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本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
VCOM レギュレータ付
LCD パネル用 5ch システム電源 IC
ASSP 電源用
MB39A302
Data Sheet (Full Production)
Publication Number MB39A302-DS405-00005
CONFIDENTIAL
Revision 1.1
Issue Date January 31, 2014
D a t a S h e e t
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CONFIDENTIAL
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
VCOM レギュレータ付
LCD パネル用 5ch システム電源 IC
ASSP 電源用
MB39A302
Data Sheet (Full Production)
 概要
MB39A302 は、5ch システム電源 IC です。1ch 降圧コンバータ, 1ch 昇圧コンバータ, 2ch チャージ
ポンプ, 1ch LDO, VCOM キャリブレーション用オペアンプおよびゲート電圧シェーピング回路か
ら構成されています。降圧コンバータは、スイッチング FET 内蔵の電圧モード非同期コンバータ
です。昇圧コンバータは、スイッチング FET 内蔵の電圧モード制御です。大型 LCD パネルの電源
に最適です。
 特長

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

電源電圧範囲 (VIN = VINVL = VIN2)
SW FET 内蔵昇圧コンバータ (Vs)
SW FET 内蔵降圧コンバータ (Vlogic)
出力フィードバックあり反転チャージポンプ (VGL)
出力フィードバックあり昇圧チャージポンプ (VGH)
低ドロップアウトレギュレータ (Vref_o)
高性能オペアンプ (VCOM)
: 8V ~ 14V
: 出力 最大 20V, 最大 1.5A
: 出力 1.8V ~ 3.3V, 最大 1.1A
: 出力電流 最大 250mA
: 出力電流 最大 250mA
: 出力電流 最大 60mA
: 出力電流 最大±75mA,
20MHz ゲイン帯域幅
フィードバックスレッショルド電圧
: 1.25V±1% (Vs)
: 1.25V±1% (Vlogic)
: 0.25V±40mV (VGL)
: 1.25V±2% (VGH)
: 1.25V±0.5% (Vref_o)
負荷に依存しないソフトスタート回路内蔵 (Vs プログラム可能, Vlogic, VGL, VGH)
フィードフォワード方式による優れたラインレギュレーション (Vs, Vlogic)
出力過電圧保護機能内蔵 (Vs, Vlogic)
出力低電圧および短絡保護機能内蔵 (Vs, Vlogic, VGL, VGH)
電流制限保護機能内蔵 (Vs プログラム可能, Vlogic, Vref_o, OPO)
Vs シーケンス用外部 p チャネルゲート制御機能内蔵
調整可能な電源投入遅延機能付ゲート電圧シェーピング回路内蔵
低電圧誤動作防止機能内蔵
過熱保護機能内蔵
選択可能なスイッチング周波数 (500kHz/750kHz)
パッケージ: QFN-48 放熱パッド
 アプリケーション
テレビおよびモニタの LCD パネル用電源
Publication Number MB39A302-DS405-00005
Revision 1.1
Issue Date January 31, 2014
本書には、弊社製品に関する最新の技術仕様が記載されています。Spansion Inc.は、本製品の量産体制に入っており、本書の次のバージョンでは大きな変更はない見込みで
す。ただし、誤字や仕様の訂正、あるいは提供中の有効な組み合わせに関する変更が生じる可能性はあります。
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D a t a S h e e t
 端子配列図
DLY1
FBP
VGH
VGHM
DRN
SUPN
DRVN
GND
FBN
REF
VREF_FB
VREF_O
(TOPVIEW)
48 47 46 45 44 43 42 41 40 39 38 37
VREF_I 1
36 DRVP
VOP 2
35 CPGND
OGND 3
34 SUPP
OPP 4
33 THR
OPN 5
32 COMP
OPO 6
31 FB1
XAO 7
30 GD
GVOFF 8
29 GD_I
EN 9
28 PGND
FB2 10
27 PGND
OUT 11
26 LX1
GND 12
25 LX1
SS
CLIM
FSEL
VL
INVL
VDET
GND
IN2
IN2
BST
LX2
LX2
13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
(LCC-48P-M11)
2
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MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 端子機能説明
ブロック
Vs
(昇圧 DC/DC)
Vlogic
(降圧 DC/DC)
VGL
(反転チャージ
ポンプ)
VGH
(昇圧チャージ
ポンプ)
ゲート電圧
シェーピング
Vref_o (LDO)
VCOM
(OPAMP)
その他
制御端子
電源
端子
番号
端子
記号
23
24
25
26
29
30
31
32
10
11
13
14
15
42
43
45
46
36
34
38
39
40
41
8
CLIM
SS
LX1
LX1
GD_I
GD
FB1
COMP
FB2
OUT
LX2
LX2
BST
SUPN
DRVN
FBN
REF
DRVP
SUPP
FBP
VGH
VGHM
DRN
GVOFF
I/O
O
O
I
O
O
O
I
I
I/O
I/O
I
33
THR
I
37
47
48
4
5
6
21
7
9
19
22
1
2
16
17
20
27
28
35
44
3
12
18
DLY1
VREF_FB
VREF_O
OPP
OPN
OPO
VL
XAO
EN
VDET
FSEL
VREF_I
VOP
IN2
IN2
INVL
PGND
PGND
CPGND
GND
OGND
GND
GND
I
I
O
I
I
O
O
O
I
I
I
I
I
I
I
I
-
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
機能説明
I/O
I
I
昇圧コンバータ電流制限設定用端子
昇圧コンバータソフトスタートタイミング制御端子
O
昇圧コンバータインダクタ接続用端子
I
O
I
O
I
I
外部分離 PMOS ソース端子接続および VGH 電源端子
外部分離 PMOS ゲート端子接続端子
昇圧コンバータ誤差アンプ入力端子
昇圧コンバータ周波数補償端子
降圧コンバータ誤差アンプ入力端子
降圧コンバータレギュレータ出力センス端子
O
降圧コンバータインダクタ接続用端子
降圧コンバータゲート駆動ブート端子
VGL 電源デカップリングコンデンサ接続端子
VGL 外部ポンピングコンデンサ接続端子
VGL 誤差アンプ入力端子
基準電圧出力端子
VGH 外部ポンピングコンデンサ接続端子
VGH 電源デカップリングコンデンサ接続端子
VGH 誤差アンプ入力端子
ゲートシェーピング回路用高電圧入力端子
ゲート電圧シェーピング回路出力端子
ゲート電圧シェーピング放電スロープ調整端子
ゲート電圧シェーピング回路制御端子
ゲート電圧シェーピング回路出力下限制御端子
(10xTHR)
ゲート電圧シェーピング回路用遅延時間制御端子
LDO フィードバック入力端子
LDO 出力端子
VCOMP OPAMP 非反転入力端子
VCOMP OPAMP 反転入力端子
VCOMP OPAMP 出力端子
内部 5.2V レギュレータ出力端子
電源検出回路のオープンドレイン出力
定格 5.2V の昇圧コンバータイネーブル端子
電源検出入力端子
スイッチング周波数選択端子
VREF LDO 電源端子
VCOMP OPAMP 電源端子
降圧コンバータおよび VGL 電源端子
降圧コンバータおよび VGL 電源端子
共通および内部 5.2V レギュレータ電源端子
高電流昇圧 GND 端子
VGH GND 端子
アナログ GND 端子
VCOM オペアンプ GND 端子
アナログ GND 端子
アナログ GND 端子
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D a t a S h e e t
 入出力端子等価回路図
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MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
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D a t a S h e e t
 ブロックダイヤグラム
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 機能説明
CH1 (Vs) : 昇圧コンバータ
昇圧コンバータは、内蔵の NMOS スイッチング FET により周波数固定型パルス幅変調 (PWM)を
制御します。スイッチング周波数は、FSEL 端子で 500kHz または 750kHz に設定可能です。コン
バータは、外部にショトキダイオードを付けることで非同期昇圧コンバータとして動作します。
入力フィードフォワード方式の電圧モード制御により、ラインレギュレーションが優れています。
また、コンバータは外部の位相補償により設計されており、外部部品の値の選択に自由度を持た
せています。LX1 端子と GD_I 端子間には外部のショットキダイオードと並列で動作する 18Ω の
オン抵抗の PMOS スイッチが接続されています。高負荷電流では、インダクタを流れる電流のほ
とんどが外部のショットキダイオードを流れます。軽負荷では、PMOS スイッチは逆方向のイン
ダクタ電流を流す経路となります。このため、コンバータはほとんどの負荷電流範囲で電流連続
モードとなり、位相補償方法が簡単になります。
ソフトスタート (昇圧コンバータ)
内蔵のソフトスタート回路は電源投入時の突入電流を制限します。ソフトスタートサイクルは EN
アサート後に開始し、持続時間は SS 端子に接続されたコンデンサにより設定できます。
(1) SS 端子のコンデンサの値 > 220pF の場合、ソフトスタート時間は外部で設定されます。
チャージ電流は 5μA, トリガスレッショルドは 1.25V です。
(2) SS 端子のコンデンサの値 < 220pF, または SS 端子が開放されている場合、ソフトスタート時
間は内部で 10ms に固定されます。
保護機能 (昇圧コンバータ)
昇圧コンバータは過電圧保護機能を内蔵しており、FB1 端子の開放またはグランドへの短絡など
に起因する過電圧による MB39A302 への損傷を未然に防ぎます。保護回路は昇圧コンバータの出
力電圧を GD_I 端子で監視し、GD_I 端子電圧が 21.5V を越すと LX1 端子に接続されている NMOS
パワーFET を停止させます。この結果、インダクタの電流が落ち始めるので、昇圧コンバータの
出力も落ちることになります。昇圧コンバータは、GD_I 端子の電圧が保護用スレッショルドを下
回ると通常の動作に戻ります。
昇圧コンバータは低電圧保護機能と短絡保護機能を内蔵しており、低電圧による MB39A302 への
損傷を未然に防ぎます。保護回路は昇圧コンバータの出力電圧を FB1 端子で監視し、FB1 端子電
圧が 1V を下回ると低電圧保護機能が起動し、50ms 後に NMOS パワーFET を停止します。短絡保
護機能は、FB1 端子電圧が 0.5V を下回ると起動し、直ちに NMOS パワーFET が停止します。
また、過電流保護機能があり、出力電流が上昇した際に出力電流を制限し、外部コンポーネント
を保護します。CLIM 端子に接続する抵抗により調整が可能です。
ゲート駆動端子 (GD)
GD 端子電圧は、EN 端子アサート後に低下を開始(10μA (標準))します。GD 端子電圧が外部 PMOS
のスレッショルドを下回ると、外部 PMOS が ON します。GD 端子電圧が GD_I 端子電圧-6V にな
ると、昇圧コンバータのソフトスタートを開始します。GD 端子には起動 SCP 保護機能が内蔵さ
れています。昇圧コンバータ出力が電源起動時に GND とショート状態にある場合に機能し、外部
PMOS の破壊を防ぎます。この機能を使用しない場合は、GD を高インピーダンスのままにしてお
き、GD_I を昇圧コンバータの出力に接続します。
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D a t a S h e e t
CH2 (Vlogic): 降圧コンバータ
降圧コンバータは、NMOS スイッチング FET 内蔵の周波数固定型 PWM 制御非同期コンバータで
す。入力フィードフォワード方式の電圧モード制御により、ラインレギュレーションが優れてい
ます。内蔵 NMOS FET は定格 3.2A(標準)で、LX2 端子(NMOS FET のソース端子)を基準とした
ゲート駆動回路を構成しています。ゲート駆動回路は、IC 内部のレギュレータから電力供給され、
BST 端子-LX2 端子間に外部接続するブーストコンデンサを充電します。
ソフトスタート (降圧コンバータ)
内蔵のソフトスタート回路は電源投入時の突入電流を制限します。電源アサート後にソフトス
タートを開始し、持続時間は IC 内部で 3ms(標準)に設定されています。
保護機能 (降圧コンバータ)
降圧コンバータは過電圧保護機能を内蔵しており、FB2 端子の開放またはグランドへの短絡など
の故障状態による過電圧に起因する MB39A302 の損傷を未然に防ぎます。保護回路は降圧コン
バータの出力電圧を OUT 端子で監視し、OUT 端子電圧が 3.7V を越すと LX2 端子に接続されてい
る NMOS パワーFET を停止させます。この結果、インダクタの電流が低下し、降圧コンバータの
出力を低下させます。OUT 端子の電圧が保護用スレッショルドを下回ると、降圧コンバータは通
常の動作に戻ります。
降圧コンバータは低電圧保護機能と短絡保護機能を内蔵しており、低電圧による MB39A302 の損
傷を未然に防ぎます。保護回路は降圧コンバータの出力電圧を FB2 端子で監視し、FB2 端子電圧
が 1V を下回ると低電圧保護機能が起動し、50ms 後に NMOS パワーFET を停止します。短絡保護
機能は、FB2 端子電圧が 0.5V を下回ると起動し、直ちに NMOS パワーFET を停止します。
また、過電流保護機能があり、出力電流が上昇した際に出力電流を制限し、外部コンポーネント
を保護します。
CH3 (VGL): 反転チャージポンプ
反転チャージポンプは固定スイッチング周波数制御です。出力電圧は FBN 端子に接続する出力設
定抵抗で設定します。レギュレーションの調整はドライバ内のポンプ電流を制御して行います。
チャージポンプには外付けのダイオード, ポンプコンデンサ, 出力コンデンサが必要です。チャー
ジポンプとドライバの入力（SUPN 端子）は CH2 電源入力(IN2 端子)に接続されています。最大出
力負電圧は-VIN+Vloss となります。Vloss は外部ダイオードとゲートドライバでの電圧降下分を含
みます。より大きな負電圧が必要な場合は、チャージポンプを追加できます。
保護機能 (反転チャージポンプ)
反転チャージポンプは低電圧保護機能と短絡保護機能を内蔵しています。保護回路はチャージポ
ンプの出力電圧を FBN 端子で監視し、REF-FBN 端子電圧が 0.8V を下回ると低電圧保護機能が起
動し、50ms 後にパワーFET が停止します。短絡保護機能は、REF-FBN 端子電圧が 0.4V を下回る
と起動し、直ちにパワーFET が停止します。
CH4 (VGH): 昇圧チャージポンプ
昇圧チャージポンプは固定スイッチング周波数制御です。出力電圧は FBP 端子に接続する出力設
定抵抗で設定します。レギュレーションの調整はドライバ内のポンプ電流を制御して行います。
チャージポンプには外付けのダイオード, ポンプコンデンサ, 出力コンデンサが必要です。チャー
ジポンプの入力は Vs (昇圧コンバータ出力)または、VIN(電源端子), Vlogic(降圧コンバータ出力)
等に接続してください。チャージ中、ポンプコンデンサはこの電圧にチャージされます。ドライ
バへの電源(SUPP 端子)は IC 内部で GD_I 端子に接続されています。最大出力電圧は VSUPP+
チャージポンプ入力電圧-Vloss です(ダブラ構成時の場合)。Vloss は外部ダイオードとゲートドラ
イバでの電圧降下分を含みます。チャージポンプ段を追加して出力電圧を上げられます。
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D a t a S h e e t
保護機能 (昇圧チャージポンプ)
昇圧チャージポンプは低電圧保護機能と短絡保護機能を内蔵しています。保護回路はチャージポ
ンプの出力電圧を FBP 端子で監視し、FBP 端子電圧が 1V を下回ると低電圧保護機能が起動し、
50ms 後にパワーFET が停止します。短絡保護機能は、FBP 端子電圧が 0.5V を下回ると起動し、
直ちにパワーFET が停止します。
CH5 (Vref_o):低ドロップアウトレギュレータ (LDO)
内蔵の低ノイズ低ドロップアウトレギュレータ(LDO)は、60mA 電流能力で使用できます。LDO の
損傷を未然に防ぐ過電流保護回路を内蔵しています。この LDO は、1μF ~ 10μF の出力セラミック
コンデンサを使用してください。
CH6 (OPO): VCOMオペアンプ
内蔵の低入力オフセット電圧オペアンプ (OP アンプ)は、±75mA 電流能力で使用できます。出力
に直列で接続する 3Ω ~ 10Ω の抵抗と 1μF ~ 150μF の出力コンデンサを使用してください。また、
±200mA (標準)の過電流保護機能があります。
ゲート電圧シェーピング
ゲート駆動信号の立下りエッジを制御する機能は、LCD 表示のちらつきを減らすために不可欠で
す。ゲート電圧シェーピング回路は、VGH (CH4 出力)を入力電圧に使用し、ゲート駆動信号用の
タイミング制御とスルーレート制御を行います。
IC 起動時、VGHM 出力は VDET 端子電圧が上昇し、XAO 端子: OPEN となるまで"L"レベルにな
ります。その後、VGH (CH4 出力)電圧が起動完了し、かつ DLY1 端子の電圧が 1.25V (標準)に達す
ると起動します。VGHM 出力は GVOFF 端子に入力された論理レベルに従い、H: VHG 端子入力電
圧, L: THR 端子電圧×10 倍になります。IC 停止時、VDET 端子電圧が低下し、XAO が L レベルに
なると VGHM 出力は VGH 端子電圧になります。
XAO
XAO はオープンドレイン出力で、外部抵抗を通して Vlogic に接続します。VLOGIC と VGL が出
力電圧設定値の 90%に達し、かつ VDET 端子が 1.30V (標準)に達すると XAO 出力: OPEN (VLOGIC
電圧)になります。VDET 電圧が低下し、1.25V (標準)に達すると XAO 出力: "L"になります。
共通ブロック
低電圧時誤動作防止機能(UVLO)
MB39A302 は INVL 端子電圧が 6V を下回ると停止してデバイスの誤動作を防ぎます。
過熱保護機能
接合部の温度が+150°C (標準)を超えると、各 CH のスイッチングを停止させます。
接合部の温度が+130°C (標準)まで下がると再び起動を開始します。
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D a t a S h e e t
 電源立上げシーケンス
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 電源立下げシーケンス
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 絶対最大定格
項目
電源電圧
記号
VDD
VBOOT
AVDD
VLV_IN
入出力電圧
SW 電圧
SW ピーク電流
消費電力
保存温度
VLV_OUT
VHV_IN
VGL_OUT
VGH_OUT
VGH
VGS
VREFO
VOPP
VOPN
VOPO
SUPN
VGD
VLX
VLX
ILX
ILX
PD
TSTG
条件
IN2, INVL
BST
SUPP, VREF_I, VOP
CLIM, SS, FB1, FB2, FBN,
FBP, GVOFF, THR, DLY1,
VREF_FB, EN, VDET, OUT
COMP, REF, XAO, VL
FSEL
DRVN
DRVP
VGH
VGHM, DRN
VREF_O
OPP
OPN
OPO
SUPN
GD, GD_I
LX1
LX2
LX1 AC
LX2 AC
Ta  +85°C
-
定格値
最小
最大
単位
-0.3
-0.3
-0.3
+20
+25
+25
V
V
V
-0.3
+5.5
V
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-1
-1
-0.3
-0.3
-0.3
-2
-55
+5.5
+20
+20
+25
+40
+40
+20
+25
+25
+25
+20
+25
+25
+20
4.2
3.9
1.51
+125
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
*: 100mm × 100mm の 4 層基板に実装の場合 (2S2P JEDEC)。
θja: 26.5°CW-1, θjc:0.5°CW-1
＜注意事項＞ 絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを
破壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注
意ください。
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D a t a S h e e t
 推奨動作条件
項目
電源電圧
VIN
VBOOT
VSUP
VSS
VTHR
VILIM
VFB
入力電圧
VGD
VEN
VFSEL
VGH
VCOM
VXAO
VO1
VO2
VO3
VO4
出力電圧
VO5
VO6
VOX
IO1
IO2
IO3
IO4
IO4
IO5
出力電流
IO6
IO6
REF 端子出力電流
SW インダクタ
BOOT 端子コンデンサ
SUPP 端子コンデンサ
GD 端子コンデンサ
DRP, DRN 端子コンデンサ
IGD
IGDI
IDRVN
IDRVP
IREF
LX1
LX2
CBOOT
CSUPP
CGD1,
CGD2
CDRV
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CONFIDENTIAL
最小
規格値
標準
最大
8
8
0
0
0
12*1
-
14
19
20
5
5
5
V
V
V
V
V
V
0
-
5
V
0
0
0
0
0
0
-
17.7
3.3
-5.5
30
20
5
20
37
20
3.7
-
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
-
17
-
V
-
7.5
-
V
0
0
0
-0.25
-
0.1
0.1
5
1.5*2
1.1
0.25*3
0.25*4, 5
V
A
A
A
A
A
0.5
-
60
mA
-75
-
75
mA
-200
-
200
mA
-100
-500
-500
-50
0.01
-
10
6.8
10
0.10
1
100
500
500
0
1.00
-
µA
mA
mA
mA
A
H
H
F
F
GD
-
10
-
F
DRVP, DRVN
-
0.47
-
F
記号
条件
IN2, INVL, SUPN
BST
SUPP, VREF_I, VOP
SS, DLY1
THR
CLIM
FB1, FB2, FBN, FBP,
VREF_FB, OUT
GD, GD_I
EN, GVOFF
FSEL
VGH
OPP, OPN
VDET
VS:昇圧 DC/DC
VLOGIC:降圧 DC/DC
VGL
VGH, VGHM
VREF_O:LDO
(Io = 1mA ~ 60mA)
OPO:Opamp
(Io = 1mA ~ 25mA)
XAO
VS: 昇圧 DC
VLOGIC: 降圧 DC
VGL DC
DRN Peak
VGH DC
Vref DC:
VREF_O
VCOMP DC:
OPO
VCOMP AC:
OPO
GD
GD_I (軽負荷)
DRVN
DRVP
REF
LX1
LX2
BST
SUPP
単位
13
D a t a S h e e t
項目
SUPN 端子コンデンサ
REF 端子コンデンサ
VL 端子コンデンサ
INVL 端子コンデンサ
VREFI 端子コンデンサ
VOP 端子コンデンサ
IN2 端子コンデンサ
CLIM 端子抵抗
VS 出力フィルタ
コンデンサ
VLOGIC 出力フィルタ
コンデンサ
VGL 出力フィルタ
コンデンサ
VGH 出力フィルタ
コンデンサ
VGHM 出力コンデンサ
LDO 出力フィルタ
コンデンサ
VCOMP 出力フィルタ
コンデンサ
VGHM 出力抵抗
VGHM 出力抵抗
VCOMP 出力フィルタ抵抗
チャージ/
放電サイクル周波数
放電期間
動作周囲温度
*1:
*2:
*3:
*4:
*5:
記号
CSUPN
CREF
CVL
CINVL
CVREFI
CVOP
CIN2
RCLIM
条件
SUPN
REF
VL
INVL
VREFI
VOP
IN2
CLIM
最小
規格値
標準
最大
10
60
1
1
1
1
1
1
40
-
70
-
F
F
F
μF
μF
μF
F
kΩ
単位
Cout1
VS: 昇圧 DC/DC
-
60
-
F
Cout2
VLOGIC: 降圧 DC/DC
-
2 × 10
-
F
Cout3
NCP
1
-
20
F
Cout4
PCP
0.47
-
10.00
F
Cscan
Rscan に直列
1
-
1000
nF
Cout5
VREF_O: LDO
1
4.7
10
F
Cout6
Rout に直列
1
10
150
F
Rscan
Rdrn
Rout6
VGHM 端子
DRN 端子
Cout に直列
200
3
1.61
-
3000
10
kΩ
Ω
Ω
40
-
70
kHz
Fscan
-
Tdscan
1
10
s
Ta
-30
+25
+85
°C
*性能は 12V±10%の範囲で保証されます。
最大電流は、OCP がトリガされていない場合のみ保証されます。
ILIM > Vo1 × Io1max/VIN + VIN × (Vo1 - VIN) /L/fosc/Vo1/2
この場合、VIN = 8V, Iomax = 1A, VIN = 10V, Iomax = 1.2A, VIN≧12V, Iomax = 1.5A
最大電流は VIN - |Vo3| > Rdsonmax (Hiside + Loside) × 2 × Imax + 2 × Vdiode+Imax/ (fosc × Cpump)の
場合にのみ保証されます (電圧 2 倍器の場合)。
Vo3 = -5.5V の場合: VIN > 12V, Iomax = 250mA, VIN = 10V, Iomax = 150mA, VIN = 8V, Iomax = 80mA
最大電流は 2 × Vo1 - Vo4 > Rdsonmax (Hiside + Loside) × 2 × Imax + 2 × Vdiode + Imax/ (fosc ×
Cpump)の場合にのみ保証されます (電圧 2 倍器の場合)。
Vo1 = 17.7V の場合: Iomax = 150mA
最大電流は VIN + 2 × Vo1 - Vo4 > Rdsonmax (Hiside + Loside) × 4 × Imax + 4 × Vdiode + 3 × Imax/
(fosc × Cpump)の場合にのみ保証されます (電圧 3 倍器の場合)。
＜注意事項＞ 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格
値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してくださ
い。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証して
いません。記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門
までご相談ください。
14
CONFIDENTIAL
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 電気的特性
項目
REF 部
[REF]
REF 出力電圧
REF 負荷
レギュレーション
INVL UVLO
スレッショルド
低電圧誤 INVL
動作防止 ヒステリシス幅
VL UVLO
回路部
[UVLO] スレッショルド
VL
ヒステリシス幅
過熱
停止温度
保護部
[OTP]
ヒステリシス幅
制御部
入力電圧
[CTL]
スレッショルド
EN プルダウン抵抗
FSEL
プルアップ電流
全
デバイス
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
REF
46
IREF = 0mA
-2%
1.25
+2%
V
REF
UVLOIN
16, 17
UVLOVL
21
VLHYS
21
TOTPH
-
TOTPHYS
-
VIH
VIL
REN
IFSEL
INVL+IN2
静止電流
IQ
INVL+IN2
スタンバイ電流
ISB
出力周波数
fosc
VL 出力電圧
VL
VL ロード
レギュレーション
VL
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
0 < IREF < 50μA
16, 17 INVL =
INHYS
発振器部
VL
レギュ
レータ
[VL]
46
VL =
T ジャンクション
EN, GVOFF, FSEL
8, 9, 22
オン
EN, GVOFF, FSEL
8, 9, 22
オフ
EN 端子
9
22
FSEL 端子
FB1 = FBP = 1.5V,
FBN = 0, EN = VL,
16, 17, FSEL = H
20
(LX2 スイッチン
グのみ)
FB1 = FB2 =
FBP = 1.5V,
16, 17, FBN = 0, EN = VL,
FSEL = H
20
(スイッチングな
し)
13, 14, FSEL = “H”
25, 26,
36, 43 FSEL = “L”
21
IL = 0mA
21
0 < IVL < 30mA
-
-
15
mV
5.3
6
6.7
V
-
0.5
-
V
3
3.4
3.8
V
-
0.5
-
V
-
150*
-
°C
-
20*
-
°C
2
-
-
V
-
-
0.9
V
-
800
-
k
1.4
2.4
4.0
μA
-
5
-
mA
-
4
-
mA
630
750
870
kHz
420
500
580
kHz
4.9
5.2
5.5
V
-
-
300
mV
15
D a t a S h e e t
項目
ライン
レギュレーション
ロード
レギュレーション
スレッショルド電圧
入力バイアス電流
SW NMOS-Tr
オン抵抗
SW PMOS-Tr
オン抵抗
VS
[昇圧
DC/DC]
29, 34
Vload1
29, 34
VTH1
IB1
31
31
25, 26,
27, 28
25, 26,
29
RON1
RON1
ILEAK1
29
SW NMOS-Tr
リーク電流
ILEAK1
25, 26
ILIM1
25, 26
Vuvp1
31
Td, uvp1
-
Vovp1
34
Vscp1
31
出力 OCP
スレッショルド
出力 UVP
スレッショルド
出力 UVP
遅延時間
出力 OVP
スレッショルド
出力 SCP
スレッショルド
GD クランプ電圧
GD 放電電流
CONFIDENTIAL
Vline1
SW PMOS-Tr
リーク電流
ソフトスタート
時間
16
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
Tss1
VGD1
IGD1
VIN = 10.8V ~
13.2V
Io1 = 150mA ~
1.5A
FB1
FB1 = 0V
LX1 = 500mA
VGS = 5V
GD_I = -200mA
VGS = 5V
EN = 0V
GD_I = 15V
LX1 = 0V
EN = 0V
LX1 = 15V
LX1,
RCLIM > 60kΩ
[昇圧 DC/DC]
FB1
-
-
0.15
%/V
-1
-
+1
%/A
-1%
-100
1.25
0
+1%
100
V
nA
-
120
185
mΩ
-
18
36
Ω
-
-
10
A
-
-
10
A
2.8 3.5 4.2 60.5k/ 60.5k/ 60.5k/
RCLIM RCLIM RCLIM
A
0.96
1
1.04
V
42
50
58
ms
SUPP
21
21.5
22
V
FB1
0.4
0.5
0.6
V
3.8
5
6
μA
-
10
-
ms
-7
4
-6
10
-5
16
V
A
-
SS: CSS > 220pF
SS チャージ電流
SS: CSS < 220pF
24
V (GD)V (GD_I) >
4V ~ 95%VO1
29, 30 V (GD) -V (GD_I)
30
GD
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
項目
ブートストラップ
出力
スレッショルド
電圧
入力バイアス電流
SW NMOS-Tr
(上側)オン抵抗
SW NMOS-Tr
(上側)リーク電流
OUT-Gnd
スイッチオン抵抗
出力 OVP
スレッショルド
出力 UVP
スレッショルド
出力 UVP
遅延時間
出力 OCP
スレッショルド
出力 SCP
スレッショルド
ロード
レギュレーション
ライン
レギュレーション
ソフトスタート
時間
スレッショルド
電圧
入力バイアス電流
SW NMOS-Tr
オン抵抗
SW PMOS-Tr
VGL
オン抵抗
[反転
出力 UVP
チャージ
スレッショルド
ポンプ]
出力 UVP
遅延時間
出力 SCP
スレッショルド
ソフトスタート
時間
Vlogic
[降圧
DC/DC]
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
VBST
15
FB2 = 5V
VTH2
10
IB2
10
13, 14,
16, 17
13, 14,
16, 17
RON2
ILEAK2
4.5
-
V
FB2
-1%
1.25
+1%
V
FB2 = 0V
LX2 = 0.2A
VGS = 5V
-100
0
+100
nA
-
200
300
mΩ
LX2 = 0V
-10
-
-
A
ROUT
11
OUT
70
125
210
kΩ
Vovp2
11
OUT DC
3.5
3.7
3.9
V
Vuvp2
10
FB2
0.96
1.00
1.04
V
Td, uvp2
-
42
50
58
ms
2.2
3.2
3.9
A
0.4
0.5
0.6
V
ILIM2
-
13, 14 LX2
Vscp2
10
FB2
Vload2
11
Io2 = 150mA ~
1.1A
-
-
0.5
%/A
Vline2
11
VIN: 10.8 ~ 13.2V
-
-
0.1
%/V
Tss2
10
0 ~ 99%VO2
-
3
-
ms
VTH3
45
FBN 端子
210
250
290
mV
IB3
45
FBN = 0V
-100
0
+100
nA
RON3
43, 44 Iout = 100mA
-
1.5
3
Ω
RON3
42, 43 Iout = 100mA
-
3.5
7
Ω
Vuvp3
45, 46 REF-FBN
0.768
0.800
0.832
V
-
42
50
58
ms
45, 46 REF-FBN
0.3
0.4
0.5
V
-
3
-
ms
Td, uvp3
Vscp3
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
-
Tss3
-
45
0 ~ 95% VO3
17
D a t a S h e e t
項目
VGH
スレッショルド
[昇圧
電圧
チャージ
GD_I
ポンプ]
入力電源電流
入力バイアス電流
SW NMOS-Tr
オン抵抗
SW PMOS-Tr
オン抵抗
出力 UVP
スレッショルド
出力 UVP 遅延時間
出力 SCP
スレッショルド
ソフトスタート
時間
VGH 電源電流
Rdson チャージ
Rdson 放電
VGHM-グランド
放電抵抗
VGHM
[ゲート
電圧
シェー
ピング]
CONFIDENTIAL
VTH4
38
IGDI
29
IB4
RON4
RON4
1.25
+2%
V
-
0.4
-
mA
-100
0
+100
nA
-
1.5
3
Ω
-
3.5
7
Ω
0.96
1
1.04
V
-
42
50
58
ms
45, 46 FBP 端子
0.4
0.5
0.6
V
-
3
-
ms
-
0.1
5
20
10
50
mA
Ω
Ω
10
14
20
kΩ
-
60
120
ns
-
280
500
ns
6
8
10
A
1.19
1.25
1.31
V
9.4
10
10.6
V/V
1.275
1.300
1.325
V
-
50
-
mV
-
-
0.4
V
-
-
100
nA
Td, uvp4
-
Vscp4
Tss4
IVGH
Rchg5
Rdis5
Rvghm
GVOFF-VGHM
立下り伝搬遅延
Tfall
Idly1
FBP
FBP = 1.5V
(スイッチング
なし)
FBP = 0V
38
25, 26
Iout = 100mA
27, 28
25, 26
Iout = 100mA
27, 28
38
Trise
DLY1 チャージ電流
DLY1 電圧
スレッショルド
-2%
Vuvp4
GVOFF-VGHM
立上り伝搬遅延
スライダ停止電圧
18
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
FBP 端子
90%VO1 ~
95%VO4
39
GVOFF = 0V
39, 40 Ichg = 100mA
40, 41 Idischg = 100mA
DLY1 = GND,
40
VGHM = 1V
RDRN = 1k,
VGHM 負荷なし,
8, 40 GVOFF 立上り
エッジは VGHM ×
0.2
RDRN = 1k,
VGHM 負荷なし,
8, 40 GVOFF 立下り
エッジは VGHM ×
0.8
37
38
Vdly1
37
-
Vslide5
33
RDRN = 1k,
Rscan = 1.6k,
Cscan = 1.3nF
VDET
スレッショルド
電圧
VDET
ヒステリシス
VDET
19
VDET
VDEThyst
19
VDET 端子
VDET 出力電圧
VXAO5
7
VDET 出力電流
IXAO
7
VDET = GND,
IXAO = 1mA
VDET = 1.5V,
VXAO = 3.3V
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
項目
VREF
[LDO]
VREF_I 電源電流
ライン
レギュレーション
ロード
レギュレーション
スレッショルド
電圧
ドロップアウト
電圧
電源変動除去比
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
負荷なし,
IREFI
1
0.15
mA
オープンループ,
VFB = 1.5V
VREF_I =
Vline5
48
0.02
%
13.5V ~ 20V
Vload5
48
Io = 1mA ~ 30mA
VTH5
47
VREF_FB
Vload5
48
PSRR5
48
Iscp5
48
出力 SCP
保護電流
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
IO = 60mA
VREF_I =
VREF_O
f = 50kHz/500kHz/
750kHz, Io = 10,
30mA, VREF_I =
Vo5 + 0.7V,
基準値は VREF_I
VREF_O = 0V
-
0.3
-
%
-0.5%
1.25
+0.5%
V
-
-
500
mV
-
40
(50kHz)
50 (500/
750kHz)
-
dB
60
100
150
mA
19
D a t a S h e e t
項目
VCOM
[VCOMP VOP 電源電流
OPAMP]
ライン
レギュレーション
ロード
レギュレーション
ドロップアウト
電圧 (シンキング)
ドロップアウト
電圧 (ソーシング)
6
IOP = -10mA
40
90
180
mV
Vdrop6
6
IOP = +10mA
40
90
180
mV
-
10
-
MHz
-
20
-
MHz
-
60
-
dB
-15
-
+15
mV
-
40
-
V/s
-
±200
-
mA
fu66
6
ユニット利得帯域幅
(シンキング)
fu66
6
電源変動除去比
PSRR6
6
入力オフセット
電圧
Vos6
4, 5
出力短絡電流
*: 設計標準値
CONFIDENTIAL
Vdrop6
ユニット利得帯域幅
(ソーシング)
スルーレート
20
(Ta = 0 ~ +85°C, VIN = IN2 = INVL = 12V, SUPP = VREF_I = VOP = 17.7V
明記のない場合、標準値は Ta = +25°C です。)
規格値
記号
端子
条件
単位
最小
標準
最大
バッファ設定,
IVOP
2
OPP = OPN =
3
mA
VOP/2, 負荷なし
VOP 13.5V ~ 20V,
Vline6
6
0.02
%/V
OPP = 7.5V
IOP 1mA ~ 75mA,
Vload6
6
-0.4
+0.4
%
OPP = 7.5V
Vslew6
-
Iscp6
6
ユニット利得設定
Ro = 10,
Co = 0.1µF,
Io = 75mA,
OPP = 6V
ユニット
利得設定
Ro = 10,
Co = 0.1µF,
Io = -75mA,
OPP = 6V
f = 50kHz/500kHz/
750kHz,
Io6 = 10mA,
100mA 動的
または
Io6 = 30mA
固定, VOP = 8V,
基準値は VOP
OPO = 6 ~ 9V
Ro = 10, Co =
0.1µF,
OPP 変動 6V ↔
8V
OPO
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 標準特性
昇圧コンバータ (Vs)
効率 - 負荷電流
出力電圧 - 負荷電流
100
18.3
500 kHz
95
90
出力電圧 (V)
効率 (%)
18.0
750 kHz
85
80
75
70
750 kHz
17.7
17.4
65
500 kHz
60
17.1
55
0
0.5
50
1
1.5
2
負荷電流 (A)
0
0.5
1
負荷電流(A)
1.5
負荷過渡応答
(スイッチング負荷電流=0.1A～1.1A)
L=6.8µH, Freq=750 kHz
負荷過渡応答
(パルス負荷電流=0.1A～1.9A)
L=6.8µH, Freq=750 kHz
高負荷ソフトスタート
ILIM1 (ILpeak) vs. RCLIM
(負荷電流=0.5A)
L=6.8µH, CSS =22nF
ILIM1 (ILpeak) (A)
4.0
3.5
750 kHz
3.0
500 kHz
2.5
2.0
OPEN
200
100
50
RCLIM (kΩ)
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
21
D a t a S h e e t
降圧コンバータ(Vlogic)
効率 - 負荷電流
出力電圧- 負荷電流
90
3.45
500 kHz
85
3.39
750 kHz
出力電圧 (V)
効率 (%)
80
75
70
65
60
500 kHz
3.33
3.27
750 kHz
3.21
55
3.15
50
0
0.5
1
1.5
0
0.5
負荷電流 (A)
負荷過渡応答
(スイッチング負荷電流=0.3A～1.8A)
L=10µH, Freq=750 kHz
22
CONFIDENTIAL
1
1.5
負荷電流 (A)
高負荷ソフトスタート
(負荷電流=1A)
L=10µH, Freq=750kHz
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
反転チャージポンプ (VGL)
標準ラインレギュレーション
出力電圧- 負荷電流 (VIN = 12V)
0.10%
2.0
1.5
出力電圧エラー (%)
VGL エラー (%)
0.05%
IVGL=0mA
0.00%
IVGL=25mA
-0.05%
-0.10%
8
10
12
14
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
16
SUPN 電圧 (V)
-2.0
0
50
100
150
200
250
負荷電流 (A)
負荷過渡応答
昇圧チャージポンプ(VGH)
標準ラインレギュレーション
(スイッチング負荷電流=10mA～60mA)
VGH エラー (%)
2
1
Io=0A
0
Io=25mA
-1
-2
12
昇圧チャージポンプ (VGH)
出力電圧- 負荷電流
13
14
15
16
SUPP 電圧 (V)
17
18
負荷過渡応答
(スイッチング負荷電流=10mA～60mA)
2.0
出力電圧エラー (%)
1.5
1.0
0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
0
50
100
150
負荷電流 (mA)
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
23
D a t a S h e e t
低ドロップアウトレギュレータ(LDO)
ラインレギュレーション (負荷電流=20mA)
出力電圧- 負荷電流
17.4
18
16
17.2
出力電圧 (V)
出力電圧 (V)
14
17.0
16.8
12
10
8
6
4
16.6
17
2
18
17.5
0
VREF_I 電圧 (V)
0
50
100
150
負荷電流 (mA)
オペアンプ (VCOM)
出力電圧- 負荷電流 (Source)
出力電圧- 負荷電流 (Sink)
19
8
出力電圧 (V)
出力電圧 (V)
17
6
4
2
15
13
11
9
7
0
0
50
100
150
200
負荷電流 (mA)
レイル・ツー・レイル入出力波形
24
CONFIDENTIAL
250
0
-50
-100 -150 -200
負荷電流 (mA)
-250
負荷過渡応答
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
大信号ステップ応答
小信号ステップ応答
スイッチング周波数 - 入力電圧
全電源出力の電源立上げシーケンス
800
周波数 (kHz)
775
750
725
700
8
10
12
14
入力電圧 Vin (V)
16
ゲート電圧シェーピング (VGHM)
(負荷 470pF の VGHM)
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
25
D a t a S h e e t
スイッチング周波数 - 入力電圧
VIN 電源電流 - VIN 電圧
7
800
全出力スイッチング
INVL 電流 (mA)
周波数 (kHz)
6
775
750
725
5
4
降圧出力スイッチング
3
2
出力スイッチングなし
1
700
8
10
12
14
16
入力電圧 Vin (V)
0
8
10
12
14
16
入力電圧 (V)
基準電圧負荷レギュレーション
1.270
1.265
基準電圧 (V)
1.260
1.255
1.250
スイッチングなし
1.245
1.240
スイッチングあり
1.235
1.230
0
26
CONFIDENTIAL
50
100
150
負荷電流 (uA)
200
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
許容損失 PD (W)
許容損失-動作周囲温度
動作周囲温度 Ta (°C)
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
27
D a t a S h e e t
 設定
1. 制御端子の設定
端子名
IN2, INVL
EN
チャネル
Vlogic: 降圧コンバータ
VGL: 反転チャージポンプ
VS: 昇圧コンバータ
VGH: 昇圧チャージポンプ
VREF_O: LDO
OPO: VCOMP OP
スタンバイ時
動作時
L
> 6V
L
H
2. スイッチング周波数の設定
端子
FSEL
設定
内部発振器周波数
H/Float
L
750kHz
500kHz
3. 保護回路
(1) IC
低電圧誤動作防止: VIN≦6V, 全回路停止
過熱保護:接合部温度 > +150°C, 全回路停止
(2) VS:昇圧コンバータ
過電圧保護: GD_I 端子≧21.5V 時保護回路起動
過電流保護: しきい値はユーザが設定
短絡保護: FB1 端子電圧 < 1V (50ms 時)または FB1 端子電圧 < 0.5V 時保護回路起動。
昇圧, VGH, VGL は直ちにオフ (スイッチング停止)。GD 端子電圧=GD_I 端子電圧となり、
外部 FET
を OFF します。
起動短絡保護: 起動時に Vs 出力が GND とショートしている場合, IC は電源電圧(VIN)の低下を検
知して GD 端子電圧を"H"レベル(外部 FET:OFF)にし、全チャネルを停止します。
(3) VLOGIC: 降圧コンバータ
過電圧保護: OUT > 3.7V 時保護回路起動
過電流保護: ILX2 > 3.2A 時保護回路起動
短絡保護: FB2 端子電圧 < 1V (50ms 時)または FB2 端子電圧 < 0.5V 時保護回路起動。
降圧, 昇圧, VGH, VGL は直ちにオフ (スイッチング停止)。GD 端子電圧=GD_I 端子電圧となり、
外部 FET を OFF します。
(4) VGL: 反転チャージポンプ
短絡保護: REF-FBN 電圧 < 0.8V (50ms 時)または REF-FBN 電圧 < 0.4V 時保護回路起動。
昇圧, VGH, VGL は直ちにオフ (スイッチング停止)。GD 端子電圧=GD_I 端子電圧となり、
外部 FET
を OFF します。
(5) VGH: 昇圧チャージポンプ
短絡保護: FBP 端子電圧 < 1V (50ms 時)または FBP 端子電圧 < 0.5V 時保護回路起動。
昇圧, VGH, VGL は直ちにオフ (スイッチング停止)。GD 端子電圧=GD_I 端子電圧となり、
外部 FET
を OFF します。
IC 停止時、VDET 端子電圧が低下し、XAO が"L"レベルになると VGHM 出力は VGH 端子電圧に
なります。
(6) VREF_O: LDO
短絡電流保護: Io > 100mA(標準) 時保護回路起動し、出力電圧は垂下動作します。
(7) VCOM: VCOMP OP
過電流保護: Io > +200mA(標準)または Io < -200mA(標準) 時保護回路起動し、出力電圧は垂下動作
します。
28
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
 アプリケーションノート
昇圧コンバータの設計
 昇圧コンバータ ブロックダイヤグラム
B
Rc
COMP
Cc
FB1
R4
<< CH1 (昇圧) >>
32
R3
SS
L 優先
GD_I
誤差アンプ1
31
Ron=(VGS=
-5V時 18Ω)
B
GD_I
Vs
(20V/1.5A最大)
29
VBST
ソフト
スタート
24
1.25V
Vth
LEVEL
CONV
NC
enb1
PWM
論理
制御
のこぎり波
ジェネレータ
VIN
LX1
25 26
DRV
Ron=(VGS=
5V時 120mΩ)
27 28
OCP トリガ
調整
Clk
23
PGND
VIN
CLIM
D
Ck
1.125V
enb1
Q
GD_I
CL
SCP
制御
論理
タイマ
UVP
比較器
SCP
比較器
1V
0.5V
30
GD
enb1
Ch1_ready
出力電圧の選択
昇圧コンバータの出力電圧 VS は、外部の抵抗分圧器で以下のように設定します。
VS = 1.25 × (1 +
R3
R4
)
フィードバック抵抗
出力設定抵抗: R3,R4 の値は位相補償に直接影響しません。ただし、軽負荷効率を低下することな
く FB1 ノードのノイズ重畳を最小限にするため、R3 と R4 の合計値が 100kΩ に設定することを推
奨します。
補償 (COMP) コンデンサの選択
レギュレータの補償は、COMP 端子に接続する外部部品で調整してください。COMP 端子は IC 内
部の誤差アンプの出力です。Rc, Cc は下記式から選定します。
FZ =
1
2 × π × CC × (RC + 115k)
6.8µH のインダクタと 60µF の出力容量を使用する場合は、Fz = 1.5kHz になります。
この場合、Cc = 680pF と Rc = 30kΩ を使用する事を推奨します。
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CONFIDENTIAL
29
D a t a S h e e t
インダクタの選択
標準として 6.8μH を推奨します。インダクタを選択する際は、コイルに流れる最大電流値以上の
定格電流のものを選定してください。大きな過渡電流に対処するためには、さらにマージンが必
要です。インダクタの電流定格値として、最大 SW 電流制限値 4.2A 以上のものを推奨します。イ
ンダクタの選択条件のもう 1 つは直流抵抗値です。通常、直流抵抗値が低いとコンバータの効率
は高くなります。
ピークインダクタ電流
このコンバータが仕様を満たしているか最大出力電流を検証してください。昇圧コンバータの効
率を求めるときはグラフから読み取るか、ワースト値として 80%を代用します。
デューティサイクル: D = 1-
最大出力電流:
Vin × η
VS
ISmax = (1-D) × (ISWLIM =
Vin
VS
× (ISWLIM -
ピークスイッチング電流: ISWMAX =
Vin × D
2 × fosc × L
Vin × D
2 × fosc × L
Vin × D
2 × fosc × L
)
)
+
ISmax
1-D
ここで、
D = デューティサイクル
fosc = スイッチング周波数 [Hz] (500kHz または 750kHz)
L = インダクタ値 [H]
η = 昇圧コンバータ効率の見積もり値 (通常は最小 80%)
ISWLIM = LX1 端子の最小スイッチング電流制限値 [A] ( = 2.8A)
ISmax = LX1 端子の最小スイッチング電流制限値内で出力可能な最大出力電流値[A]
選択した内蔵スイッチ、インダクタ、外部ショトキダイオードを含む部品はピークスイッチング
電流の容量以上のものにしてください。この場合スイッチング入力電流は最大になるので、見積
もり値は最小入力電圧を使用してください。
過電流保護の設定
昇圧コンバータの過電流保護は、CLIM 端子に接続する抵抗(RCLIM)で設定できます。
ILIM1 = 3.5 -
60.5k
RCLIM
CLIM 端子オープン時、ILIM1 = 3.5A に設定されます。RCLIM > 60kにすることを推奨します。
30
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
整流ダイオードの選択
高い効率を得るには、ショットキダイオードを使用してください。ダイオードの逆電圧定格はコ
ンバータの最大出力電圧より高くしてください。ショットキダイオードに必要な平均整流順方向
電流は昇圧コンバータのオフ時間と LX1 ピンの最大スイッチ電流の積である。ピーク整流フォ
ワード電流は上記で決めたインダクタ・ピーク電流(Iswmax)と同じである。
Vin
昇圧コンバータのオフ時間:D’ = 1-D =
Vs
平均整流順方向電流: IDmax = Ismax × D'
整流ダイオードは繰り返しピーク電流定格 ISWmax と平均整流電流定格 IDmax を超えた物を選んでく
ださい。
整流後の順方向電流が 2A のショットキダイオードであればほとんどのアプリケーションで使用
可能です。ショットキダイオードのもう 1 つの要件は消費電力です。消費電力は以下の式で求め
られます。
PD = IDmax × VF = (1-D) × (ISWLIM -
Vin × D
2 × fosc × L
) × VF
ここで、
PD = ダイオードの消費電力 [W]
VF = ダイオードの順方向電圧 [V]
ISWLIM = LX1 端子過電流保護最小値 [A] (3A)
出力コンデンサの選択
低 ESR のコンデンサを推奨します。この使用目的には低 ESR のセラミックコンデンサが最適で
す。通常は、10μF のセラミック型出力コンデンサを 6 個、コンバータ出力に並列に接続してくだ
さい。容量の大きいものを使用して過渡負荷が大きい場合の電圧降下を防ぐことが可能です。
ソフトスタートコンデンサの選択
SS 端子に接続するコンデンサにより、昇圧コンバータのソフトスタート時間を調整できます。
SS 端子オープンまたは 220pF 以下のコンデンサを接続した場合、IC 内部で Tss = 10ms に固定され
ます。220pF より大きいコンデンサを接続する場合、Tss は下記式により算出できます。
CSS≦220pF
CSS > 220pF
TSS = 10ms
TSS = CSS × 1.25/5u
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31
D a t a S h e e t
降圧コンバータの設計
 降圧コンバータ ブロックダイヤグラム
出力電圧の選択
降圧コンバータの出力電圧 Vlogic は、外部の抵抗分圧器で以下のように設定します。
Vlogic = 1.25 × (1 +
R1
R2
)
ソフトスタート
ソフトスタート時間は 3ms (標準)固定です。UVLO 解除後、ソフトスタートを開始します。
32
CONFIDENTIAL
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
整流ダイオードの選択
高い効率を得るには, ショットキダイオードを使用してください。ダイオードの逆方向電圧定格は
コンバータの最大出力電圧より高くしてください。ダイオードの整流後の平均順方向電流は, 降圧
コンバータのオフ時間と SWB 端子での最大スイッチング電流の積以上にしてください。
降圧コンバータのオフ時間: D' = 1-
Vout
= 1-D
Vin
最大出力電流: Iavg = (1-D) × ISWLIM = (1-
Vin
Vout
) × ISWLIM
整流後の順方向電流が 1.5A から 2A のショットキダイオードであればほとんどのアプリケーショ
ンで使用可能です。IC にダメージを与えないよう、ダイオードの順方向電圧は 0.7V 以下にして
ください。ショットキダイオードのもう 1 つの要件は消費電力です。消費電力は以下の式で求め
られます。
PD = Iavg × VF = (1 - D) × ISWLIM × VF
ここで、
PD = ダイオードの消費電力 [W]
VF = ダイオードの順方向電圧 [V]
ISWLIM = SWB 端子過電流保護最小値 [A] (2.5A)
フィードフォワードコンデンサの選択
フィードフォワードコンデンサ (Cff1) は上側の抵抗 (R1) に並列に接続してください。Cff1 は、
伝達関数でゼロを設定します。Cff1 を挿入する事で負荷急変特性を改善します。Cff1 の値は、使
用される出力インダクタとコンデンサの値により決定します。
10uH のインダクタと 20uF の出力コンデンサを使用した場合、共振周波数は 11kHz になります。
この場合、fz は共振周波数の 70%=8kHz で設定してください。
Cff =
1
2 × π × R1 × fZ
=
1
2 × π × 2kΩ × 8kHz
= 9.9nF ≈ 10nF
コンデンサの値は、計算値に近いものを選びます。
R2 と平行にコンデンサ(Cfb2)を挿入する事で、FB2 ノードへのノイズ重畳を小さくする事ができ
ます。この場合、システムの安定動作に影響を与えないよう、この R2 と Cfb2 で構成されるロー
パスフィルタの極が 200kHz より大きくなるように設定してください。
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
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33
D a t a S h e e t
インダクタの選択
一般的なインダクタ値は 10μH です。インダクタを流れる電流はインダクタの飽和電流定格を超え
てはいけません。インダクタを流れる最大電流は以下の式で求められます。
ILMAX ≧ IOMAX +
ΔIL =
Vin - Vout
L
ΔIL
2
×
Vout
Vin × fosc
ここで、
ILMAX = インダクタを流れる最大電流 [A]
IOMAX = 最大負荷電流 [A]
∆IL = インダクタを流れるリプル電流のピーク間の電流値 [A]
Vin = 入力電圧 [V]
Vout = 出力電圧 [V]
fosc = スイッチング周波数 [Hz] (500kHz または 750kHz)
ブートストラップコンデンサの選択
ブートストラップコンデンサは BST 端子と LX2 端子間に接続されます。リーク電流の少ないセラ
ミックコンデンサの使用を推奨します。
標準として 0.1μF を推奨します。ブートストラップコンデンサの定格電圧は入力電圧より高いもの
を推奨します。
出力コンデンサの選択
低 ESR のセラミックコンデンサを推奨します。
標準として 20μF (10μF × 2 個並列使用)を推奨します。
負荷急変等で出力電圧の変動が大きい場合は出力コンデンサを増加して調整する事ができます。
反転チャージポンプの設計
 反転チャージポンプ ブロックダイヤグラム
34
CONFIDENTIAL
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D a t a S h e e t
出力電圧の選択
機能説明では、最大出力負電圧は-VDRN + 2Vdiode であり、-12V + 0.8V = -11.2V です。昇圧
チャージポンプと同様、レギュレート出力電圧は以下の式で求められます。
R5
VGL = 0.25 -
R6
ポンプコンデンサおよび出力コンデンサの選択
ポンプコンデンサおよび出力コンデンサの選択は昇圧チャージポンプと同様です。
-5V 出力の場合、ΔVDRN = |-VGL|-Vdiode = 5V - 0.4V = 4.6V です。必要なアプリケーションに対してポ
ンプコンデンサと出力フィルタコンデンサを計算することが可能です。
ポンプコンデンサの最小値は以下の式で求められます。
C ≧
Iout
f × ΔVDRN
,
ここで、
Iout = 出力電流
f = スイッチング周波数 (750kHz/500kHz)
ΔVDRN = ポンプクロック電圧
ポンプコンデンサに蓄えられる電荷はサイクルごとに出力コンデンサに出力されます。出力コン
デンサによりチャージポンプの出力リプル電圧が決定します。リプル電圧は以下のように見積も
ることができます。
Vripple =
Iout
2f × Cout
+ Iout × ESRCout
ここで、
Cout = 出力フィルタ容量
ESRCout = 出力フィルタコンデンサの等価直列抵抗
小型コンデンサ(Cfbl)を FBN と REF ノード間に追加すると、FBN ノードの高周波ノイズを除去し
ます。22nF のコンデンサ 1 つでほとんどのアプリケーションに対応します。
昇圧チャージポンプの設計

昇圧チャージポンプブロックダイヤグラム
D
29
<< CH4 (昇圧チャージポンプ ) >>
Cfbp
R7 FBP
38
R8
L優先
enb4
1.25V
電流
制御
論理
SUPP
34
B
Ron=(VGS=
5V時 4Ω)
誤差アンプ 4
DRV
DRVP
36
Vth
1.25V±2%
Ron=(VGS=
5V時 1Ω)
CPGND
35
D
VGH
(30.2V/250mA)
タイマ
ppg
Clk
1V
0.5V
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CONFIDENTIAL
1.1V
35
D a t a S h e e t
出力電圧の選択
理論上、最大出力電圧は入力電圧とチャージポンプのポンプクロック電圧の和です。MB39A302
では、最大出力電圧は VS (昇圧コンバータの出力電圧) + VSUP - 2Vdiode で、17.7V + 17.7V - 2
(0.4V) = 34.6V (通常設定) です。レギュレート電圧制御により、出力電圧は以下の式で求められま
す。
VGH = Vref × (1+
R7
R8
) = 1.25 × (1+
R7
R8
)
ポンプコンデンサおよび出力コンデンサの選択
無極性, 温度安定性, 低リーク電流, および低 ESR のセラミックコンデンサの使用を推奨します。
ポンプコンデンサを選択する場合、定格電圧と出力負荷電流を考慮してください。出力電圧が
30.2V の場合、ポンプクロック電圧は以下の式で求められます。
ΔVDRP = VGH - VS + Vdiode = 32.2V - 17.7V + 0.4V = 12.9V
ポンプコンデンサの最小値は以下の式で求められます。
C≧
Iout
f ×ΔVDRP
,
ここで、
Iout = 出力電流
f = スイッチング周波数 (750kHz/500kHz)
ΔVDRP = ポンプクロック電圧
ポンプコンデンサに蓄えられるチャージはサイクルごとに出力コンデンサに出力されます。出力
コンデンサによりチャージポンプの出力リプル電圧が決定します。リプル電圧は以下のように見
積もることができます。
Vripple =
Iout
2f × Cout
+ Iout × ESRCout
ここで、
Cout = 出力フィルタ容量
ESRCout = 出力フィルタコンデンサの等価直列抵抗
小型コンデンサ(Cfbp)を FBP と GND ノード間に追加すると、FBP ノードの高周波ノイズを除去し
ます。22nF のコンデンサ 1 つでほとんどのアプリケーションに対応します。
36
CONFIDENTIAL
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
低ドロップアウトレギュレータの設計 (LDO)
 低ドロップアウトレギュレータブロックダイヤグラム
<<CH5(LDO)>>
E
R9
電流
センス
Vth
1.25V±0.5%
B
VREF_I (Vs)
VREF_FB
1
誤差アンプ 5
47
ドライバ
R10
E
VREF_O
48
1.25V
VREF
(17V/60mA)
MB39A302 は、電圧レギュレータ (低ドロップアウトレギュレータ, LDO) を内蔵して、ガンマ
バッファに非常に安定した電圧を供給します。LDO の出力コンデンサは 1μF ~ 10μF の容量値で安
定動作する様に設計されています。VREF_I 端子に接続する入力コンデンサは 1μF のセラミックコ
ンデンサを推奨します。LDO の電源入力 VREF_I 端子は、昇圧コンバータの出力(Vs)を接続して
ください。LDO には突入電流を制限する内蔵ソフトスタート機能があります。
出力電圧の選択
LDO の出力電圧(Vref_o)は、下記式により設定します。
Vref_o = 1.25 × (1+
R9
R10
)
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
37
D a t a S h e e t
VCOMオペアンプ
 VCOM オペアンプブロックダイヤグラム
VCOM アンプの電源入力 VOP 端子は昇圧コンバータの出力(Vs)を接続してください。VOP 端子に
接続する入力コンデンサは 1μF のセラミックコンデンサを推奨します。
入力端子: OPP 端子は LDO 出力の抵抗分圧を利用するか、外部の電圧を入力してください。
入力端子: OPN 端子は通常 OPO 端子にボルテージフォロア接続して使用します。
VCOM アンプの出力は安定動作のため、ブロックダイヤグラムの様に出力抵抗(3Ω ~ 10Ω)と出力
容量(1μF ~ 150μF)を接続して使用してください。
ゲート電圧シェーピング回路
XAO
7
Rdt
VDET
<< Gate Voltage Shaping >>
19
VGH
Rdb
1.25V
GVOFF
VGH
39
8
CH4pg
DLY1
37
Control
Logic
VGHM
VGHM
40
1k
1.25V
DRN
41
THR
33
Clamp
DLY1コンデンサの選択
ゲート電圧シェーピング回路は VDET > 1.25V (標準)かつ CH4 (昇圧チャージポンプ)の出力が 90%
に達すると起動を開始します。VGHM 出力は下記式で設定するディレイ時間経過後、出力を開始
します。ディレイ時間は DLY1 端子に接続するコンデンサにより調整できます。
Cdelay =
8μA × tdelay
Vref
ここで、
tdelay =遅延時間
Cdelay = DLY1 端子に接続するコンデンサ
Vref = 1.25V
38
CONFIDENTIAL
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
VGHの設定
ゲート電圧シェーピング回路の入力(VGH 端子)は昇圧チャージポンプ出力(VGH)を接続して使用
してください。
THRの設定
ゲート電圧シェーピング回路の入力信号(GVOFF 端子)が"L"レベルの時、VGHM 端子電圧は THR
端子電圧の 10 倍(標準)の値にクランプします。
XAOの設定
XAO スレッショルドは、VDET 端子に接続している VIN 抵抗分圧器を通して設定します。
Rdb を 10k ~ 50kの範囲で選択します。Rdt は以下の式で求められます。
Rdt
Rdb
=
VINpg
1.25V
-1
ここで、VINpg は目標の XAO スレッショルドレベルです。Rdt と Rdb は IC の近くに置いてくだ
さい。
XAO 端子はオープンドレイン端子です。5V 以下の電源へプルアップして使用してください。
VDET 端子のスレッショルド電圧は 1.25V (標準)です。ゲート電圧シェーピング回路と XAO 出力
を使用する場合は、1.25V <VDET 端子電圧< 3.7V の範囲で設定してください。
VDET 端子への電圧入力は電源電圧 VIN を抵抗分圧して使用します。VIN 電圧のパワーグッド判
定電圧と Rdt, Rdb は下記式により算出できます。
Rdb 抵抗は 10kΩ ~ 50kΩ の範囲で選択してください。
ゲート電圧シェーピング回路と XAO 出力を使用しない場合は、VDET 端子を GND に接続してく
ださい。
その他
入力コンデンサの選定
低 ESR のセラミックコンデンサを推奨します。INVL 端子は 1µF のコンデンサを使用してくださ
い。
降圧コンバータの入力 IN2 端子は 40µF(10µF × 4 個)と IN2 端子直近に 0.1µF のコンデンサを使用
してください。
出力容量の選定
入力コンデンサと同様にセラミックコンデンサを推奨します。
VL 端子は 1µF のコンデンサを使用してください。
REF 端子は 1µF のコンデンサを使用してください。
PCB推奨レイアウト
電源設計では、PCB レイアウトは重要です。レイアウトが悪いと、不要なスパイク電圧とスパイ
ク電流を生じます。出力 DC 電圧に影響するだけでなく、近接装置に EMI を放射します。十分な
グランドと寄生インダクタンスを最小にすると、DC/DC コンバータのスイッチングスパイクノイ
ズを減らすことができます。
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
39
TP16
GND
TP6
VCOM
VREF
TP21
OPO
RP61
EVM3ESX50BE3
C60 0.1uF/25V/10%
R22
0R/0603/1%
TP10
GVOFF
R21
5
R60 0R/0603/1% OP_IN-
C62 1uF-150uF/20V/10%
C24 10uF/25V/10%
C23 10uF/25V/10%
TP18
GND
D2
R4
0R/0805/1%
R5 62K/0603/1%
VIN
GND
VIN
VIN
R11 200K/0603/1%
TP8
VIN
FB2
OUT
R26 NC C26 NC
MB39A302
TP12
GND
TP2
VO2(Vlogic)
VLOGIC
L2 10uH
R24 0R/0603/1%
JP1
12
11
EN
GVOFF
XAO
OPO
OPN
OPP
OGND
C71
R8
3
2
1
JP2
LX1_1
LX1_2
PGND_1
PGND_2
GD_I
GD
FB1
COMP
THR
SUPP
CPGND
DRVP
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
VGH
TP7
VGHM
TP17
GND
TP4
VO4(VGH)
LX1
L1 6.8uH
R7 0R/0603/1%
AVDD_FB
TP14
GND
D1
MBRA340T3
C17
NC
C16
10nF/50V/10%
680 pF /50V/10%
C40
1uF/50V/10%
C7 NC
R17 30.9K/0603/1%
C15
C41
0.47uF/25V/10%
AVDD_THR
C70
10nF/50V/10%
1.5nF/50V/5% 1.61K/0603/1%
VGH_FB R78 0R/0603/1%
C11
C21
10nF/50V/10%
0R/0603/1%
R20
NC
10
9
8
7
OP_OUT 6
4
OP_IN+
OP_GND 3
VOP
VREF
C32
22pF/50V/5%
MBR0540T1
D31
C80 10uF/25V/10%
C22
68pF/50V/10%
R3
1
U1
27.4R/0603/1%
R53 0R/0603/1% OP_VCC 2
VLOGIC R2 0R/0603/1%
VL
VO1(Vs)
R54 0R/0603/1% LDO_IN
R1 1K/0603/1%
R63 10K/0603/1%
TP22
XAO
VLOGIC
R62 10R/1206/1%
C53 NC
10.5K/0603/1% 806R/0603/1%
MBR0540T1
D30
C81 10uF/25V/10%
19.6R/0603/1% 1.2K/0603/1% 2K/0603/1%
R23
TP9
OPP_IN
VREF R65 0R/0603/1%
TP15
GND
TP5
LDO(VREF)
TP20
REF
R55
49
PGND
R51
LX2_1
48
VREF_O
R50
VREF_FB
R56
LX2_2
47
604K/0603/1%
BST
46
REF
0R/0603/1%
R32
FBN
45
IN2_1
42
R31
IN2_2
44
GND2
43
AGND
41
TP13
GND
1
2
3
R61
15.8K/0603/1%
13
C61 1uF/50V/10%
14
C50
10uF/25V/10%
15
C55
0.1uF/25V/10%
16
C54
1uF/50V/10%
17
LDO_OUT
18
R64
19.6K/0603/1%
DRVN
C51 NC
VDET
10uF/25V/10%
40
10uF/25V/10%
39
C35
VGH
C34
VGHM
47K/0603/1%
C33 1uF/50V/10%
FSEL
R34
R35
0R/0603/1%
37
R33
105K/0603/1%
38
C31 0.47uF/25V/10%
19
D41 MBR0540T1
22
C30 1uF/50V/10%
FBP
1.5K/1206/1%
SUPN
1.5K/1206/1%
R72
INVL
R73
C46
0.47uF/25V/10%
LDO_+5V_VCC 20
R74 NC
DRN
R75 NC
4
3
2
1
R12
0R/0805/1%
5
G
D1 6
S3
D2 7
S2
D3 8
S1
D4
AM4835P
TP19
VBST
Q1
Default X2
X2
D42
MBR0540T1
VIN
JP3
Q2
AO3403/NC
D40
MBR0540T1
X3
VO1(Vs)
D43
MBR0540T1
VLOGIC
0R/0603/1%
R45
C44 22pF/50V/5%
20.5K/0603/1%
R42
VGH_FB
VO1(Vs)
R71
R79
340K/0603/1% 9.76K/0603/1% 120R/0603/1%
AVDD_THR
0R/0603/1%
R13
TP1
VO1(Vs)
TP11
GND
LX1
C47 0.47uF/25V/10%
R41
475K/0603/1%
R44 NC
3
2
1
R40
0R/0603/1%
R43 0R/0603/1%
C45
0.47uF/25V/10%
VLLDO_+5V 21
R76 NC
VL
R77 NC
DLY1
CONFIDENTIAL
R46
47K/0603/1%
CLIM
C42
1uF/50V/10%
SS
C43 NC
R70
Current Limit 23
AVDD_FB
C18 NC
24
40
VGH
TP3
VO3(VGL)
D a t a S h e e t
 回路図
MB39A302 EVB-01 Rev2.0
R14
R15
R16
392K/0603/1% 29.4K/0603/1% 383R/0603/1%
C86 10uF/25V/10%
R19 47K/0603/1%
C85 10uF/25V/10%
C84 10uF/25V/10%
C83 10uF/25V/10%
C82 NC
C14 10uF/25V/10%
C13 10uF/25V/10%
C12 10uF/25V/10%
R18 NC C19 NC
22nF/50V/10%
C52 1uF/50V/10%
R52 0R/0603/1%
R6 10K/0603/1%
C2 1uF/16V/10%
C20 0.1uF/25V/10%
C1 0.1uF/25V/10%
MBRA340T3
C6 10uF/25V/10%
R25 47K/0603/1%
C5 10uF/25V/10%
C25 NC
C4 10uF/25V/10%
C3 10uF/25V/10%
MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
部品表
数量
1
4
1
18
1
1
2
1
7
5
2
1
1
1
2
6
表示記号
部品仕様
IC,
U1
LCD パネル用電源
C1, C20, C55,
1608, 10%, X7R,
C60
50V, 100nF
1608, 20%, X5R,
C2
16V, 1μF
C3, C4, C5,
C6, C12, C13,
C14, C23, C24,
3216, 10%, X5R,
C34, C35, C50,
25V, 10μF
C80, C81, C83,
C84, C85, C86
1608, 10%, X7R,
C11
50V, 22nF
1608, 5%, NPO,
C15
50V, 680pF
1608, 10%, X7R,
C16, C21
50V, 10nF
1608, 5%, NPO,
C22
50V, 68pF
C30, C33, C40,
3216, 10%, X7R,
C42, C52, C54,
50V, 1μF
C61
C31, C41, C45,
3216, 10%, X7R,
C46, C47
50V, 470nF
1608, 5%, NPO,
C32, C44
50V, 22pF
3216, 10%, X7R,
C62
50V, 1μF
1608, 10%, X7R,
C70
50V, 10nF
1608, 10%, X7R,
C71
50V, 1.5nF
ダイオード,
D1, D2
ショットキ整流器,
3A, 40V
ダイオード,
D30, D31,
D40, D41,
ショットキ,
D42, D43
500mA, 40 V
3
JP1, JP2, JP3
1
L1
1
L2
1
Q1
1
RP61
ジャンパ
インダクタ, SMT,
4.4A, 35mΩ
インダクタ, SMT,
4.4A, 35mΩ
MOSFET P-ch
数値
パッケージ
型格
ベンダ
説明
MB39A302
QFN-48
MB39A302
Spansion
電源 IC
0.1μF
0603
CC0603KRX7R9BB104
Yageo
コンデンサ
1μF
0603
CC0603KRX5R7BB105
Yageo
コンデンサ
10μF
1206
CC1206KKX5R8BB106
Yageo
コンデンサ
22nF
0603
CC0603KKX7R9BB223
Yageo
コンデンサ
680pF
0603
CC0603JRNPO9BN681
Yageo
コンデンサ
10nF
0603
CC0603KRX7R9BB103
Yageo
コンデンサ
68pF
0603
CC0603JRNPO9BN680
Yageo
コンデンサ
1μF
1206
CC1206KKX7R9BB105
Yageo
コンデンサ
0.47μF
1206
CC1206KKX7R9BB474
Yageo
コンデンサ
22pF
0603
CC0603JRNPO9BN220
Yageo
コンデンサ
1μF
1206
CC1206KKX7R9BB105
AVX
TanCapacitor
10nF
0603
CC0603KRX7R9BB103
Yageo
コンデンサ
1.5nF
0603
CC0603KRX7R9BB152
Yageo
コンデンサ
MBRA340T3G
SMA-403D
MBRA340T3
OnSemi
ダイオード
MBR0540T1G
SOD-123
MBR0540T1G
OnSemi
MBR0540T1G
-
HDR1X3
標準品
-
HEADER1X3
6.8μH
10.3 × 10.5
SDCS104R-6R8
Chilisin
インダクタ
10uH
10.3 × 10.5
SDCS104R-100
Chilisin
インダクタ
AM4835P
SO-8
AM4835P
Analog
Power
MOSFET P-ch
標準品
EVM3ESX50BE3
Panasonic
ポテンショ
メータ
ポテンショメータ,
EVM3ESX50BE3
チップ, 1%
1
R1
抵抗, チップ, 1%
1K
0603
RC0603FR_1KL
Yageo
抵抗
8
R2, R35, R43,
R53, R54, R60,
R65, R78
抵抗, チップ, 1%
0R
0603
RC0603FR_0RL
Yageo
抵抗
1
R5
抵抗, チップ, 1%
62K
0603
RC0603FR_62KL
Yageo
抵抗
2
R6, R63
抵抗, チップ, 1%
10K
0603
RC0603FR_10KL
Yageo
抵抗
1
R8
抵抗, チップ, 1%
1.61K
0603
RC0603FR_1K61L
Yageo
抵抗
1
R11
抵抗, チップ, 1%
200K
0603
RC0603FR_200KL
Yageo
抵抗
1
R14
抵抗, チップ, 1%
392K
0603
RC0603FR_392KL
Yageo
抵抗
1
R15
抵抗, チップ, 1%
29.4K
0603
RC0603FR_29K4L
Yageo
抵抗
1
R16
抵抗, チップ, 1%
383R
0603
RC0603FR_383RL
Yageo
抵抗
1
R17
抵抗, チップ, 1%
30.9K
0603
RC0603FR_30K9L
Yageo
抵抗
4
R19, R25, R34,
R46
抵抗, チップ, 1%
47K
0603
RC0603FR_47KL
Yageo
抵抗
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
CONFIDENTIAL
41
D a t a S h e e t
数量
表示記号
部品仕様
数値
パッケージ
型格
ベンダ
説明
1
R21
抵抗, チップ, 1%
2K
0603
RC0603FR_2KL
Yageo
抵抗
1
R22
抵抗, チップ, 1%
1.2K
0603
RC0603FR_1K2L
Yageo
抵抗
1
R23
抵抗, チップ, 1%
19.6R
0603
RC0603FR_19R6L
Yageo
抵抗
1
R32
抵抗, チップ, 1%
604K
0603
RC0603FR_604KL
Yageo
抵抗
1
R33
抵抗, チップ, 1%
105K
0603
RC0603FR_105KL
Yageo
抵抗
1
R41
抵抗, チップ, 1%
475K
0603
RC0603FR_475KL
Yageo
抵抗
1
R42
抵抗, チップ, 1%
20.5K
0603
RC0603FR_20K5L
Yageo
抵抗
1
R45
抵抗, チップ, 1%
0R
0603
RC0603FR_0RL
Yageo
抵抗
1
R50
抵抗, チップ, 1%
10.5K
0603
RC0603FR_10K5L
Yageo
抵抗
1
R51
抵抗, チップ, 1%
806R
0603
RC0603FR_806RL
Yageo
抵抗
1
R55
抵抗, チップ, 1%
27.4R
0603
RC0603FR_27R4L
Yageo
抵抗
1
R61
抵抗, チップ, 1%
15.8K
0603
RC0603FR_15K8L
Yageo
抵抗
1
R62
抵抗, チップ, 1%
10R
1206
RC1206FR_10RL
Yageo
抵抗
1
R64
抵抗, チップ, 1%
19.6K
0603
RC0603FR_19K6L
Yageo
抵抗
1
R70
抵抗, チップ, 1%
340K
0603
RC0603FR_340KL
Yageo
抵抗
1
R71
抵抗, チップ, 1%
9.76K
0603
RC0603FR_9K76L
Yageo
抵抗
2
R72, R73
抵抗, チップ, 1%,
1/4 W
1.5K
1206
RC1206FR_1K5L
Yageo
抵抗
1
R79
抵抗, チップ, 1%
120 R
0603
RC0603FR_120RL
Yageo
抵抗
接続端子
-
-
-
-
端子
接続端子
-
-
-
-
Test Pad
-
-
-
-
-
コンデンサ
10uF
1206
CC1206KKX5R8BB106
Yageo
コンデンサ
1μF
1206
CC1206KKX7R9BB105
Yageo
コンデンサ
TP1, TP2, TP3,
TP4, TP5, TP6,
TP7, TP8, TP9,
TP10, TP11,
19
TP12, TP13,
TP14, TP15,
TP16, TP17,
TP18, TP19
TP20, TP21,
3
TP22
C7, C17, C18,
未実装
C19, C26, C53
未実装 C25, C51, C82
未実装
C43
3216, 10%, X5R,
25V, 10μF
3216, 10%, X7R,
50V, 1μF
未実装
R3, R44
抵抗, チップ, 1%
0R
0603
RC0603FR_0RL
Yageo
抵抗
未実装
R18, R26
-
-
-
-
-
抵抗
抵抗, チップ, 1%
1.5K
1206
RC1206FR_1K5L
Yageo
抵抗
R74, R75, R76,
未実装
R77
未実装
Q2
MOSFET P-ch
AO3403
sot23
AO3403
Alpha&
Omega
MOSFET P-ch
パターン
ショート
R4, R12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
R7, R13, R20,
パターン
R24, R31, R40,
ショート
R52, R56
Spansion: Spansion Inc.（スパンション）
Yageo: YAGEO Corporation
AVX: AVX Corporation
OnSemi: ON Semiconductor
Chilisin: Chilisin Electronics Corp.
AnalogPower: Analog Power
Panasonic: パナソニック株式会社
Alpha & Omega: Alpha & Omega Semiconductor
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MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
D a t a S h e e t
 ランドパターン
MB30A302 の底面には放熱 PAD があります。この部分を PCB ボード上にハンダ付けして放熱をよ
くしてください。
ビアがこの放熱 PAD に位置するように設計してください。このビアにより PCB の低層への放熱に
役立ちます。PCB の制約により、ビアおよび銅パッドの寸法を調整することは可能です。
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D a t a S h e e t
 使用上の注意
1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。
絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破壊する可
能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。
2. 推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件下での動作を推奨します。
この推奨動作条件を超えて使用すると信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
電気的特性の公称値は、電気的特性のセクションでパラメータごとに指定してあるものを除いて、
推奨動作条件下で保証されます。
3. プリント基板のグランドラインは、共通インピーダンスを考慮し、設計してください。
4. 静電気対策を行ってください。
半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
作業台, 工具, 測定機器は、アースを取ってください。
作業する人は、人体とアースの間に 250kΩ ~ 1MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてください。
5. 負電圧を印加しないでください。
-0.3V 以下の負電圧を印加した場合、デバイスに寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすこと
があります。
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D a t a S h e e t
 オーダ型格
型格
MB39A302WQN
パッケージ
プラスチック· QFN, 48 ピン
備考
(LCC-48P-M11)
 評価ボードオーダ型格
EV ボード型格
EV ボード版数
備考
MB39A302-EVB-01
MB39A302 EVB-01 Rev1.2
QFN-48 Exposed PAD
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D a t a S h e e t
 RoHS 指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
Spansion の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六価クロムと、特定臭素
系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している製品は、型格に"E1"を
付加して表します。
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
鉛フリーの場合
INDEX
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D a t a S h e e t
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
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JEDEC 規格
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されて
います。
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D a t a S h e e t
 MB39A302 推奨実装条件
【弊社推奨実装条件】
項目
内容
実装方法
実装回数
IR (赤外線リフロー), 温風リフロー
2回
開梱前
製造後 2 年以内にご使用ください。
開梱 ~ 2 回目リフロー迄の保管期間
8 日以内
ベーキング
(125°C ± 3°C, 24hrs +2H/-0H)
開梱後の保管期間を超えた場合
実施の上、8 日以内に処理願います。
ベーキングは最大 2 回まで可能です。*
5°C ~ 30°C, 70% RH 以下 (できるだけ低湿度)
保管期間
保管条件
*:テーピング品は単品で実施のこと
【実装方法の各条件】
IR ( 赤外線リフロー)
260 °C
255 °C
170 °C
~
190 °C
(b)
RT
(c)
(d)
(a)
H ランク: 260°C Max
(a) 温度上昇勾配
(b) 予備加熱
(c) 温度上昇勾配
(d) ピーク温度
(d’) 本加熱
(e) 冷却
(e)
(d')
平均 1°C/s ~ 4°C/s
温度 170°C ~ 190°C, 60s ~ 180s
平均 1°C/s ~ 4°C/s
温度 260°C Max;
255°C up 10s 以内
: 温度 230°C up 40s 以内
or
温度 225°C up 60s 以内
or
温度 220°C up 80s 以内
: 自然空冷または強制空冷
:
:
:
:
(注意事項)パッケージボディ上面温度を記載
JEDEC条件: Moisture Sensitivity Level 3 (IPC/JEDEC J-STD-020D)
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D a t a S h e e t
推奨手半田付け (部分加熱法)
項目
内容
開梱前
保管期間
保管条件
実装条件
製造後 2 年以内
製造後 2 年以内
開梱後 ~ 実装までの保管期間
(部分加熱のため、保管期間の吸湿管理不要)
5°C ~ 30°C, 70% RH 以下 (できるだけ低湿度)
コテ先温度: Max. 400°C
時間: 5s 以内/ピン*
*: パッケージボディにコテ先が触れないこと
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D a t a S h e e t
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・QFN, 48 ピン
リードピッチ
0.50 mm
パッケージ幅×
パッケージ長さ
7.00 mm × 7.00 mm
封止方法
プラスチックモールド
取付け高さ
0.80 mm Max.
質量
0.12 g
(LCC-48P-M11)
プラスチック・QFN, 48 ピン
（LCC-48P-M11）
7.00 ±0.10
(.276 ±.004)
4.40 ±0.15
(.173 ±.006)
7.00 ±0.10
(.276 ±.004)
4.40 ±0.15
(.173 ±.006)
INDEX AREA
+0.05
0.25 –0.07
(.010 +.002
–.003)
0.50(.020)
0.50±0.05
(.020 ±.002)
1PIN CORNER
(C0.30(C.012))
(TYP)
0.75 ±0.05
(.030 ±.002)
+0.03
0.02 –0.02
(.001 +.001
–.001)
C
(0.20(.008))
2009-2010 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED C48064S-c-1-2
単位：mm （inches）
注意：括弧内の値は参考値です。
最新の外形寸法図については、下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
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MB39A302-DS405-00005-1v1-J, January 31, 2014
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 主な変更内容
ページ
Revision 1.0
Revision 1.1
-
場所
-
Initial release
-
社名変更および記述フォーマットの変換
January 31, 2014, MB39A302-DS405-00005-1v1-J
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変更箇所
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免責事項
本資料に記載された製品は、通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途 (ただし、用
途の限定はありません) に使用されることを意図して設計・製造されています。(1) 極めて高度な安全性が要求
され、仮に当該安全性が確保されない場合、社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危
険性を伴う用途 (原子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにお
ける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器システムにおけるミサイル発射制御等をいう) 、ならびに(2)
極めて高い信頼性が要求される用途 (海底中継器, 宇宙衛星等をいう) に使用されるよう設計・製造されたもの
ではありません。上記の製品の使用法によって惹起されたいかなる請求または損害についても、Spansion は、
お客様または第三者、あるいはその両方に対して責任を一切負いません。半導体デバイスはある確率で故障が
発生します。当社半導体デバイスが故障しても、結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害を生じさせないよ
う、お客様において、装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計を
お願いします。本資料に記載された製品が、外国為替及び外国貿易法、米国輸出管理関連法規などの規制に基
づき規制されている製品または技術に該当する場合には、本製品の輸出に際して、同法に基づく許可が必要と
なります。
商標および注記
このドキュメントは、断りなく変更される場合があります。本資料には Spansion が開発中の Spansion 製品に関
する情報が記載されている場合があります。Spansion は、それらの製品に対し、予告なしに仕様を変更したり、
開発を中止したりする権利を有します。このドキュメントに含まれる情報は、現状のまま、保証なしに提供さ
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提供を目的として表記したものであり、各権利者の商標もしくは登録商標となっている場合があります。
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