本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–71107–1a DATA SHEET ASSP 電源用 評価用ボード MB39A106 ■ 概 要 MB39A106 評価ボードは 2 ch のダウンコンバージョン回路の表面実装回路基板です。内部は出力電圧を 5 V, 3.3 V に設 定しており , 7 V ∼ 15 V の電源電圧から最大 3 A の電流を供給します。 MB39A106 は外付けセンス抵抗の不要な過電流保 護機能を備えているためセンス抵抗の無い回路構成です。また , 各種保護機能により出力短絡時や入力電圧低下 ( 低 VCC) 時 , 過電圧動作時にトランジスタをオフすることで出力を停止します。更にチャンネルごとのオンオフコントロール・ソフ トスタート設定が可能です。 MB39A106 評価ボードは弊社の MB3889 評価ボードと同様の回路構成になっておりますので , ブートストラップダイ オード内蔵による外付け部品削減等の比較検討をされることをお勧めします。 ■ 評価ボード仕様 (Ta ＝＋ 25 °C) 規 格 値 項 目 標 準 最 大 7 12 15 V 260 300 340 kHz (CH1) 3.25 3.30 3.35 (CH2) 4.92 5.00 5.08 (CH1) 1.0 ⎯ 3.0 (CH2) 1.0 ⎯ 3.0 (CH1) ⎯ ⎯ 33 (CH2) ⎯ ⎯ 50 (CH1) 26.1 41.0 75.8 (CH2) 26.1 41.0 75.8 (CH1) 1.8 2.0 2.2 (CH2) 1.8 2.0 2.2 0.41 0.70 1.38 (CH1) 3.59 3.70 3.81 (CH2) 5.44 5.6 5.78 (CH1) 5.06 5.20 5.31 (CH2) 5.00 5.16 5.28 入力電圧 発振周波数 出力電圧 出力電流 出力リップル電圧 ソフトスタート時間 ディスチャージ時間 ショート検出時間 過電圧保護検出電圧 過電流保護検出電流 * 単 位 最 小 ＊ : VIN = 12 V (Typ), Ron = 28.5 mΩ 固定にて算出しています。 Copyright©2003-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2003.10 V A mV ms ms ms V A MB39A106 ■ 端子情報 記 号 VIN Vo1, Vo2 CTL 機 能 説 明 電源端子です。 VIN ＝ 7 V ∼ 15 V ( 標準値 12 V) DC/DC コンバータ出力端子です。 電源制御端子 VCTL ＝ 0 V ∼ 0.8 V：Standby mode VCTL ＝ 2.0 V ∼ VIN：Operation mode CTL1, CTL2 CH コントロール端子です。 VCTL1,2 ＝ GND：出力 OFF VCTL1.2 ＝ OPEN：出力 ON PWRGOOD 保護状態出力端子です。 保護動作時出力 L ( ＝ 0 V) に固定します。 PGND DC/DC コンバータ接地端子です。 SGND MB39A106 接地端子です。 ■ SW 情報 SW Name FUNCTION ON OFF 1 CTL 電源制御 Operation mode Standby mode 2 CTL1 Ch1 コントロール 出力 OFF 出力 ON 3 CTL2 Ch2 コントロール 出力 OFF 出力 ON ■ セットアップ & 確認方法 (1) セットアップ ・ 電源側端子を VIN・PGND へ接続し , Vo 側を必要な負荷装置または測定器に接続してください。 ・ SW1 (CTL) は OFF (Standby mode) , SW2, SW3 (CTL1, 2) は ON ( 出力 OFF) 状態にしてください。 (2) 確認方法 ・ VIN ( 電源 ) へ電力を投入し , SW1 を ON (Operation mode) , SW2, SW3 を OFF ( 出力 ON) してください。 Vo1 ＝ 3.3 V (Typ) , Vo2 ＝ 5 V (Typ) が出力されていれば IC は正常に動いています。 2 MB39A106 ■ 部品配置図 ・ボード部品配置図 C7A C26 C7B C7C L2 PGND2 C18 Q2 C8 V O2 R14 R15 R16 R18 R6 C24 D2 R5 C1 C6 16 C9 C16 VIN R1 C23 D1 R2 C3 30 R3 C2 R17 C13 15 C20 C14 R4 R8 M1 1 C15 C11 R12 C21 SW1 7 5 3 1 CTL1 8 6 4 2 SGND PWRGOOD C19 C10 R9 R10 R13 R11 PGND CTL2 C22 C12 R7 CTL VO1 C5 Q1 C17 PGND1 L1 C25 C4A C4B C4C （続く） 3 MB39A106 （続き） Board Layout Top Side Inside VIN & GND (LAYER3) 4 Inside GND (LAYER2) Bottom Side MB39A106 ■ 接続図 IIN VIN C1 + C2 + IO + R2 0Ω PGND L1 22 µH Q1 IRF7901D1 C18 0.1 µF C25 82 µF C17 0.1 µF + C4B C4C C5 0.1 µF C4A 150 µF R3 0Ω + CH1 V O1 (3.3 V/3.0 A) PGND1 L2 22 µH Q2 IRF7901D1 + IO + R6 0Ω R7 0Ω + CH2 VO2 (5 V/3.0 A) + C7A C7B C7C C8 150 µF 0.1 µF PGND2 C26 82 µF R1 1.3 kΩ C23 R5 1.3 kΩ C9 4.7 µF C24 D1 SW1 D2 C3 0.1 µF CTL CTL1 C6 0.1 µF 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 CTL2 C16 0.1 µF IC MB39A106 1 R13 430 Ω R11 R10 10 kΩ C21 C19 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 C11 0.1 µF R18 C12 0.022 µF C10 0.022 µF R9 13 kΩ R12 6.2 kΩ 3 R8 47 kΩ C13 0.1 µF C15 0.1 µF R16 120 Ω C20 C22 C14 0.01 µF R14 13 kΩ R15 10 kΩ R17 3.3 kΩ SGND PWRGOOD SW3 SW2 R4 100 kΩ 5 MB39A106 ■ 部品表 部品番号 品名 M1 IC 型格 仕様 パッケージ メーカ FPT-30P-M04 FUJITSU MB39A106 MB39A106 IRF7901D1 メイン側： VDS ＝ 30 V, Qg ＝ 10.5 nC (Max) 同期側： VDS ＝ 30 V, Qg ＝ 18.3 nC (Max) SBD： VF ＝ 0.52 V (Max) , IF ＝ 1 A 時 SO-8 IR ⎯ ⎯ ⎯ 備考 Q1, Q2 Dual FETKYTM D1, D2 ⎯ L1 インダクタ SLF12565T220M3R5 22 µH, IDC1 ＝ 3.5 A, IDC2 ＝ 3.8 A, RDC ＝ 31.6 mΩ SMD TDK L2 インダクタ SLF12565T220M3R5 22 µH, IDC1 ＝ 3.5 A, IDC2 ＝ 3.8 A, RDC ＝ 31.6 mΩ SMD TDK C1 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C2 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C3, C6 セラコン 1608 タイプ TDK C4 C5, C8 C7 ⎯ TM OS-CON セラコン TM OS-CON C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 6SVP150M 150 µF (6.3 V) SANYO C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 6SVP150M 未実装 1608 タイプ 150 µF (6.3 V) TDK SANYO C9 セラコン C3216JB1A475M 4.7 µF (10 V) 3216 タイプ TDK C10 セラコン C1608JB1H223K 0.022 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C11, C13 セラコン C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C12 セラコン C1608JB1H223K 0.022 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C14 セラコン C1608JB1H103K 0.01 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C15 セラコン C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C16 セラコン C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C17, C18 セラコン C1608JB1H104K 0.1 µF (50 V) 1608 タイプ TDK C19 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C20 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C21 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C22 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C23 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C24 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 未実装 C25, C26 R1 TM OS-CON 抵抗 16SVP82M 82 µF (16 V) RR0816P-132-D 1.3 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm 0Ω 1608 タイプ KOA R2, R3, R6, R7 ジャンパー RK73Z1J SANYO R4 抵抗 RR0816P-104-D 100 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R5 抵抗 RR0816P-132-D 1.3 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R8 抵抗 RR0816P-473-D 47 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R9 抵抗 RR0816P-133-D 13 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm （注意事項）Dual FETKY は International Rectifier Corp. の商標です。 OS-CON は三洋電機株式会社の商標です。 （続く） 6 MB39A106 （続き） 部品番号 品名 R10 抵抗 R11 ⎯ R12 抵抗 R13 型格 仕様 パッケージ メーカ 1608 タイプ ssm ⎯ ⎯ RR0816P-622-D 6.2 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm 抵抗 RR0816P-431-D 430 Ω (0.5％) 1608 タイプ ssm R14 抵抗 RR0816P-133-D 13 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R15 抵抗 RR0816P-103-D 10 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R16 抵抗 RR0816P-121-D 120 Ω (0.5％) 1608 タイプ ssm R17 抵抗 RR0816P-332-D 3.3 kΩ (0.5％) 1608 タイプ ssm R18 ⎯ ⎯ ⎯ SW DIP スイッチ DMS-4H 4極 ⎯ MATSUKYU ⎯ 端子ピン WT-2-1 WT-2-1 ⎯ マックエイト RR0816P-103-D 10 kΩ (0.5％) ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ IR International Rectifier Corp. SANYO TDK ssm KOA MATSUKYU マックエイト 三洋電気株式会社 TDK 株式会社 進工業株式会社 コーア株式会社 松久株式会社 株式会社マックエイト 備考 未実装 未実装 7 MB39A106 ■ 初期設定 (1) 出力電圧設定 CH1 VO1 (V) ＝ 1.23 / R12 × (R10 ＋ R12 ＋ R13) ≒ 3.3 (V) CH2 VO2 (V) ＝ 1.23 / R17 × (R15 ＋ R16 ＋ R17) ≒ 5.0 (V) (2) 発振周波数 fOSC (kHz) ＝ 14100 / R8 (kΩ) ≒ 300 (kHz) (3) ソフトスタート時間 CH1 ts (s) ＝ 0.41 × C11 (µF) ≒ 41.0 (ms) CH2 ts (s) ＝ 0.41 × C13 (µF) ≒ 41.0 (ms) (4) ディスチャージ時間 CH1 toff (s) ＝ 0.020 × C11 (µF) ≒ 2.0 (ms) CH2 toff (s) ＝ 0.020 × C13 (µF) ≒ 2.0 (ms) (5) ショート検出時間 tscp (s) ＝ 0.070 × C14 (µF) ≒ 0.70 (ms) (6) 過電圧保護検出電圧 CH1 VOVP (V) ＝ 1.12 × VO1 ≒ 3.7 (V) CH2 VOVP (V) ＝ 1.12 × VO2 ≒ 5.6 (V) (7) 過電流保護検出電流 CH1 (ILIM ＝ 118 µA, RON ＝ 28.5 mΩ, VIN ＝ 12 V, VO1 ＝ 3.3 V) IOCP (A) ＝ (ILIM × R1 / RON) − ( (VIN − VO1) × VO1 / 2 / VIN / fOSC / L1) ≒ 5.20 (A) CH2 (ILIM ＝ 118 µA, RON ＝ 28.5 mΩ, VIN ＝ 12 V, VO2 ＝ 5.0 V) IOCP (A) ＝ (ILIM × R5 / RON) − ( (VIN − VO2) × VO2 / 2 / VIN / fOSC / L2) ≒ 5.16 (A) 8 MB39A106 ■ 参考データ (1) 負荷電流−変換効率特性 (VIN ＝ 12 V) ch1 100% ch2 100% 効率 η (％) ＝ (VO × IO) / (VIN × IIN) × 100 90% 変換効率 η (％) 変換効率 η (％) 90% 80% 70% 60% VIN ＝ 12 V VO ＝ 3.3 V 設定 CTL1 ＝ OPEN CTL2 ＝ GND 50% 40% 30% 10 m 100 m 70% VIN ＝ 12 V VO ＝ 5 V 設定 CTL1 ＝ GND CTL2 ＝ OPEN 60% 50% 40% 効率 η (％) ＝ (VO × IO) / (VIN × IIN) × 100 1 負荷電流 IO (A) 80% 30% 10 m 10 100 m 1 負荷電流 IO (A) SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON 10 SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF (2) ロードレギュレーション (VIN ＝ 12 V) ch2 3.34 5.04 3.33 5.03 出力電圧 VO (V) 出力電圧 VO (V) ch1 3.32 3.31 3.3 3.29 3.28 VIN = 12 V CTL1 = OPEN CTL2 = GND 3.27 3.26 10 m 100 m 負荷電流 IO (A) 1 10 SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON 5.02 5.01 5 4.99 4.98 VIN = 12 V CTL1 = GND CTL2 = OPEN 4.97 4.96 10 m 100 m 1 負荷電流 IO (A) 10 SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF 9 MB39A106 (3) ラインレギュレーション ch2 3.34 5.04 3.33 5.03 3.32 5.02 出力電圧 VO (V) 出力電圧 VO (V) ch1 3.31 3.3 3.29 3.28 IO = 1.5 A CTL1 = OPEN CTL2 = GND 3.27 3.26 7 8 9 10 11 12 入力電圧 VIN (V) 10 13 14 5.01 5 4.99 4.98 IO = 1.5 A CTL1 = GND CTL2 = OPEN 4.97 15 SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON 4.96 7 8 9 10 11 12 入力電圧 VIN (V) 13 14 15 SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF MB39A106 (4) 出力リップル波形 (VIN ＝ 12 V) ch1 IO = 0 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div IO = 1.5 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div IO = 3 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON 11 MB39A106 ch2 IO = 0 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div IO = 1.5 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div IO = 3 A 50 mV 0 −50 mV 1 µs/div 12 SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF MB39A106 (5) 負荷急変時出力波形 (VIN ＝ 12 V) ch1 ch2 50 mV 50 mV 0 0 −50 mV −50 mV 4A 4A 2A 2A 1 ms/div 1 ms/div 0 0 SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF (6) 過電流保護動作特性 (VIN ＝ 12 V) 6 6 OCP 検出電流 IOCP (A) ch2 OCP 検出電流 IOCP (A) ch1 5 4 3 2 VIN = 12 V CTL1 = OPEN, CTL2 = GND ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ 1 0 0 0.4 0.8 1.2 RLIM (kΩ) 1.6 2 RLIM = R1 SW1 : ON SW2 : OFF SW3 : ON 5 4 3 2 VIN = 12 V CTL1 = GND, CTL2 = OPEN ILIM = 118 µA, RON = 28.5 mΩ 1 0 0 0.4 0.8 1.2 RLIM (kΩ) 1.6 2 RLIM = R5 SW1 : ON SW2 : ON SW3 : OFF 13 MB39A106 ■ 部品選択方法 Ch2 側 インダクタ N-ch MOS FET C7A C26 出力平滑コンデンサ C7B C7C L2 PGND2 C18 Q2 C8 220 C12 R14 R15 R16 R18 VO2 R7 R6 C24 D2 R5 C1 R8 C14 R4 30 M1 1 R3 C2 R17 C13 C15 C11 R12 C21 CTL1 SW1 7 8 5 6 3 4 1 2 CTL VO1 220 C5 Q1 C17 PGND1 L1 C4A C25 N-ch MOS FET インダクタ Ch1 側 Board Photograph 14 SGND PWRGOOD C19 C10 R9 R10 R13 R11 R1 C23 D1 R2 C16 C3 C22 15 C20 C9 VIN PGND 16 C6 CTL2 C4B C4C 出力平滑コンデンサ MB39A106 部品選択法を下記に記します。 CH1：3.3 V 出力 VIN (Max) ＝ 15 V, Io ＝ 3 A, fOSC ＝ 300 kHz 1. N-ch MOS FET (IRF7901D1 (IR 製 ) ) メイン側 VDS ＝ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 6.2 A, RDS (on) ＝ 38 mΩ (Max) , Qg ＝ 10.5 nC (Max) 同期整流側 VDS ＝ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 6.2 A, RDS (on) ＝ 32 mΩ (Max) , Qg ＝ 18.3 nC (Max) ダイオード VF ( 順方向電圧 ) ＝ 0.52 V (Max)：IF ＝ 1 A 時 ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。 メイン側 VIN (Max) − Vo I D ≧ IO ＋ ton 2L ≧ 3＋ 15 − 3.3 1 × × 0.22 2 × 22 × 10 − 6 300 × 103 ≧ 3.20 A 同期整流側 Vo 2L ID ≧ I O ＋ ≧ 3＋ toff 3.3 1 × × (1 − 0.22) 2 × 22 × 10 − 6 300 × 103 ≧ 3.20 A 2. インダクタ (SLF12565T-220M3R5：TDK 製 ) 22 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3.5 A 全負荷電流条件での L 値：リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定してください。 2 (VIN (Max) − Vo) ton L≧ IO ≧ 2 × (15 − 3.3) 1 × × 0.22 3 300 × 103 ≧ 5.7 µH 連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。 Vo IO ≧ toff 2L ≧ 3.3 1 × × (1 − 0.22) 2 × 22 × 10 − 6 300 × 103 ≧ 195 mA 15 MB39A106 リップル電流：ピーク値 リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。 VIN (Max) − Vo IL ≧ I O ＋ ton 2L 15 − 3.3 1 × × 0.22 2 × 22 × 10 − 6 300 × 103 ≧ 3＋ ≧ 3.20 A リップル電流：ピークピーク値 リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。 VIN (Max) − Vo ∆IL ＝ ton L 15 − 3.3 22 × 10 − 6 ＝ × 1 × 0.22 300 × 103 ≒ 0.39 A 3. 出力平滑コンデンサ (6SVP150M：三洋製 ) 150 µF, 定格電圧＝ 6.3 V, ESR ＝ 35 mΩ, 最大許容リップル電流＝ 2.35 Arms 出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の1％) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。 直列抵抗 ∆Vo 1 ESR ≦ − ∆IL 2πfCL 0.033 1 − 0.39 2π × 300 × 103 × 150 × 10 − 6 ≦ ≦ 81.1 mΩ 上記コンデンサで 35 mΩ となり条件を満たしています。 コンデンサ CL ≧ ≧ ∆IL 2πf (∆Vo − ∆IL × ESR) 0.39 2π × 300 × 103 × (0.033 − 0.39 × 0.035) ≧ 10.7 µF 上記コンデンサで 150 µF (Typ) となり条件を満たしています。 リップル電流 ICLrms ≧ ≧ (VIN (Max) − Vo) ton 2√3L (15 − 3.3) × 0.22 2√3 × 22 × 10 − 6 × 300 × 103 ≧ 112.6 mArms 上記コンデンサで 2.35 Arms となり条件を満たしています。 16 MB39A106 CH2：5 V 出力 VIN (Max) ＝ 15 V, Io ＝ 3 A, fOSC ＝ 300 kHz 1. N-ch MOS FET (IRF7901D1 (IR 製 ) ) メイン側 VDS ＝ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 6.2 A, RDS (on) ＝ 38 mΩ (Max) , Qg ＝ 10.5 nC (Max) 同期整流側 VDS ＝ 30 V, VGS ＝± 20 V, ID ＝ 6.2 A, RDS (on) ＝ 32 mΩ (Max) , Qg ＝ 18.3 nC (Max) ダイオード VF ( 順方向電圧 ) ＝ 0.52 V (Max)：IF ＝ 1 A 時 ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると ID は下記式で求められます。 メイン側 VIN (Max) − Vo I D ≧ IO ＋ ton 2L ≧ 3＋ 15 − 5 1 × × 0.33 300 × 103 2 × 22 × 10 − 6 ≧ 3.25 A 同期整流側 Vo 2L ID ≧ I O ＋ ≧ 3＋ toff 5 1 × × (1 − 0.33) 300 × 103 2 × 22 × 10 − 6 ≧ 3.25 A 2. インダクタ (SLF12565T-220M3R5：TDK 製 ) 22 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 3.5 A 全負荷電流条件での L 値：リップル電流のピークピーク値が負荷電流の 1/2 以下になるように設定してください。 2 (VIN (Max) − Vo) ton L≧ IO ≧ 2 × (15 − 5) 3 × 1 × 0.33 300 × 103 ≧ 7.3 µH 連続電流条件になる負荷電流値は下記式で求められます。 Vo IO ≧ toff 2L ≧ 5 1 × × (1 − 0.33) 300 × 103 2 × 22 × 10 − 6 ≧ 254 mA 17 MB39A106 リップル電流：ピーク値 リップル電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 リップル電流のピーク値を IL とすると IL は下記式で求められます。 VIN (Max) − Vo IL ≧ I O ＋ ton 2L 15 − 5 1 × × 0.33 2 × 22 × 10 − 6 300 × 103 ≧ 3＋ ≧ 3.25 A リップル電流：ピークピーク値 リップル電流のピークピーク値を ∆IL とすると ∆IL は下記式で求められます。 VIN (Max) − Vo ∆IL ＝ ton L 15 − 5 22 × 10 − 6 ＝ × 1 × 0.33 300 × 103 ≒ 0.5 A 3. 出力平滑コンデンサ (6SVP150M：三洋製 ) 150 µF, 定格電圧＝ 6.3 V, ESR ＝ 35 mΩ, 最大許容リップル電流＝ 2.35 Arms 出力リップ電圧を∆VO (出力電圧の1％) , 出力平滑コンデンサをCL としリップル電流をICLrms, 直列抵抗をESRとします。 直列抵抗 ∆Vo 1 ESR ≦ − ∆IL 2πfCL 0.05 1 − 0.5 2π × 300 × 103 × 150 × 10 − 6 ≦ ≦ 96.5 mΩ 上記コンデンサで 35 mΩ となり条件を満たしています。 コンデンサ CL ≧ ∆IL 2πf (∆Vo − ∆IL × ESR) 0.5 2π × 300 × 103 × (0.05 − 0.5 × 0.035) ≧ ≧ 8.2 µF 上記コンデンサで 150 µF (Typ) となり条件を満たしています。 リップル電流 ICLrms ≧ ≧ (VIN (Max) − Vo) ton 2√3L (15 − 5) × 0.33 2√3 × 22 × 10 − 6 × 300 × 103 ≧ 144.3 mArms 上記コンデンサで 2.35 Arms となり条件を満たしています。 18 MB39A106 ■ オーダ型格 EV ボード型格 MB39A106EVB EV ボード版数 備考 MB39A106EV Board Rev. 2.0 19 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部