 V ~ 25 V,
VH = 0 mA ~ 30 mA
VCC - 6.5
VCC - 6.0
VCC - 5.5
V
VTH
7
動作状態
2.0

25.0
V
VTL
7
スタンバイ状態
0

0.8
V
ICTLH
7
CTL = 5 V

100
150
µA
ICTLL
7
CTL = 0 V

0
1
µA
tD0
24
CTL = “H” レベル→充電
開始


1
ms
tRCTL
7
CTL = “H” レベル→
“L” レベル→ “H” レベル
2


ms
VIL
2, 3,
4, 5

0

VDD × 0.2
V
VIH
2, 3,
4, 5

VDD × 0.7

VDD
V
IH
2, 3,
4, 5
D3 ~ D0 = 5 V

50
75
µA
IL
2, 3,
4, 5
D3 ~ D0 = 0 V


10
µA
tDS
2, 3,
4, 5
D3 ~ D0 → CTL
1


ms
10. 出力部
出力オン抵抗
[OUT]
11. バイア
ス電圧部 出力電圧
[VH]
CTL 入力電圧
12. コント 入力電流
ロール部
[CTL]
データ出力
遅延時間
CTL 信号
再投入時間
入力電圧
13. デコー
ダ部
[DEC]
入力電流
データセット
アップ時間
スレッショルド
電圧
14. モード
ヒステリシス幅
検出部
[MODE
Comp.]
VTLH
10, 11,
FB1 ~ FB6 =
12, 13
3.2
3.3
3.4
V
VTHL
10, 11,
FB1 ~ FB6 =
12, 13
2.9
3.0
3.1
V
VH
10, 11,
12, 13

0.3 * 1

V
VOL
OUT-EA1 = OUT-EA2
10, 11,
= OUT-EV = OUT-EC
12, 13 = 2 mA


0.4
V
VOH
10, 11, OUT-EA1 = OUT-EA2
= OUT-EV = OUT-EC
12, 13 =- 0.4 mA
VDD - 0.4


V
出力電圧

* 1:標準設計値
11
MB3879
(続き)
(VCC = VCCO = 19 V, VDD = 5 V, 充電モード= Li4C42, Ta =+ 25 °C)
15. VDD
電源
項 目
記号
測定
端子
スタンバイ電流
IDDS
8
電源電流
IDD
8
ICCS
ICC
16. 全デバ スタンバイ電流
イス
電源電流
12
条 件
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大
CTL = 0 V

0
10
µA
CTL = 5 V,
OUT-EV = “L” レベル

200
300
µA
1, 25
CTL = 0 V

0
10
µA
1, 25
CTL = 5 V

8
12
mA
MB3879
■ 標準特性曲線
電源電流-電源電圧特性
電源電流- VDD ロジック部電源電圧特性
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
10
電源電流 IDD (µA)
電源電流 ICC (mA)
12
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
25
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
0
電源電圧 VCC (V)
2
5
5
4
4
3
2
TEST = 4.2 V 設定
Ta =+ 25 °C
CTL = 5 V
TEST = 0 mA
0
5
10
15
TEST = 4.1 V 設定
Ta =+ 25 °C
CTL = 5 V
TEST = 0 mA
1
20
25
0
5
10
15
20
25
電源電圧 VCC (V)
基準電圧-周囲温度特性
基準電圧-周囲温度特性
4.15
4.25
TEST = 4.2 V 設定
VCC = 19 V
CTL = 5 V
TEST = 0 mA
4.23
4.22
TEST = 4.1 V 設定
VCC = 19 V
CTL = 5 V
TEST = 0 mA
4.14
基準電圧 VTEST2 (V)
4.24
基準電圧 VTEST1 (V)
10
2
電源電圧 VCC (V)
4.21
4.2
4.19
4.18
4.17
4.13
4.12
4.11
4.1
4.09
4.08
4.07
4.06
4.16
4.15
−40
8
3
0
0
6
基準電圧-電源電圧特性
基準電圧 VTEST (V)
基準電圧 VTEST (V)
基準電圧-電源電圧特性
1
4
VDD ロジック部電源電圧 VDD (V)
−20
0
20
40
60
周囲温度 Ta ( °C)
80
100
4.05
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
(続く)
13
MB3879
基準電圧-負荷電流特性
6
6
5
5
基準電圧 VB (V)
4
3
2
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
VB = 0 mA
1
0
0
5
10
15
20
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
4
3
2
1
0
25
0
5
5.10
25
30
10
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
450
CTL 端子電流 ICTL (µA)
基準電圧 VB (V)
20
500
VCC = 19 V
CTL = 5 V
VB = 0 mA
5.06
15
CTL 端子電流 , 基準電圧- CTL 端子電圧特性
基準電圧-周囲温度特性
5.08
10
負荷電流 IB (mA)
電源電圧 VCC (V)
5.04
5.02
5.00
4.98
400
9
8
350
7
ICTL
300
6
VB
250
5
200
4
150
3
100
2
4.92
50
1
4.90
0
4.96
4.94
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
0
5
10
15
20
基準電圧 VB (V)
基準電圧 VB (V)
基準電圧-電源電圧特性
0
25
CTL 端子電圧 VCTL (V)
三角波発振周波数-タイミング容量特性
三角波発振周波数 fOSC (Hz)
1M
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
100 k
10 k
10
100
1000
タイミング容量 CT (pF)
(続く)
14
MB3879
三角波発振周波数-電源電圧特性
三角波発振周波数-周囲温度特性
340
306
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
Ta = +25 °C
CTL = 5 V
CT = 100 pF
308
304
302
300
298
296
294
292
290
5
10
15
20
25
Ta = +25 °C
VCC = 19 V
CTL = 5 V
CT = 100 pF
330
320
310
300
290
280
270
260
250
240
30
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
電源電圧 VCC (V)
誤差増幅器スレッショルド電圧-周囲温度特性 (Error Amp6)
誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V)
0
17.0
VCC = 19 V
CTL = 5 V
16.9
16.8
16.7
16.6
16.5
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
誤差増幅器スレッショルド電圧-周囲温度特性 (Error Amp5)
誤差増幅器スレッショルド電圧 VTH (V)
三角波発振周波数 fOSC (kHz)
310
17.0
VCC = 19 V
CTL = 5 V
16.9
16.8
16.7
16.6
16.5
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
(続く)
15
MB3879
誤差増幅器利得 , 位相-周波数特性 (Error Amp2)
Ta = +25 °C
利得 AV (dB)
240 kΩ
φ
20
0
−20
−90
−40
−180
10 k
10 kΩ
1 µF
+
90
0
1k
VCC = 19 V
180
AV
100 k
1M
位相 φ (deg)
40
41
2.4 kΩ
IN
40
10 kΩ
−
42
+
2.1 V
OUT
Error Amp2
10 M
周波数 f (Hz)
誤差増幅器利得 , 位相-周波数特性 (Error Amp3)
Ta = +25 °C
40
AV
180
VCC = 19 V
4.2 V
240 kΩ
φ
90
0
0
−20
−90
−40
−180
1k
10 k
100 k
1M
位相 φ (deg)
利得 AV (dB)
20
10 kΩ
1 µF+
IN
10 kΩ
2.4 kΩ
18
−
23
+
19
+
2.5 V
10 kΩ
16
OUT
Error Amp3
10 kΩ
10 M
周波数 f (Hz)
(続く)
16
MB3879
(続き)
電流検出増幅器 , 位相-周波数特性
Ta = +25 °C
40
VCC = 19 V
10 kΩ
1 µF
+
180
AV
(35)
15
IN
17
14 −
(33) OUT
(36)
12.6 V
Current Amp2
(Current Amp3)
10 kΩ
φ
0
0
−20
−90
−40
−180
1k
10 k
100 k
1M
10 M
周波数 f (Hz)
許容損失-周囲温度特性
1000
許容損失 PD (mW)
利得 AV (dB)
位相 φ (deg)
90
20
+
900
860
800
700
600
500
400
300
200
100
0
−40
−20
0
20
40
60
80
100
周囲温度 Ta ( °C)
17
MB3879
■ 機能説明
1. DC/DC コンバータ機能
(1) 基準電圧部 (REF)
基準電圧回路 (REF) は , VCC 端子 (1 ピン ) より供給される電圧により温度補償された基準電圧 (4.2 V 標準 ) を発生し ,
Error Amp の基準電圧として使用されます。
(2) 制御バイアス電圧部 (VB)
制御バイアス電圧部 (VB) は , 内部基準電圧により温度補償されたバイアス電圧 (5.0 V 標準 ) を VB 端子から発生し , IC
内部回路の基準電圧として使用されます。
また , VB 端子から負荷電流を最大 1 mA まで外部に取り出せます。
(3) 三角波発振器部 (OSC)
三角波発振周波数設定用抵抗を内蔵しており , CT 端子 (37 ピン ) に三角波発振周波数設定容量を接続することにより ,
振幅 1.6 V ~ 2.6 V の三角波発振波形を発生します。
発振波形は , IC 内部の PWM コンパレータに入力されます。
(4) 誤差増幅器部 (Error Amp1)
誤差増幅器 (Error Amp1) は , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流を検出して PWM 制御信号を出力する
増幅器で , 充電電流の制御を行います。
また , 同相入力電圧範囲が “0 ~ VCC - 1.8 V” と広く , FB1 端子から- INE1 端子への帰還抵抗および容量の接続により ,
任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
さらに , モード検出部への信号も出力します。
(5) 誤差増幅器部 (Error Amp2)
誤差増幅器 (Error Amp2) は , + INE2 端子 (40 ピン ) に外付け抵抗を接続することにより , AC アダプタの電圧垂下を検
出して PWM 制御信号を出力する増幅器です。
また , 同相入力電圧範囲が “0 ~ VCC - 1.8 V” と広く , FB2 端子 (42 ピン ) から- INE2 端子 (41 ピン ) への帰還抵抗およ
び容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
さらに , モード検出部への信号も出力します。
(6) 誤差増幅器部 (Error Amp3, Error Amp4)
誤差増幅器 (Error Amp3, Error Amp4) は , 電流検出増幅器 (Current Amp2, Current Amp3) の出力信号を検出し , + INE3 端
子 (19 ピン ) , + INE4 端子 (31 ピン ) と比較し , PWM 制御信号を出力する増幅器で , 充電電流の制御を行います。
また , FB3 端子 (16 ピン ) から- INE3 端子 (18 ピン ) へ , FB4 端子 (34 ピン ) から- INE4 端子 (32 ピン ) への帰還抵抗
および容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
さらに , モード検出部への信号も出力します。
CS1 端子 (23 ピン ) にソフトスタート用容量を接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。
ソフトスター
ト検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作しま
す。
(7) 誤差増幅器部 (Error Amp5, Error Amp6)
誤差増幅器 (Error Amp5, Error Amp6) は , DC/DC コンバータの出力電圧を検出し , PWM 制御信号を出力する増幅器です。
誤差増幅器反転入力端子には , 出力電圧設定抵抗が IC 内部で接続されており , 出力電圧設定用外付け抵抗を必要としませ
ん。出力電圧設定値は , 4 ビットのデコーダにより 12.6 V (3 セル ) , 12.3 V (3 セル ) , 16.8 V (4 セル ) , 16.4 V (4 セル ) の選
択ができ , Li イオン電池はもとより , NiMH 電池にも対応しています。
また , FB5 端子 (30 ピン ) から- INE5 端子 (29 ピン ) , FB6 端子 (20 ピン ) から- INE6 端子 (21 ピン ) への帰還抵抗お
よび容量の接続により , 任意のループゲインが設定できるため , システムに対して安定した位相補償ができます。
さらに , モード検出部への信号も出力します。
CS2 端子 (22 ピン ) にソフトスタート用容量を接続することにより電源起動時の突入電流を防止できます。
ソフトスター
ト検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は出力負荷に依存しない一定のソフトスタート時間で動作しま
す。
18
MB3879
(8) 電流検出増幅器部 (Current Amp1)
電流検出増幅器 (Current Amp1) は , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流による出力センス抵抗 (RS1) の両
端に発生する電圧降下を+ INC1 端子 (48 ピン ) と- INC1 端子 (47 ピン ) 間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差
増幅器 (Error Amp1) へ出力します。
(9) 電流検出増幅器部 (Current Amp2, Current Amp3)
電流検出増幅器 (Current Amp2, Current Amp3) は , 充電電流による出力センス抵抗 (RS2) の両端に発生する電圧降下を+
INC2 端子 (15 ピン ) と IN1 端子 (14 ピン ) 間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp3) へ出力しま
す。また , 電流検出増幅器 (Current Amp3) は , 出力センス抵抗 (RS3) の両端に発生する電圧降下を+ INC3 端子 (35 ピン ) と
IN2 端子 (36 ピン ) 端子間で検出し , 25 倍に増幅した信号を次段の誤差増幅器 (Error Amp3) へ出力します。
(10) PWM コンパレータ部 (PWM Comp.)
PWM コンパレータは誤差増幅器の出力電圧に応じて出力デューティをコントロールする電圧-パルス幅変換器です。
三角波発振器で発生した三角波と誤差増幅器の出力電圧および DTC 端子 (39 ピン ) 電圧と比較し , 三角波電圧が誤差増
幅器出力電圧および DTC 端子電圧より低い期間には外付け Pch MOS FET をオンさせます。
(11) 出力部 (OUT)
出力部は , トーテムポール形式で構成しており , 外付け Pch MOS FET を駆動することができます。出力段 “L” レベルは ,
バイアス電圧部で発生した電圧を使用することで , 出力振幅を 6 V ( 標準 ) にします。
それにより , 変換効率 UP 及び入力電圧範囲が広くても使用する外付け Ph MOS FET の 耐圧を低く抑えることにつなが
ります。
(12) バイアス電圧部 (VH)
出力回路の最低電位として VCC - 6 V ( 標準 ) を出力します。
スタンバイ時は VCC と同電位を出力します。
2. VDD ロジック部
(1) コントロール部 (CTL)
CTL 端子 (7 ピン ) を “L” レベルとすることによりスタンバイ状態となります ( スタンバイ時の電源電流 10 µA 最大 ) 。
CTL 端子を “H” レベルにすることにより内部基準電圧を発生させ出力動作状態にします。
CTL 端子を “L” レベルにした後 , 再び “H” レベルにするには CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要となりま
す。
(2) デコーダ部 (DEC)
デコーダ部 (DEC) は , 4 ビットのデコーダの D0 端子 (2 ピン ) ~ D3 端子 (5 ピン ) に信号を入力することで , 12.6 V (3
セル ) , 12.3 V (3 セル ) , 16.8 V (4 セル ) , 16.4 V (4 セル ) の選択ができ , Li イオン電池を使用するほか , 出力電圧制御を無
しにすることが可能なため NiMH 電池を使用することもできます ( 詳細は
「■デコーダ部出力設定コード」参照 ) 。
(3) モード検出部 (MODE Comp.)
モード検出部 (MODE Comp.) は , どの充電モードにあるかを OUT-EA1 端子 (13 ピン ) , OUT-EA2 端子 (12 ピン ) , OUTEC 端子 (11 ピン ) , OUT-EV 端子 (10 ピン ) に出力します。動的制御充電モードの場合は , OUT-EA1 端子を “L” レベルに
し , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。
差動充電モードの場合は , OUT-EA2 端子を “L” レ
ベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。
定電流充電モードの場合は , OUT-EC 端子
を “L” レベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EV 端子を “H” レベルにします。
定電圧充電モードの場合は , OUTEV 端子を “L” レベルにし , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子で “H” レベルにします。
また , DTC 端子 (39 ピン ) を使用して外部からのデューティの設定が可能です。
この場合は , すべての誤差増幅器の FB
端子電圧が DTC 端子電圧よりも高い時に , OUT-EA1 端子 , OUT-EA2 端子 , OUT-EC 端子 , OUT-EV 端子すべてを “H” レベ
ルにします。
19
MB3879
3. コントロール機能
CTL 端子 (7 ピン ) の設定条件により出力のオン , オフを設定します。
出力のオン / オフ設定条件
CTL 端子の電圧レベル
出力のオン , オフ状態
L
OFF ( スタンバイ状態 )
H
ON ( 動作状態 )
4. 保護機能
(1) 低 VCC 時誤動作防止回路 (UVLO)
電源 (VCC) 投入時の過渡状態や電源電圧 (VCC) , あるいは内部基準電圧 (VB) の瞬時低下は , 本 IC の誤動作を誘起し ,
システムの破壊もしくは劣化を生じさせます。前記のような誤動作を防止するために , 低 VCC 時誤動作防止回路は電源電
圧あるいは内部基準電圧の電圧低下を検出し , 出力端子の OUT 端子 (24 ピン ) を “H” レベルに固定します。
電源電圧およ
び内部基準電圧が,低 VCC 時誤動作防止回路のスレッショルド電圧以上になればシステムは復帰します。
(2) 保護回路 (UVLO) 動作時機能
VCCUVLO, VBUVLO 動作時 (VCC または VB 電圧が UVLO スレッショルド電圧以下 ) の機能表を以下に示します。
CS1
CS2
OUT
OUT-EA1
OUT-EA2
OUT-EV
OUT-EC
L
L
H
L
L
L
L
5. ソフトスタート機能
(1) ソフトスタート部 (SOFT1, SOFT2)
CS1 端子 (23 ピン ) , CS2 端子 (22 ピン ) に容量を接続することにより , 電源起動時の突入電流を防止できます。
ソフトス
タート検出を誤差増幅器で行うことで , ソフトスタート時間は DC/DC コンバータの出力負荷に依存しない一定のソフト
スタート時間で動作します ( 詳細は
「■ソフトスタート時間設定方法」参照 ) 。
■ 充電電流設定方法
+ INE3 端子 (19 ピン ) , + INE4 端子 (31 ピン ) の電圧値により , 充電電流値 ( 出力制限電流値 ) が設定できます。
設定さ
れた電流値を上回る電流が流れようとした場合 , その設定電流値で充電電圧を垂下させます。
+ INE3, + INE4 電圧設定
+ INE3 (V) = 25 × I2 (A) × RS2 (Ω)
+ INE4 (V) = 25 × I3 (A) × RS3 (Ω)
+ INE3:電池 1 の充電電流設定用電圧
+ INE4:電池 2 の充電電流設定用電圧
■ AC アダプタ最大電流設定方法
+ INE1 端子 (43 ピン ) 電圧値により , システム電流と制御 IC 入力電流とのトータル電流が AC アダプタ最大電流を超
えないように充電電流値 ( 出力制限電流値 ) を設定できます。
設定された電流値を上回る電流が流れようとした場合 , 差動
充電 (Differential-charging) モードとなりその設定電流値で充電電流を減少させます。
+ INE1 電圧設定
+ INE1 (V) = 25 × I1 (A) × RS1 (Ω)
+ INE1:AC アダプタの最大電流設定用電圧
20
MB3879
■ AC アダプタ電圧検出電圧設定方法
+ INE2 端子 (40 ピン ) に外付け抵抗を接続することにより , AC アダプタ入力電圧 (VCC) の分岐点 A が- INE2 端子電
圧より低下すると,動的制御充電 (Dynamically-controlled charging) モードとなり AC アダプタの電力を一定に保つように充
電電流を減少させます。
AC アダプタ検出電圧設定:Vth
Vth = (R1 + R2) / R2 ×- INE2
<Error Amp2>
−INE2
+INE2
VCC
R1
41
−
40
+
A
R2
■ 三角波発振周波数設定方法
三角波発振周波数は CT 端子 (37 ピン ) にタイミング容量 (CT) を接続することにより設定できます。
三角波発振周波数:fOSC
fOSC (kHz) ≒ 30000 / CT (pF)
21
MB3879
■ デコーダ部出力電圧設定コード
デコーダ部出力電圧設定コードは以下のようになります。
D1
D2
D3
DC/DC 出力電圧 (V)
< IN1, IN2 >
BATT type
Cell 数
充電電圧 (V)
充電モード
記号
0
0
0
0
12.3
Li-ion
3
4.1
Li3C41
0
0
0
1
12.6
Li-ion
3
4.2
Li3C42
0
0
1
0
12.3
none
none
none

0
0
1
1
12.3
none
none
none

0
1
0
0
12.3
none
none
none

0
1
0
1
12.3
none
none
none

0
1
1
0
16.4
Li-ion
4
4.1
Li4C41
0
1
1
1
16.8
Li-ion
4
4.2
Li4C42
1
0
0
0
12.3
none
none
none

1
0
0
1
12.3
none
none
none

1
0
1
0
12.3
none
none
none

1
0
1
1
12.3
none
none
none

1
1
0
0
12.3
none
none
none

1
1
0
1
制御無し
NiMH
10 ~ 12

NiMH
1
1
1
0
12.3
none
none
none

1
1
1
1
12.3
none
none
none

<各ビットの役割>
D0:BATT (Li イオン /NiMH) 選択ビット
D1, D2:Cell 数 (3 Cell/4 Cell) 選択ビット
D3:充電電圧 (4.1 V/4.2 V) 選択ビット
22
アプリケーション
D0
MB3879
■ ソフトスタート時間設定方法
1. 定電流モードソフトスタート時間の設定
IC 起動時の突入電流防止のため , CS1 端子 (23 ピン ) にソフトスタート容量 (CS1) を接続することで , ソフトスタートを
行えます。
CTL 端子 (7 ピン ) が “H” レベルになり IC が起動 (VCC ≧ UVLO のスレッショルド電圧 ) すると,Q2 がオフとなり CS1 端
子に外付けされたソフトスタート容量 (CS1) に 10 µA で充電します。
Error Amp 出力 (FB3 端子 (16 ピン ) (FB4 端子 (34 ピン ) ) ) は 2 つの非反転入力端子 ( + INE3 端子 (19 ピン ) 電圧 ( +
INE4 端子 (31 ピン ) 電圧 ) ) , CS1 端子電圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力端子電圧 ( - INE3 端子 (18 ピン ) 電圧 (
- INE4 端子 (32 ピン ) 電圧 ) ) との比較により決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS1 端子電圧<+ INE3 ( +
INE4) ) の FB3 (FB4) は- INE3 ( - INE4) 端子電圧と CS1 端子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は
CS1 端子に外付けされたソフトスタート容量への充電による CS1 端子電圧の上昇に比例します。
なお , ソフトスタート時
間は次式で求められます。
ソフトスタート時間:ts ( 出力 100%になるまでの時間 )
ts (s) ≒+ INE3 ( + INE4) / 10 (µA) × CS1 (µF)
CS1 端子電圧
= 5.5 V
Error Amp 部 - INE3 ( - INE4) 電圧との比較電圧
= +INE3 V
(+INE4)
=0V
ソフトスタート時間 ts
VB
10 µA
10 µA
FB3
16
FB4
34
−INE3
18
−INE4
32
CS1
+INE3
CS1
+INE4
−
+
+
Error
Amp
23
19
31
Q2
UVLO
<ソフトスタート回路>
23
MB3879
2. 定電圧モードソフトスタート時間の設定
IC 起動時の突入電流防止のため , CS2 端子 (22 ピン ) にソフトスタート容量 (CS2) を接続することで , ソフトスタートを
行えます。
CTL 端子 (7 ピン ) が “H” レベルになり IC が起動 (VCC ≧ UVLO のスレッショルド電圧 ) すると,Q2 がオフとなり CS2 端
子に外付けされたソフトスタート容量 (CS2) に 10 µA で充電します。
Error Amp 出力 (FB5 端子 (30 ピン ) (FB6 端子 (20 ピン ) ) は 2 つの非反転入力端子 (TEST 端子 (28 ピン ) , CS2 端子電
圧 ) のうちいずれか低い電位と反転入力端子電圧 ( - INE5 端子 (29 ピン ) 電圧 ( - INE6 端子 (21 ピン ) ) ) との比較によ
り決定されますので , ソフトスタート期間中 (CS2 端子電圧< TEST) の FB5 (FB6) は- INE5 ( - INE6) 端子電圧と CS2 端
子電圧の比較により決定され , DC/DC コンバータ出力電圧は CS2 端子に外付けされたソフトスタート容量への充電によ
る CS2 端子電圧の上昇に比例します。
なお , ソフトスタート時間は次式で求められます。
ソフトスタート時間:ts ( 出力 100%になるまでの時間 )
ts (s) ≒ TEST / 10 (µA) × CS2 (µF)
CS2 端子電圧
= 5.5 V
Error Amp 部 - INE5 ( - INE6) 電圧との比較電圧
= TEST
=0V
ソフトスタート時間 ts
VB
10 µA
10 µA
FB5
30
FB6
20
−INE5
29
−INE6
21
CS2
TEST
CS2
−
+
+
22
28
Q2
<ソフトスタート回路>
24
Error
Amp
UVLO
MB3879
■ CS1 端子と CS2 端子を短絡して使用する場合
CS1 端子 (23 ピン ) と CS2 端子 (22 ピン ) を短絡することで , 定電流モード , 定電圧モード同時立上げが可能となります。
また , 接続するコンデンサは充電電流を 20 µA として選定してください。
■ CS 端子を使用しない場合の処理方法
ソフトスタート機能を使用しない場合は , CS1 端子 (23 ピン ) , CS2 端子 (22 ピン ) を開放してください。
“ 開放 ”
22 CS2
“ 開放 ”
23 CS1
<ソフトスタート時間を設定しない場合>
25
MB3879
■ 動作シーケンス
1. 通常電源投入および充電開始終了シーケンス
< Battery1 挿入状態で AC アダプタを接続>
*1 *2 *3
*4
*6 *7 *8
*5
*9
*10
*11
*12
VIN
VCC
VDD
Battery1
( 挿入 )
( 除去 )
Battery2 ( 挿入 )
( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tRCTL
tD0
マイコンリセット
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 挿入
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 10:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 11:CTL 信号 OFF 後データセット
* 12:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
26
MB3879
2. BATT1 定電流充電時に入力電流にて制限 ( 差動 ) が働いたシーケンス
< AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電流オーバ>
*1 *2 *3
*4
*6 *7 *8
*5
*9
*10
*11
*12
*13
VIN
VCC
VDD
( 挿入 )
Battery1
( 除去 )
Battery2 ( 挿入 )
( 除去 )
tD0
CTL
tRCTL
マイコンリセット
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 挿入
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から入力電流オーバーによる差動充電制御へ移行 , OUT-EA1 = “L” レベル , OUT-EC = “H” レベル
* 10: 入力電流制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA1 = “H” レベル , OUT-EC = “L” レベル
* 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 12:CTL 信号 OFF 後データセット
* 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
27
MB3879
3. BATT1 定電圧充電時に入力電流にて制限 ( 差動 ) が働いたシーケンス
< AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電流オーバ>
*1 *2 *3
*4
*5
*6 *7
*8
*9
*10
*11 *12
*13
*14
VIN
VCC
VDD
( 挿入 )
Battery1
( 除去 )
Battery2 ( 挿入 )
( 除去 )
CTL
tRCTL
tD0
マイコンリセット
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 挿入
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 10: 入力電流オーバによる差動充電制御へ移行 , OUT-EA1 = “L” レベル , OUT-EV = “H” レベル
* 11: 入力電流制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA1 = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 12:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 13:CTL 信号 OFF 後データセット
* 14:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
28
MB3879
4. BATT1 定電流充電時に入力電圧低下にて制限 ( 動的 ) が働いたシーケンス
< AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電圧低下>
*1 *2 *3
*4
*5
*6 *7 *8
*9
*10
*11
*12
*13
VIN
VCC
VDD
( 挿入 )
Battery1
( 除去 )
Battery2 ( 挿入 )
( 除去 )
CTL
tRCTL
tD0
マイコンリセット
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
* 1:Battery1 挿入
:不定
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から入力電圧低下による動的充電制御へ移行 , OUT-EA2 = “L” レベル , OUT-EC = “L” レベル
* 10: 入力電圧制限内にもどり , 定電流充電制御へ移行 , OUT-EA2 = “H” レベル , OUT-EC = “L” レベル
* 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 12:CTL 信号 OFF 後データセット
* 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
29
MB3879
5. BATT1 定電圧充電時に入力電圧低下にて制限 ( 動的 ) が働いたシーケンス
< AC アダプタと Battery1 挿入状態で入力電圧低下>
*1 *2 *3
*4
*5
*6 *7
*8
*9
*10
*11 *12
*13
*14
VIN
VCC
VDD
Battery1
Battery2
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tRCTL
tD0
マイコンリセット
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 挿入
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 10: 入力電圧低下により動的充電制御へ移行 , OUT-EA2 = “L” レベル , OUT-EV = “H” レベル
* 11: 入力電圧復帰により定電圧充電制御へもどる , OUT-EA2 = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 12:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 13:CTL 信号 OFF 後データセット
* 14:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
30
MB3879
6. 通常電源投入および充電開始終了シーケンス
< AC アダプタ挿入状態で Battery1 を挿入または Battery 電圧 0 V の状態で AC アダプタ挿入後 Battery1 を挿入>
*1 *2 *3
*4
*5
*6 *7
*8
*9
*10
*11
*12
VIN
VCC
VDD
Battery1
Battery2
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
( 除去 )
CTL
tRCTL
tD0
マイコンリセット
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:Battery1 挿入
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9: 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 10:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 11:CTL 信号 OFF 後データセット
* 12:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
31
MB3879
7. BATT1 定電圧充電時に BATT2 ( ほぼ空 ) を挿入し定電流充電に移行シーケンス
< AC アダプタと Battery1 挿入状態で Battery2 ( ほぼ空 ) を挿入>
*1 *2 *3
*4
*5
*6 *7
*8
*9
*10
*11
*12
*13
VIN
VCC
VDD
( 挿入 )
Battery1
Battery2
( 除去 )
( 挿入 )
( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
tRCTL
tD0
マイコンリセット
tDS
Data
Data
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 挿入
* 2:VDD 立上り OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3: マイコンリセット後 CTL 信号 “L” レベル ( マイコンがリセットされるまで CTL = “HiZ”)
* 4:AC アダプタ装着による VIN, VCC 立上り
* 5: マイコンによる充電電圧データセット
* 6: データセットアップ時間 (tDS) 後 CTL 信号 ON
* 7:CTL 信号 “H” レベル後データ出力遅延時間 (tD0) 後にデコーダデータセット
* 8: 定電流モードへ移行し OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV = “H” レベル
* 9:BATT1 定電流充電制御から定電圧充電制御へ移行 , OUT-EC = “H” レベル , OUT-EV = “L” レベル
* 10:Battery2 ( ほぼ空 ) を挿入 , FB4 (BATT2 定電流充電 ) にて制御 , OUT-EC = “L” レベル
* 11:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 12:CTL 信号 OFF 後データセット
* 13:CTL 信号 “L” レベル後 CTL 信号再投入時間 (tRCTL = 2 ms (Min.) ) 以上必要
32
MB3879
8. 通常電源切断および充電終了シーケンス
< Battery1 除去後 , AC アダプタを除去>
*1
*2
*3
*4
VIN
VCC
VDD
Battery1
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
Battery2 ( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
* 1:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 2:Battery1 除去による BATT1, 2 電圧の立下り
* 3:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電源立下り
* 4:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = HiZ
:不定
33
MB3879
9. 通常電源切断および充電終了シーケンス
< AC アダプタを除去後 , Battery1 除去>
*1
*2
*3
*4
VIN
VCC
VDD
Battery1
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
Battery2 ( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 2:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電源立下り
* 3:Battery1 除去による BATT1, 2 電圧の立下り
* 4:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = HiZ
34
MB3879
10.通常電源切断および充電終了シーケンス
<充電中 , Battery1, 2 除去>
*1
*2
*3
VIN
VCC
VDD
Battery1
Battery2
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
Data Set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:Battery1 除去による充電停止
* 2:CTL 信号 “L” レベルで OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 3:VDD 立下り CTL, OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = HiZ
35
MB3879
11.通常電源切断および充電終了シーケンス
<充電中 , AC アダプタ除去>
*1
*2
VIN
VCC
VDD
Battery1
( 挿入 )
( 除去 )
( 挿入 )
Battery2 ( 除去 )
CTL
BATT1 電圧
BATT2 電圧
D0-D3
Decoder 出力
Data set
FB1 ( 差動 )
CT
FB2 ( 動的 )
CT
FB6 (BATT1 定電圧 )
CT
FB3 (BATT1 定電流 )
CT
FB5 (BATT2 定電圧 )
CT
FB4 (BATT2 定電流 )
CT
OUT-EA2
OUT-EA1
OUT-EV
OUT-EC
:不定
* 1:AC アダプタ除去による VIN, VCC 電圧の立下り , OUT-EA1, OUT-EA2, OUT-EV, OUT-EC = “L” レベル
* 2:CTL 信号 “L” レベル
36
MB3879
■ CTL, D0 ~ D3, OUT-EA1, EA2, EV, EC 端子 等価回路図
・CTL 端子
CTL
50 kΩ
Q1
D1
50 kΩ
・D0 ~ D3 端子
VDD
D1
Q1
D0 ∼ D3
D2
100 kΩ
Q2
VSS
・OUT-EA1 ~ OUT-EC 端子
VDD
Q1
D1
OUT-EA1
OUT-EA2
Q2
D2
OUT-EV
OUT-EC
VSS
37
MB3879
■ デコーダ部等価回路
VDD
D
D0
Q
DD0
CK XQ
R
D
D1
Q
DD1
CK XQ
R
D
D2
Decode
出力
Decoder
Q
DD2
CK XQ
R
D
D3
Q
DD3
CK XQ
R
VDD
VDD
a点
充電開始
信号
CTL
Power
tDS
D0-D3
tD0
tRCTL
Data2
Data1
CTL
DD0-DD3
a点
充電開始信号
Power
38
Data2 Set
Data1 Set
Data1 Load
Data2 Load
MB3879
■ 外付け逆流防止ダイオードの注意について
・ 定電圧制御で充電電流 (I1, I2) がアンバランスな場合 , 電池電圧の低い方で電圧制御するため , 一方の電池電圧は逆流
防止ダイオード (D1, D2) およびセンス抵抗 (RS2, RS3) に発生する電圧差だけ高くなります。
・ 電池の過充電停止電圧より高くならないように逆流防止ダイオード(D1,D2)電圧電流特性にご注意願います。
VCCO
DC-IN
25
A
B
OUT
24
I1
RS2
D1
電池 1
VH
26
C
D
I2
RS3
D2
電池 2
39
MB3879
■ 応用回路例
RS1 10 mΩ
R3
100 kΩ
R4
51 kΩ
R22
100 kΩ
R19
30 kΩ
R21
2.7 kΩ
Q3
SW2
R18
100 kΩ
R15
30 kΩ
R17
2.7 kΩ
Q2
SW1
<Current
+ Amp1>
×25
−
+
<Error Amp1>
−
+
OUT-EA1
13
<MODE
Comp.2>
+
<Error Amp2>
OUT-EA2
12
−
<MODE
Comp.3>
−
+
+
OUT-EC
11
−
<<Dynamically-Contorl>>
<MODE
Comp.4>
<<Current-Contorl>>
<Current
+ Amp2>
×25
−
<Current
+ Amp3>
×25
−
+
<Error Amp3>
OUT-EV
10
−
−
+
+
<Error Amp4>
−
+
+
C9
0.1
µF
<OUT>
+
+
+
−
Drive
OUT
24
VCC
<SOFT1>
VB
VH
26
bias
(VCC − 6 V)
Voltage
GNDO
<VH>
27
C3
0.1 µF
A
B
BATT1
12.6 V/
16.8 V
Q1
L1 22 µF
D1
23
+
+
D2
C4 C5
100 100
µF µF
RS2
75 mΩ
Battery 1
C
D
BATT2
12.6 V/
16.8 V
D3
RS3
75 mΩ
Battery 2
VIN
16 V/
19 V
R1
22.4
kΩ
−INE5
C7
3300 pF
R14
51 kΩ
R1
<<Voltage-Contorl>>
22.4 kΩ
<Error Amp5>
−
+
+
29
FB5
<UVLO>
R2
−INE6
VCC
UVLO
VB
UVLO
30
R2
<Error Amp6>
21
−
+
+
2.8 kΩ 2.8 kΩ
C15
3300 pF
3V
R3
8.4
kΩ
R3
8.4
kΩ
R27
51 kΩ
2V
FB6
20
<SOFT2>
VB
CS2
22
C14
0.022 µF
(4.2 V)
VDD
<REF>
D0
D1
2
D2 3
D3 4
5
VSS
6
<Decoder>
C19
0.1 µF
8
<Larch>
5V
(4.1 V)
<OSC>
CTL
<VB>
bias
(5 V)
CT
C10
100 pF
37
28
TEST
C8
0.1 µF
9
VB
C7
0.1 µF
40
C1 C2
10 µF10 µF
VCCO
25
<PWM
Comp>
CS1
C13
0.022 µF
<VDD>
−
FB
Voltage
Selector
R2
0Ω
(30 kΩ)
<MODE
Camp.1>
<<Differencial-Control>>
FB
Voltage
Selector
R11
30 kΩ
C20
0.1 µF
VCC
1
FB
Voltage
Selector
R10
150 kΩ
R25 −INE1
100 kΩ
44
OUTC1
45
+INC1
48
−INC1
C12
47
3300
+INE1
pF
43
R26
51 kΩ
FB1
46
FB2
42
R24
47 kΩ
C11
6800 pF
−INE2
41
R23 15 kΩ +INE2
40
DTC
39
R28 100 kΩ −INE3
18
OUTC2
C16
17
3300 pF
+INC2
A
15
R29
IN1
51
B
14
kΩ
+INE3
19
FB3
R20
16
30 kΩ
−INE4
R13 100 kΩ
32
OUTC3
C6
33
3300 pF
+INC3
35
C
R12
IN2
51
36
D
kΩ
+INE4
31
FB4
R16
34
30 kΩ
<VR>
GND
38
<CTL> 7
MB3879
■ 部品表
COMPONENT
ITEM
Q1
Q2, Q3
FET
FET
D1 ~ D3
Diode
L1
Inductor
22 µH
C1, C2
C3
C4, C5
C6, C7
C8, C9
C10
C11
C12, C15, C16
C13,C14
C17, C19, C20
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Electrolytic Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
Ceramics Condenser
RS1
R2
Resistor
Jumper
Resistor *
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
Resistor
R3
R4
RS2,RS3
R10
R11
R12, R14
R13
R15, R16
R17, R21
R18, R22
R19, R20
R23
R24
R25, R28
R26, R27, R29
SPECIFICATION
VENDOR
VDS = 30 V, Qg = 43 nC (Typ.)
TOSHIBA
VDS = 60 V
VISHAY SILICONIX
VF = 0.42 V (Max.) , IF = 3 A 時
PARTS No.
TPC8102
2N7002E
ROHM
RB053L-30
3.5 A, 31.6 mΩ
TDK
SLF12565T-220M3R5
10 µF
0.1 µF
100 µF
3300 pF
0.1 µF
100 pF
6800 pF
3300 pF
0.022 µF
0.1 µF
25 V
50 V
25 V
50 V
50 V
50 V
50 V
50 V
50 V
50 V
TDK
TDK
SANYO
MURATA
TDK
TDK
MURATA
MURATA
TDK
TDK
C3225JF1E106Z
C1608JB1H104K
25CV100AX
GRM39B322K50
C1608JB1H104K
C1608CH1H101J
GRM39B682K50
GRM39B332K50
C1608JB1H223K
C1608JB1H104K
10 mΩ
0Ω
30 kΩ
100 kΩ
51 kΩ
75 mΩ
150 kΩ
30 kΩ
51 kΩ
100 kΩ
30 kΩ
2.7 kΩ
100 kΩ
30 kΩ
15 kΩ
47 kΩ
100 kΩ
51 kΩ
1%
50 mΩ Max.
0.5 %
0.5 %
0.5 %
1%
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
0.5 %
KOA
KOA
ssm
ssm
ssm
KOA
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
ssm
SL1TE10mF
RK73ZJ1J
RR0816P303D
RR0816P104D
RR0816P513D
SL1TE75mF
RR0816P154D
RR0816P303D
RR0816P513D
RR0816P104D
RR0816P303D
RR0816P272D
RR0816P104D
RR0816P303D
RR0816P153D
RR0816P473D
RR0816P104D
RR0816P513D
*:4 cell 時 30 kΩ
(注意事項)TOSHIBA:株式会社東芝
VISHAY SILICONIX:VISHAY Intertechnology,Inc.
ROHM:ローム株式会社
TDK:TDK 株式会社
SANYO:三洋電機株式会社
MURATA:株式会社村田製作所
KOA:KOA 株式会社
ssm:進工業株式会社
41
MB3879
■ 参考データ
変換効率-充電電流特性 ( 定電圧モード Li3C42)
100
Ta =+ 25 °C
VIN = 16 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
BATT2 = OPEN
SW1 = SW2 = ON
効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1) / (VIN × IIN) ×
100
98
変換効率
η (%)
96
94
92
90
88
86
84
82
80
10 m
100 m
1
10
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
変換効率-充電電流特性 ( 定電流モード Li3C42)
100
Ta =+ 25 °C
VIN = 16 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
BATT2 = OPEN
SW1 = SW2 = ON
効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1) / (VIN × IIN) ×
100
98
η (%)
94
変換効率
96
90
92
88
86
84
82
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
(続く)
42
MB3879
変換効率-充電電流特性 ( 定電圧モード Li4C42)
100
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
BATT2 = OPEN
SW1 = SW2 = ON
効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1) / (VIN × IIN) ×
100
98
変換効率
η (%)
96
94
92
90
88
86
84
82
80
10 m
100 m
1
10
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
変換効率-充電電流特性 ( 定電流モード Li4C42)
100
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
BATT2 = OPEN
SW1 = SW2 = ON
効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1) / (VIN × IIN) ×
100
98
変換効率 η (%)
96
94
92
90
88
86
84
82
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
(続く)
43
MB3879
変換効率-充電電流特性 ( 定電圧モード Li3C42)
変換効率
η (%)
100
並列充電
98 Ta =+ 25 °C
96 VIN = 16 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
94
SW1 = SW2 = ON
92 効率 η (%) = (VBATT1 ×
90 IBATT1 + VBATT2 ×
IBATT2) / (VIN × IIN)
88 × 100
IBATT1 = IBATT2
86
84
82
80
10 m
100 m
1
10
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
変換効率-充電電流特性 ( 定電流モード Li3C42)
変換効率
η (%)
100
並列充電
98 Ta =+ 25 °C
96 VIN = 16 V
BATT 充電電圧= 12.6 V 設定
94 SW1 = SW2 = ON
92 効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1 + VBATT2 × IBATT2) /
90
(VIN × IIN) × 100
88 IBATT1 = IBATT2
86
84
82
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
(続く)
44
MB3879
変換効率-充電電流特性 ( 定電圧モード Li4C42)
変換効率
η (%)
100
並列充電
98 Ta =+ 25 °C
96 VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
94 SW1 = SW2 = ON
92 効率 η (%) = (VBATT1
× IBATT1 + VBATT2
90
× IBATT2)
88
/ (VIN × IIN)
86 × 100
IBATT1 = IBATT2
84
82
80
10 m
100 m
1
10
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
変換効率
η (%)
変換効率-充電電流特性 ( 定電流モード Li4C42)
100 並列充電
98 Ta =+ 25 °C
96 VIN = 19 V
BATT 充電電圧= 16.8 V 設定
94 SW1 = SW2 = ON
92 効率 η (%) = (VBATT1 ×
IBATT1 + VBATT2 × IBATT2)
90
/ (VIN × IIN) × 100
88 IBATT1 = IBATT2
86
84
82
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
BATT1 充電電圧 VBATT1 (V)
(続く)
45
MB3879
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (Li3C42)
18
Ta =+ 25 °C
VIN = 16 V
BATT1:電子負荷
(KIKUSUI 社製:
PLZ-150W)
BATT2:OPEN
DCC MODE
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
16
14
12
10
Dead Battery MODE
8
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0
0
0.5
1
1.5
2
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (Li4C42)
20
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT1:電子負荷
(KIKUSUI 社製:
PLZ-150W)
BATT2:OPEN
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
18
16
14
12
Dead Battery MODE
10
DCC MODE
8
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0
0
0.5
1
1.5
2
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
(続く)
46
MB3879
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (Li3C42)
18
並列充電
Ta =+ 25 °C
VIN = 16 V
BATT1:電子負荷
(KIKUSUI 社製:
PLZ-150W)
IBATT1 = IBATT2
DCC MODE
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
16
14
12
10
Dead Battery MODE
8
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0
0
0.5
1
1.5
2
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
BATT 電圧- BATT 充電電流特性 (Li4C42)
20
並列充電
Ta =+ 25 °C
VIN = 19 V
BATT1:電子負荷
(KIKUSUI 社製:
PLZ-150W)
IBATT1 = IBATT2
BATT1 電圧 VBATT1 (V)
18
16
14
12
Dead Battery MODE
10
DCC MODE
8
6
4
2
DCC : Dynamically-Controlled Charging
0
0
0.5
1
1.5
2
BATT1 充電電流 IBATT1 (A)
(続く)
47
MB3879
スイッチング波形電圧モード (Li3C42)
Ta = +25 °C
VIN = 16 V
BATT1 = 20 Ω
BATT2 = OPEN
VD (V)
20
スイッチング波形電流モード (Li3C42)
Ta = +25 °C
VIN = 16 V
BATT1 = 8 Ω
BATT2 = OPEN
VD (V)
20
VD
VD
10
10
0
VOUT (V)
20
0
VOUT (V)
20
VOUT
10
VOUT
10
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
スイッチング波形電圧モード (Li4C42)
Ta = +25 °C, VIN = 19 V
BATT1 = 20 Ω
BATT2 = OPEN
VD
VD (V)
20
0
9 10
(µs)
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
(µs)
スイッチング波形電流モード (Li4C42)
Ta = +25 °C, VIN = 19 V
BATT1 = 8 Ω
BATT2 = OPEN
VD
VD (V)
20
10
10
0
VOUT (V)
20
0
VOUT (V)
20
VOUT
10
10
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
(µs)
VOUT
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
(µs)
(続く)
48
MB3879
(続き)
ソフトスタート動作波形電圧モード (Li3C42)
VBATT1 (V) Ta = +25 °C, VIN = 16 V
BATT1 = 20 Ω
15
BATT2 = OPEN
10
VBATT1
VBATT2
VBATT2 (V)
15
ディスチャージ動作波形電圧モード (Li3C42)
Ta = +25 °C
VIN = 16 V
BATT1 = 20 Ω VBATT2 (V)
BATT2 = OPEN
15
VBATT1 (V)
VBATT1
15
VBATT2
10
5
10
5
10
0
5
0
5
0
VCTL (V)
5
ts
9 ms
VCTL
0
0
2
0
4
6
0
8 10 12 14 16 18 20
(ms)
ソフトスタート動作波形電圧モード (Li4C42)
VBATT1 (V)
20
15
10
0
VCTL (V) VCTL
5
Ta = +25 °C
VIN = 19 V
BATT1 = 20 Ω
BATT2 = OPEN
VBATT1
VBATT2 (V)
20
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
(ms)
ディスチャージ動作波形電圧モード (Li4C42)
VBATT1 (V)
20
15
VBATT1
VBATT2
Ta = +25 °C
VIN = 19 V
BATT1 = 20 Ω
BATT2 = OPEN
VBATT2 (V)
20
15
10
5
10
5
10
0
5
0
5
VCTL (V)
5
ts
VBATT2
8.8 ms
VCTL
0
0
15
0
VCTL (V) VCTL
5
0
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
(ms)
0
2
4
6
8 10 12 14 16 18 20
(ms)
49
MB3879
■ 使用上の注意
・プリント基板のアースラインは、共通インピーダンスを考慮し設計してください。
・静電気対策を行ってください。
・ 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か , 導電性の容器をご使用ください。
・ 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は , 導電性の袋か , 容器に収納してください。
・ 作業台 , 工具 , 測定機器は , アースを取ってください。
・ 作業する人は , 人体とアースの間に 250 kΩ ~ 1 MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
・負電圧を印加しないでください。
・- 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合 , LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあります。
■ オーダ型格
型 格
MB3879PFV
50
パッケージ
プラスチック・LQFP, 48 ピン
(FPT-48P-M05)
備 考
MB3879
■ 外形寸法図
プラスチック・LQFP, 48 ピン
(FPT-48P-M05)
(注意事項)端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。
9.00±0.20(.354±.008)SQ
7.00±0.10(.276±.004)SQ
36
0.145±0.055
(.006±.002)
25
24
37
0.08(.003)
Details of "A" part
+0.20
1.50 –0.10
+.008
.059 –.004
INDEX
13
48
"A"
0°~8°
LEAD No.
1
0.50(.020)
C
(Mounting height)
0.10±0.10
(.004±.004)
(Stand off)
12
0.20±0.05
(.008±.002)
0.08(.003)
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.25(.010)
2000 FUJITSU LIMITED F48013S-c-4-8
単位:mm (inches)
51
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
富士通エレクトロニクス株式会社
〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fei/
電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで ,
0120-198-610
受付時間 : 平日 9 時~ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )
携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。
本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な
どについては , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施
権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので
はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 販売戦略部
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