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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DS04–71107–1a
DATA SHEET
ASSP 電源用
評価用ボード
MB39A106
■ 概 要
MB39A106 評価ボードは 2 ch のダウンコンバージョン回路の表面実装回路基板です。内部は出力電圧を 5 V, 3.3 V に設
定しており , 7 V ∼ 15 V の電源電圧から最大 3 A の電流を供給します。
MB39A106 は外付けセンス抵抗の不要な過電流保
護機能を備えているためセンス抵抗の無い回路構成です。また , 各種保護機能により出力短絡時や入力電圧低下 ( 低 VCC)
時 , 過電圧動作時にトランジスタをオフすることで出力を停止します。更にチャンネルごとのオンオフコントロール・ソフ
トスタート設定が可能です。
MB39A106 評価ボードは弊社の MB3889 評価ボードと同様の回路構成になっておりますので , ブートストラップダイ
オード内蔵による外付け部品削減等の比較検討をされることをお勧めします。
■ 評価ボード仕様
(Ta =+ 25 °C)
規 格 値
項 目
標 準
最 大
7
12
15
V
260
300
340
kHz
(CH1)
3.25
3.30
3.35
(CH2)
4.92
5.00
5.08
(CH1)
1.0
⎯
3.0
(CH2)
1.0
⎯
3.0
(CH1)
⎯
⎯
33
(CH2)
⎯
⎯
50
(CH1)
26.1
41.0
75.8
(CH2)
26.1
41.0
75.8
(CH1)
1.8
2.0
2.2
(CH2)
1.8
2.0
2.2
0.41
0.70
1.38
(CH1)
3.59
3.70
3.81
(CH2)
5.44
5.6
5.78
(CH1)
5.06
5.20
5.31
(CH2)
5.00
5.16
5.28
入力電圧
発振周波数
出力電圧
出力電流
出力リップル電圧
ソフトスタート時間
ディスチャージ時間
ショート検出時間
過電圧保護検出電圧
過電流保護検出電流 *
単 位
最 小
* : VIN = 12 V (Typ), Ron = 28.5 mΩ 固定にて算出しています。
Copyright©2003-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2003.10
V
A
mV
ms
ms
ms
V
A
MB39A106
■ 端子情報
記 号
VIN
Vo1, Vo2
CTL
機 能 説 明
電源端子です。
VIN = 7 V ∼ 15 V ( 標準値 12 V)
DC/DC コンバータ出力端子です。
電源制御端子
VCTL = 0 V ∼ 0.8 V:Standby mode
VCTL = 2.0 V ∼ VIN:Operation mode
CTL1, CTL2
CH コントロール端子です。
VCTL1,2 = GND:出力 OFF
VCTL1.2 = OPEN:出力 ON
PWRGOOD
保護状態出力端子です。
保護動作時出力 L ( = 0 V) に固定します。
PGND
DC/DC コンバータ接地端子です。
SGND
MB39A106 接地端子です。
■ SW 情報
SW
Name
FUNCTION
ON
OFF
1
CTL
電源制御
Operation mode
Standby mode
2
CTL1
Ch1 コントロール
出力 OFF
出力 ON
3
CTL2
Ch2 コントロール
出力 OFF
出力 ON
■ セットアップ & 確認方法
(1) セットアップ
・ 電源側端子を VIN・PGND へ接続し , Vo 側を必要な負荷装置または測定器に接続してください。
・ SW1 (CTL) は OFF (Standby mode) , SW2, SW3 (CTL1, 2) は ON ( 出力 OFF) 状態にしてください。
(2) 確認方法
・ VIN ( 電源 ) へ電力を投入し , SW1 を ON (Operation mode) , SW2, SW3 を OFF ( 出力 ON) してください。
Vo1 = 3.3 V (Typ) , Vo2 = 5 V (Typ) が出力されていれば IC は正常に動いています。
2
MB39A106
■ 部品配置図
・ボード部品配置図
C7A
C26
C7B
C7C
L2
PGND2
C18
Q2
C8
V O2
R14
R15
R16
R18
R6
C24 D2
R5
C1
C6 16
C9
C16
VIN
R1
C23 D1
R2
C3 30
R3
C2
R17
C13
15
C20
C14
R4
R8
M1 1
C15
C11
R12
C21
SW1
7
5
3
1
CTL1
8
6
4
2
SGND
PWRGOOD
C19
C10
R9
R10
R13
R11
PGND
CTL2
C22
C12
R7
CTL
VO1
C5
Q1
C17
PGND1
L1
C25
C4A
C4B
C4C
(続く)
3
MB39A106
(続き)
Board Layout
Top Side
Inside VIN & GND (LAYER3)
4
Inside GND (LAYER2)
Bottom Side
MB39A106
■ 接続図
IIN
VIN
C1
+ C2
+
IO
+
R2
0Ω
PGND
L1
22 µH
Q1
IRF7901D1
C18
0.1 µF
C25
82 µF
C17
0.1 µF
+
C4B C4C C5
0.1 µF
C4A
150 µF
R3
0Ω
+
CH1
V O1
(3.3 V/3.0 A)
PGND1
L2
22 µH
Q2
IRF7901D1
+
IO
+
R6
0Ω
R7
0Ω
+
CH2
VO2
(5 V/3.0 A)
+
C7A C7B C7C C8
150 µF
0.1 µF
PGND2
C26
82 µF
R1 1.3 kΩ
C23
R5 1.3 kΩ
C9 4.7 µF
C24
D1
SW1
D2
C3
0.1 µF
CTL
CTL1
C6
0.1 µF
30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16
CTL2
C16
0.1 µF
IC MB39A106
1
R13
430 Ω
R11
R10
10 kΩ
C21
C19
2
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15
C11
0.1 µF
R18
C12
0.022 µF
C10
0.022 µF
R9
13 kΩ
R12
6.2 kΩ
3
R8
47 kΩ
C13
0.1 µF
C15
0.1 µF
R16
120 Ω
C20
C22
C14
0.01 µF R14
13 kΩ
R15
10 kΩ
R17
3.3 kΩ
SGND
PWRGOOD
SW3
SW2
R4
100 kΩ
5
MB39A106
■ 部品表
部品番号
品名
M1
IC
型格
仕様
パッケージ
メーカ
FPT-30P-M04
FUJITSU
MB39A106
MB39A106
IRF7901D1
メイン側:
VDS = 30 V, Qg = 10.5 nC (Max)
同期側:
VDS = 30 V, Qg = 18.3 nC (Max)
SBD:
VF = 0.52 V (Max) , IF = 1 A 時
SO-8
IR
⎯
⎯
⎯
備考
Q1, Q2
Dual
FETKYTM
D1, D2
⎯
L1
インダクタ
SLF12565T220M3R5
22 µH,
IDC1 = 3.5 A, IDC2 = 3.8 A,
RDC = 31.6 mΩ
SMD
TDK
L2
インダクタ
SLF12565T220M3R5
22 µH,
IDC1 = 3.5 A, IDC2 = 3.8 A,
RDC = 31.6 mΩ
SMD
TDK
C1
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C2
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C3, C6
セラコン
1608 タイプ
TDK
C4
C5, C8
C7
⎯
TM
OS-CON
セラコン
TM
OS-CON
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
6SVP150M
150 µF (6.3 V)
SANYO
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
6SVP150M
未実装
1608 タイプ
150 µF (6.3 V)
TDK
SANYO
C9
セラコン
C3216JB1A475M 4.7 µF (10 V)
3216 タイプ
TDK
C10
セラコン
C1608JB1H223K 0.022 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C11, C13
セラコン
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C12
セラコン
C1608JB1H223K 0.022 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C14
セラコン
C1608JB1H103K 0.01 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C15
セラコン
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C16
セラコン
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C17, C18
セラコン
C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V)
1608 タイプ
TDK
C19
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C20
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C21
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C22
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C23
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C24
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
未実装
C25, C26
R1
TM
OS-CON
抵抗
16SVP82M
82 µF (16 V)
RR0816P-132-D
1.3 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
0Ω
1608 タイプ
KOA
R2, R3, R6, R7 ジャンパー RK73Z1J
SANYO
R4
抵抗
RR0816P-104-D
100 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R5
抵抗
RR0816P-132-D
1.3 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R8
抵抗
RR0816P-473-D
47 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R9
抵抗
RR0816P-133-D
13 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
(注意事項)Dual FETKY は International Rectifier Corp. の商標です。
OS-CON は三洋電機株式会社の商標です。
(続く)
6
MB39A106
(続き)
部品番号
品名
R10
抵抗
R11
⎯
R12
抵抗
R13
型格
仕様
パッケージ
メーカ
1608 タイプ
ssm
⎯
⎯
RR0816P-622-D 6.2 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
抵抗
RR0816P-431-D 430 Ω (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R14
抵抗
RR0816P-133-D 13 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R15
抵抗
RR0816P-103-D 10 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R16
抵抗
RR0816P-121-D 120 Ω (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R17
抵抗
RR0816P-332-D 3.3 kΩ (0.5%)
1608 タイプ
ssm
R18
⎯
⎯
⎯
SW
DIP
スイッチ
DMS-4H
4極
⎯
MATSUKYU
⎯
端子ピン
WT-2-1
WT-2-1
⎯
マックエイト
RR0816P-103-D 10 kΩ (0.5%)
⎯
⎯
⎯
⎯
IR
International Rectifier Corp.
SANYO
TDK
ssm
KOA
MATSUKYU
マックエイト
三洋電気株式会社
TDK 株式会社
進工業株式会社
コーア株式会社
松久株式会社
株式会社マックエイト
備考
未実装
未実装
7
MB39A106
■ 初期設定
(1) 出力電圧設定
CH1
VO1 (V) = 1.23 / R12 × (R10 + R12 + R13) ≒ 3.3 (V)
CH2
VO2 (V) = 1.23 / R17 × (R15 + R16 + R17) ≒ 5.0 (V)
(2) 発振周波数
fOSC (kHz) = 14100 / R8 (kΩ) ≒ 300 (kHz)
(3) ソフトスタート時間
CH1
ts (s) = 0.41 × C11 (µF) ≒ 41.0 (ms)
CH2
ts (s) = 0.41 × C13 (µF) ≒ 41.0 (ms)
(4) ディスチャージ時間
CH1
toff (s) = 0.020 × C11 (µF) ≒ 2.0 (ms)
CH2
toff (s) = 0.020 × C13 (µF) ≒ 2.0 (ms)
(5) ショート検出時間
tscp (s) = 0.070 × C14 (µF) ≒ 0.70 (ms)
(6) 過電圧保護検出電圧
CH1
VOVP (V) = 1.12 × VO1 ≒ 3.7 (V)
CH2
VOVP (V) = 1.12 × VO2 ≒ 5.6 (V)
(7) 過電流保護検出電流
CH1 (ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ, VIN = 12 V, VO1 = 3.3 V)
IOCP (A) = (ILIM × R1 / RON) − ( (VIN − VO1) × VO1 / 2 / VIN / fOSC / L1) ≒ 5.20 (A)
CH2 (ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ, VIN = 12 V, VO2 = 5.0 V)
IOCP (A) = (ILIM × R5 / RON) − ( (VIN − VO2) × VO2 / 2 / VIN / fOSC / L2) ≒ 5.16 (A)
8
MB39A106
■ 参考データ
(1) 負荷電流−変換効率特性 (VIN = 12 V)
ch1
100%
ch2
100%
効率 η (%) = (VO × IO) / (VIN × IIN) × 100
90%
変換効率 η (%)
変換効率 η (%)
90%
80%
70%
60%
VIN = 12 V
VO = 3.3 V 設定
CTL1 = OPEN
CTL2 = GND
50%
40%
30%
10 m
100 m
70%
VIN = 12 V
VO = 5 V 設定
CTL1 = GND
CTL2 = OPEN
60%
50%
40%
効率 η (%) = (VO × IO) / (VIN × IIN) × 100
1
負荷電流 IO (A)
80%
30%
10 m
10
100 m
1
負荷電流 IO (A)
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
10
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
(2) ロードレギュレーション (VIN = 12 V)
ch2
3.34
5.04
3.33
5.03
出力電圧 VO (V)
出力電圧 VO (V)
ch1
3.32
3.31
3.3
3.29
3.28
VIN = 12 V
CTL1 = OPEN
CTL2 = GND
3.27
3.26
10 m
100 m
負荷電流 IO (A)
1
10
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
5.02
5.01
5
4.99
4.98
VIN = 12 V
CTL1 = GND
CTL2 = OPEN
4.97
4.96
10 m
100 m
1
負荷電流 IO (A)
10
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
9
MB39A106
(3) ラインレギュレーション
ch2
3.34
5.04
3.33
5.03
3.32
5.02
出力電圧 VO (V)
出力電圧 VO (V)
ch1
3.31
3.3
3.29
3.28
IO = 1.5 A
CTL1 = OPEN
CTL2 = GND
3.27
3.26
7
8
9
10
11
12
入力電圧 VIN (V)
10
13
14
5.01
5
4.99
4.98
IO = 1.5 A
CTL1 = GND
CTL2 = OPEN
4.97
15
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
4.96
7
8
9
10
11
12
入力電圧 VIN (V)
13
14
15
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
MB39A106
(4) 出力リップル波形 (VIN = 12 V)
ch1
IO = 0 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
IO = 1.5 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
IO = 3 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
11
MB39A106
ch2
IO = 0 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
IO = 1.5 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
IO = 3 A
50 mV
0
−50 mV
1 µs/div
12
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
MB39A106
(5) 負荷急変時出力波形 (VIN = 12 V)
ch1
ch2
50 mV
50 mV
0
0
−50 mV
−50 mV
4A
4A
2A
2A
1 ms/div
1 ms/div
0
0
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
(6) 過電流保護動作特性 (VIN = 12 V)
6
6
OCP 検出電流 IOCP (A)
ch2
OCP 検出電流 IOCP (A)
ch1
5
4
3
2
VIN = 12 V
CTL1 = OPEN, CTL2 = GND
ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ
1
0
0
0.4
0.8
1.2
RLIM (kΩ)
1.6
2
RLIM = R1
SW1 : ON
SW2 : OFF
SW3 : ON
5
4
3
2
VIN = 12 V
CTL1 = GND, CTL2 = OPEN
ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ
1
0
0
0.4
0.8
1.2
RLIM (kΩ)
1.6
2
RLIM = R5
SW1 : ON
SW2 : ON
SW3 : OFF
13
MB39A106
■ 部品選択方法
Ch2 側
インダクタ
N-ch MOS FET
C7A
C26
出力平滑コンデンサ
C7B
C7C
L2
PGND2
C18
Q2
C8
220
C12
R14
R15
R16
R18
VO2
R7
R6
C24 D2
R5
C1
R8
C14
R4
30 M1 1
R3
C2
R17
C13
C15
C11
R12
C21
CTL1
SW1
7
8
5
6
3
4
1
2
CTL
VO1
220
C5
Q1
C17
PGND1
L1
C4A
C25
N-ch MOS FET
インダクタ
Ch1 側
Board Photograph
14
SGND
PWRGOOD
C19
C10
R9
R10
R13
R11
R1
C23 D1
R2
C16
C3
C22
15
C20
C9
VIN
PGND
16
C6
CTL2
C4B
C4C
出力平滑コンデンサ
MB39A106
部品選択法を下記に記します。
CH1:3.3 V 出力
VIN (Max) = 15 V, Io = 3 A, fOSC = 300 kHz
1. N-ch MOS FET (IRF7901D1 (IR 製 ) )
メイン側
VDS = 30 V, VGS =± 20 V, ID = 6.2 A, RDS (on) = 38 mΩ (Max) , Qg = 10.5 nC (Max)
同期整流側
VDS = 30 V, VGS =± 20 V, ID = 6.2 A, RDS (on) = 32 mΩ (Max) , Qg = 18.3 nC (Max)
ダイオード
VF ( 順方向電圧 ) = 0.52 V (Max):IF = 1 A 時
ドレイン電流:ピーク値
FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。
FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。
メイン側
VIN (Max) − Vo
I D ≧ IO +
ton
2L
≧ 3+
15 − 3.3
1
×
× 0.22
2 × 22 × 10 − 6
300 × 103
≧ 3.20 A
同期整流側
Vo
2L
ID ≧ I O +
≧ 3+
toff
3.3
1
×
× (1 − 0.22)
2 × 22 × 10 − 6
300 × 103
≧ 3.20 A
2. インダクタ (SLF12565T-220M3R5:TDK 製 )
22 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 3.5 A
全負荷電流条件での L 値:リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定してください。
2 (VIN (Max) − Vo)
ton
L≧
IO
≧
2 × (15 − 3.3)
1
×
× 0.22
3
300 × 103
≧ 5.7 µH
連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。
Vo
IO ≧
toff
2L
≧
3.3
1
×
× (1 − 0.22)
2 × 22 × 10 − 6
300 × 103
≧ 195 mA
15
MB39A106
リップル電流:ピーク値
リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。
VIN (Max) − Vo
IL ≧ I O +
ton
2L
15 − 3.3
1
×
× 0.22
2 × 22 × 10 − 6
300 × 103
≧ 3+
≧ 3.20 A
リップル電流:ピークピーク値
リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。
VIN (Max) − Vo
∆IL =
ton
L
15 − 3.3
22 × 10 − 6
=
×
1
× 0.22
300 × 103
≒ 0.39 A
3. 出力平滑コンデンサ (6SVP150M:三洋製 )
150 µF, 定格電圧= 6.3 V, ESR = 35 mΩ, 最大許容リップル電流= 2.35 Arms
出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の1%) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。
直列抵抗
∆Vo
1
ESR ≦
−
∆IL
2πfCL
0.033
1
−
0.39
2π × 300 × 103 × 150 × 10 − 6
≦
≦ 81.1 mΩ
上記コンデンサで 35 mΩ となり条件を満たしています。
コンデンサ
CL ≧
≧
∆IL
2πf (∆Vo − ∆IL × ESR)
0.39
2π × 300 × 103 × (0.033 − 0.39 × 0.035)
≧ 10.7 µF
上記コンデンサで 150 µF (Typ) となり条件を満たしています。
リップル電流
ICLrms ≧
≧
(VIN (Max) − Vo) ton
2√3L
(15 − 3.3) × 0.22
2√3 × 22 × 10 − 6 × 300 × 103
≧ 112.6 mArms
上記コンデンサで 2.35 Arms となり条件を満たしています。
16
MB39A106
CH2:5 V 出力
VIN (Max) = 15 V, Io = 3 A, fOSC = 300 kHz
1. N-ch MOS FET (IRF7901D1 (IR 製 ) )
メイン側
VDS = 30 V, VGS =± 20 V, ID = 6.2 A, RDS (on) = 38 mΩ (Max) , Qg = 10.5 nC (Max)
同期整流側
VDS = 30 V, VGS =± 20 V, ID = 6.2 A, RDS (on) = 32 mΩ (Max) , Qg = 18.3 nC (Max)
ダイオード
VF ( 順方向電圧 ) = 0.52 V (Max):IF = 1 A 時
ドレイン電流:ピーク値
FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。
FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。
メイン側
VIN (Max) − Vo
I D ≧ IO +
ton
2L
≧ 3+
15 − 5
1
×
× 0.33
300 × 103
2 × 22 × 10 − 6
≧ 3.25 A
同期整流側
Vo
2L
ID ≧ I O +
≧ 3+
toff
5
1
×
× (1 − 0.33)
300 × 103
2 × 22 × 10 − 6
≧ 3.25 A
2. インダクタ (SLF12565T-220M3R5:TDK 製 )
22 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 3.5 A
全負荷電流条件での L 値:リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定してください。
2 (VIN (Max) − Vo)
ton
L≧
IO
≧
2 × (15 − 5)
3
×
1
× 0.33
300 × 103
≧ 7.3 µH
連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。
Vo
IO ≧
toff
2L
≧
5
1
×
× (1 − 0.33)
300 × 103
2 × 22 × 10 − 6
≧ 254 mA
17
MB39A106
リップル電流:ピーク値
リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。
VIN (Max) − Vo
IL ≧ I O +
ton
2L
15 − 5
1
×
× 0.33
2 × 22 × 10 − 6
300 × 103
≧ 3+
≧ 3.25 A
リップル電流:ピークピーク値
リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。
VIN (Max) − Vo
∆IL =
ton
L
15 − 5
22 × 10 − 6
=
×
1
× 0.33
300 × 103
≒ 0.5 A
3. 出力平滑コンデンサ (6SVP150M:三洋製 )
150 µF, 定格電圧= 6.3 V, ESR = 35 mΩ, 最大許容リップル電流= 2.35 Arms
出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の1%) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。
直列抵抗
∆Vo
1
ESR ≦
−
∆IL
2πfCL
0.05
1
−
0.5
2π × 300 × 103 × 150 × 10 − 6
≦
≦ 96.5 mΩ
上記コンデンサで 35 mΩ となり条件を満たしています。
コンデンサ
CL ≧
∆IL
2πf (∆Vo − ∆IL × ESR)
0.5
2π × 300 × 103 × (0.05 − 0.5 × 0.035)
≧
≧ 8.2 µF
上記コンデンサで 150 µF (Typ) となり条件を満たしています。
リップル電流
ICLrms ≧
≧
(VIN (Max) − Vo) ton
2√3L
(15 − 5) × 0.33
2√3 × 22 × 10 − 6 × 300 × 103
≧ 144.3 mArms
上記コンデンサで 2.35 Arms となり条件を満たしています。
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MB39A106
■ オーダ型格
EV ボード型格
MB39A106EVB
EV ボード版数
備考
MB39A106EV Board Rev. 2.0
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富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
富士通エレクトロニクス株式会社
〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fei/
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ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
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編集 販売戦略部
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