本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 FUJITSU SEMICONDUCTOR DATA SHEET DS405-00009-1v0-J ASSP 電源用 SW FET 内蔵 7ch DC/DC コンバータ IC MB39C329 概要 MB39C329 は、CMOS プロセス (CS60AN) を採用した 7ch DC/DC コンバータ IC で、降圧 2ch/昇 降圧 2ch/昇圧 2ch/極性反転 1ch を内蔵しています。 DD1 には FPWM(Fast-PWM)モード、DD2~DD7 には電流モード方式を採用し、SW FET 内蔵によ り高周波での高効率が実現可能です。 多くの回路を内蔵しており、部品点数の削減が可能です(出力設定抵抗, 位相補償定数, DD3 用ロー ド SW, シリーズレギュレータ 3ch, LDO 電源用チャージポンプ, RTC 回路を内蔵)。これにより、 Li2 次電池 1 セル使用の高機能ポータブル機器用電源に最適です。 特長 [レギュレータ特性] 入力電圧範囲:2.5V~5.5V SWFET を内蔵した降圧 (同期整流対応) FPWM モード DC/DC コンバータ (DD1) SWFET を内蔵した降圧 (同期整流対応) 電流モード DC/DC コンバータ (DD2) SWFET を内蔵した昇降圧 H-ブリッジ 電流モード DC/DC コンバータ (DD3, DD6) SWFET を内蔵した昇圧 電流モード DC/DC コンバータ (DD4, DD7) SWFET を内蔵した極性反転 電流モード DC/DC コンバータ (DD5) 電流モード制御により優れた応答性 (DD1~DD7) 出力設定抵抗内蔵 (DD1~DD7) 位相補償定数内蔵 (DD1~DD4, DD6, DD7) 出力電圧が可変可能なシリーズレギュレータを内蔵 (LDO2, LDO3) バックアップ電池用シリーズレギュレータを内蔵 (LDO1) [その他機能] SPI 通信回路内蔵 出力 ON/OFF, 出力電圧値, ディスチャージ ON/OFF, ソフトスタート時間, SCP 検出時間, ロード SW ON/OFF RTC 回路 パワーオンリセット/低電圧リセット (DD1~DD3) [保護機能] 低入力時誤動作防止回路 (UVLO) 短絡保護回路 (SCP) 過熱保護回路 (OTP) 過電圧保護回路 (DD7:OVP) Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved 2013.5 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL r1.0 MB39C329 [起動/切断機能] 負荷依存のないソフトスタート回路 (DD1~DD7, LDO2, LDO3) 起動/切断シーケンス回路内蔵 (DD1~DD3, DD6, LDO2, SW3) [その他] スタンバイ電流 2.2µA (TYP, LDO1 動作時) RTC 動作時電流 1.5µA (TYP) 内蔵 SWFET リーク電流 1µA (MAX) パッケージ:WL-CSP 64pin (WLP-64P-M03) アプリケーション デジタルスチルカメラ (DSC) 2 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 推奨アプリケーション仕様 [入力電圧範囲] 入力電圧 VIN (V) 最小 標準 最大 2.5 3.6 5.5 [出力仕様] (Ta=+25°C) 出力電圧 (V) チャネル 記号 精度 最小 標準 最大 出力 電流 (mA) リミット 電流 (mA) 標準 最大 最小 (VIN= 3.6V) 方式 DD1 Vo1 ±2% 1.176 1.200 1.224 800 800 1200 降圧 (同期整流) FPWM DD2 Vo2 ±2% 1.764 1.800 1.836 500 500 750 降圧 (同期整流) C-mode DD3 Vo3 ±2% 3.234 3.300 3.366 SW3 Vo3_SW - DD4 Vo4 DD5 Vo5 DD6 Vo6 2.9 3.3 - 10.84 11.00 11.17 11.33 11.50 11.67 11.82 12.00 12.18 12.31 12.50 12.69 12.81*6 13.00*6 13.20*6 ±1.5% 13.30 13.50 13.70 13.79 14.00 14.21 14.28 14.50 14.72 14.78 15.00 15.23 15.27 15.50 15.73 15.76 16.00 16.24 -5.08 -5.00 -4.93 -5.58 -5.50 -5.42 -6.09 -6.00 -5.91 -6.60 -6.50 -6.40 ±1.5% -7.11 -7.00 -6.90 -7.61*6 -7.50*6 -7.39*6 -8.12 -8.00 -7.88 -8.63 -8.50 -8.37 -9.14 -9.00 -8.87 3.234 3.300 3.366 4.410*6 4.500*6 4.590*6 ±2% 4.900 5.000 5.100 昇降圧 800*1 800*1 2 2 1200 (H-ブリッジ) 600* 600* C-mode - 500 - 100*3 100*3 80*4 80*4 50*5 50*5 150 150 1 1 800* 800* 600*2 600*2 (5.390) (5.500) (5.610) - 発振 出力 コイル 周波数 容量 (µH) (MHz) (µF) 3.0 1.5 10 3.0 1.5 10 3.0 1.0 22 - - 100 備考 SWFET 内蔵 出力設定 抵抗内蔵 位相補償 定数内蔵 SWFET 内蔵 出力設定 抵抗内蔵 位相補償 定数内蔵 SWFET 内蔵 出力設定 抵抗内蔵 位相補償 定数内蔵 DD3 起動後 自動起動 0.5Ω(max) 150 昇圧 C-mode 1.5 4.7 SWFET 内蔵 出力設定 4.7 抵抗内蔵 位相補償 定数内蔵 225 反転 C-mode 1.5 4.7 10 1.0 SWFET 内蔵 出力設定 22 抵抗内蔵 位相補償 定数内蔵 昇降圧 1200 (H-ブリッジ) C-mode 3.0 SWFET 内蔵 出力設定 抵抗内蔵 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 3 r1.0 MB39C329 *1: VIN≧2.9V *2: 2.5V≦VIN<2.9V *3: VIN≧2.9V , Vo4≦15V *4: VIN≧2.9V , Vo4≧15.5V *5: 2.5V≦VIN<2.9V *6: SPI 通信前の初期値です。 (注意事項) 「DD4, DD5, DD6 の出力電圧は SPI 通信で設定してください。 詳細は、『■機能説明』の「・SPI 通信仕様」および「・SPI インタフェースとデータの構成 について」を参照してください。 (Ta=+25°C) チャネル 記号 DD7 精度 出力電流 (mA) 出力 リミット電流(mA) 電圧(V) 標準 最大 最小 (VIN=3.6V) 1~30(1mA step) 5灯 ILED ±5% (通信前初期値:15mA) (18.8*) 30 方式 昇圧 C-mode 60 出力 発振 コイル 容量 周波数 (µH) (µF) (MHz) 1.5 4.7 備考 SWFET 内蔵 電流制御 1.0 位相補償 定数内蔵 *: RLED=10Ω 時 (注意事項) DD7 の出力電流は SPI 通信にて設定します。 (Ta=+25°C) 出力電圧 (V) チャネル 記号 精度 最小 LDO1 LDO2 LDO3 出力 電流 (mA) リミット電流 (mA) 標準 最小 (VIN=3.6V) 方式 発振 出力 コイル 周波数 容量 (µH) (MHz) (µF) 標準 最大 最大 LDO1 ±2% 3.234 3.300 3.366 10 10 15 シリーズ レギュ レータ - - 2.970* 3.267 LDO2 ±1% 3.960 4.950 2.910 3.201 LDO3 ±3% 3.880 4.850* 3.030* 3.333 4.040 5.050 3.090 3.399 4.120 5.150* 150 150 225 シリーズ レギュ レータ - - 120 シリーズ レギュ レータ 3.000* 3.300 4.000 5.000 3.000 3.300 4.000 5.000* 80 80 - - 備考 常時動作 過電流保護 機能 DD3 起動後 自動起動 4.7 過電流保護 機能 1 逆流防止 機能 1.0 過電流保護 機能 *: SPI 通信前の初期値です。 (注意事項) LDO2 , LDO3 の出力電圧は SPI 通信にて設定します。 (Ta=+25°C) 出力電圧 (V) チャネル 記号 精度 最小 標準 最大 CP CPO ±3% 5.33 5.50 5.66 出力 電流 (mA) リミット電流 (mA) 最大 標準 最小 (VIN=3.6V) 80 4 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL - - 方式 チャージ ポンプ 発振 出力 コイル 周波数 容量 (µH) (MHz) (µF) 0.375 - 2.2 備考 LDO3 入力 電源用 Vo3 を入力 とする DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 端子配列図 (TOP VIEW) 1 2 3 4 5 6 7 8 TEST_C CPO PVCCL3*1 LDO2 OSCIN OSCOUT VO3 TEST_S CFP LDO3 LDO1 PSWO3 LX3_2*3 A B PVCCL2*1 PVCCR*1 VCC*1 C CFM PVCCCP* 1 VREF VR GND*2 IN3 PGND3*2 LX3_1*3 DCG4 CTL RST MINE5 IN5 PVCC3*1 D PGNDCP*2 PGND7*2 E LX7*3 INO7 NSWI XCTL6 CLK FB5 DCG5 LX5*3 VO6 LX6_2*3 NSWO IN2 DIO LD IN1 PVCC5*1 PGND6*2 IN6 PVCC2*1 IN4 LX1*3 PVCC1*1 F G PGND24*2 PVCC4*1 H NC LX6_1*3 PVCC6*1 LX2*3 LX4_2*3 LX4_1*3 PGND1*2 CLKOUT (WLP-64P-M03) *1: 電源端子です。 *2: GND 端子です。 *3: LX 端子です。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 5 r1.0 MB39C329 端子機能説明 回路 ブロック DD1 DD2 DD3 端子 記号 端子 I/O 番号 機能説明 対 対 接続先 接続先 GND 電源 IN1 F7 I ○ VCC ○ LX1 G7 O - - ○ IN2 F4 I ○ VCC ○ LX2 H4 O - - ○ IN3 C6 I - - ○ LX3_1 C8 O - - ○ PGND3 DD3・インダクタンス接続用端子です。 LX3_2 B8 O - - ○ PGND3 DD3・インダクタンス接続用端子です。 VO3 A7 O - - ○ PGND3 ○ GND GND DD1・出力電圧 フィードバック端子です。 PGND1 DD1・インダクタンス接続用端子です。 GND DD2・出力電圧 フィードバック端子です。 PGND24 DD2・インダクタンス接続用端子です。 GND DD3・出力電圧 フィードバック端子です。 DD3・出力電圧端子です。 PSWO3 B7 O - - ○ IN4 G4 I - - ● GND LX4_1 H6 O - - ○ PGND24 LX4_2 H5 O - - ● PGND24 DD4・インダクタンス接続用端子です。 DCG4 D3 O - - ● GND IN5 D7 I ● VCC - - MINE5 D6 I ○ VCC ○ GND DD5・誤差増幅器反転入力端子です。 FB5 E6 O ○ VCC ○ GND DD5・誤差増幅器出力端子です。 LX5 E8 O ● PVCC5 - - DD5・インダクタンス接続用端子です。 DCG5 E7 O ● IN3 - - DD5・ディスチャージ制御用端子です。 IN6 G2 I - - ○ GND LX6_1 H2 O - - ○ PGND6 DD6・インダクタンス接続用端子です。 LX6_2 F2 O - - ○ PGND6 DD6・インダクタンス接続用端子です。 VO6 F1 O - - ○ PGND6 ○ GND GND DD4 DD5 ESD 保護素子 ○5V 素子/●HV 素子 DD6 PGND3 DD3・ロード SW 出力端子です。 DD4・出力電圧 フィードバック端子です。 DD4・ロード SW 出力電圧端子兼インダクタン ス接続用端子です。 DD4・ディスチャージ用端子です (オープンドレイン出力)。 DD5・出力電圧 フィードバック端子です。 DD6・出力電圧 フィードバック端子です。 DD6・出力電圧端子です。 DD6・制御端子です (L:DD6 使用, H:DD6 未使用)。 XCTL6 E4 I ○ VCC ○ LX7 E1 O - - ● NSWI E3 I ○ VCC ○ GND DD7・LED 電流 入力端子です。 NSWO F3 O ○ VCC ○ GND DD7・LED 電流 出力端子です。 INO7 E2 I - - ● GND DD7・過電圧保護検出器 入力端子です。 LDO1 LDO1 B3 O - - ○ GND LDO1・出力端子です。 LDO2 LDO2 A4 O - - ○ GND LDO2・出力端子です。 LDO3 LDO3 B2 O - - ○ GND LDO3・出力端子です。 DD7 6 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL PGND7 DD7・インダクタンス接続用端子です。 DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 回路 ブロック 端子 記号 端子 I/O 番号 ESD 保護素子 ○5V 素子/●HV 素子 機能説明 対 対 接続先 接続先 GND 電源 CFP B1 - - - ○ PGNDCP チャージポンプ用フライング容量接続端子 1 です。 CFM C1 - - - ○ PGNDCP チャージポンプ用フライング容量接続端子 2 です。 CPO A2 O - - ○ PGNDCP チャージポンプ出力端子です。 Reset RST D5 O - - ○ GND リセット出力端子です (オープンドレイン出力)。 Control CTL D4 I ○ VCC ○ GND 電源,基準電圧および DD1~DD3,DD6 の制御 端子です。 CLK E5 I ○ IN2 ○ GND SPI 通信用クロック入力端子です。 CP SPI RTC DIO F5 I/O ○ IN2 ○ GND SPI 通信用データ入出力端子です。 WRITE モード時は入力, READ モード時は出 力になります。 LD F6 I ○ IN2 ○ GND SPI 通信用チップイネーブル入力端子です。 プルダウン付きでオープン時"L"になります。 OSCIN A5 I ○ PVCCR ○ GND RTC 用水晶発振子接続用端子です。 OSCOUT A6 O ○ PVCCR ○ GND RTC 用水晶発振子接続用端子です。 - - - ○ PGND1 ○ GND ○ PGND24 ○ GND ○ PGND3 ○ GND ○ PGND24 ○ GND ○ PGND3 ○ GND ○ PGND6 ○ GND PVCC1 PVCC2 PVCC3 PVCC4 Power PVCC5 PVCC6 G8 G3 D8 G6 F8 H3 - - - - - - - - - - - - - - - DD1・出力部 電源端子です。 DD2・出力部 電源端子です。 DD3・出力部 電源端子です。 DD4・出力部 電源端子です。 DD5・出力部 電源端子です。 DD6・出力部 電源端子です。 PVCCL2 B4 - - - ○ GND LDO2・電源端子です。 PVCCL3 A3 - - - ○ GND LDO3・電源端子です。 PVCCCP C2 - - - PVCCR B5 - - - ○ PGNDCP ○ GND ○ GND チャージポンプ部 電源端子です。 RTC 部 電源端子です。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 7 r1.0 MB39C329 回路 ブロック 端子 記号 VCC 端子 I/O 番号 B6 - ESD 保護素子 ○5V 素子/●HV 素子 機能説明 対 対 接続先 接続先 GND 電源 - - ○ PGND1 ○ PGND24 ○ PGND3 ○ PGND6 制御回路部 電源端子です。 ○ PGND7 ○ PGNDCP Power その他 ○ GND VREF C3 O ○ VCC ○ GND 基準電圧(2.4V) 出力端子です。 VR C4 O ○ VCC ○ GND 基準電圧(0.6V) 出力端子です。 PGND1 H7 - - - - - DD1・出力部 接地端子です。 PGND3 C7 - - - - - DD3・出力部 接地端子です。 PGND24 G5 - - - - - DD2、DD4・出力部 接地端子です。 PGND6 G1 - - - - - DD6・出力部 接地端子です。 PGND7 D2 - - - - - DD7・出力部 接地端子です。 PGNDCP D1 - - - - - チャージポンプ部 接地端子です。 制御回路部 接地端子です。 GND C5 - - - - - TEST_C A1 I ○ VCC ○ GND テスト用端子です。 IC 内部でプルダウン(100kΩ)しています。 TEST_S A8 I ○ VCC ○ GND テスト用端子です。 IC 内部でプルダウン(100kΩ)しています。 CLKOUT H8 O ○ VREF ○ GND テスト用(発振周波数測定)端子です。 - - - - - 未接続端子です。 IC 内部回路との接続はありません。 NC H1 8 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 ブロックダイヤグラム IN1 PVCC1 <<DD1:FPWM 降圧:同期整流>> A L Priority Error Comp1 A Buck S Slope 保護動作時 ディスチャージ Q PWM Logic Control R SCP 0.6V ( ± 1%) SCP Vo1:1.2V Io(Max):800mA LX1 AST LV CNV clk PGND1 ILIM 電圧検出回路へ SS DAC1236から SCP IN2 PVCC2 <<DD2:C-mode 降圧:同期整流>> B L Priority Error Amp2 B SCP Buck 0.6V ( ± 1%) 保護動作時 ディスチャージ LX2 PWM Logic Control ICOMP2 LV CNV 電圧検出回路へ SS DAC1236から IN3 Vo2:1.8V Io(Max):500mA AST SLP CMP PGND24 PVCC3 <<DD3:C-mode 昇降圧:同期整流>> C L Priority Error Amp3 Buck-Boost (H-bridge) C SCP PWM Logic Control 0.6V ( ± 1%) 保護動作時 ディスチャージ LX3_1 Vo3:3.3V Io(Max):800mA 下記含む ロードSW:500mA LDO2:150mA CP:160mA AST ICOMP3 LV CNV 電圧検出回路へ SS DAC1236から SLP CMP VO3 LX3_2 AST PGND3 L ディスチャージ 制御 シーケンス 制御 ON/OFF 制御 PVCC4 <<DD4:C-mode 昇圧>> IN4 HV SCP D L Priority D Error Amp4 HV Vo4:11V~16V (0.5Vstep) Io(Max):100mA AST ICOMP4 0.6V ディスチャージ 制御 Boost LX4_1 PWM Logic Control LV CNV SLP CMP 出力電圧 切換え LX4_2 L SS時間切換え DCG4 Vo3_SW:3.05V Io(Max):500mA PSWO3 0.5Ω max PGND24 HV L SS DAC4 HV ON/OFF制御 L <<DD5:C-mode 反転>> IN3(3.3V) DCG5 20uA ディスチャージ 制御 Buffer Amp5 150k HV PVCC5 1.0V FB5 SCP E HV MINE5 Error Amp5 出力電圧 切換え Inverter Vo5:-9V~-5V (0.5Vstep) Io(Max):150mA LX5 DRV ICOMP5 LV HV L IN5 PWM Logic Control SLP CMP E L SS DAC5 SS時間切換え PGND3 ON/OFF制御 L IN6 PVCC6 <<DD6:C-mode 昇降圧:同期整流>> F L Priority Error Amp6 F SCP PW Logic ControlM 0.6V ( ± 1%) 保護動作時 ディスチャージ LX6_1 Vo6:4.5V (3.3V/4.5V/5.0V/5.5V) Io(Max):800mA AST ICOMP6 出力電圧 切換え L Buck-Boost (H-bridge) LV CNV DD1/DD2/DD3へ SLP CMP SS DAC1236 VO6 XCTL6 H:DD6未使用 L:DD6使用 Logic 部へ LX6_2 ON/OFF制御 AST L PGND6 clk enb Vin Vo3 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 9 r1.0 MB39C329 clk enb Vin LV CNV VCC Error L Priority NSWO Vo3 Boost H SCP <<DD7:C-mode 昇圧>> Vo7 Io(Max):30mA Amp7 PWM Logic Control 0.6V LX7 DRV ICOMP7 白色LED 電流設定 HV PGND7 L SLP CMP SS時間 L 切換え CS DAC7 NSWI ILED ON/OFF制御 L INO7 NSWO Error Amp7 OVP Comp7 H HV 0.6V VCC <<LDO1>> LDO1:3.3V Io(Max):10mA BGR LDO1 1.23V BATT J SCP L ON/OFF制御 PVCCL2 <<LDO2>> 0.6V LDO2:3.0V (3.0V/3.3V/4.0V/5.0V) Io(Max):150mA LDO2 ON/OFF制御 LDO2 ソフトスタート 制御 L SCP L SS時間 切換え 出力電圧 切換え L PVCCCP CFP Charge Pump ON/OFF制御 CFM CPO L CPO:5.5V Io(Max):80mA PGNDCP PVCCL3 <<LDO3>> 0.6V ON/OFF制御 LDO3 ソフトスタート 制御 L LDO3:5.0V (3.0V/3.3V/4.0V/5.0V) Io(Max):80mA LDO3 SS時間 L 切換え SCP 逆流 防止 SW 出力電圧 切換え L 1.8V(DD2) RST DD1/DD2/DD3 パワーオン リセット / 低電圧リセット (電圧検出回路 ディレイ回路) IN1 IN2 IN3 Reset <<RTC>> PVCCR J OSCIN VREF RTC Analog部 OSCOUT RTC Logic部 CLKOUT L scpDD1~scpDD7 scpLDO1~scpLDO3 H:DC/DC enable ・・・ IN2 VREF 1.8V(DD2) SPI通信 syscom DIO I/O Logic H:SCP時 CLK SCP (カウンタ &ラッチ) L L H:CTL ON LD L:OTP時 OTP VCC H:UVLO解除 Logic,OSC TEST_C TEST OSC TEST_S 電源 UVLO VREF CT NC RT ErrAmp基準 LDO基準 (0.6V) (0.6V) VREF Power ON/OFF CTL BGRより 0.6V VR (2.4V) 10 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL VREF VIN L i×1セ ル ( 2. 5V~5. 5V ) LDO2基準 CTL BGR GND <<WLP-64P 0.5mm pitch>> 使用 pin:63pin NC pin:1pin DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 絶対最大定格 項目 電源電圧 記号 VCC VINE 入力電圧 VIN VCTL LX 電圧 LX ピーク電流 VLX ILX 定格値 条件 単位 最小 最大 VCC, PVCC1~PVCC6, PVCCL2, PVCCL3, PVCCCP 端子 ― 7 V PVCCR 端子 ― 4 V MINE5 端子 -0.3 +7 V IN1~IN3, IN6 端子 ― 7 V IN4, DCG4, INO7 端子 ― 25 V IN5 端子(PVCC5-Vo5) ― 18 V LDO1, LDO2, LDO3 端子 ― 7 V NSWI, NSWO 端子 ― 7 V CLK, DIO, LD 端子 ― 4 V OSCIN 端子 ― 4 V CTL, XCTL6 端子 ― 7 V -0.3 +7 V LX1, LX2, LX3_1, LX3_2, LX4_1, LX6_1, LX6_2 端子 DC LX4_2, LX7 端子*1 DC -0.3 +25 V LX5 端子(PVCC5-Vo5) DC -0.3 +18 V LX1 端子 AC ― 2.0 A LX2 端子 AC ― 1.7 A LX3_1, LX3_2 端子 AC ― 3.0 A LX4_1, LX4_2 端子 AC ― 2.0 A LX5 端子 AC ― 3.0 A LX6_1, LX6_2 端子 AC ― 4.5 A LX7 端子 AC ― 2.0 A 出力電圧 VO VO3, VO6 端子 -0.3 +7 V 出力電流 IO PSWO3 端子 ― -750 mA PD Ta≦+25°C 熱抵抗値(θj-a): (50°C/W) ― 2000*2 mW 許容損失 最大ジャンクション温度 Tjmax ― ― +125 °C 保存温度 TSTG ― -55 +125 °C *1: LX7(DD7) OVP 検出中のスパイク電圧での破壊に対する設計保証条件 ・入力電圧=4.5V 以下 ・Ta=+45°C 以下 ・DD7 コイル=LBR2012T4R7M (太陽誘電製 4.7µH) *2: 117×84×0.8mm の FR-4 基板に実装時 (注意事項) 「■使用上のご注意」を厳守してください。 また、LX 端子を VCC あるいは GND にショートすると本製品が破壊することがあります。 <注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破 壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意く ださい。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 11 r1.0 MB39C329 推奨動作条件 項目 電源電圧 動作電源電圧 VCC 計時電源電圧 基準電圧出力電流 IREF VINE 入力電圧 VIN VCTL LX 電圧 VLX 出力電圧 VO 入力電流 IIN IO 出力電流 ISW ILDO 発振周波数 白色 LED 電流設定抵抗 基準電圧出力容量 基準電圧出力容量 動作温度 最小 規格値 標準 最大 VCC, PVCC1~PVCC6, PVCCCP 端子 2.5 3.6 5.5 V PVCCL2, PVCCL3 端子 3.2 3.6 5.5 V PVCCR 端子 通信設定可能な電源電圧 2.0 3.0 3.3 V 1.8 * 3.0 3.3 V -1 0 0 0 0 0 0 0 0 - - - - - - - - - 0 1.1 VCC 5.5 24 16 5.5 VCC 1.8 mA V V V V V V V V 0 0 - - 3.3 VCC V V 0 - 5.5 V 0 0 0 0 - - - - 24 16 5.5 5.5 V V V V - - - - - - - - - - - - - - - 0.10 0.1 -30 - - - - - - - - - - - - - 3.0 10 0.47 - +25 30 800 500 800 100 150 800 30 500 10 150 80 80 - - 1.00 1.0 +85 mA mA mA mA mA mA mA mA mA mA mA mA mA MHz Ω µF µF °C 記号 ICPO fOSC RLED CR CREF Ta 条件 PVCCR 端子 内部時計データを保持可能な 電源電圧 VREF 端子 MINE5 端子 IN1,IN2 端子 IN3,IN6 端子 IN4,DCG4,INO7 端子 IN5 端子(PVCC5-Vo5) LDO1,LDO2,LDO3 端子 NSWI,NSWO 端子 CLK,DIO,LD 端子 OSCIN 端子 CTL,XCTL6 端子 LX1,LX2,LX3_1,LX3_2, LX4_1,LX6_1,LX6_2 端子 LX4_2,LX7 端子 LX5 端子(PVCC5-Vo5) VO3,VO6 端子 RST 端子 NSWI 端子 DD1 DD2 DD3 DD4 DD5 DD6 DD7 PSWO3 端子 LDO1 端子 LDO2 端子 LDO3 端子 CPO 端子 DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC DC ― ― VR 端子容量 VREF 端子容量 ― 単位 *: 電源電圧検出電圧の規格は「■電気的特性」の「RTC 部」を参照してください。 (注意事項) VCC 端子と PVCC1~PVCC6 端子についてはショートしてください。 12 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 <注意事項> 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の 規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してくだ さい。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。 データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証してい ません。記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門まで ご相談ください。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 13 r1.0 MB39C329 電気的特性 1. 共通部 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 記号 出力電圧 ショート検知部 [SCP] ソフトスタート部 [SS] 過熱保護回路部 [OTP] 発振器部 [OSC] コントロール部(CTL) [CTL] 全デバイス (DC/DC 部) 単位 標準 最大 0.594 0.600 0.606 V VREF1 VREF 端子=0mA 2.376 2.400 2.424 V VREF2 VCC 端子=2.5V~5.5V VREF3 低入力時誤動作 防止回路部 [VCC UVLO] 規格値 最小 VR 基準電圧部 [VR, VREF] 条件 VR 端子=0mA 2.37 2.40 2.43 V VREF 端子=0mA~-1mA 2.37 2.40 2.43 V VCC 端子= 2.16 2.20 2.24 V - 0.20 - V 4.5* 5.0* 5.5* ms 9* 10* 11* ms スレッショルド 電圧 VTH ヒステリシス幅 VH タイマ時間 tSCP1 初期値 tSCP2 通信切換え時 tSS1 固定値: DD1,DD2,DD3,DD6,CP 初期値: DD4,DD5,DD7,LDO2,LDO3 4.5* 5.0* 5.5* ms tSS2 固定値:SW3 通信切換え: DD4,DD5,DD7,LDO2,LDO3 9* 10* 11* ms ソフトスタート 時間 ― 停止温度 TOTPH ― +125* +150* - °C 復帰温度 TOTPL ― - +125* - °C 発振周波数 fOSC1 DD1~DD3, DD6 2.7 3.0 3.3 MHz fOSC2 DD4, DD5, DD7 1.35 1.50 1.65 MHz 起動スレッショ ルド電圧 VTH CTL 端子 - 0.9 1.5 V 停止スレッショ ルド電圧 VTL CTL 端子 0.3 0.6 - V 入力電流 ICTLH CTL 端子=3V 22 30 46 µA ICTLL CTL 端子=0V - - 1 µA IVCCS1 CTL 端子=0V (LDO1 のみ動作時) - 2.2 3.3 µA IVCCS2 CTL 端子=0V (LDO1 停止時) - 1.0* 1.5* µA IVCC CTL 端子=3V, デューティ=0% - 4 6 mA スタンバイ電流 電源電流 *: 標準設計値 14 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 2. FPWM DD1, 電流モード DC/DC DD2, DD3 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) DC/DC コンバータ部 [DD1] DC/DC コンバータ部 [DD2] DC/DC コンバータ部 [DD3] ロード SW 部 [DD3 SW] 項目 記号 条件 出力電圧 Vo1 - IN1 端子入力 インピーダンス RIN 規格値 単位 最小 標準 最大 1.176 1.200 1.224 V IN1 端子=2.0V - 0.11 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX1 端子 =-100mA,VGS=3.6V - 0.30* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX1 端子= 100mA, VGS=3.6V - 0.21* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX1 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX1 端子=3.6V - - 1 µA 出力電圧 Vo2 - 1.764 1.800 1.836 V IN2 端子入力 インピーダンス RIN IN2 端子=2.0V - 0.17 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX2 端子=-100mA, VGS=3.6V - 0.37* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX2 端子= 100mA, VGS=3.6V - 0.35* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX2 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX2 端子=3.6V - - 1 µA 出力電圧 Vo3 - 3.234 3.300 3.366 V IN3 端子入力 インピーダンス RIN IN3 端子=2.0V - 0.22 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX3_1 端子=-100mA, VGS=3.6V - 0.09* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX3_1 端子= 100mA, VGS=3.6V - 0.12* - Ω SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX3_2 端子=-100mA, VGS=3.6V - 0.16* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX3_2 端子= 100mA, VGS=3.6V - 0.10* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX3_1 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX3_1 端子=3.6V - - 1 µA SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX3_2 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX3_2 端子=3.6V - - 1 µA ロード SW ON 抵抗 RSW Vo3=3.3V, IPSWO=-500mA - - 0.50 Ω ロード SW Tr リーク電流 ILEAK - - 1 µA - *: 標準設計値 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 15 r1.0 MB39C329 3. 電流モード DC/DC DD4 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 出力電圧 DC/DC コンバータ部 [DD4] IN4 端子入力 インピーダンス 記号 Vo4 RIN 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 VO4 出力電圧設定=11V 10.84 11.00 11.17 V VO4 出力電圧設定=11.5V 11.33 11.50 11.67 V VO4 出力電圧設定=12V 11.82 12.00 12.18 V VO4 出力電圧設定=12.5V 12.31 12.50 12.69 V VO4 出力電圧設定=13V 12.81 13.00 13.20 V VO4 出力電圧設定=13.5V 13.30 13.50 13.70 V VO4 出力電圧設定=14V 13.79 14.00 14.21 V VO4 出力電圧設定=14.5V 14.28 14.50 14.72 V VO4 出力電圧設定=15V 14.78 15.00 15.23 V VO4 出力電圧設定=15.5V 15.27 15.50 15.73 V VO4 出力電圧設定=16V 15.76 16.00 16.24 V IN4 端子=2.0V - 0.85 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX4_1 端子=-100mA VGS=3.6V - 0.12* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX4_2 端子=100mA VGS=3.6V - 0.33* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX4_1 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX4_2 端子=3.6V - - 1 µA DCG4 端子"L"レベル 出力電圧 VOL DCG4 端子=10mA - - 0.8 V DCG4 端子リーク電流 ILEAK DCG4 端子=24V - - 1 µA *: 標準設計値 16 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 4. 電流モード DC/DC DD5 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 出力電圧 記号 Vo5 DC/DC コンバータ部 [DD5] IN5 端子入力 インピーダンス 規格値 単位 最小 標準 最大 VO5 出力電圧設定=-5V -5.08 -5.00 -4.93 V VO5 出力電圧設定=-5.5V -5.58 -5.50 -5.42 V VO5 出力電圧設定=-6V -6.09 -6.00 -5.91 V VO5 出力電圧設定=-6.5V -6.60 -6.50 -6.40 V VO5 出力電圧設定=-7V -7.11 -7.00 -6.90 V VO5 出力電圧設定=-7.5V -7.61 -7.50 -7.39 V VO5 出力電圧設定=-8V -8.12 -8.00 -7.88 V VO5 出力電圧設定=-8.5V -8.63 -8.50 -8.37 V VO5 出力電圧設定=-9V -9.14 -9.00 -8.87 V IN5 端子=-1V - 0.46 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX5 端子=-100mA VGS=3.6V - 0.27* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX5 端子=0V -1 - - µA nA 入力バイアス電流 誤差増幅器部 (DD5) [Error Amp5] RIN 条件 出力電圧 出力ソース電流 出力シンク電流 ディスチャージ部 オフ時端子電圧 (DD5) [DISCHG.] IB MINE5 端子=0V -100 0 - VOH FB5 端子=0mA - 0.8 - V VOL FB5 端子=0mA - 50 75 mV ISOURCE FB5 端子=0.5V - -90 - µA FB5 端子=0.5V - 90 - µA 2.5 2.9 3.1 V ISINK VO - *: 標準設計値 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 17 r1.0 MB39C329 5. 電流モード DC/DC DD6 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 出力電圧 IN6 端子入力 インピーダンス DC/DC コンバータ部 [DD6] 記号 VO6 RIN 規格値 条件 単位 最小 標準 最大 VO6 出力電圧設定=3.3V 3.234 3.300 3.366 V VO6 出力電圧設定=4.5V 4.410 4.500 4.590 V VO6 出力電圧設定=5.0V 4.900 5.000 5.100 V VO6 出力電圧設定=5.5V 5.390 5.500 5.610 V IN6 端子=2.0V - 0.68 - MΩ SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX6_1 端子=-100mA VGS=3.6V - 0.05* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX6_1 端子=100mA VGS=3.6V - 0.12* - Ω SW PMOS-Tr ON 抵抗 RPMOS LX6_2 端子=-100mA VGS=3.6V - 0.12* - Ω SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX6_2 端子=100mA VGS=3.6V - 0.09* - Ω SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX6_1 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX6_1 端子=3.6V - - 1 µA SW PMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX6_2 端子=0V -1 - - µA SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX6_2 端子=3.6V - - 1 µA XCTL6 端子=0V~VCC - - 1 µA 0 - (0.3× VCC) V (0.7× VCC) - VCC V XCTL6 端子入力電流 IIH XCTL6 端子 "L"レベル入力電圧 VIL DD6 使用時 XCTL6 端子 "H"レベル入力電圧 VIH DD6 未使用時 *: 標準設計値 6. IN 端子放電 SW 抵抗 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 IN1 端子 放電 SW ON 抵抗 IN2/IN3/IN6 端子 放電 SW ON 抵抗 IN4/DCG4 端子 放電 SW ON 抵抗 記号 条件 規格値 最小 標準 最大 単位 VCC=2.5V 30 60 90 Ω RIN_SW VCC=3.6V 20 40 60 Ω VCC=5.5V 15 30 45 Ω 3.5 5.0 6.5 kΩ VCC=2.5V 35 70 100 Ω RIN_SW VCC=3.6V 28 55 80 Ω VCC=5.5V 25 50 75 Ω - RIN_SW 18 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 7. 電流モード白色 LED ドライバ DD7 (Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V) 項目 DC/DC コンバータ部 [DD7] 記号 出力電流 SW MOS Tr 部 (DD7) [SW MOS] 過電圧検出器部 (DD7) [OVP Comp.7] Io7 規格値 条件 初期値 単位 最小 標準 最大 14.2 15.0 15.8 mA SW NMOS-Tr ON 抵抗 RNMOS LX7=30mA,VGS=3.6V - 0.51* - Ω SW NMOS-Tr リーク電流 ILEAK LX7 端子=3.6V - - 1 µA スレッショルド電圧 VTH 20 22 24 V 入力インピーダンス RIN - 550 - kΩ RNMOS NSWI=30mA,VGS=3.6V - 0.5* - Ω ILEAK - - 1 µA 白色 LED センス NMOS-Tr ON 抵抗 抵抗接続用 SW 部 (DD7) NMOS-Tr リーク電流 [NSW] - INO7=14V NSWI=3.6V *: 標準設計値 8. LDO LDO1 項目 LDO 部 [LDO1] 記号 条件 (Ta=+25°C, PVCCL2, PVCCL3=3.6V) 規格値 単位 最小 標準 最大 出力電圧 VOUT IOUT=-1mA 3.234 3.300 3.366 V 入出力電圧差 VDIF IOUT=-10mA - 0.1 0.2 V 入力安定度 VLINE IOUT=-5mA, VCC=3.5V~5.5V - - 30 mV 負荷安定度 VLOAD IOUT=-1mA~-10mA -30 - - mV PVCCL=0.2Vrms, f=1kHz, IOUT=-10mA 20* 30* - dB PVCCL=0.2Vrms, f=10kHz, IOUT=-10mA 5* 10* - dB Vout×0.9 10* 15* - mA IPVCCLS スタンバイ時 (SPI 通信制御) - 0* 1* µA IPVCCL IOUT=0mA - 1.2* 1.8* µA リップル除去比 過電流保護値 電源電流 RR ILIMIT *: 標準設計値 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 19 r1.0 MB39C329 9. LDO LDO2 (Ta=+25°C, PVCCL1~PVCCL3=3.6V) 項目 出力電圧 LDO 部 [LDO2] 記号 VOUT 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 LDO2=3V 設定 IOUT=-1mA 2.970 3.000 3.030 V LDO2=3.3V 設定 IOUT=-1mA 3.267 3.300 3.333 V LDO2=4V 設定 IOUT=-1mA 3.960 4.000 4.040 V LDO2=5V 設定 IOUT=-1mA 4.950 5.000 5.050 V 入出力電圧差 VDIF PVCCL2=LDO2 出力設定電圧 IOUT=-150mA - 0.10 0.20 V 入力安定度 VLINE LDO2=3V, IOUT=-50mA, PVCCL2=3.4V~3.8V - - 10 mV 負荷安定度 VLOAD LDO2=3V, IOUT=-1mA~-50mA -15 - - mV LDO2=3V, PVCCL=0.2Vrms, f=1kHz, IOUT=-150mA 55* 65* - dB LDO2=3V, PVCCL=0.2Vrms, f=1.5MHz, IOUT=-150mA 20* 30* - dB Vout×0.9 150* 225* - mA スタンバイ時(SPI 通信制御) - 0 1 µA IOUT=0mA - 80 120 µA リップル除去比 過電流保護値 電源電流 RR ILIMIT IPVCCLS IPVCCL *: 標準設計値 20 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 10. LDO LDO3 (Ta=+25°C, PVCCL1~PVCCL3=3.6V) 項目 出力電圧 LDO 部 [LDO3] 記号 VOUT 条件 規格値 単位 最小 標準 最大 LDO3=3V 設定 IOUT=-1mA 2.910 3.000 3.090 V LDO3=3.3V 設定 IOUT=-1mA 3.201 3.300 3.399 V LDO3=4V 設定 IOUT=-1mA 3.880 4.000 4.120 V LDO3=5V 設定 IOUT=-1mA 4.850 5.000 5.150 V 入出力電圧差 VDIF PVCCL3=LDO3 出力設定電圧 IOUT=-80mA - 0.10 0.20 V 入力安定度 VLINE LDO3=5V, IOUT=-50mA, PVCCL3=5.2V~5.5V - - 16 mV 負荷安定度 VLOAD LDO3=5V, IOUT=-1mA~-50mA -25 - - mV LDO3=5V, PVCCL=5.5V,0.2Vrms, f=1kHz, IOUT=-50mA 20* 30* - dB LDO3=5V, PVCCL=5.5V,0.2Vrms, f=1.5MHz, IOUT=-50mA 20* 30* - dB Vout×0.9 80* 120* - mA スタンバイ時(SPI 通信制御) - 0 1 µA IOUT=0mA - 100 150 µA リップル除去比 過電流保護値 電源電流 RR ILIMIT IPVCCLS IPVCCL *: 標準設計値 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 21 r1.0 MB39C329 11. CP 部 項目 出力電圧 CP 部 [CP] 記号 VO 条件 PVCCCP=3.3V(DD3) IO=0mA (Ta=+25°C, VCC=3.6V) 規格値 単位 最小 標準 最大 5.33 5.50 5.66 V 負荷安定度 VLoad IO=0mA~-80mA - - 300 mV 無負荷時消費電流 IPVCC IO=0mA - 200 300 µA 338 375 413 kHz CP 発振周波数 ― fosc 12. Reset 部 項目 (Ta=+25°C, VCC=3.6V) 規格値 単位 最小 標準 最大 記号 条件 出力電圧 VOL RST 端子=1.8V(DD2),550μA - - 0.4 V 出力電流 IOL ― 1 - - mA スレッショルド電圧 Reset 部 [Reset] ヒステリシス幅 VTH1 Vo1 端子= 0.950 1.000 1.050 V VTH2 Vo2 端子= 1.425 1.500 1.575 V VTH3 Vo3 端子= 2.565 2.700 2.835 V VH1 Vo1 ヒステリシス 64 80 96 mV VH2 Vo2 ヒステリシス 64 80 96 mV VH3 Vo3 ヒステリシス 80 100 120 mV 出力リーク電流 ILEAK ― - - 1 µA リセットディレイ時間 Tdelay ― 22 35 48 ms 22 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 13. RTC 部 項目 条件 ICCR OSCIN 端子=32.768kHz, LD 端子=VIL, CLKOUT 端子="L" (OFF) PVCCR 接続後内部 CLK 供給 開始までの消費電流* - 3.0 - µA 定常動作時 電源電流 (計時消費電流) ICCR OSCIN 端子=32.768kHz, LD 端子=VIL, CLKOUT 端子="L" (OFF) PVCCR 接続後内部 CLK 供給 開始後の消費電流* - 1.5 2.0 µA 電源電圧検出電圧 (RTC 動作開始) VTH PVCCR 端子= 1.9 2.0 2.1 V 電源電圧検出電圧 (RTC 動作停止) VTL PVCCR 端子= 1.7 1.8 1.9 V "H"レベル入力電圧 VIH OSCIN 端子 0.9 - PVCCR V "L"レベル入力電圧 起動時 電源電流 RTC 部 [RTC] 記号 (Ta=+25°C, PVCCR=3.0V, VCC=0V) 規格値 単位 最小 標準 最大 VIL OSCIN 端子 0 - 0.3 V 入力クロック周波数 fIN 外付け水晶発振子 - 32.768 - kHz 入力クロック デューティサイクル IDCI OSCIN 端子=32.768kHz 40 50 60 % *:「■RTC タイミングチャート」を参照してください。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 23 r1.0 MB39C329 14. シリアル I/F 部 項目 記号 条件 CLK 動作周波数 fCLK - - - 2 MHz CLK Hi レベル時間 tHI - 250 - - ns CLK Lo レベル時間 tLO - 250 - - ns DIO セットアップ時間 tDS - 100 - - ns DIO ホールド時間 tDH - 100 - - ns DIO ディレイ時間 最小 tRD - - - 200 ns LD セットアップ時間 tLD - 100 - - ns LD ホールド時間 tLH - 100 - - ns LD ディレイ時間 tLDHI - 100 - - ns LD イネーブル時間 tWLD - - - 0.95 s ns CLK 立上り時間 SPI 部 [SPI] tr - - - 100 CLK 立下り時間 tf - - - 100 ns LD 立上り時間 trld - - - 1 µs LD 立下り時間 tfld - - - 1 µs 入力電流 IIH LD,CLK 端子=0V~Vo2 - - 1 µA "H"レベル入力電圧 VIH LD,CLK,DIO 端子 (Vo2× 0.7) - Vo2 V "L"レベル入力電圧 VIL LD,CLK,DIO 端子 0 - (Vo2× 0.3) V "H"レベル出力電圧 VOH DIO 端子=-4mA (Vo2× 0.8) - Vo2 V "L"レベル出力電圧 VOL DIO 端子=4mA 0 - (Vo2× 0.2) V 出力リーク電流 ILEAK DIO 端子=Hi-Z 時 - - 1 µA tWLD trld fCLK LD (Ta=+25°C, VCCR=3.0V) 規格値 単位 標準 最大 tLD tLO tr tf tHI tLH 80% 20% CLK tDS tDH tfld tLDHI tRD DIO Hi-Z 24 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL Hi-Z DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 標準動作特性例 (1) IC 全体効率 TOTAL 効率-入力電圧特性 テスト条件 100 変換効率[%] 95 90 85 80 75 70 65 60 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN [V] DD1:1.2V/600mA DD2:1.8V/200mA DD3:3.3V/300mA DD4:13V/20mA DD5:-6V/15mA DD6:4.5V/100mA DD7:LED 3 灯/30mA LDO1:3.3V/1mA LDO2:3.0V/10mA LDO3:5.0V/10mA (2) DD1 負荷効率/負荷安定度 1.300 100 1.280 出力電圧 VO [V] 95 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V 55 VIN=3.7V VIN=5.5V 1.260 1.240 1.220 1.200 1.180 1.160 VIN=3.7V VIN=2.5V VIN=5.5V 1.140 1.120 50 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 1.100 0.8 0.0 0.1 0.2 出力負荷 IO [A] 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] (3) DD2 負荷効率/負荷安定度 1.300 100 1.280 95 出力電圧 VO [V] 1.260 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V 55 VIN=3.7V VIN=5.5V 1.240 1.220 1.200 1.180 1.160 VIN=3.7V VIN=2.5V VIN=5.5V 1.140 1.120 50 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 1.100 0.0 0.1 0.2 出力負荷 IO [A] 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] (4) DD3 負荷効率/負荷安定度 100 3.400 95 3.380 出力電圧 VO [V] 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V 55 VIN=3.7V VIN=5.5V 3.360 3.340 3.320 3.300 3.280 3.260 VIN=3.7V VIN=2.5V VIN=5.5V 3.240 3.220 50 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 3.200 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] 25 r1.0 MB39C329 (5) DD4 負荷効率/負荷安定度 13.10 100 13.08 出力電圧 VO [V] 95 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V 55 VIN=3.7V VIN=5.5V 13.06 13.04 13.02 13.00 12.98 12.96 VIN=3.7V VIN=2.5V VIN=5.5V 0.03 0.05 0.07 12.94 12.92 50 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 12.90 0.00 0.10 0.01 0.02 出力負荷 IO [A] 0.04 0.06 0.08 0.09 0.10 出力負荷 IO [A] 100 -5.95 95 -5.97 90 -5.99 出力電圧 VO [V] 変換効率[%] (6) DD5 負荷効率/負荷安定度 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V VIN=3.7V VIN=5.5V 55 -6.01 -6.03 -6.05 -6.07 -6.09 VIN=3.7V -6.11 VIN=2.5V VIN=5.5V -6.13 50 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 -6.15 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 出力負荷 IO [A] 出力負荷 IO [A] (7) DD6 負荷効率/負荷安定度 100 4.600 95 4.580 出力電圧 VO [V] 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V VIN=3.7V VIN=5.5V 55 4.560 4.540 4.520 4.500 4.480 4.460 VIN=3.7V 4.440 VIN=2.5V VIN=5.5V 4.420 50 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] 4.400 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 出力負荷 IO [A] (8) DD7 負荷効率/負荷安定度 100 95 変換効率[%] 90 85 80 75 70 65 60 VIN=2.5V 55 VIN=3.7V VIN=5.5V 50 0 5 10 15 20 25 30 35 出力負荷 IO [A] 26 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 (9) LDO1 負荷安定度 (10) LDO2 負荷安定度 3.100 3.400 VCC=3.7V PVCCL2=3.2V VCC=5.5V 3.080 3.360 3.060 出力電圧 VO [V] 出力電圧 VO [V] VCC=3.5V 3.380 3.340 3.320 3.300 3.280 3.260 3.240 3.220 PVCCL2=3.7V PVCCL2=5.5V 3.040 3.020 3.000 2.980 2.960 2.940 2.920 3.200 0.000 0.002 0.004 0.006 0.008 0.010 2.900 0.00 出力負荷 IO [A] 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 出力負荷 IO [A] (11) LDO3 負荷安定度 5.100 PVCCL3=5.2V PVCCL3=5.5V 出力電圧 VO [V] 5.080 5.060 5.040 5.020 5.000 4.980 4.960 4.940 4.920 4.900 0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 出力負荷 IO [A] DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 27 r1.0 MB39C329 機能説明 DC/DC機能表 起動 出力電圧設定 起動/ 通信での チャネ 切断 ON/OFF ル シー 制御 ケンス 切断 ソフト スタート時間 パワー オン ロード リセット/ SW 低 VCC 時 低電圧 短絡 過熱 通信 通信 リセット 誤動作 保護 保護 切換え 切換え 防止 (SCP) (OTP) (UVLO) 通常オフ動作 固定 通信 切換え 固定 通信 切換え 固定 SCP 検出 時間 保護時 DD1 ○ × (CTL ピン のみ) ○ - 5ms - ソフト 5ms オフ - ディスチャージ*1 - ○ DD2 ○ × (CTL ピン のみ) ○ - 5ms - ソフト 5ms オフ - ディスチャージ*1 - ○ DD3 ○ × (CTL ピン のみ) ○ - 5ms - ソフト 5ms オフ - ディスチャージ*1 - ○ SW3 ○ ○ (シーケン ス起動後) ○ - 10ms - - ディス チャージ ディスチャージ - - ○ - ディスチャージ*1 ○ - DD4 DD5 - - ○ 自然放電 - ○ ○ - - 5ms/ 10ms - ディス チャージ 自然放電 ディス 自然放電 チャージ *2 自然放電 ディス チャージ 5ms/ 10ms - - ソフト 5ms オフ - ディスチャージ*1 - - 自然放電 ○ - - - - × DD6 ○ DD7 - LDO1 - (CTL/XCT - L6 ピンの み) ○ 5ms (起動後) 5ms/ 10ms (SW3, CP 以外) - ○ (LED 電流) - 5ms/ 10ms 自然放電 - ○ ○ (常時起動) - - - 自然放電 - LDO2 ○ ○ (シーケン ス起動後) - ○ - 5ms/ 10ms 自然放電 - 自然放電 - - LDO3 - ○ - ○ - 5ms/ 10ms 自然放電 - 自然放電 - - CP - ○ ○ - 5ms - 自然放電 - 自然放電 - - ○ - - - 自然 放電 *1: DD1/DD2/DD3/DD4/DD6 の IN 端子ディスチャージ SW 抵抗値は、各チャネルで異なるためディス チャージ時間も異なります。 IN 端子ディスチャージ SW 抵抗値については、 「■電気的特性」の「IN 端子放電 SW 抵抗」を参照し てください。 *2: DD5:UVLO 時は、ディスチャージ制御回路のバイアス回路が停止するため自然放電になります。 28 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 DC/DC CTL機能表 H L L L H H L L CTL_ON のみで ON 動作動作動作動作停止停止動作停止動作動作 停止 停止 起動するチャネル (DD6 使用) H H H L L L H H L L CTL_ON のみで ON 動作動作動作動作停止停止停止停止動作動作 停止 停止 起動するチャネル (DD6 未使用) H L H H H H H H H H ON 動作動作動作動作動作動作動作動作動作動作 動作 動作 CTL_ON 後、通信で ON(DD6 使用) H L L L L L L L L L ON 動作動作動作停止停止停止動作停止停止停止 停止 停止 CTL_ON 後、通信で OFF(DD6 使用) CP1 L LDO3 H LDO2 OFF 停止停止停止停止停止停止停止停止動作停止 停止 停止 LDO1 DD7 CTL_CP DD6 CTL_LDO3 DD5 CTL_LDO2 DD4 CTL_LDO1 SW3 CTL_DD7 DD3 CTL_DD5 DD2 CTL_DD4 DD1 CTL_SW3 L Power XCTL6 通信 CTL 外部 備考 スタンバイ時 (CTL_OFF) (注意事項) ・CTL 端子には、必ず"H"レベル(>1.5V), "L"レベル(<0.3V)のいずれかを入力してくださ い。 ・CTL 端子により停止させた場合、レジスタの値は初期化されます。 再度、通信によりレジスタ値を確定させてください。 ・切断シーケンス中に CTL を再投入させた場合、8H および 9H レジスタの値は初期化されま す。ほかのレジスタは保持されます。 低 VCC 時 誤動作防止回路 Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z L L Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z 動作 L Hi-Z Hi-Z Hi-Z DD7 過電圧 保護回路 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 Hi-Z 動作 動作 動作 動作 動作 動作 RST Hi-Z Hi-Z Hi-Z CPO L LDO3 Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z LDO2 L LDO1 L NSWI Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z LX7 過熱保護回路 LX6-2 Hi-Z Hi-Z Hi-Z LX6-1 L LX5 Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z LX4-2 L LX3-2 L LX3-1 Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z LX2 短絡保護回路 動作回路 LX1 LX4-1 機能表 PSWO3 保護動作時 (注意事項) CTL および当該チャネルを OFF した場合にも上記状態になります。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 29 r1.0 MB39C329 CTL端子スレッショルド電圧 CTL 端子の入力回路構成はシュミットトリガ形式です。CTL OFF→ON 時、および ON→OFF 時のス レッショルド電圧はヒステリシス特性を示します(CTL 端子 等価回路図を参照してください)。 また、スレッショルド電圧レベルは VCC 端子電圧に依存します。VCC=3.6V 時には、≒0.9V で CTL OFF→ON し、≒0.6V で CTL ON→OFF します。 なお、CTL 端子には、必ず"H"レベル(>1.5V), "L"レベル(<0.3V)のいずれかを入力してください。 CTL 端子 等価回路図 CTLスレッショルド電圧 はヒステリシス特性を 示します。 VCC ESD保護素子 CTL ESD保護素子 5kΩ 100kΩ GND 30 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 ソフトスタート動作説明 [DD1, DD2, DD3, DD6] CTL 投入後、発振周波数の分周信号を利用した D/A コンバータ (DAC)により、IC 内部の誤差増幅器 の非反転入力端子(CS1, CS3, CS2, CS6)が DD1→DD3→DD2→DD6 の順に上昇します。 Vo3 は Vo1 が出力電圧の 80%に達すると上昇を開始し、Vo2 は Vo3 が出力電圧の 80%に達すると上 昇を開始し、Vo6 は Vo2 が出力電圧の 80%に達すると上昇を開始します。 IC 内部の CS6 電圧が VREF レベル (≒2.4V) に達すると、IC がソフトスタート起動シーケンスの完 了フラグを立て、DD6→DD2→DD3→DD1 の順次切断シーケンス動作を許可します。 CTL 切断時、CS6 電圧が VREF レベルに達していない場合は、切断シーケンスを行わず、DD1~DD3 と DD6 は同時に瞬時 OFF します(下図 A 点) 。 CS6 電圧が VREF レベルに達している場合は、切断シーケンスを行い、Vo6 が 20%に達すると Vo2 をソフトオフさせ、Vo2 が 20%に達すると Vo3 をソフトオフさせ、Vo3 が 20%に達すると Vo1 をソ フトオフさせます (次頁 B 点) 。 なお、切断シーケンス中に CTL が再投入された場合でも、切断シーケンスを行った後に投入シーケン スを行います (次頁 C 点) 。 IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達する前に CTL 切断した場合 CTL 2.4V 2.4V CS1 0.6V IC内部信号 0.6V ≒0.48V ≒0.48V 5ms 5ms 1.2V ≒80% Vo1 ≒80% 2.4V 2.4V CS3 0.6V IC内部信号 0.6V ≒0.48V ≒ 0.48V 5ms 5ms 3.3V ≒80% ≒80% Vo3 2.4V CS2 2.4V 0.6V ≒0.48V 0.6V ≒0.48V IC内部信号 5ms 5ms 1.8V ≒80% ≒80% Vo2 2.4V A 2.4V CS6 0.6V 0.6V IC内部信号 5ms 5ms 4.5V Vo6 7ms 5ms 7ms 5ms 自然放電 LDO2 10ms 10ms ディスチャージ PSWO3 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 31 r1.0 MB39C329 IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達した後に CTL 切断し、切断シーケンス中に CTL 再投入した場合 t1≒32ms C CTL 2.4V CS1 IC内部信号 t2≒15ms 2.4V 0.6V 0.6V 5ms 0.6V ≒0.48V 5ms 5ms ≒80% Vo1 ≒0V 2.4V 2.4V ≒1.92V CS3 IC内部信号 ≒1.92V 0.6V 0.6V ≒0.48V 0.6V 5ms ≒80% Vo3 5ms ≒80% ≒80% ≒20% ≒20% 2.4V 2.4V ≒1.92V 0.6V CS2 IC内部信号 ≒1.92V 0.6V ≒0.48V 0.6V 5ms 5ms ≒80% Vo2 B ≒20% ≒20% 2.4V 2.4V CS6 IC内部信号 ≒1.92V ≒1.92V 0.6V 0.6V 5ms 0.6V 5ms Vo6 ≒20% ≒20% 7ms 5ms 自然放電 自然放電 LDO2 10ms ディスチャージ ディスチャージ PSWO3 32 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 [LDO2/SW3] LDO2/SW3 は DD3 に連動して起動および切断されます。 LDO2 は、Vo3 がソフトスタート開始後約 7ms で起動します。 切断は Vo3 の電圧低下に連動し、Vo3 が約 2.64V 以下に低下以降は自然放電で電圧低下します。 起動後は、SPI 通信で OFF/ON 可能です。 SW3 は Vo3 が約 2.64V を超えてから起動します。 切断は Vo3 の電圧が低下を始めた時点で OFF します。 起動後は、SPI 通信で OFF/ON 可能です。 2.4V IC内部 DD3ソフトスタート/ ソフトオフ用 DAC信号 0.6V 0.48V 0.6V 0.48V 2ms 5ms 5ms ≒80% (≒2.64V) DD3 ≒80% (≒2.64V) 自然放電 7ms LDO2 5ms ディスチャージ PSWO3 10ms SW3 ON抵抗 OFF ディスチャージ素子 ON DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 最大 0.5Ω 20Ω OFF OFF ON 33 r1.0 MB39C329 [DD6 未使用時, DD1, DD2, DD3] DD6 未使用時も、CTL 投入後、発振周波数の分周信号を利用した D/A コンバータ(DAC)により、IC 内部の誤差増幅器の非反転入力端子 (CS1,CS3,CS2,CS6) が DD1→DD3→DD2→DD6 の順に上昇しま す。 DD6 未使用状態で、IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達する前に CTL 切断した場合 CTL 2.4V 2.4V CS1 0.6V IC内部信号 0.6V ≒0.48V ≒0.48V 5ms 5ms 1.2V ≒80% Vo1 ≒80% 2.4V CS3 2.4V 0.6V IC内部信号 0.6V ≒0.48V ≒0.48V 5ms 5ms 3.3V ≒80% ≒80% Vo3 2.4V CS2 2.4V 0.6V ≒0.48V 0.6V ≒0.48V IC内部信号 5ms 5ms 1.8V ≒80% ≒80% Vo2 2.4V 2.4V CS6 IC内部信号 Vo6 7ms 5ms 7ms 5ms 自然放電 LDO2 10ms 10ms ディスチャージ PSWO3 34 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 DD6 未使用状態で、IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達した後に CTL 切断し、切断シーケンス中に CTL 再投入した場合 t1≒32ms CTL 2.4V CS1 IC内部信号 t2≒19ms 2.4V 0.6V 0.6V 5ms 0.6V ≒0.48V 5ms 5ms ≒80% Vo1 ≒0V 2.4V 2.4V ≒1.92V CS3 IC内部信号 ≒1.92V 0.6V 0.6V ≒0.48V 0.6V 5ms ≒80% Vo3 5ms ≒80% ≒80% ≒20% ≒20% 2.4V 2.4V ≒1.92V 0.6V CS2 IC内部信号 0.6V ≒0.48V ≒1.92V 0.6V 5ms 5ms ≒80% ≒20% Vo2 ≒20% 2.4V 2.4V CS6 IC内部信号 ≒1.92V ≒1.92V ≒0.12V ≒0.12V Vo6 7ms 5ms 自然放電 自然放電 LDO2 10ms ディスチャージ ディスチャージ PSWO3 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 35 r1.0 MB39C329 [DD4,DD5,DD7,PSWO3,LDO1,LDO2,LDO3,CP] SPI 通信において ON/OFF 制御するチャネルは CTL 投入後、SPI 通信により該当チャネルの ON/OFF 状態をレジスタに書き込むことで動作します。 CTL 投入後通信で ON,ON 状態で CTL 切断の場合 通信による設定未 DD4,5,7 ON (8Hに従う) CP ON (9Hに従う) LDO3 ON (9Hに従う) CTL Vo1 Vo3 10ms Vo3の電圧が低下を始 めた時点でOFFしディ スチャージします。 PSWO3 Vo3の80%でOFFし 自然放電します。 LDO2 5ms 7ms Vo2 15ms Vo6 5ms*1/ 10ms ディスチャージ Vo4 Vo5 ディスチャージ 15mA ILED7 5ms*1/ 10ms LDO1 5ms 自然放電 CP 5ms*1/ 10ms 自然放電 LDO3 >8.3ms*2 *1: 立上り時間での初期値です。 *2: LDO3 は、CP ON 通信から 8.3ms 以降に ON させてください。 36 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 ON 状態で通信による切断後、CTL 切断の場合 LDO1,2 OFF (9Hに従う) LDO3,CP OFF (9Hに従う) DD4,5,7,SW3 OFF (8Hに従う) CTL Vo1 Vo3 ディスチャージ PSWO3 自然放電 LDO2 Vo2 15ms Vo6 ディスチャージ Vo4 Vo5 ディスチャージ ILED7 ソフトスタート無 (ラッシュ電流無のため) 自然放電 LDO1 32ms 自然放電 CP 自然放電 LDO3 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 37 r1.0 MB39C329 DCG4端子動作説明 DCG4 端子は、DD4 ディスチャージ制御(ディスチャージまたは自然放電)の SPI 通信設定 (address AH : d7)に関わらず DD4 動作時は Hi-Z, 停止時は"L"になります。 SPI通信:8 H_d7 (DD4 ON/OFF制御 0:OFF/1:ON) SPI通信:A H_d7 (DD4ディスチャージON/OFF制御 0:ディスチャージ/1:自然放電) IC内部 DD4制御信号 (dd4_enb) IC内部 DD4ソフトスタート用 DAC信号 0.6V 0.6V IC内部 ディスチャージ制御 (dd4_dis) IN4端子ディスチャージSW ON OFF ON OFF 自然放電 DD4 DCG4 ディスチャージ Lo-Force Hi-Z 38 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL Lo-Force Hi-Z Lo-Force DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 DD1/DD2/DD3/DD6 ディスチャージSW動作説明 IN1,IN2,IN3,IN6 端子には、ディスチャージ SW が接続されています。 ディスチャージ SW は、ソフトスタート開始時に OFF になり、ソフトオフ完了時に ON になります。 t2≒15ms CTL 5ms ≒80% Vo1 IN1端子 ディスチャージ SW 5ms ON OFF ON 5ms 5ms ≒80% Vo3 ≒20% IN3端子 ディスチャージ SW ON OFF ON 5ms 5ms ≒80% ≒20% Vo2 IN2端子 ディスチャージ SW ON OFF 5ms ON 5ms Vo6 ≒20% IN6端子 ディスチャージ SW ON DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL OFF ON 39 r1.0 MB39C329 リセット動作説明 [パワーオンリセット] 通常の起動シーケンスの場合 CTL 投入後、DD1→DD3→DD2 の順に起動します。 Vo2 が約 1.58V を超えてから約 35ms 後に RST 端子が"L"→Hi-Z になります。 CTL ロジック部 電源 1.08V Vo1 2.80V Vo3 1.58V Vo2 ← Reset1 不定 Lo-Force ← Hi-Z Typ:35ms Reset3 不定 → Lo-Force ← Reset2 不定 Hi-Z Typ:35ms → Lo-Force ← RST 不定 → Typ:35ms Typ:35ms (Min:22ms/Max:48ms) 40 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL Hi-Z → Hi-Z DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 [低電圧リセット] 通常の切断シーケンスの場合 DD1, DD2, DD3 のうち、いずれかが規定のスレッショルド電圧以下で RST 端子が Hi-Z→"L"にな ります。 CTL ロジック部 電源 Vo1 Vo3 Vo2 Hi-Z Reset3 Hi-Z Reset2 RST LoForce Hi-Z Reset1 Hi-Z DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL Lo-Force Lo-Force 不定 不定 不定 不定 41 r1.0 MB39C329 定常状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合 DD1, DD2, DD3 のうち、いずれかが規定のスレッショルド電圧以下で RST 端子が Hi-Z→"L"にな ります。 "H" CTL 1.08V 1.00V Vo1 2.70V Vo3 1.58V 1.50V Vo2 LoForce Hi-Z Reset1 Hi-Z Reset3 Hi-Z Reset2 RST 2.80V Hi-Z Hi-Z Lo-Force Lo-Force Hi-Z Hi-Z Hi-Z (注意事項) VIN または Vo1~Vo3 に瞬時電圧低下が発生した場合、リセット回路の電圧しきい値を 越えても瞬時電圧低下時間が (500ns) 以下の場合は、リセット出力が"L"にならない場合が あります。 42 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 起動シーケンス状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合 最後に Vth+ (立上り時 Vth) を超えてから約 35ms 後に RST 端子が"L"→Hi-Z になります。 CTL ロジック部 電源 1.08V Vo1 2.8V Vo3 1.58V Vo2 ← Reset1 不定 Lo-Force ← Reset3 不定 → Typ:35ms Hi-Z Typ:35ms Lo-Force Hi-Z ← Reset2 不定 RST 不定 → FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL → Lo-Force ← DS405-00009-1v0-J Typ:35ms Typ:35ms (Min:22ms/Max:48ms) Hi-Z → Hi-Z 43 r1.0 MB39C329 切断シーケンス状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合 CTL ロジック部電源 1.08V 1.0V Vo1 2.7V Vo3 2.8V 1.0V 2.7V Vo2 Reset1 Reset3 Reset2 RST Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z 44 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL Lo-Force Lo-Force Lo-Force 不定 不定 不定 不定 DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 短絡保護回路の動作説明 各チャネルは、ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) で、誤差増幅器の出力レベルを基準電圧と 常に比較動作を行っています。 DC/DC コンバータの負荷条件が安定している場合はショート検知コンパレータの出力は、"L"レベル となりカウンタとラッチはリセットされます。 負荷条件が負荷短絡などで急激に変化し出力電圧が低下した場合は、ショート検知コンパレータ出 力は、"H"レベルとなります。 このため、三角波発信器で生成されるクロックによりカウンタが動作します。 約 5ms (通信で約 10ms 設定へ変更可) が経過するとラッチをセットし、DD1~DD7, SW3, LDO1~ LDO3, CP をオフさせます。 短絡保護動作時、停止する回路および保護解除条件は各 DD および LDO により異なります。 「・保護回路の動作条件, 停止回路, 解除条件」の表を参照してください。 電源(VCC)を遮断するか、あるいは CTL 端子を"L"レベルにすることで、カウンタとラッチのリセッ トが可能です。 タイマ・ラッチ式短絡保護回路 Error AmpX(DD2~DD6) INX (0.6V) Error Amp7 IN7 LDOX Comp. (LDO1~LDO3) (0.6V) IN1 Comp. (0.6V) "H"優先 SCP Comp. (1.5V) 各チャネル 停止信号 ("L":停止) "L":カウンタリセット "L":UVLO時 UVLO XRST カウンタ OSC XRST ラッチ "H":SCP時 ロジック CLK DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DIO LD 45 r1.0 MB39C329 保護回路の動作条件,停止回路, チャネ ル 保護時 動作 DD1~ DD6 ディス チャージ DD7 自然放電 SW3 ディス チャージ LDO1 自然放電 LDO2 自然放電 LDO3 自然放電 CP 自然放電 解除条件 短絡保護(SCP) DD7 過電圧保護(OVP) - 作動条件:出力電圧低下 保護動作時の処理: 作動条件:出力電圧上昇 LDO1 以外停止 保護動作時の処理:DD7 復帰条件:CTL 再投入 スイッチング停止 復帰条件:出力電圧低下 - 作動条件:出力電圧低下 保護動作時の処理:当該 LDO 停止 復帰条件:当該 LDO 再 投入 (OFF→ON 通信が必要) - 低 VCC 時 過熱保護(OTP) 誤動作防止(UVLO) 作動条件:入力電圧低 下 保護動作時の処理: LDO1 以外停止 作動条件:チップ 温度上昇 保護動作時の処 理:全チャネル 復帰条件:入力電圧上 停止 昇とレジスタへの再 書込み 復帰条件:チップ 温度低下とレジ (注意事項)UVLO は スタの再書込み CTL が"H"(通常動作) 時のみ動作します。 - 短絡保護(SCP)において LDO1 が短絡後、ほかの DD が短絡の場合は LDO1 は短絡のまま復帰します。 次頁 「・LDO が短絡で停止後、DD が短絡停止した場合」を参照してください。 過熱保護(OTP)解除時の動作 DD1/DD2/DD3/DD6/LDO2/SW3:シーケンスをもって起動 LDO1 起動 通信で制御するチャネル:停止のまま 短絡保護 (SCP) タイマ動作中に過熱保護 (OTP) が動作した場合、短絡保護が優先されます (過熱保護は動作しません)。ただし LDO1 は除外 (SCP タイマ動作中に OTP で停止)。 低 VCC 時誤動作防止 (UVLO) 解除時の動作 DD1/DD2/DD3/DD6/LDO2/SW3:シーケンスをもって起動 LDO1 起動のまま 通信で制御するチャネル:停止のまま 46 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 LDO1 が短絡で停止後、DD が短絡停止した場合 VCC CTL (5)LDO1の短絡が 解除されている場合 電圧復帰します。 (1)LDO1が短絡で停止 (4)LDO1の短絡が 解除されていない場合 短絡電流が流れ続けます。 LDO1 LDO1 内部enb信号 Vo1 (3)他のDDが短絡で停止した場合 LDO1は動作復帰します。 SCP タイマ時間 (2)DD1が短絡 SCP タイマ時間 Vo3 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 47 r1.0 MB39C329 DD7過電圧保護回路 (OVP) の動作説明 Vo7 が過電圧レベルに達すると、瞬時にスイッチング FET を OFF させます。 センス抵抗に流れる電流がゼロになるため、Error Amp7 が VOH レベルとなり、短絡保護機能が働き IC が停止します。 白色 LED 脱落状態で DD7 を ON させた場合 DD7 内部enb信号 22V Vo7=INO7 (2) FB≒1.2Vで SCPタイマスタート 1.2V FB7(IC内部) SCP タイマ時間 Hi-Z LX7 (3) SCPタイマ時間経過で LDO1以外停止 Vo1 (1) INO7>22Vで スイッチング停止後 間欠動作へ 48 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 SPI通信仕様 SPI インターフェースは、CLK (シリアル クロック) と DIO (シリアル データ) と LD の 3 本の信号 線を使って、1 バイト (8 ビット) 単位のデータ通信を行います。 LD="L"時は通信不可で DIO 入出力端子はハイインピーダンス状態となります。 LD="H"時にアクセス可能となり WRITE モード時は CLK 信号の立上りで DIO 端子から内部レジスタ への書込みを行い、READ モード時は立下りで内部レジスタからの読み出しが可能となります。 WRITE モード時の内部レジスタへのデータ取込みは CLK 入力の立上りエッジ 8 回ごとに行います。 CLK 入力の立上りが 8 回未満で LD 入力が"L"になった場合はそれまでの DIO 端子からのデータは破 棄されます。 READ モード時の内部レジスタからのデータ読出しは CLK 入力の立下がりごとに行います。 1. WRITE モード LD ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑧ ⑦ CLK データ取込み データ取込み MSB DIO Z 0 LSB MSB D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 LSB D6 D5 WORD0(モード選択) WORD0(アドレス) D4 D3 D2 D1 D0 Z WORD1(入力データ) WRITEモード 2. READ モード LD ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑧ ⑦ CLK MSB DIO Z 1 LSB MSB D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 WORD0(モード選択) WORD0(アドレス) WRITEモード DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL D7 LSB D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 Z WORD1(出力データ) READモード 49 r1.0 MB39C329 3. 連続 WRITE モード LD ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ⑥ ⑦ ⑧ ① ② データ取込み データ取込み データ取込み LSB MSB LSB MSB ⑥ ⑦ ⑧ CLK MSB DIO Z 0 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 WORD0(モード選択) WORD0(アドレス) WORD1(入力) データ取込み LSB MSB D1 D0 D7 D6 アドレス+1 WORD1(入力) LSB D1 D0 Z アドレス+N WORD1(入力) WRITEモード 連続WRITEモードのアドレスは,FHで停止します。FH以降も連続を続けた場合,データは無視となります。 4. 連続 READ モード LD ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ③ ⑦ ⑧ ① ② ③ ⑦ ⑧ CLK MSB DIO Z LSB MSB LSB MSB 1 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 WORD0(モード選択) WORD0(アドレス) WRITEモード LSB MSB D1 D0 D7 D6 LSB D1 D0 Z WORD1(出力) アドレス+1 WORD1(出力) アドレス+N WORD1(出力) READモード 連続モードのアドレスは,FHで停止します。 連続READモードのアドレスは,FHで停止します。FH以降も連続を続けた場合,DIOの出力は"L"となります。 50 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 5.モード選択 D7 0/1 WORD0 D6 D5 D4 概要 0 0 0 未使用 0 0 1 RTC 設定モード 0 1 0 未使用 0 1 1 DD 設定モード 1 0 0 未使用 1 0 1 未使用 1 1 0 未使用 1 1 1 テストモード D7=1 の場合、WORD1 は DIO からレジスタ情報を出力する READ モードになります。 LD=1 の場合、RTC WRITE/READ モード選択中は時計およびカレンダーは停止します。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 51 r1.0 MB39C329 SPIインターフェースとデータの構成について 1.レジスタマップ 機能 mode DD 制御 書込み; 3H 読出し; BH RTC TEST 書込み; 1H 読出し; 9H 7H/FH DATA Add ress 内容 bit7 MSB bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0 LSB Default 0H DD4 出力電圧設定 - - - - D3 D2 D1 D0 04H 1H DD5 出力電圧設定 - - - - D3 D2 D1 D0 05H 2H DD6 出力電圧設定 - - - - - - D1 D0 01H 3H DD7 ILED 電流制御 - - - D4 D3 D2 D1 D0 0EH 4H LDO2 出力電圧設定 - - - - - - D1 D0 00H 5H LDO3 出力電圧設定 - - - - - - D1 D0 03H 6H ソフトスタート 時間制御 - - - DD4 DD5 DD7 LDO2 LDO3 備考 00H DD4, DD5, DD7.LDO2, LDO3 "0":5ms (default) "1":10ms 7H SCP 検出時間制御 - - - - - - - SS 00H 一律設定 "0":5ms (default) "1":10ms SCP タイマ起動時の書換えは禁止 SCP タイマ中の書換えはタイマ終 了時に反映 8H DD4,DD5,DD7,SW3 ON/OFF 制御 DD4 DD5 DD7 SW3 - - - - 10H "0":出力 OFF "1":出力 ON 9H LDO1,LDO2,LDO3,CP ON/OFF 制御 CP - - - - C0H "0":出力 OFF "1":出力 ON AH DD4,DD5,SW3 ディスチャージ ON/OFF 制御 - - - - - 00H 自然放電/ディスチャージの切換え "0":ディスチャージ "1":自然放電 LDO1 LDO2 LDO3 DD4 DD5 SW3 BH LDO 状態監視 LDO1 LDO2 LDO3 - - - - - 00H Read のみ "0":正常時 "1":SCP 停止時 status の保持をクリアするためには CTL の再投入または、SPI 通信から レジスタリセット信号送信、停止し た LDO の出力 OFF/ON 切換えが必 要です。 CH レジスタリセット制御 RESET - - - - - - - 00H "0":書込み可能 "1":通信用レジスタ初期化 み不可 DH Revision ID - - - - D3 D2 D1 D0 01H Read のみ EH - - - - - - - - - 00H 未使用アドレス FH - - - - - - - - - 00H 未使用アドレス 0H 秒 - S40 S20 S10 S8 S4 S2 S1 00H 1H 分 - M40 M20 M10 M8 M4 M2 M1 00H 2H 時 - - H20 H10 H8 H4 H2 H1 00H 3H 曜 - W6 W5 W4 W3 W2 W1 W0 00H 4H 日 - - D20 D10 D8 D4 D2 D1 00H 5H 月 - - - 6H 年 Y80 Y40 Y20 Y10 Y8 Y4 Y2 Y1 00H 7H RAM R7 R6 R5 R4 R3 R2 R1 R0 00H 8H - - - - - - - - - 00H 9H - - - - - - - - - 00H AH - - - - - - - - - 00H BH - - - - - - - - - 00H CH - - - - - - - - - 00H DH 拡張レジスタ - - - - - - 0CH EH フラグ レジスタ - - - - - - VLF OSF 03H FH コントロール レジスタ - - - - - - STOP - 00H FH テストモード用 - - - - - - - - 00H MO10 MO8 MO4 MO2 MO1 FSEL1 FSEL0 書込 00H 通常時使用禁止 (注意事項) ・レジスタの"-"部はレジスタを持っていないため、read 時は"0"が読み出されます。 ・すべてのレジスタは各設定の 8 ビットデータを受け取った後の CLK 信号の立上りにて内部 レジスタへの書込みを行います。 ・すべてのレジスタアドレスの読み出しが可能です。未使用部を Read で読み出すと 00H が 出力されます。 ・word=7H/FH の FH アドレスは、テスト用として使用します。通常時は使用禁止です。 52 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 2. レジスタ設定値の保持/初期化条件 条件 (1) CTL:H/L (2) VCC:有/無 (3) (低 VCC 時誤動作防止: PVCCR:有/無 UVLO) (4) SPI 通信 DD 制御: ch/D7=1 (5) 過熱保護 (OTP) DD 初期化 制御部 初期化 保持 初期化 8H/9H のみ 初期化 RTC 部 保持 保持 初期化 保持 保持 停止温度: PVCCR 端子 CTL 端子スレッ しきい ショルド電圧 VCC 端子 UVLO 電圧 150°C UVLO 電圧 - 復帰温度: 値 VTL=2.0V/VTH=2.2V VTL=1.8V/ VTL=0.6V/ 125°C VTH=2.0V VTH=0.9V (注意事項) TEST モード用レジスタは、TEST_S 端子が"H"時のみ有効 (書込み可能) です。 (TEST_S 端子は IC 内部でプルダウン[100kΩ]されています。) 万が一書き込まれた場合の初期化条件は、 (1) CTL=L & TEST_S=L (TEST_S 端子のしきい値は、およそ VCC 電圧の 1/2 です。) (2) VCC 切断です。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 53 r1.0 MB39C329 3. DD/LDO 出力電圧制御 address 0H address 1H address 3H DD4 出力電圧設定 DD5 出力電圧設定 DD7 出力電流設定:センス抵抗 10Ω時 DATA 00H 01H 02H 03H 04H* 05H 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH Vo4(V) 11.0 11.5 12.0 12.5 13.0* 13.5 14.0 14.5 15.0 15.5 16.0 address 4H,5H LDO2,LDO3 出力電圧設定 DATA LDO2(V) LDO3(V) 00H 3.0* 3.0 01H 3.3 3.3 02H 4.0 4.0 03H 5.0 5.0* DATA 00H 01H 02H 03H 04H 05H* 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH 0FH Vo5(V) -5.0 -5.5 -6.0 -6.5 -7.0 -7.5* -8.0 -8.5 -9.0 address 2H DD6 出力電圧設定 DATA Vo6(V) 00H 3.3 01H* 4.5* 02H 5.0 03H 5.5 *: 初期値 54 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DATA 00H 01H 02H 03H 04H 05H 06H 07H 08H 09H 0AH 0BH 0CH 0DH 0EH* 0FH 10H 11H 12H 13H 14H 15H 16H 17H 18H 19H 1AH 1BH 1CH 1DH 1EH 1FH ILED7(mA) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15* 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 RTC構成図と機能 構成図 PVCCR GND RTC Analog部 時計 カレンダー 電圧比較 OSCIN CL1 RTC_Logic 部 rtc_stop SPI通信部 発振回路 コントロール 発振 停止 32.768kHz TEST CL2 OSCOUT 2秒 タイマー Divide CLKOUT CONTROL CLKOUT 機能 時計機能 年・月・日・曜・時・分・秒のデータ設定, 計時, 読出し 2000 年~2099 年までのうるう年 (4 の倍数年) クロック出力機能 32.768 kHz, 1024 Hz, 1 Hz を選択出力 (CMOS 出力) DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 55 r1.0 MB39C329 RTC タイミングチャート 電源投入および再起動とタイミングチャート 電源投入時および最低動作電圧以下からの再起動時は水晶発振の安定性がわからないため、一定 時間 (tstart=約 3 秒) 経過後から内部に CLK を供給します。 そのため、tstart 時間を経過してから初期設定などを行ってください。 電源電圧が最低動作電圧より低下し、再度最低動作電圧異常に上昇すると VLF ビットに"1"が設定 されます。 VLF=1 を読み出したときは、VLF=0 を書き込み、RTC 部の初期設定を行ってください。 電源検出電圧(2.0Vtyp) → RTC動作開始 定常動作時電源電流(計時消費電流) PVCCR 起動時電源電流 水晶発振 内部CLK tstart 約3秒(1秒~3秒) VLF x 1 OSF x VLF=0書込み 0 OSF=0書込み 0 1 second x 00 01(+1動作) minite x 00 00 hour x 00 00 時計・カレンダー動作開始 設定 x:不定状態 (注意事項) 内部 CLK が動作するまでの時間 (tstart) は、水晶発振状態によって変化します。3 秒間経過 以降に RTC を設定してください。 56 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 電源低下時 電源電圧が低下し最低動作電圧より低くなると、RTC は停止します。 電源検出電圧 (1.8Vtyp) PVCCR 水晶発振 内部CLK VLF x OSF x second カウント動作 00 x minite カウント動作 00 x hour カウント動作 00 x 初期状態 x:不定状態 電源検出電圧以下に低下途中から電圧復帰 PVCCR 電源検出電圧 (Typ 1.8V) 電源検出電圧 (Typ 2.0V) 水晶発振 内部CLK VLF OSF second カウント動作 00 x 00(初期値) minite カウント動作 00 x 00(初期値) hour カウント動作 00 x 00(初期値) 初期状態 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 初期状態 x:不定状態 57 r1.0 MB39C329 水晶発振停止 電源電圧が最低動作電圧以上で水晶発振停止した場合、OSF ビットに"1"を設定します。 OSF=1 を読み出したときは、OSF=0 を書き込み、RTC 部の初期設定を行ってください。 PVCCR 水晶発振 OSF x SPI OSF=0書込み OSF=0書込み x:不定状態 58 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 RTC 時計・カレンダー機能 各ビットの表示方法 時計カウンタ 秒カウンタ アドレス 0H 分カウンタ アドレス 1H 時カウンタ アドレス 2H bit7 0 0 bit6 S40 S40 0 bit5 S20 S20 0 bit4 S10 S10 0 bit3 S8 S8 0 bit2 S4 S4 0 bit1 S2 S2 0 bit0 S1 S1 0 write read default bit7 0 0 bit6 M40 M40 0 bit5 M20 M20 0 bit4 M10 M10 0 bit3 M8 M8 0 bit2 M4 M4 0 bit1 M2 M2 0 bit0 M1 M1 0 write read default bit7 0 0 bit6 0 0 bit5 H20 H20 0 bit4 H10 H10 0 bit3 H8 H8 0 bit2 H4 H4 0 bit1 H2 H2 0 bit0 H1 H1 0 write read default 時計 (時分秒) のカウンタの初期値は"00H"です。 時間・年月日は、BCD 形式で表現 59 の表示は"5:0101", "9:1001"で"59:01011001"となります。 秒:00~59 の表示 58, 59, 00 となり分カウンタを+1 します。 分:00~59 の表示 58, 59, 00 となり時カウンタを+1 します。 時:00~23 の表示 22, 23, 00 となり日カウンタを+1 します。 時カウンタは 24 時間表示です。 秒カウンタに書込みを行うと、1 秒未満の分周はリセットされます。 存在しない時間を設定すると、誤動作の原因になるため正しい値を設定してください。 曜日カウンタ アドレス 3H bit7 - - 0 bit6 W6 W6 0 bit5 W5 W5 0 bit4 W4 W4 0 bit3 W3 W3 0 bit2 W2 W2 0 bit1 W1 W1 0 bit0 W0 W0 0 write read default 曜日カウンタの初期値は"00H"です。 曜日カウンタは bit0~bit6 で日曜日から土曜日まで各 1 ビットで表示します。 曜日 日曜日 月曜日 火曜日 水曜日 木曜日 金曜日 土曜日 bit[7:0] 01H 02H 04H 08H 10H 20H 40H bit7 - - - - - - - bit6 0 0 0 0 0 0 1 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL bit5 0 0 0 0 0 1 0 bit4 0 0 0 0 1 0 0 bit3 0 0 0 1 0 0 0 bit2 0 0 1 0 0 0 0 bit1 0 1 0 0 0 0 0 bit0 1 0 0 0 0 0 0 59 r1.0 MB39C329 複数の曜日を設定しないでください。 上記以外の設定は誤動作の原因になりますので、正しく設定してください。 上記以外の設定時の read は"00H"が読み出されます。 日カウンタの桁上がり時に、D0~D6 で 1 ビットシフトされて表示します。 カレンダーカウンタ 日カウンタ アドレス 4H 月カウンタ アドレス 5H 年カウンタ アドレス 6H bit7 0 0 bit6 0 0 bit5 D20 D20 0 bit4 D10 D10 0 bit3 D8 D8 0 bit2 D4 D4 0 bit1 D2 D2 0 bit0 D1 D1 0 write read default bit7 0 0 bit6 0 0 bit5 0 0 bit4 MO10 MO10 0 bit3 MO8 MO8 0 bit2 MO4 MO4 0 bit1 MO2 MO2 0 bit0 MO1 MO1 0 write read default bit7 Y80 Y80 0 bit6 Y40 Y40 0 bit5 Y20 Y20 0 bit4 Y10 Y10 0 bit3 Y8 Y8 0 bit2 Y4 Y4 0 bit1 Y2 Y2 0 bit0 Y1 Y1 0 write read default カレンダーカウンタの初期値は"00H"です。 カレンダーは、BCD 形式で表現 29 の表示は"2:0010", "9:1001"で"29:00101001"となります。 日:01~31 の表示(1,3,5,7,8,10,12 月) 30, 31, 01 となり月カウンタを+1 します。 01~30 の表示(4,6,9,11 月) 29, 30, 01 となり月カウンタを+1 します。 01~28 の表示(2 月 通常年) 27, 28, 01 となり月カウンタを+1 します。 01~29 の表示(2 月 うるう年) 28, 29, 01 となり月カウンタを+1 します。 月:01~12 の表示 11, 12, 01 となり年カウンタを+1 します。 年:00~99 の表示 98, 99, 00 となります。 年は 2 桁で表現(2000 年~2099 年を 00~99 で表現) 年が 4 の倍数のときは、うるう年になるので 2 月 29 日を表示します。 存在しないカレンダーを設定すると、カレンダー誤動作の原因になるため正しい値を設定してく ださい。 60 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 RTC RAM機能・その他の機能 RAM 機能 SPI から write した情報をレジスタに保持できる RAM 機能を持ちます。 アドレス 7H bit7 R7 R7 0 bit6 R6 R6 0 bit5 R5 R5 0 bit4 R4 R4 0 bit3 R3 R3 0 bit2 R2 R2 0 bit1 R1 R1 0 bit0 R0 R0 0 write read default RAM 機能は、設定データの write/read 機能のみ有するため、RTC 動作に関与しません。 その他の機能 CLKOUT の周波数選択 CLKOUT 端子に、FSEL1, FSEL0 の設定で下記の周波数をモニタできます。 FSEL1 0 0 1 1 アドレス DH FSEL0 0 1 0 1 bit7 0 bit6 0 CLKOUT 32.768kHz 1024Hz 1Hz 停止("L"固定) 初期値 bit5 0 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL bit4 0 bit3 FSEL1 FSEL1 1 bit2 FSEL0 FSEL0 1 bit1 0 bit0 0 write read default 61 r1.0 MB39C329 起動時と初期化のフローチャート スタート 電源オン wait 水晶発振安定待ち 電源オン時は"0"設定してください。 Yes VLF=1? address = E H VLF(bit1) = 0 設定 No Yes OSF=1? address = E H OSF(bit0) = 0 設定 No 次の設定へ 時計・カレンダー設定のフローチャート 現在の時刻設定 現在の時刻読出し 時刻,年月日設定 address = 0 H~6H 時刻,年月日読出し address = 0 H~6H 次の設定へ 次の設定へ 62 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 水晶発振回路部 基板レイアウト注意事項 水晶発振回路部は、外部の影響を受けやすいため、回路構成や基板レイアウトなどには十分注意し てください。 PCB 基板設計時、OSCIN, OSCOUT 端子と水晶振動子, 外付け容量は近くに配置してください。 OSCIN・OSCOUT と水晶振動子間の接続は、極力短くし OSCIN 側を優先して近くに配置してくだ さい。 ほかの回路部が水晶発振回路の影響を受けたり、水晶発振部がほかの回路部の影響を受けたりし ないように PCB 基板レイアウトには十分配慮してください。 X'tal OSCIN OSCOUT MB39C329 32.768kHz CL1 CL2 外付け容量 (CL1,CL2) は、寄生容量を含めて調整してください。 発振周波数の測定方法 PVCCR CLKOUT MB39C329 X'tal OSCIN 周波数 カウンタ OSCOUT 32.768kHz CL1 CL2 CL1/CL2 = 7pF PVCCR = 3.0V CLKOUT は、初期設定では"L"固定のため、SPI から FSET1 および FSET0 のビットを設定してくださ い。 FSEL1 FSEL0 CLKOUT 0 0 32.768kHz 0 1 1024Hz 1 0 1Hz 1 1 停止("L"固定) DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 初期値 63 r1.0 MB39C329 入出力端子等価回路図 (SPI通信, CLKOUT) SPI 入力部 IN2 LD CLK 5kΩ GND SPI 入出力部 IN2 DIO R/W ctl GND テスト出力部 VREF CLKOUT GND 64 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 端子処理方法 DD6, LDO1~LDO3, CP, RTC 未使用時および角ピン (NC, TEST_C, TEST_S, CKLOUT)の端子処理 IN1 <<DD1: FPWM 降圧: 同期整流>> PVCC1 A A Buck LX1 Vo1: 1.2V Io (MAX): 800mA PGND1 IN2 <<DD2: C-mode 降圧: 同期整流>> PVCC2 B B Buck LX2 Vo2:1.8V Io (MAX):500mA IN3 <<DD3: C-mode 昇降圧: 同期整流>> PVCC3 C C Buck-Boost (H-bridge) LX3_1 Vo3: 3.3V Io (MAX): 800mA 下記含む ロードSW: 500mA LDO2: 150mA CP: 160mA VO3 LX3_2 PGND3 PSWO3 Vo3_SW: 3.05V Io (MAX): 500mA <<DD4: C-mode 昇圧>> PVCC4 IN4 D D Boost LX4_1 Vo4: 11V~16V (0.5Vstep) Io (MAX): 100 LX4_2 PGND24 DCG4 <<DD5: C-mode 反転>> DCG5 PVCC5 FB5 E MINE5 E Inverter Vo5: -5V~-9V (0.5Vstep) Io (MAX): 150mA LX5 IN5 IN6 <<DD6: C-mode 昇降圧: 同期整流>> PVCC6 VIN LX6_1 OPEN VIN H:DD6未使用 L:DD6使用 XCTL6 VO6 OPEN LX6_2 OPEN PGND6 Vin DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 65 r1.0 MB39C329 DD6, LDO1~LDO3, CP, RTC 未使用時および角ピン (NC, TEST_C, TEST_S, CKLOUT)の端子処理 Vin H <<DD7:C-mode 昇圧>> Boost Vo7 Io(MAX):30mA LX7 PGND7 NSWI ILED NSWO INO7 H <<LDO1>> LDO1 OPEN PVCCL2 <<LDO2>> VIN LDO2 OPEN VIN PVCCCP CFP OPEN CFM CPO OPEN OPEN PGNDCP PVCCL3 <<LDO8>> VIN LDO3 OPEN 1.8V(DD2) RST Reset PVCCR <<RTC>> OSCIN OPEN CLKOUT OSCOUT OPEN 1.8V (DD2) OPEN SPI通信 CLK syscom DIO LD VCC OPEN or GND VIN Li×1セル (2.5V~5.5V) TEST_C TEST_S GND NC (0.6V) VR (2.4V) VREF CTL OPEN or GND <<WLP-64P 0.5mm pitch>> 使用 pin: 63pin NC pin : 1pin 66 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 使用上の注意 1. 最大定格以上の条件に設定しないでください。 最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。 また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。 2. 推奨動作条件でご使用ください。 推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。 電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。 3. プリント基板のアースラインは, 共通インピーダンスを考慮し, 設計してください。 4. 静電気対策を行ってください。 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。 作業台, 工具, 測定機器は、アースをしてください。 作業する人は、人体とアースの間に 250kΩ ~ 1MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてく ださい。 5. 負電圧を印加しないでください。 - 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合, LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあり ます。 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 67 r1.0 MB39C329 オーダ型格 型格 MB39C329PW パッケージ 備考 プラスチック・WLP, 64 ピン (WLP-64P-M03) 68 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 RoHS指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) 富士通セミコンダクター株式会社の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六 価クロムと、特定臭素系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している 製品は、型格に"E1"を付加して表します。 製品捺印 (鉛フリーの場合) XXXXXX INDEX 鉛フリー表示 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 69 r1.0 MB39C329 製品ラベル (鉛フリーの場合の例) 鉛フリー表示 JEITA 規格 JEDEC 規格 MB123456P - 789 - GE1 (3N) 1MB123456P-789-GE1 1000 (3N)2 1561190005 107210 G Pb QC PASS PCS 1,000 MB123456P - 789 - GE1 2006/03/01 ASSEMBLED IN JAPAN MB123456P - 789 - GE1 1/1 0605 - Z01A 1000 1561190005 鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。 70 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 中国で組立てられた製品のラベルには 「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。 DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 MB39C329PW推奨実装条件 弊社製 SMD パッケージ IC の実装に関しては、下記の方法を推奨します。 JEDEC 条件:Moisture Sensitivity Level 1 (IPC/JEDEC J-STD-020D) DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 71 r1.0 MB39C329 パッケージ・外形寸法図 プラスチック・WLP, 64ピン (WLP-64P-M03) リードピッチ 0.5 mm パッケージ幅 × パッケージ長さ 4.20 mm × 4.20 mm リード形状 半田ボール 封止方法 印刷 取付け高さ 0.79 mm Max 質量 0.0279 g コード(参考) S-WF BGA64-4.20×4.20-0.50 プラスチック・WLP, 64ピン (WLP-64P-M03) 4.20±0.05(.165±.002) 3.50(.138) 0.50(.020)TYP 0.50(.020) TYP Y 4.20±0.05 (.165±.002) 3.50(.138) 1.50 (.059) INDEX AREA (LASER MARKING) X 1.50 (.059) 0.74±0.05 (.029±.002) Z C 0.06(.002) Z 64-ø0.32±0.03 (64-ø.013±.001) 0.13 ( .005) ø0.05(.002) M XYZ 0.24±0.03 (.009±.001) 2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbW64-03Sc-1-1 単位:mm(inches) 注意:括弧内の値は参考値です 。 最新の外形寸法図については, 下記 URL にてご確認ください。 http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/ 72 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 目次 ページ 概要 ......................................................................................................................................................... 1 特長 ......................................................................................................................................................... 1 アプリケーション................................................................................................................................. 2 推奨アプリケーション仕様................................................................................................................. 3 端子配列図............................................................................................................................................. 5 端子機能説明......................................................................................................................................... 6 ブロックダイヤグラム......................................................................................................................... 9 絶対最大定格....................................................................................................................................... 11 推奨動作条件....................................................................................................................................... 12 電気的特性........................................................................................................................................... 14 標準動作特性例................................................................................................................................... 25 機能説明............................................................................................................................................... 28 起動時と初期化のフローチャート................................................................................................... 62 時計・カレンダー設定のフローチャート....................................................................................... 62 水晶発振回路部 基板レイアウト注意事項..................................................................................... 63 発振周波数の測定方法....................................................................................................................... 63 入出力端子等価回路図 (SPI通信, CLKOUT) .................................................................................. 64 端子処理方法....................................................................................................................................... 65 使用上の注意....................................................................................................................................... 67 オーダ型格........................................................................................................................................... 68 RoHS指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) ........................................................................ 69 製品捺印 (鉛フリーの場合) .............................................................................................................. 69 製品ラベル (鉛フリーの場合の例) .................................................................................................. 70 MB39C329PW推奨実装条件.............................................................................................................. 71 パッケージ・外形寸法図................................................................................................................... 72 目次 ....................................................................................................................................................... 73 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 73 r1.0 MB39C329 74 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0 MB39C329 DS405-00009-1v0-J FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL 75 r1.0 MB39C329 富士通セミコンダクター株式会社 〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜2-10-23 野村不動産新横浜ビル http://jp.fujitsu.com/fsl/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせ先 0120-198-610 受付時間 : 平日9時~17時 (土・日・祝日, 年末年始を除きます) 携帯電話・PHSからもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう, お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は, 予告なしに変更することがありますので, 製品のご購入やご使用などのご用命の際は、当社営業窓口にご確認くださ い。 本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器で の動作を保証するものではありません。したがって, お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は、お客様の責任において行ってく ださい。これらの使用に起因する損害などについては, 当社はその責任を負いません。 本資料は、本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について, 当社もしくは第三者の特許権, 著作権等の知的財産 権やその他の権利の使用権または実施権を許諾するものではありません。また, これらの使用について, 第三者の知的財産権やその他の権利 の実施ができることの保証を行うものではありません。したがって, これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害など について, 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は, 通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造 されています。極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合,直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途(原 子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器 システムにおけるミサイル発射制御など), または極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器, 宇宙衛星など)に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって,これらの用途へのご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。 ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 当社は責任を負いません。 半導体デバイスには、ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は、当 社半導体デバイスに故障や誤動作が発生した場合も, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害などを生じさせないよう, お客様の責任に おいて, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規 などの規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください。 本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です。 編集 プロモーション推進部 76 FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL DS405-00009-1v0-J r1.0