1.1 MB

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
富士通マイクロエレクトロニクス
DS04–71113–1a
DATA SHEET
ASSP 電源用
評価用ボード
MB39A108
■ 概要
MB39A108 評価ボードは 5 チャネルのダウンコンバージョン , アップ / ダウン , アップコンバージョン回路の表面実装
回路基板です。内部はステップダウン方式 2 チャネル , Sepic 方式 1 チャネル , トランス方式 2 チャネル で構成していて ,
計 8 系統の出力端子から- 7.5 V ~+ 15.0 V までの出力電圧を設定しており , + 2.5 V ~+ 5.0 V の電源電圧から最大
500 mA の電流を供給します。
保護機能により短絡保護検出時や低 VCC 時誤動作防止回路動作時にトランジスタをオフし , 出力を停止します。
また ,
ショート検知コンパレータにより外部入力からのショート検知が可能です。更にチャネルごとのオンオフコントロール・
ソフトスタート設定が可能です。
■ 評価ボード仕様
(Ta =+ 25 °C)
項 目
入力電圧
発振周波数
出力電圧
出力電流
端子
規 格 値
単位
最 小
標 準
最 大
VIN
2.5
4
5
V

780
970
1160
kHz
DVo1
1.18
1.2
1.22
V
DVo2
2.46
2.5
2.54
V
TVo1-1
13.5
15
16.5
V
TVo1-2
4.92
5
5.08
V
SVo1
3.25
3.3
3.35
V
TVo2-1
13.5
15
16.5
V
TVo2-2
4.92
5
5.08
V
TVo2-3
- 8.3
- 7.5
- 6.7
V
DVo1


500
mA
DVo2


250
mA
TVo1-1


10
mA
TVo1-2


50
mA
SVo1


500
mA
TVo2-1


10
mA
TVo2-2


50
mA
TVo2-3


-5
mA
(続く)
Copyright©2005-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved
2005.3
MB39A108
(続き)
(Ta =+ 25 °C)
項 目
端子
単位
最 小
標 準
最 大

0.92
1.54
3.03
ms
DVo1
5.7
10
20.2
ms
DVo2
7.8
12.3
22.8
ms
TVo1-2
78
123
228
ms
SVo1
78
123
228
ms
TVo2-2
78
123
228
ms
ショート検出時間
ソフトスタート時間
規 格 値
■ 端子情報
記 号
機 能 説 明
VIN
DC/DC コンバータ入力端子です。
VIN = 2.5 V ~ 5 V ( 標準値 4 V)
VCC
IC 電源端子です。
VIN = 2.5 V ~ 5 V ( 標準値 4 V)
DVoX, TVoX, SVo1
CTLSW
DC/DC コンバータ出力端子です。
電源制御端子 (SW を介して CTL, CTL3 ~ CTL5 に接続 )
VCTL = 0 V ~ 0.5 V:Standby mode
VCTL = 1.5 V ~ VIN:Operation mode
PGND
DC/DC コンバータ接地端子です。
ICGND
MB39A108 接地端子です。
GND
メイン接地端子です
■ SW 情報
SW
名 称
機 能
ON
OFF
1
CS1
CH1 コントロール
出力 OFF
出力 ON
2
CS2
CH2 コントロール
出力 OFF
出力 ON
3
CTL3
CH3 コントロール
出力 ON
出力 OFF
4
CTL4
CH4 コントロール
出力 ON
出力 OFF
5
CTL5
CH5 コントロール
出力 ON
出力 OFF
6
CTL
電源制御
Operation mode
Standby mode
■ セットアップ & 確認方法
・セットアップ
・電源側端子を VIN & GND へ接続します。Vo 側を必要な負荷装置または測定器に接続してください。
・別途 CTLSW 端子へ 1.5 V から VIN までの起動電源を接続してください (VIN 端子からショートでも可 ) 。
・SW6 (CTL) は OFF (Standby mode) , SW1, 2 (CS1, 2) は ON ( 出力 OFF) , SW3, 4, 5 (CTL3, 4, および CTL5) は OFF ( 出力
OFF) 状態にしてください。
・確認方法
VIN ( 電源 ) へ電力を投入し , SW6 を ON (Operation mode) , SW1, 2 を OFF ( 出力 ON) , SW3, 4 および SW5 を ON ( 出力
ON) にしてください。
DVo1 = 1.2 V (Typ) , DVo2 = 2.5 V (Typ) , TVo1-1 = 15 V (Typ) , TVo1-2 = 5 V (Typ) , SVo1 = 3.3 V (Typ) ,
TVo2-1 = 15 V (Typ) , TVo2-2 = 5 V (Typ) , TVo2-3 =- 7.5 V (Typ) が出力されていれば , IC は正常に動作して います。
2
MB39A108
■ 部品配置図
・ボード部品配置図
GND
PGND
VIN
L1
Q1
R12
VD1
C1
OUT1-1
R35
R37
4
Q5
R20
R22
R53
R51
R56
R62
D6
C12
SVo1
C13
R7
ON
GND5
TVo2-3
C11
C18
R10
VD8
R65
2
Q9
CTL3
T2
8
1
3
TVo2-2
C17
4
R9
CTL5
VD7
C15
4
Q8
5
CTL
R30
D9
CTL2
CTL5
R27
L5
CTL
5
6
C16
TVo2-1
C14
R8
D11
C22
GND6
D8
R34
D7
L6
VD9
R11
R31
R45
R64
R59
R57
VD6
L4
Q7
SW1
R26
TVo1-1
D4
CTL4
CTLSW
C9
5
C7
R4
1
CTL4
R24
R5
CTL1
Q12
GND4
R25
R54
R52
R58
R61
C29
1
Q11
OFF
CTL3
T1
8
VD4
C8
C31
CTL1
CTL2
C10
TVo1-2
R28
R14
R32
C27
R41
R47
Q6
R16
R60
FB4
R23
OUT4
R6
D5
R18
C34 OUT5
GND3
VD5
R17
R21
R48
C6
C5
OUT3
FB5
20
CS4
R46
ICGND
OUT2
C24
C33
R55
Q4
DVo3
D3
C32
R49
R50
VD3
R3
R19
CS3
C36
CSCP
C30
L3
R15
D13
M1
CS5
VREF
C37
GND2
C3
R33
C23
R63
CT19
C35
FB3
C4
R2
D12
R38
CS2 FB1 CS1
R43
VCCO
1
38
-INS
DVo2
VD2
D2
R29
R39
Q3
OUT1-2
C25
FB2
C28
R44
GND1
L2
R36
R40
R42
Q2
R13
C26
VCC
DVo1
C2
D1
R1
D10
C20
SVo2
L7
C21
Q10
C19
GND7
3
MB39A108
・ボードレイアウト
4
Top Side
Inside VIN & GND (Layer 2)
Inside GND (Layer 3)
Bottom Side
MB39A108
■ 接続図
降圧
( 同期整流 )
R35 R36
510Ω 4.3kΩ
-INE1
A
R37
CH1 ON/OFF 信号
(L:ON, H:OFF)
CTL1
24kΩ
Error
Amp1
10µA
CS1
a
VREF L 優先
37
<<CH1>>
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
PWM
Comp.1
38
Dead Time
(1.0V)
C25
0.1µF
36
スレッショルド電圧
1.0V±1%
FB1
B
2
R41 15kΩ
CH2 ON/OFF 信号
(L:ON, H:OFF)
CTL2
Error
Amp2
10µA
CS2
b
VREF L 優先
C27
0.1µF
33
C2 4.7µF
GND1
R13 0Ω
OUT1-2
降圧
VD2
B
Q3
MCH3317
Drive2
32
Pch
R23 0Ω
DVo2
2.5V/250mA
L2 15µH
C3
1µF
OUT2
C4 4.7µF
D2
SBS004
GND2
1.23V
R14 0Ω
R43 0Ω
R44*
DTC2
-INE3
C
R45 R46
680Ω 30kΩ
C29
0.1µF
L 優先
VREF
Error
Amp3
1µA
C
<<CH3>>
L 優先
Max Duty VREF
90%±5%
PWM
Comp.3
R5 0Ω
31
Pch
SB05-05CP
D5
C8
1µF
Drive3
FB3
D
R51 R52
300Ω 30kΩ
DTC3
-INE4
R53 18kΩ
CS4
C31
0.1µF
21
VREF L 優先
R57 R58
680Ω 30kΩ
1µA
Max Duty VREF
90%±5%
DTC4
CS5
PWM
Comp.4
30
D
R28
0Ω
C12
D6
4.7µF SBS004
SVo1
3.3V/500mA
C13
10µF
L5
15µH
Q7
MCH3405
OUT4
1.23V
GND5
R19 0Ω
スレッショルド電圧
1.23V±1%
23
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
FB5
DTC5
E
トランス
SB05-05CP
26
VREF L 優先
Error
Amp5
1µA
Max Duty VREF
90%±5%
<<CH5>>
L 優先
VD8
PWM
Comp.5
27
25
24
29
28
R20
GNDO
0Ω
C14
1µF
-7.5V/-5mA
Q9
D9 SB05-05CP
MCH3405
C18
2.2µF
C16 C17
2.2µF 2.2µF
GND6
SCP
Comp.
VCC
H:SCP 時
SCP
1V
OFF
15
9
OSC
bias
VREF
UVLO1
R63
6.8kΩ
13
VREF
CT
C36
100pF
精度± 5%
(2.0MHz) 対応
Power
ON/OFF
CTL
6
CTL
精度
± 0.8%
2.0V
12
RT
VR
C23
0.1µF
11
C37
0.1µF
R32 0Ω
CTL4
CTL5
f
H:ON (Power ON)
L:OFF (standby mode)
VTH = 1.0 V
14
GND
精度
± 1%
CTL
a
b
c
d
6
UVLO2
CTL3
4 5
H:ON
L:OFF
VTH=1.0V
8
0.4V
CH
CTL
CS2
VCC
3
CTL5
7
5
ErrorAmp 基準
1.23V
2
CTL4
ErrorAmp 電源
SCPComp. 電源
H:UVLO 解除
0.9V
ON
SW1
1
CS1
C35
2200pF
CTL3
TVo2-2
5.0V/50mA
D8 SB05-05CP
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
スレッショルド電圧
1.23V±1%
100kΩ
ショート検知信号
(L:ショート時 )
OUT5
1.23V
10
TVo2-1
15V/10mA
TVo2-3
Drive5
Nch
VREF
-INS
CSCP
R29
0Ω
D7
R8 0Ω
T2
C34 0.1µF
R62*
0
10µH
C11
1µF
Drive4
Nch
R60 1kΩ
R61*
L4
C32 0.1µF
R59 10kΩ
C33
0.1µF
Error
Amp4
VD6
R7
<<CH4>>
L 優先
20
R54 1kΩ
-INE5
E
e
GND4
昇降圧
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
スレッショルド電圧
1.23V±1%
16
FB4
R56*
d
C10 2.2µF
C9
2.2µF
R6
0Ω
R17 0Ω
17
22
R55*
c
TVo1-2
5.0V/50mA
SB05-05CP
OUT3
1.23V
R26 0Ω
TVo1-1
15V/10mA
D4
T1
C30 0.1µF
R50*
充電電流
1µA
VD4
Q5
MCH3306
19
R48 1kΩ
R49*
GND
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
スレッショルド電圧
1.23V±1%
18
R47 10kΩ
CS3
トランス
3
FB2
4
VIN
(2.5V-5V)
D1
SBS004
C28 0.047µF
R65*
VIN
Q2
MCH3405
R2 0Ω
Q12*
R42 1kΩ
DVo1
1.2V/500mA
<<CH2>>
PWM
Comp.2
1
OUT1-1
VCCO = 4 V 時
Io = 130 mA
L 優先
Max Duty VREF
90%±5%
C1
1µF
PGND
Drive1-2
Nch
-INE2
L1
10µH
R12 0Ω
Dead Time
(td=50ns)
R39
R40
510Ω 15kΩ
A
Q1
VD1
MCH3317
R1 0Ω
C24
0.1µF
34
Pch
C26 0.047µF
R64*
VCCO R33 0Ω
Drive1-1
Q11*
R38 2kΩ
35
f
e
CTLSW
上図にて全 CH ON 状態
ICGND
*:印および回路図に表記されていない部品は , 全て未実装です。
5
MB39A108
■ 部品表
記号
仕 様
項
( 回路図
表記 )
品名
型格
1
M1
IC
MB39A108
PFT
2
Q1
Pch FET
MCH3317
PD =
0.8 W
3
Q2
Nch FET
MCH3405
4
Q3
Pch FET
5
Q4
6
パッケージ
メーカ
備考
定格 1
定格 2
定格 3
値
偏差
特性






FPT-38P-M03 FUJITSU
VDSS = ID =
- 12 V - 1.5 A



MCPH3
SANYO
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
MCH3317
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
- 12 V - 1.5 A



MCPH3
SANYO
Pch FET
MCH3317
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
- 12 V - 1.5 A



MCPH3
SANYO
Q5
Pch FET
MCH3306
PD =
1W
VDSS = ID =
- 20 V - 2 A



MCPH3
SANYO
7
Q6
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
8
Q7
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
9
Q8
Pch FET
MCH3306
PD =
1W
VDSS = ID =
- 20 V - 2 A



MCPH3
SANYO
10
Q9
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
11
Q10
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
未実装
12
Q11
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
未実装
13
Q12
Nch FET
MCH3405
PD =
0.8 W
VDSS = ID =
20 V
1.8 A



MCPH3
SANYO
未実装
14
D1
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
15
D2
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
16
D3
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
17
D4
SBD
SB05-05CP
VRM = VF =
50 V
0.55 V
IO =
500 mA



CP
SANYO
18
D5
SBD
SB05-05CP
VRM = VF =
50 V
0.55 V
IO =
500 mA



CP
SANYO
19
D6
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
20
D7
SBD
SB05-05CP
VRM = VF =
50 V
0.55 V
IO =
500 mA



CP
SANYO
21
D8
SBD
SB05-05CP
VRM = VF =
50 V
0.55 V
IO =
500 mA



CP
SANYO
22
D9
SBD
SB05-05CP
VRM = VF =
50 V
0.55 V
IO =
500 mA



CP
SANYO
23
D10
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
未実装
24
D11
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
未実装
25
D12
SBD
SBS004
VRRM
= 15 V
VF =
0.3 V
IO =
1A



CPH3
SANYO
未実装
VF =
0.3 V
未実装
未実装
未実装
未実装
(続く)
6
MB39A108
記号
項
( 回路図
表記 )
26
D13
27
仕 様
品名
型格
定格 1
VRRM
= 15 V
定格 2
VF =
0.3 V
定格 3
IO =
1A
値
偏差
特性



パッケージ
メーカ
備考
未実装
SBD
SBS004
L1
コイル
RLF5018T- IDC1 =
100MR94
0.94 A
IDC2 =
1.3 A

10 µH
± 20%
RDC =
67 mΩ

TDK
28
L2
コイル
RLF5018T- IDC1 =
150MR76
0.76 A
IDC2 =
1.0 A

15 µH
± 20%
RDC =
120 mΩ

TDK
29
L3
コイル






30
L4
コイル
RLF5018T- IDC1 =
100MR94
0.94 A
IDC2 =
1.3 A

10 µH
± 20%
RDC =
67 mΩ

TDK
31
L5
コイル
RLF5018T- IDC1 =
150MR76
0.76 A
IDC2 =
1.0 A

15 µH
± 20%
RDC =
120 mΩ

TDK
32
L6
コイル









未実装
33
L7
コイル









未実装
34
T1
トランス 5388-T138
15 V,
- 7.5 V,
5V






SUMIDA
35
T2
トランス 5388-T138
15 V,
- 7.5 V,
5V






SUMIDA
36
C1
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
37
C2
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
38
C3
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
39
C4
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
40
C5
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
41
C6
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
42
C7
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
43
C8
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
44
C9
セラコン
C3216JB1E
225K
25 V


2.2 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
45
C10
セラコン
C3216JB1E
225K
25 V


2.2 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
46
C11
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
47
C12
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
48
C13
セラコン
C3216JB0J
106K
6.3 V


10 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
49
C14
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK


CPH3
SANYO

未実装
(続く)
7
MB39A108
記号
項
仕 様
( 回路図
表記 )
品名
型格
50
C15
セラコン
51
C16
52
パッケージ メーカ
備考
定格 1
定格 2
定格 3
値
偏差
特性
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
セラコン
C3216JB1E
225K
25 V


2.2 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
C17
セラコン
C3216JB1E
225K
25 V


2.2 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
53
C18
セラコン
C3216JB1E
225K
25 V


2.2 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
54
C19
セラコン
C3216JB1E
105K
25 V


1 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
55
C20
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
56
C21
セラコン
C3216JB1C
475K
16 V


4.7 µF
± 10%
温特 B
3216
TDK
未実装
57
C22
セラコン
C1608JB1A
105K
10 V


1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
未実装
58
C23
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
59
C24
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
60
C25
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
61
C26
セラコン
C1608JB1H
473K
50 V


0.047 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
62
C27
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
63
C28
セラコン
C1608JB1H
473K
50 V


0.047 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
64
C29
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
65
C30
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
66
C31
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
67
C32
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
68
C33
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
69
C34
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
70
C35
セラコン
C1608JB1H
222K
50 V


2200 pF
± 10%
温特 B
1608
TDK
71
C36
セラコン
C1608CH1
H101J
50 V


100 pF
± 5%
温特 CH 1608
TDK
72
C37
セラコン
C1608JB1H
104K
50 V


0.1 µF
± 10%
温特 B
1608
TDK
73
R1
ジャン
パー
RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
74
R2
ジャン
パー
RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
未実装
(続く)
8
MB39A108
記号
項
( 回路図
表記 )
75
R3
76
仕 様
品名
型格
パッケージ
メーカ
備考
定格 1
定格 2
定格 3
値
偏差
特性
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
未実装
R4
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
未実装
77
R5
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
78
R6
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
79
R7
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
80
R8
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
81
R9
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
未実装
82
R10
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ

3216
KOA
未実装
83
R11
ジャンパー RK73Z2B
2A


0Ω
Max
50 mΩ
-
3216
KOA
未実装
84
R12
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
85
R13
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
86
R14
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
87
R15
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
88
R16
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
89
R17
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
90
R18
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
91
R19
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
92
R20
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
93
R21
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
94
R22
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
95
R23
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
96
R24
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
97
R25
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
98
R26
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
(続く)
9
MB39A108
記号
項
( 回路図
表記 )
99
R27
100
仕 様
品名
型格
パッケージ メーカ
備考
定格 1
定格 2
定格 3
値
偏差
特性
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
R28
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
101
R29
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
102
R30
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
103
R31
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
104
R32
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
105
R33
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
106
R34
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
107
R35
抵抗
RR0816P511-D
1/16 W


510 Ω
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
108
R36
抵抗
RR0816P432-D
1/16 W


4.3 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
109
R37
抵抗
RR0816P243-D
1/16 W


24 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
110
R38
抵抗
RR0816P202-D
1/16 W


2 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
111
R39
抵抗
RR0816P511-D
1/16 W


510 Ω
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
112
R40
抵抗
RR0816P153-D
1/16 W


15 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
113
R41
抵抗
RR0816P153-D
1/16 W


15 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
114
R42
抵抗
RR0816P102-D
1/16 W


1 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
115
R43
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ
116
R44
抵抗






-
1608
KOA

1608

未実装
未実装
未実装
117
R45
抵抗
RR0816P681-D
1/16 W


680 Ω
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
118
R46
抵抗
RR0816P303-D
1/16 W


30 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
119
R47
抵抗
RR0816P103-D
1/16 W


10 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
120
R48
抵抗
RR0816P102-D
1/16 W


1 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
121
R49
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ
-
1608
KOA
未実装
122
R50
抵抗



-
-
-
1608
-
未実装

ssm
(続く)
10
MB39A108
(続き)
記号
仕 様
項
品名
( 回路図
表記 )
123
R51
抵抗
124
R52
125
型格
パッケージ メーカ
備考
定格 1
定格 2
定格 3
値
偏差
RR0816P301-D
1/16 W


300 Ω
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
抵抗
RR0816P303-D
1/16 W


30 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
R53
抵抗
RR0816P183-D
1/16 W


18 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
126
R54
抵抗
RR0816P102-D
1/16 W


1 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
127
R55
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
128
R56
抵抗






1608

未実装
129
R57
抵抗
RR0816P681-D
1/16 W


680 Ω
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
130
R58
抵抗
RR0816P303-D
1/16 W


30 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
131
R59
抵抗
RR0816P103-D
1/16 W


10 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
132
R60
抵抗
RR0816P102-D
1/16 W


1 kΩ
± 0.5%
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
133
R61
ジャンパー RK73Z1J
1A


0Ω
Max
50 mΩ

1608
KOA
未実装
134
R62
抵抗






1608

未実装
135
R63
抵抗
1/16 W


6.8 kΩ
± 0.5%
136
R64
抵抗







1608

未実装
137
R65
抵抗







1608

未実装
138
SW1
スイッチ
DMS-6H







MATSUKYU
139

接続端子
WT-2-1







マック
エイト
SANYO
TDK
SUMIDA
KOA
ssm
MATSUKYU
マックエイト


RR0816P682-D
特性
± 25
1608
ppm/ °C
ssm
三洋電機株式会社
TDK 株式会社
スミダコーポレーション株式会社
コーア株式会社
進工業株式会社
松久株式会社
株式会社マックエイト
11
MB39A108
■ 初期設定
・出力電圧設定
CH1 : DVo1 (V) = 1.0 / R37 × (R35 + R36 + R37) ≒ 1.2 (V)
CH2 : DVo2 (V) = 1.23 / R41 × (R39 + R40 + R41) ≒ 2.5 (V)
CH3 : TVo1-2 (V) = 1.23 / R47 × (R45 + R46 + R47) ≒ 5 (V)
CH4: SVo1 (V) = 1.23 / R53 × (R51 + R52 + R53) ≒ 3.3 (V)
CH5 : TVo2-2 (V) = 1.23 / R59 × (R57 + R58 + R59) ≒ 5 (V)
・発振周波数
fosc (kHz) = 659600 / (C36 (pF) × R63 (kΩ) ) ≒ 970 (kHz)
・ソフトスタート時間
CH1 : ts (s) = 0.10 × C25 (µF) ≒ 10 (ms)
CH2 : ts (s) = 0.123 × C27 (µF) ≒ 12.3 (ms)
CH3 : ts (s) = 1.23 × C29 (µF) ≒ 123 (ms)
CH4 : ts (s) = 1.23 × C31 (µF) ≒ 123 (ms)
CH5 : ts (s) = 1.23 × C33 (µF) ≒ 123 (ms)
・ショート検出時間
tscp (s) = 0.70 × C35 (µF) ≒ 1.54 (ms)
12
MB39A108
■ 参考データ
・効率-入力電圧特性
TOTAL 効率
TOTAL 効率-入力電圧特性
100
95
TOTAL 効率 η (%)
90
85
80
CH1:降圧方式 / 同期整流有
DVo1 = 1.2 V, DIo1 = 500 mA
CH2:降圧方式
DVo2 = 2.5 V, DIo2 = 250 mA
CH3:トランス式方
TVo1-1 = 15 V, TIo1-1 = 10 mA
TVo1-2 = 5 V, TIo1-2 = 50 mA
CH4:SEPIC 方式
SVo1 = 3.3 V, SIo1 = 500 mA
CH5:トランス方式
TVo2-1 = 15 V, TIo2-1 = 10 mA
TVo2-2 = 5 V, TIo2-2 = 50 mA
TVo2-3 =- 7.5 V, TIo2-3 =- 5 mA
fosc = 1 MHz 設定
75
70
65
60
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN (V)
各 CH 効率
各 CH 効率-入力電圧特性
100
95
各 CH 効率 η (%)
90
CH2
85
CH4
CH1
80
CH5
75
CH3
70
( 注意 ) 当該 CH のみ ON
外付け SW Tr 駆動電流含む
65
60
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN (V)
13
MB39A108
・ロードレギュレーション (VIN = 3.6 V)
CH1, CH2, CH4
DC/DC コンバータ出力電圧-負荷電流特性 ( ロードレュギレーション )
DC/DC コンバータ出力電圧 (V)
5
4
SVo1 (CH4) = 3.3 V 設定
3
DVo2 (CH2) = 2.5 V 設定
2
DVo1 (CH1) = 1.2 V 設定
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
負荷電流 Io (mA)
CH3, CH5
DC/DC コンバータ出力電圧-負荷電流特性 ( ロードレュギレーション )
DC/DC コンバータ出力電圧 (V)
7
6
TVo1-2, TVo2-2 = 5 V 設定
5
4
( 注意 ) トランス使用 CH はフィードバック制御を
行っている出力のみ取得
TVo1-1 (15 V) :TIo1-1 = 10 mA 固定
TVo2-1 (15 V) :TIo2-1 = 10 mA 固定
TVo2-3 ( - 7.5 V) :TIo2-3 =- 5 mA 固定
3
2
0
5
10
15
20
25
30
負荷電流 Io (mA)
14
35
40
45
50
MB39A108
・ラインレギュレーション
DC/DC コンバータ出力電圧 (V)
DC/DC コンバータ出力電圧-入力電圧特性
( ラインレギュレーション:出力フィードバック制御有 )
6
TVo1-2 (CH3) , TVo2-2 (CH5) = 5 V 設定
5
4
SVo1 (CH4) = 3.3 V 設定
3
DVo2 (CH2) = 2.5 V 設定
2
DVo1 (CH1) = 1.2 V 設定
1
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN (V)
DC/DC コンバータ出力電圧-入力電圧特性
( ラインレギュレーション:出力フィードバック制御無 )
DC/DC コンバータ出力電圧 (V)
17
16
TVo1-1 = 15 V 設定
15
TVo2-1 = 15 V 設定
14
13
12
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN (V)
DC/DC コンバータ出力電圧 (V)
DC/DC コンバータ出力電圧-入力電圧特性
( ラインレギュレーション:出力フィードバック制御無 )
−5
−6
−7
TVo2-3 =- 7.5 V 設定
−8
−9
−10
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN (V)
15
MB39A108
■ 部品選択方法
・ボード写真
P-ch MOS FET
ショットキーバリア
ダイオード
N-ch MOS FET
インダクタ (L1)
出力平滑コンデンサ
GND
PGND
VIN
D1
R35
150
R24
5
D4
C31
VD6
D6
C12
SC
3
C3
100
L5
Q7
KE
MCC
682
102
CTL
4
Q8
R34
D11
C22
GND6
D8
C16
R27
D7
VD9
R31
L6
R11
CH5
TVo2-1
C14
R8
CTLSW
5
000
0
6
6
CTL5
CTL
TVo2-2
C17
B
5
5
R9
8V
B
4
4
T2
8
1
VD7
C15
R30
3
3
D9
R10
VD8
Q9
R29
2
2
TVo2-3
C18
B
1
CTL4
CTL5
CH4
GND5
150
C11
CTL3
CTL4
出力平滑コンデンサ
KE
ON
1
CTL2
OFF
R65
Q12
SVo1
C13
0
R20
R22
R53
R51
R7
R26
C7
R4
L4
CH3
TVo1-1
R25
R54
102
4
Q5
CTL1
CTL3
GND4
C9
R28
000
B
8V
R5
183
301
0
R14
432
R32
153
243
R52
R58
R61
SC
3
C3
115
R37
R39
115
C27
R41
102
0
303
T1
8
1
VD4
C8
TVo1-2
B
103
FB4
Q6
R16
C10
0
C34 OUT5
JF
C29
OUT4
R60
D5
000
R21
103
R18
C33
102
R6
VD5
0
ショットキーバリアダイオード
GND3
C5
R17
OUT3
C32
R47
OUT2
CH2
トランス (T1)
DVo3
C6
D3
C24
FB5
20
CS4
303
R56
R62
R45
R59
R57
189
R64
CTL2
VD3
Q4
R3
M1
CS5
SW1
OFF
0
R15
D13
Q11
CTL1
GND2
L3
R19
R55
681
303
R46
R48
CS3
R49
R50
ICGND
R63
CT19
C35
FB3
C4
R23
VREF
C37
C36
CSCP
C30
202
MB39A108
0333 402
ES
C23
-INS
C3
R33
0
R38
CS2 FB1 CS1
VCCO
1
38
D2
000
D12
C25
0
FB2
R43
R2
DVo2
VD2
JS
OUT1-2
R36
153
R40
R42
C28
R44
CH1
GND1
L2
Q3
C26
VCC
KE
Q2
0
DVo1
C2
SC
3
C3
000
OUT1-1
R13
VD1
JS
C1
インダクタ (L2)
L1
Q1
0
100
R12
R1
D10
C20
SVo2
L7
C21
出力平滑コンデンサ
Q10
C19
GND7
インダクタ
(L4)
Nch MOS FET
インダクタ トランス
(T2)
(L5)
Board Photograph
16
ショットキーバリアダイオード
MB39A108
• CH1:1.2 V 出力 ( 降圧方式 )
VIN (Max) = 5 V, Io = 500 mA, fosc = 1000 kHz
1. P-ch MOS FET (MCH3317 (SANYO 製 ) )
VDS =- 12 V, VGS =± 10 V, ID =- 1.5 A, RDS (ON) = 290 mΩ (Max) , Qg = 2.6 nC
N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) )
VDS = 20 V, VGS =± 10 V, ID = 1.8 A, RDS (ON) = 210 mΩ (Max) , Qg = 4.5 nC
ドレイン電流:ピーク値
FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。
FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。
メイン側
VIN - Vo
tON
ID ≧ IO +
2L
5 - 1.2
1
×
× 0.24
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 0.5 +
≧ 545.6 mA
VO と tON は下記の式で求められます。
tON
Vo = VIN ×
t
tON = t ×
Vo
=
VIN
1
×
fosc
Vo
VIN
同期整流側
Vo
2L
ID ≧ Io +
≧ 0.5 +
tOFF
1.2
1
×
× (1 - 0.24)
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 545.6 mA
ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧
FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。
FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。
メイン側
VDS ≦- VIN (Max)
≦- 5 V
VGS ≦- VIN (Max)
≦- 5 V
同期整流側
VDS ≧ VIN (Max)
≧5V
VGS ≧ VIN (Max)
≧5V
17
MB39A108
2. インダクタ (L1:RLF5018T-100MR94:TDK 製 )
10 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 0.94 A
使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。
L≧
≧
VIN - Vo
2Io
5 - 1.2
2 × 0.5
tON
×
1
× 0.24
1000 × 103
≧ 0.91 µH
連続電流条件になる負荷電流値
Io ≧
≧
Vo
tOFF
2L
1.2
1
×
× (1 - 0.24)
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 45.6 mA
インダクタ電流:ピーク値
インダクタ電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
インダクタ電流のピーク値を IL とすると , IL は下記の式で求められます。
IL ≧ Io +
≧ 0.5 +
VIN - Vo
2L
tON
5 - 1.2
1
×
× 0.24
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 545.6 mA
インダクタ電流:ピークピーク値
インダクタ電流のピークピーク値を ∆IL とすると , ∆IL は下記の式で求められます。
∆IL =
=
VIN - Vo
L
5 - 1.2
1
×
× 0.24
10 × 10 - 6
1000 × 103
≒ 91.2 mA
18
tON
MB39A108
• CH2:2.5 V 出力 ( 降圧方式 )
VIN (Max) = 5 V, Io = 250 mA, fosc = 1000 kHz
1. P-ch MOS FET (MCH3317 (SANYO 製 ) )
VDS =- 12 V, VGS =± 10 V, ID =- 1.5 A, RDS (ON) = 290 mΩ (Max) , Qg = 2.6 nC
ドレイン電流:ピーク値
FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。
FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。
VIN - Vo
2L
ID ≧ Io +
≧ 0.25 +
tON
5 - 2.5
1
×
× 0.5
2 × 15 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 291.7 mA
VO と tON は下記の式で求められます。
tON
Vo = VIN ×
t
tON = t ×
Vo
=
VIN
1
×
fosc
Vo
VIN
ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧
FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。
FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。
VDS ≦- VIN (Max)
≦- 5 V
VGS ≦- VIN (Max)
≦- 5 V
2. インダクタ (L2:RLF5018T-150MR76:TDK 製 )
15 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 0.76 A
使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。
L≧
≧
VIN - Vo
2Io
tON
5 - 2.5
1
×
× 0.5
2 × 0.25
1000 × 103
≧ 2.5 µH
連続電流条件になる負荷電流値
Io ≧
≧
Vo
tOFF
2L
2.5
1
×
× (1 - 0.5)
2 × 15 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 41.7 mA
19
MB39A108
インダクタ電流:ピーク値
インダクタ電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
インダクタ電流のピーク値を IL とすると , IL は下記の式で求められます。
IL ≧ Io +
VIN - Vo
2L
≧ 0.25 +
tON
5 - 2.5
1
×
× 0.5
2 × 15 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 291.7 mA
インダクタ電流:ピークピーク値
インダクタ電流のピークピーク値を ∆IL とすると , ∆IL は下記の式で求められます。
∆IL =
=
VIN - Vo
L
tON
5 - 2.5
15 × 10 - 6
×
1
× 0.5
1000 × 103
≒ 83.3 mA
3. ショットキーバリアダイオード (SBS004:SANYO 製 )
VRRM ( 繰返しピーク逆電圧 ) = 15 V, IF ( 平均出力電流 ) = 1.0 A, IFSM ( サージ順電流 ) = 10 A, VF ( 順電圧 ) = 0.35 V
ダイオード電流:ピーク値
ダイオード電流のピーク値はダイオードの定格電流値内である必要があります。
ダイオード電流のピーク値を IFSM とすると IFSM は下記の式で求められます。
Vo
2L
IFSM ≧ Io +
tOFF
2.5
1
×
× (1 - 0.5)
1000 × 103
2 × 15 × 10 - 6
≧ 0.25 +
≧ 291.7 mA
ダイオード電流:平均値
ダイオード電流の平均値はダイオードの定格電流値内である必要があります。
ダイオード電流の平均値を IF とすると IF は下記の式で求められます。 IF ≧ Io ×
tOFF
t
≧ 0.25 × (1 - 0.5)
≧ 125 mA
繰返しピーク逆電圧
ダイオードの繰返しピーク逆電圧はダイオードの定格電圧値内である必要があります。
ダイオードの繰返しピーク逆電圧を VRRM とすると VRRM は下記の式で求められます。
VRRM ≧ VIN (Max)
≧ 5V
20
MB39A108
• CH3:( トランス方式 )
VIN (Max) = 5 V,
TVo1-1 = 15 V, TIo1-1 = 10 mA
VIN (Min) = 2.5 V, TVo1-2 = 5 V, TIo1-2 = 50 mA
{
1. P-ch MOS FET (MCH3306:SANYO 製 )
VDS =- 20 V, VGS =± 10 V, ID =- 2 A, RDS (ON) = 145 mΩ (Max) , Qg = 10 nC
FET のドレイン電流の定格は 0.31 A 以上である必要があります。
また , FET のドレイン・ソース電圧の定格は 11 V 以上である必要があります。
2. ショットキーバリアダイオード (SB05-05CP:SANYO 製 )
VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) = 50 V, IF ( 平均出力電流 ) = 500 mA, IFSM ( サージ順電流 ) = 5 A
ダイオードの定格は , それぞれ , VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) = 27 V, IF ( 平均出力電流 ) = 50 mA,
IFSM ( サージ順電流 ) = 0.3 A 以上である必要があります。
21
MB39A108
• CH4:3.3 V 出力 (Sepic 方式 )
VIN = 2.5 V ~ 5 V, Io = 500 mA, fosc = 1000 kHz
1. N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) )
VDS = 20 V, VGS =± 10 V, ID = 1.8 A, RDS (ON) = 210 mΩ (Max) , Qg = 4.5 nC
ドレイン電流:ピーク値
FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。
FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。
ID ≧
≧
VO + VIN (Min)
1
× Io +
VIN (Min)
2
3.3 + 2.5
× 0.5 +
2.5
1
2
1
1
+
L4
L5
× VIN (Min) × tON
1
1
+
10 × 10 - 6
15 × 10 - 6
× 2.5 ×
1
× 0.57
1000 × 103
≧ 1.279 A
VO と tON は下記の式で求められます。
tON
Vo = VIN ×
tOFF
tON = t ×
=
Vo
VIN + VO
1
×
fosc
Vo
VIN + VO
ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧
FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。
FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。
VDS ≧ VIN (Max) + Vo
≧ 5 + 3.3
≧ 8.3 V
VGS ≧ VIN (Max)
≧ 5V
2. インダクタ (L4:RLF5018T-100MR94:TDK 製 )
10 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 0.94 A
使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。
L≧
≧
VIN (Max) 2
2IoVO
52
1
×
× 0.57
2 × 0.5 × 3.3
1000 × 103
≧ 4.3 µH
22
× tON
MB39A108
連続電流条件になる負荷電流値
Io ≧
≧
VIN (Max) 2
2LVO
× tON
52
1
×
× 0.57
2 × 10 × 10 - 6 × 3.3
1000 × 103
≧ 216 mA
(注意事項)L5 の IO といずれか大きい値にて連続電流条件になります。
IL 電流:ピーク値
IL 電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
IL 電流は下記の式で求められます。
IL ≧
≧
Vo
VIN (Min)
IO +
× tON
VIN (Min)
2L
3.3
2.5
× 0.5 +
2.5
1
×
× 0.57
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 731 mA
3. インダクタ (L5:RLF5018T-150MR76:TDK 製 )
15 µH ( 許容差± 20%) , 定格電流= 0.76 A
使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。
L≧
≧
VIN (Max)
2Io
× tON
5
1
×
× 0.57
2 × 0.5
1000 × 103
≧ 2.9 µH
連続電流条件になる負荷電流値
Io ≧
≧
VIN (Max)
2L
× tON
5
1
×
× 0.57
2 × 10 × 10 - 6
1000 × 103
≧ 143 mA
(注意事項)L4 の IO といずれか大きい値にて連続電流条件になります。
IL 電流:ピーク値
IL 電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。
IL 電流は下記の式で求められます。
IL ≧ Io +
≧ 0.5 +
VIN (Max)
× tON
2L
5
1
×
× 0.57
1000 × 103
2 × 15 × 10 - 6
≧ 595 mA
23
MB39A108
4. ショットキーバリアダイオード (SBS004:SANYO 製 )
VRRM ( 繰返しピーク逆電圧 ) = 15 V, IF ( 平均出力電流 ) = 1.0 A, IFSM ( サージ順電流 ) = 10 A, VF ( 順電圧 ) = 0.35 V
ダイオード電流:ピーク値
ダイオード電流のピーク値はダイオードの定格電流値内である必要があります。
ダイオード電流のピーク値を IFSM とすると , IFSM は下記の式で求められます。
IFSM ≧
≧
VO + VIN (Min)
1
× Io +
VIN (Min)
2
3.3 + 2.5
× 0.5 +
2.5
1
2
1
1
+
L4
L5
× VO × tOFF
1
1
+
10 × 10 - 6
15 × 10 - 6
× 3.3 ×
1
× (1 - 0.57)
1000 × 103
≧ 1.279 A
ダイオード電流:平均値
ダイオード電流の平均値はダイオードの定格電流値内である必要があります。
ダイオード電流の平均値を IF とすると IF は下記の式で求められます。
IF ≧ Io
≧ 0.5 A
繰返しピーク逆電圧
ダイオードの繰返しピーク逆電圧はダイオードの定格電圧値内である必要があります。
ダイオードの繰返しピーク逆電圧を VRRM とすると , VRRM は下記の式で求められます。 VRRM ≧ VIN (Max) + Vo
≧ 5 + 3.3
≧ 8.3 V
24
MB39A108
• CH5:( トランス方式 )
VIN (Max) = 5 V,
TVo2-1 = 15 V,
TIo2-1 = 10 mA
VIN (Min) = 2.5 V, TVo2-2 = 5 V,
TIo2-2 = 50 mA
TVo2-3 =- 7.5 V, TIo2-3 = - 5 mA
{
1. N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) )
VDS = 20 V, VGS =± 10 V, ID = 1.8 A, RDS (ON) = 210 mΩ (Max) , Qg = 4.5 nC
FET のドレイン電流の定格は 0.33 A 以上である必要があります。
また , FET のドレイン・ソース電圧の定格は 11 V 以上である必要があります。
2. ショットキーバリアダイオード (SB05-05CP:SANYO 製 )
VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) = 50 V, IF ( 平均出力電流 ) = 500 mA, IFSM ( サージ順電流 ) = 5 A,
ダイオードの定格はそれぞれ , VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) = 27 V, IF ( 平均出力電流 ) = 50 mA,
IFSM ( サージ順電流 ) = 0.3 A 以上である必要があります。
25
MB39A108
■ オーダ型格
26
EV ボード型格
EV ボード版数
MB39A108EVB-01
MB39A108EVBoard Rev1.0
備 考
MB39A108
MEMO
27
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〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル
http://jp.fujitsu.com/fml/
お問い合わせ先
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本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも
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どについては , 当社はその責任を負いません。
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本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい
ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を
伴う用途(原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵
器システムにおけるミサイル発射制御をいう), ならびに極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器 , 宇宙衛星をいう)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用
されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。
半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ
う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き
をおとりください。
本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。
編集 販売戦略部
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