1.1 MB

本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。
FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS405-00009-1v0-J
ASSP 電源用
SW FET 内蔵
7ch DC/DC コンバータ IC
MB39C329
 概要
MB39C329 は、CMOS プロセス (CS60AN) を採用した 7ch DC/DC コンバータ IC で、降圧 2ch/昇
降圧 2ch/昇圧 2ch/極性反転 1ch を内蔵しています。
DD1 には FPWM(Fast-PWM)モード、DD2~DD7 には電流モード方式を採用し、SW FET 内蔵によ
り高周波での高効率が実現可能です。
多くの回路を内蔵しており、部品点数の削減が可能です(出力設定抵抗, 位相補償定数, DD3 用ロー
ド SW, シリーズレギュレータ 3ch, LDO 電源用チャージポンプ, RTC 回路を内蔵)。これにより、
Li2 次電池 1 セル使用の高機能ポータブル機器用電源に最適です。
 特長
[レギュレータ特性]











入力電圧範囲:2.5V~5.5V
SWFET を内蔵した降圧 (同期整流対応) FPWM モード DC/DC コンバータ (DD1)
SWFET を内蔵した降圧 (同期整流対応) 電流モード DC/DC コンバータ (DD2)
SWFET を内蔵した昇降圧 H-ブリッジ 電流モード DC/DC コンバータ (DD3, DD6)
SWFET を内蔵した昇圧 電流モード DC/DC コンバータ (DD4, DD7)
SWFET を内蔵した極性反転 電流モード DC/DC コンバータ (DD5)
電流モード制御により優れた応答性 (DD1~DD7)
出力設定抵抗内蔵 (DD1~DD7)
位相補償定数内蔵 (DD1~DD4, DD6, DD7)
出力電圧が可変可能なシリーズレギュレータを内蔵 (LDO2, LDO3)
バックアップ電池用シリーズレギュレータを内蔵 (LDO1)
[その他機能]
 SPI 通信回路内蔵
出力 ON/OFF, 出力電圧値, ディスチャージ ON/OFF, ソフトスタート時間, SCP 検出時間,
ロード SW ON/OFF
 RTC 回路
 パワーオンリセット/低電圧リセット (DD1~DD3)
[保護機能]




低入力時誤動作防止回路 (UVLO)
短絡保護回路 (SCP)
過熱保護回路 (OTP)
過電圧保護回路 (DD7:OVP)
Copyright©2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.5
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
r1.0
MB39C329
[起動/切断機能]
 負荷依存のないソフトスタート回路 (DD1~DD7, LDO2, LDO3)
 起動/切断シーケンス回路内蔵 (DD1~DD3, DD6, LDO2, SW3)
[その他]




スタンバイ電流 2.2µA (TYP, LDO1 動作時)
RTC 動作時電流 1.5µA (TYP)
内蔵 SWFET リーク電流 1µA (MAX)
パッケージ:WL-CSP 64pin (WLP-64P-M03)
 アプリケーション
デジタルスチルカメラ (DSC)
2
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 推奨アプリケーション仕様
[入力電圧範囲]
入力電圧 VIN (V)
最小
標準
最大
2.5
3.6
5.5
[出力仕様]
(Ta=+25°C)
出力電圧 (V)
チャネル
記号
精度
最小
標準
最大
出力
電流
(mA)
リミット
電流
(mA)
標準
最大 最小 (VIN=
3.6V)
方式
DD1
Vo1
±2%
1.176 1.200
1.224
800
800
1200
降圧
(同期整流)
FPWM
DD2
Vo2
±2%
1.764 1.800
1.836
500
500
750
降圧
(同期整流)
C-mode
DD3
Vo3
±2%
3.234 3.300
3.366
SW3
Vo3_SW
-
DD4
Vo4
DD5
Vo5
DD6
Vo6
2.9
3.3
-
10.84 11.00 11.17
11.33 11.50 11.67
11.82 12.00 12.18
12.31 12.50 12.69
12.81*6 13.00*6 13.20*6
±1.5% 13.30 13.50 13.70
13.79 14.00 14.21
14.28 14.50 14.72
14.78 15.00 15.23
15.27 15.50 15.73
15.76 16.00 16.24
-5.08 -5.00 -4.93
-5.58 -5.50 -5.42
-6.09 -6.00 -5.91
-6.60 -6.50 -6.40
±1.5% -7.11 -7.00 -6.90
-7.61*6 -7.50*6 -7.39*6
-8.12 -8.00 -7.88
-8.63 -8.50 -8.37
-9.14 -9.00 -8.87
3.234 3.300 3.366
4.410*6 4.500*6 4.590*6
±2% 4.900 5.000 5.100
昇降圧
800*1 800*1
2
2 1200 (H-ブリッジ)
600* 600*
C-mode
-
500
-
100*3 100*3
80*4 80*4
50*5 50*5
150
150
1
1
800* 800*
600*2 600*2
(5.390) (5.500) (5.610)
-
発振
出力
コイル
周波数
容量
(µH)
(MHz)
(µF)
3.0
1.5
10
3.0
1.5
10
3.0
1.0
22
-
-
100
備考
SWFET 内蔵
出力設定
抵抗内蔵
位相補償
定数内蔵
SWFET 内蔵
出力設定
抵抗内蔵
位相補償
定数内蔵
SWFET 内蔵
出力設定
抵抗内蔵
位相補償
定数内蔵
DD3 起動後
自動起動
0.5Ω(max)
150
昇圧
C-mode
1.5
4.7
SWFET 内蔵
出力設定
4.7
抵抗内蔵
位相補償
定数内蔵
225
反転
C-mode
1.5
4.7
10
1.0
SWFET 内蔵
出力設定
22
抵抗内蔵
位相補償
定数内蔵
昇降圧
1200 (H-ブリッジ)
C-mode
3.0
SWFET 内蔵
出力設定
抵抗内蔵
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3
r1.0
MB39C329
*1: VIN≧2.9V
*2: 2.5V≦VIN<2.9V
*3: VIN≧2.9V , Vo4≦15V
*4: VIN≧2.9V , Vo4≧15.5V
*5: 2.5V≦VIN<2.9V
*6: SPI 通信前の初期値です。
(注意事項) 「DD4, DD5, DD6 の出力電圧は SPI 通信で設定してください。
詳細は、『■機能説明』の「・SPI 通信仕様」および「・SPI インタフェースとデータの構成
について」を参照してください。
(Ta=+25°C)
チャネル 記号
DD7
精度
出力電流 (mA)
出力
リミット電流(mA)
電圧(V)
標準
最大 最小
(VIN=3.6V)
1~30(1mA step)
5灯
ILED ±5%
(通信前初期値:15mA) (18.8*)
30
方式
昇圧
C-mode
60
出力
発振
コイル
容量
周波数
(µH)
(µF)
(MHz)
1.5
4.7
備考
SWFET 内蔵
電流制御
1.0
位相補償
定数内蔵
*: RLED=10Ω 時
(注意事項) DD7 の出力電流は SPI 通信にて設定します。
(Ta=+25°C)
出力電圧 (V)
チャネル 記号
精度
最小
LDO1
LDO2
LDO3
出力
電流
(mA)
リミット電流
(mA)
標準
最小
(VIN=3.6V)
方式
発振
出力
コイル
周波数
容量
(µH)
(MHz)
(µF)
標準
最大
最大
LDO1 ±2% 3.234 3.300
3.366
10
10
15
シリーズ
レギュ
レータ
-
-
2.970*
3.267
LDO2 ±1%
3.960
4.950
2.910
3.201
LDO3 ±3%
3.880
4.850*
3.030*
3.333
4.040
5.050
3.090
3.399
4.120
5.150*
150
150
225
シリーズ
レギュ
レータ
-
-
120
シリーズ
レギュ
レータ
3.000*
3.300
4.000
5.000
3.000
3.300
4.000
5.000*
80
80
-
-
備考
常時動作
過電流保護
機能
DD3 起動後
自動起動
4.7
過電流保護
機能
1
逆流防止
機能
1.0
過電流保護
機能
*: SPI 通信前の初期値です。
(注意事項) LDO2 , LDO3 の出力電圧は SPI 通信にて設定します。
(Ta=+25°C)
出力電圧 (V)
チャネル 記号
精度
最小 標準 最大
CP
CPO
±3%
5.33
5.50
5.66
出力
電流
(mA)
リミット電流
(mA)
最大
標準
最小
(VIN=3.6V)
80
4
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
-
-
方式
チャージ
ポンプ
発振
出力
コイル
周波数
容量
(µH)
(MHz)
(µF)
0.375
-
2.2
備考
LDO3 入力
電源用
Vo3 を入力
とする
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 端子配列図
(TOP VIEW)
1
2
3
4
5
6
7
8
TEST_C
CPO
PVCCL3*1
LDO2
OSCIN
OSCOUT
VO3
TEST_S
CFP
LDO3
LDO1
PSWO3
LX3_2*3
A
B
PVCCL2*1 PVCCR*1
VCC*1
C
CFM
PVCCCP* 1 VREF
VR
GND*2
IN3
PGND3*2 LX3_1*3
DCG4
CTL
RST
MINE5
IN5
PVCC3*1
D
PGNDCP*2 PGND7*2
E
LX7*3
INO7
NSWI
XCTL6
CLK
FB5
DCG5
LX5*3
VO6
LX6_2*3
NSWO
IN2
DIO
LD
IN1
PVCC5*1
PGND6*2
IN6
PVCC2*1
IN4
LX1*3
PVCC1*1
F
G
PGND24*2 PVCC4*1
H
NC
LX6_1*3 PVCC6*1
LX2*3
LX4_2*3
LX4_1*3 PGND1*2 CLKOUT
(WLP-64P-M03)
*1: 電源端子です。
*2: GND 端子です。
*3: LX 端子です。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
5
r1.0
MB39C329
 端子機能説明
回路
ブロック
DD1
DD2
DD3
端子
記号
端子
I/O
番号
機能説明
対
対
接続先
接続先
GND
電源
IN1
F7
I
○
VCC
○
LX1
G7
O
-
-
○
IN2
F4
I
○
VCC
○
LX2
H4
O
-
-
○
IN3
C6
I
-
-
○
LX3_1
C8
O
-
-
○
PGND3 DD3・インダクタンス接続用端子です。
LX3_2
B8
O
-
-
○
PGND3 DD3・インダクタンス接続用端子です。
VO3
A7
O
-
-
○
PGND3
○
GND
GND
DD1・出力電圧 フィードバック端子です。
PGND1 DD1・インダクタンス接続用端子です。
GND
DD2・出力電圧 フィードバック端子です。
PGND24 DD2・インダクタンス接続用端子です。
GND
DD3・出力電圧 フィードバック端子です。
DD3・出力電圧端子です。
PSWO3
B7
O
-
-
○
IN4
G4
I
-
-
●
GND
LX4_1
H6
O
-
-
○
PGND24
LX4_2
H5
O
-
-
●
PGND24 DD4・インダクタンス接続用端子です。
DCG4
D3
O
-
-
●
GND
IN5
D7
I
●
VCC
-
-
MINE5
D6
I
○
VCC
○
GND
DD5・誤差増幅器反転入力端子です。
FB5
E6
O
○
VCC
○
GND
DD5・誤差増幅器出力端子です。
LX5
E8
O
●
PVCC5
-
-
DD5・インダクタンス接続用端子です。
DCG5
E7
O
●
IN3
-
-
DD5・ディスチャージ制御用端子です。
IN6
G2
I
-
-
○
GND
LX6_1
H2
O
-
-
○
PGND6 DD6・インダクタンス接続用端子です。
LX6_2
F2
O
-
-
○
PGND6 DD6・インダクタンス接続用端子です。
VO6
F1
O
-
-
○
PGND6
○
GND
GND
DD4
DD5
ESD 保護素子
○5V 素子/●HV 素子
DD6
PGND3 DD3・ロード SW 出力端子です。
DD4・出力電圧 フィードバック端子です。
DD4・ロード SW 出力電圧端子兼インダクタン
ス接続用端子です。
DD4・ディスチャージ用端子です
(オープンドレイン出力)。
DD5・出力電圧 フィードバック端子です。
DD6・出力電圧 フィードバック端子です。
DD6・出力電圧端子です。
DD6・制御端子です
(L:DD6 使用, H:DD6 未使用)。
XCTL6
E4
I
○
VCC
○
LX7
E1
O
-
-
●
NSWI
E3
I
○
VCC
○
GND
DD7・LED 電流 入力端子です。
NSWO
F3
O
○
VCC
○
GND
DD7・LED 電流 出力端子です。
INO7
E2
I
-
-
●
GND
DD7・過電圧保護検出器 入力端子です。
LDO1
LDO1
B3
O
-
-
○
GND
LDO1・出力端子です。
LDO2
LDO2
A4
O
-
-
○
GND
LDO2・出力端子です。
LDO3
LDO3
B2
O
-
-
○
GND
LDO3・出力端子です。
DD7
6
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
PGND7 DD7・インダクタンス接続用端子です。
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
回路
ブロック
端子
記号
端子
I/O
番号
ESD 保護素子
○5V 素子/●HV 素子
機能説明
対
対
接続先
接続先
GND
電源
CFP
B1
-
-
-
○ PGNDCP
チャージポンプ用フライング容量接続端子 1
です。
CFM
C1
-
-
-
○ PGNDCP
チャージポンプ用フライング容量接続端子 2
です。
CPO
A2
O
-
-
○ PGNDCP チャージポンプ出力端子です。
Reset
RST
D5
O
-
-
○
GND
リセット出力端子です
(オープンドレイン出力)。
Control
CTL
D4
I
○
VCC
○
GND
電源,基準電圧および DD1~DD3,DD6 の制御
端子です。
CLK
E5
I
○
IN2
○
GND
SPI 通信用クロック入力端子です。
CP
SPI
RTC
DIO
F5
I/O
○
IN2
○
GND
SPI 通信用データ入出力端子です。
WRITE モード時は入力, READ モード時は出
力になります。
LD
F6
I
○
IN2
○
GND
SPI 通信用チップイネーブル入力端子です。
プルダウン付きでオープン時"L"になります。
OSCIN
A5
I
○
PVCCR
○
GND
RTC 用水晶発振子接続用端子です。
OSCOUT A6
O
○
PVCCR
○
GND
RTC 用水晶発振子接続用端子です。
-
-
-
○
PGND1
○
GND
○
PGND24
○
GND
○
PGND3
○
GND
○
PGND24
○
GND
○
PGND3
○
GND
○
PGND6
○
GND
PVCC1
PVCC2
PVCC3
PVCC4
Power
PVCC5
PVCC6
G8
G3
D8
G6
F8
H3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
DD1・出力部 電源端子です。
DD2・出力部 電源端子です。
DD3・出力部 電源端子です。
DD4・出力部 電源端子です。
DD5・出力部 電源端子です。
DD6・出力部 電源端子です。
PVCCL2
B4
-
-
-
○
GND
LDO2・電源端子です。
PVCCL3
A3
-
-
-
○
GND
LDO3・電源端子です。
PVCCCP C2
-
-
-
PVCCR
B5
-
-
-
○ PGNDCP
○
GND
○
GND
チャージポンプ部 電源端子です。
RTC 部 電源端子です。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
7
r1.0
MB39C329
回路
ブロック
端子
記号
VCC
端子
I/O
番号
B6
-
ESD 保護素子
○5V 素子/●HV 素子
機能説明
対
対
接続先
接続先
GND
電源
-
-
○
PGND1
○
PGND24
○
PGND3
○
PGND6 制御回路部 電源端子です。
○
PGND7
○ PGNDCP
Power
その他
○
GND
VREF
C3
O
○
VCC
○
GND
基準電圧(2.4V) 出力端子です。
VR
C4
O
○
VCC
○
GND
基準電圧(0.6V) 出力端子です。
PGND1
H7
-
-
-
-
-
DD1・出力部 接地端子です。
PGND3
C7
-
-
-
-
-
DD3・出力部 接地端子です。
PGND24
G5
-
-
-
-
-
DD2、DD4・出力部 接地端子です。
PGND6
G1
-
-
-
-
-
DD6・出力部 接地端子です。
PGND7
D2
-
-
-
-
-
DD7・出力部 接地端子です。
PGNDCP D1
-
-
-
-
-
チャージポンプ部 接地端子です。
制御回路部 接地端子です。
GND
C5
-
-
-
-
-
TEST_C
A1
I
○
VCC
○
GND
テスト用端子です。
IC 内部でプルダウン(100kΩ)しています。
TEST_S
A8
I
○
VCC
○
GND
テスト用端子です。
IC 内部でプルダウン(100kΩ)しています。
CLKOUT H8
O
○
VREF
○
GND
テスト用(発振周波数測定)端子です。
-
-
-
-
-
未接続端子です。
IC 内部回路との接続はありません。
NC
H1
8
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 ブロックダイヤグラム
IN1
PVCC1
<<DD1:FPWM 降圧:同期整流>>
A
L Priority
Error
Comp1
A
Buck
S
Slope
保護動作時
ディスチャージ
Q
PWM
Logic
Control
R
SCP
0.6V
( ± 1%)
SCP
Vo1:1.2V
Io(Max):800mA
LX1
AST
LV
CNV
clk
PGND1
ILIM
電圧検出回路へ
SS DAC1236から
SCP
IN2
PVCC2
<<DD2:C-mode 降圧:同期整流>>
B
L Priority
Error
Amp2
B
SCP
Buck
0.6V
( ± 1%)
保護動作時
ディスチャージ
LX2
PWM
Logic
Control
ICOMP2
LV
CNV
電圧検出回路へ
SS DAC1236から
IN3
Vo2:1.8V
Io(Max):500mA
AST
SLP
CMP
PGND24
PVCC3
<<DD3:C-mode 昇降圧:同期整流>>
C
L Priority
Error
Amp3
Buck-Boost
(H-bridge)
C
SCP
PWM
Logic
Control
0.6V
( ± 1%)
保護動作時
ディスチャージ
LX3_1
Vo3:3.3V
Io(Max):800mA
下記含む
ロードSW:500mA
LDO2:150mA
CP:160mA
AST
ICOMP3
LV
CNV
電圧検出回路へ
SS DAC1236から
SLP
CMP
VO3
LX3_2
AST
PGND3
L
ディスチャージ
制御
シーケンス
制御
ON/OFF
制御
PVCC4
<<DD4:C-mode 昇圧>>
IN4
HV
SCP
D
L Priority
D
Error
Amp4
HV
Vo4:11V~16V
(0.5Vstep)
Io(Max):100mA
AST
ICOMP4
0.6V
ディスチャージ
制御
Boost
LX4_1
PWM
Logic
Control
LV
CNV
SLP
CMP
出力電圧
切換え
LX4_2
L
SS時間切換え
DCG4
Vo3_SW:3.05V
Io(Max):500mA
PSWO3
0.5Ω max
PGND24
HV
L
SS DAC4
HV
ON/OFF制御
L
<<DD5:C-mode 反転>>
IN3(3.3V)
DCG5
20uA
ディスチャージ
制御
Buffer
Amp5
150k
HV
PVCC5
1.0V
FB5
SCP
E
HV
MINE5
Error
Amp5
出力電圧
切換え
Inverter
Vo5:-9V~-5V
(0.5Vstep)
Io(Max):150mA
LX5
DRV
ICOMP5
LV
HV
L
IN5
PWM
Logic
Control
SLP
CMP
E
L
SS DAC5
SS時間切換え
PGND3
ON/OFF制御
L
IN6
PVCC6
<<DD6:C-mode 昇降圧:同期整流>>
F
L Priority
Error
Amp6
F
SCP
PW
Logic
ControlM
0.6V
( ± 1%)
保護動作時
ディスチャージ
LX6_1
Vo6:4.5V
(3.3V/4.5V/5.0V/5.5V)
Io(Max):800mA
AST
ICOMP6
出力電圧
切換え
L
Buck-Boost
(H-bridge)
LV
CNV
DD1/DD2/DD3へ
SLP
CMP
SS DAC1236
VO6
XCTL6
H:DD6未使用
L:DD6使用
Logic 部へ
LX6_2
ON/OFF制御
AST
L
PGND6
clk
enb
Vin
Vo3
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
9
r1.0
MB39C329
clk
enb
Vin
LV
CNV
VCC
Error
L Priority
NSWO
Vo3
Boost
H
SCP
<<DD7:C-mode 昇圧>>
Vo7
Io(Max):30mA
Amp7
PWM
Logic
Control
0.6V
LX7
DRV
ICOMP7
白色LED
電流設定
HV
PGND7
L
SLP
CMP
SS時間 L
切換え
CS DAC7
NSWI
ILED
ON/OFF制御
L
INO7
NSWO
Error
Amp7
OVP
Comp7
H
HV
0.6V
VCC
<<LDO1>>
LDO1:3.3V
Io(Max):10mA
BGR
LDO1
1.23V
BATT
J
SCP
L
ON/OFF制御
PVCCL2
<<LDO2>>
0.6V
LDO2:3.0V
(3.0V/3.3V/4.0V/5.0V)
Io(Max):150mA
LDO2
ON/OFF制御
LDO2
ソフトスタート
制御
L
SCP
L
SS時間
切換え
出力電圧
切換え
L
PVCCCP
CFP
Charge Pump
ON/OFF制御
CFM
CPO
L
CPO:5.5V
Io(Max):80mA
PGNDCP
PVCCL3
<<LDO3>>
0.6V
ON/OFF制御
LDO3
ソフトスタート
制御
L
LDO3:5.0V
(3.0V/3.3V/4.0V/5.0V)
Io(Max):80mA
LDO3
SS時間
L
切換え
SCP
逆流
防止
SW
出力電圧
切換え
L
1.8V(DD2)
RST
DD1/DD2/DD3
パワーオン
リセット /
低電圧リセット
(電圧検出回路
ディレイ回路)
IN1
IN2
IN3
Reset
<<RTC>>
PVCCR
J
OSCIN
VREF
RTC Analog部
OSCOUT
RTC Logic部
CLKOUT
L
scpDD1~scpDD7
scpLDO1~scpLDO3
H:DC/DC enable
・・・
IN2 VREF
1.8V(DD2) SPI通信
syscom
DIO
I/O
Logic
H:SCP時
CLK
SCP
(カウンタ
&ラッチ)
L
L
H:CTL ON
LD
L:OTP時
OTP
VCC
H:UVLO解除 Logic,OSC
TEST_C
TEST
OSC
TEST_S
電源
UVLO
VREF
CT
NC
RT
ErrAmp基準
LDO基準
(0.6V)
(0.6V)
VREF
Power
ON/OFF CTL
BGRより
0.6V
VR
(2.4V)
10
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
VREF
VIN
L i×1セ ル
( 2. 5V~5. 5V )
LDO2基準
CTL
BGR
GND
<<WLP-64P 0.5mm pitch>>
使用 pin:63pin
NC pin:1pin
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 絶対最大定格
項目
電源電圧
記号
VCC
VINE
入力電圧
VIN
VCTL
LX 電圧
LX ピーク電流
VLX
ILX
定格値
条件
単位
最小
最大
VCC, PVCC1~PVCC6,
PVCCL2, PVCCL3, PVCCCP 端子
―
7
V
PVCCR 端子
―
4
V
MINE5 端子
-0.3
+7
V
IN1~IN3, IN6 端子
―
7
V
IN4, DCG4, INO7 端子
―
25
V
IN5 端子(PVCC5-Vo5)
―
18
V
LDO1, LDO2, LDO3 端子
―
7
V
NSWI, NSWO 端子
―
7
V
CLK, DIO, LD 端子
―
4
V
OSCIN 端子
―
4
V
CTL, XCTL6 端子
―
7
V
-0.3
+7
V
LX1, LX2, LX3_1, LX3_2,
LX4_1, LX6_1, LX6_2 端子
DC
LX4_2, LX7 端子*1
DC
-0.3
+25
V
LX5 端子(PVCC5-Vo5)
DC
-0.3
+18
V
LX1 端子
AC
―
2.0
A
LX2 端子
AC
―
1.7
A
LX3_1, LX3_2 端子
AC
―
3.0
A
LX4_1, LX4_2 端子
AC
―
2.0
A
LX5 端子
AC
―
3.0
A
LX6_1, LX6_2 端子
AC
―
4.5
A
LX7 端子
AC
―
2.0
A
出力電圧
VO
VO3, VO6 端子
-0.3
+7
V
出力電流
IO
PSWO3 端子
―
-750
mA
PD
Ta≦+25°C
熱抵抗値(θj-a): (50°C/W)
―
2000*2
mW
許容損失
最大ジャンクション温度
Tjmax
―
―
+125
°C
保存温度
TSTG
―
-55
+125
°C
*1: LX7(DD7) OVP 検出中のスパイク電圧での破壊に対する設計保証条件
・入力電圧=4.5V 以下
・Ta=+45°C 以下
・DD7 コイル=LBR2012T4R7M (太陽誘電製 4.7µH)
*2: 117×84×0.8mm の FR-4 基板に実装時
(注意事項) 「■使用上のご注意」を厳守してください。
また、LX 端子を VCC あるいは GND にショートすると本製品が破壊することがあります。
<注意事項> 絶対最大定格を超えるストレス (電圧, 電流, 温度など) の印加は、半導体デバイスを破
壊する可能性があります。したがって、定格を一項目でも超えることのないようご注意く
ださい。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
11
r1.0
MB39C329
 推奨動作条件
項目
電源電圧
動作電源電圧
VCC
計時電源電圧
基準電圧出力電流
IREF
VINE
入力電圧
VIN
VCTL
LX 電圧
VLX
出力電圧
VO
入力電流
IIN
IO
出力電流
ISW
ILDO
発振周波数
白色 LED 電流設定抵抗
基準電圧出力容量
基準電圧出力容量
動作温度
最小
規格値
標準
最大
VCC, PVCC1~PVCC6,
PVCCCP 端子
2.5
3.6
5.5
V
PVCCL2, PVCCL3 端子
3.2
3.6
5.5
V
PVCCR 端子
通信設定可能な電源電圧
2.0
3.0
3.3
V
1.8 *
3.0
3.3
V
-1
0
0
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0
1.1
VCC
5.5
24
16
5.5
VCC
1.8
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
0
0
-
-
3.3
VCC
V
V
0
-
5.5
V
0
0
0
0
-
-
-
-
24
16
5.5
5.5
V
V
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.10
0.1
-30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3.0
10
0.47
-
+25
30
800
500
800
100
150
800
30
500
10
150
80
80
-
-
1.00
1.0
+85
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
MHz
Ω
µF
µF
°C
記号
ICPO
fOSC
RLED
CR
CREF
Ta
条件
PVCCR 端子
内部時計データを保持可能な
電源電圧
VREF 端子
MINE5 端子
IN1,IN2 端子
IN3,IN6 端子
IN4,DCG4,INO7 端子
IN5 端子(PVCC5-Vo5)
LDO1,LDO2,LDO3 端子
NSWI,NSWO 端子
CLK,DIO,LD 端子
OSCIN 端子
CTL,XCTL6 端子
LX1,LX2,LX3_1,LX3_2,
LX4_1,LX6_1,LX6_2 端子
LX4_2,LX7 端子
LX5 端子(PVCC5-Vo5)
VO3,VO6 端子
RST 端子
NSWI 端子
DD1
DD2
DD3
DD4
DD5
DD6
DD7
PSWO3 端子
LDO1 端子
LDO2 端子
LDO3 端子
CPO 端子
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
DC
―
―
VR 端子容量
VREF 端子容量
―
単位
*: 電源電圧検出電圧の規格は「■電気的特性」の「RTC 部」を参照してください。
(注意事項) VCC 端子と PVCC1~PVCC6 端子についてはショートしてください。
12
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
<注意事項> 推奨動作条件は、半導体デバイスの正常な動作を確保するための条件です。電気的特性の
規格値は、すべてこの条件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してくだ
さい。この条件を超えて使用すると、信頼性に悪影響を及ぼすことがあります。
データシートに記載されていない項目, 使用条件, 論理の組合せでの使用は、保証してい
ません。記載されている以外の条件での使用をお考えの場合は、必ず事前に営業部門まで
ご相談ください。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
13
r1.0
MB39C329
 電気的特性
1. 共通部
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
記号
出力電圧
ショート検知部
[SCP]
ソフトスタート部
[SS]
過熱保護回路部
[OTP]
発振器部
[OSC]
コントロール部(CTL)
[CTL]
全デバイス
(DC/DC 部)
単位
標準
最大
0.594
0.600
0.606
V
VREF1 VREF 端子=0mA
2.376
2.400
2.424
V
VREF2 VCC 端子=2.5V~5.5V
VREF3
低入力時誤動作
防止回路部
[VCC UVLO]
規格値
最小
VR
基準電圧部
[VR, VREF]
条件
VR 端子=0mA
2.37
2.40
2.43
V
VREF 端子=0mA~-1mA
2.37
2.40
2.43
V
VCC 端子=
2.16
2.20
2.24
V
-
0.20
-
V
4.5*
5.0*
5.5*
ms
9*
10*
11*
ms
スレッショルド
電圧
VTH
ヒステリシス幅
VH
タイマ時間
tSCP1
初期値
tSCP2
通信切換え時
tSS1
固定値:
DD1,DD2,DD3,DD6,CP
初期値:
DD4,DD5,DD7,LDO2,LDO3
4.5*
5.0*
5.5*
ms
tSS2
固定値:SW3
通信切換え:
DD4,DD5,DD7,LDO2,LDO3
9*
10*
11*
ms
ソフトスタート
時間
―
停止温度
TOTPH
―
+125*
+150*
-
°C
復帰温度
TOTPL
―
-
+125*
-
°C
発振周波数
fOSC1
DD1~DD3, DD6
2.7
3.0
3.3
MHz
fOSC2
DD4, DD5, DD7
1.35
1.50
1.65
MHz
起動スレッショ
ルド電圧
VTH
CTL 端子
-
0.9
1.5
V
停止スレッショ
ルド電圧
VTL
CTL 端子
0.3
0.6
-
V
入力電流
ICTLH
CTL 端子=3V
22
30
46
µA
ICTLL
CTL 端子=0V
-
-
1
µA
IVCCS1
CTL 端子=0V
(LDO1 のみ動作時)
-
2.2
3.3
µA
IVCCS2
CTL 端子=0V
(LDO1 停止時)
-
1.0*
1.5*
µA
IVCC
CTL 端子=3V,
デューティ=0%
-
4
6
mA
スタンバイ電流
電源電流
*: 標準設計値
14
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
2. FPWM DD1, 電流モード DC/DC DD2, DD3
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
DC/DC
コンバータ部
[DD1]
DC/DC
コンバータ部
[DD2]
DC/DC
コンバータ部
[DD3]
ロード SW 部
[DD3 SW]
項目
記号
条件
出力電圧
Vo1
-
IN1 端子入力
インピーダンス
RIN
規格値
単位
最小
標準
最大
1.176
1.200
1.224
V
IN1 端子=2.0V
-
0.11
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX1 端子
=-100mA,VGS=3.6V
-
0.30*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX1 端子= 100mA,
VGS=3.6V
-
0.21*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX1 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX1 端子=3.6V
-
-
1
µA
出力電圧
Vo2
-
1.764
1.800
1.836
V
IN2 端子入力
インピーダンス
RIN
IN2 端子=2.0V
-
0.17
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX2 端子=-100mA,
VGS=3.6V
-
0.37*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX2 端子= 100mA,
VGS=3.6V
-
0.35*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX2 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX2 端子=3.6V
-
-
1
µA
出力電圧
Vo3
-
3.234
3.300
3.366
V
IN3 端子入力
インピーダンス
RIN
IN3 端子=2.0V
-
0.22
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX3_1 端子=-100mA,
VGS=3.6V
-
0.09*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX3_1 端子= 100mA,
VGS=3.6V
-
0.12*
-
Ω
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX3_2 端子=-100mA,
VGS=3.6V
-
0.16*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX3_2 端子= 100mA,
VGS=3.6V
-
0.10*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX3_1 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX3_1 端子=3.6V
-
-
1
µA
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX3_2 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX3_2 端子=3.6V
-
-
1
µA
ロード SW ON 抵抗
RSW
Vo3=3.3V,
IPSWO=-500mA
-
-
0.50
Ω
ロード SW Tr リーク電流
ILEAK
-
-
1
µA
-
*: 標準設計値
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
15
r1.0
MB39C329
3. 電流モード DC/DC DD4
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
出力電圧
DC/DC
コンバータ部
[DD4]
IN4 端子入力
インピーダンス
記号
Vo4
RIN
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
VO4 出力電圧設定=11V
10.84
11.00
11.17
V
VO4 出力電圧設定=11.5V
11.33
11.50
11.67
V
VO4 出力電圧設定=12V
11.82
12.00
12.18
V
VO4 出力電圧設定=12.5V
12.31
12.50
12.69
V
VO4 出力電圧設定=13V
12.81
13.00
13.20
V
VO4 出力電圧設定=13.5V
13.30
13.50
13.70
V
VO4 出力電圧設定=14V
13.79
14.00
14.21
V
VO4 出力電圧設定=14.5V
14.28
14.50
14.72
V
VO4 出力電圧設定=15V
14.78
15.00
15.23
V
VO4 出力電圧設定=15.5V
15.27
15.50
15.73
V
VO4 出力電圧設定=16V
15.76
16.00
16.24
V
IN4 端子=2.0V
-
0.85
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX4_1 端子=-100mA
VGS=3.6V
-
0.12*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX4_2 端子=100mA
VGS=3.6V
-
0.33*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX4_1 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX4_2 端子=3.6V
-
-
1
µA
DCG4 端子"L"レベル
出力電圧
VOL
DCG4 端子=10mA
-
-
0.8
V
DCG4 端子リーク電流
ILEAK
DCG4 端子=24V
-
-
1
µA
*: 標準設計値
16
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
4. 電流モード DC/DC DD5
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
出力電圧
記号
Vo5
DC/DC
コンバータ部
[DD5]
IN5 端子入力
インピーダンス
規格値
単位
最小
標準
最大
VO5 出力電圧設定=-5V
-5.08
-5.00
-4.93
V
VO5 出力電圧設定=-5.5V
-5.58
-5.50
-5.42
V
VO5 出力電圧設定=-6V
-6.09
-6.00
-5.91
V
VO5 出力電圧設定=-6.5V
-6.60
-6.50
-6.40
V
VO5 出力電圧設定=-7V
-7.11
-7.00
-6.90
V
VO5 出力電圧設定=-7.5V
-7.61
-7.50
-7.39
V
VO5 出力電圧設定=-8V
-8.12
-8.00
-7.88
V
VO5 出力電圧設定=-8.5V
-8.63
-8.50
-8.37
V
VO5 出力電圧設定=-9V
-9.14
-9.00
-8.87
V
IN5 端子=-1V
-
0.46
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX5 端子=-100mA
VGS=3.6V
-
0.27*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX5 端子=0V
-1
-
-
µA
nA
入力バイアス電流
誤差増幅器部
(DD5)
[Error Amp5]
RIN
条件
出力電圧
出力ソース電流
出力シンク電流
ディスチャージ部
オフ時端子電圧
(DD5)
[DISCHG.]
IB
MINE5 端子=0V
-100
0
-
VOH
FB5 端子=0mA
-
0.8
-
V
VOL
FB5 端子=0mA
-
50
75
mV
ISOURCE FB5 端子=0.5V
-
-90
-
µA
FB5 端子=0.5V
-
90
-
µA
2.5
2.9
3.1
V
ISINK
VO
-
*: 標準設計値
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
17
r1.0
MB39C329
5. 電流モード DC/DC DD6
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
出力電圧
IN6 端子入力
インピーダンス
DC/DC
コンバータ部
[DD6]
記号
VO6
RIN
規格値
条件
単位
最小
標準
最大
VO6 出力電圧設定=3.3V
3.234
3.300
3.366
V
VO6 出力電圧設定=4.5V
4.410
4.500
4.590
V
VO6 出力電圧設定=5.0V
4.900
5.000
5.100
V
VO6 出力電圧設定=5.5V
5.390
5.500
5.610
V
IN6 端子=2.0V
-
0.68
-
MΩ
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX6_1 端子=-100mA
VGS=3.6V
-
0.05*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX6_1 端子=100mA
VGS=3.6V
-
0.12*
-
Ω
SW PMOS-Tr ON 抵抗
RPMOS
LX6_2 端子=-100mA
VGS=3.6V
-
0.12*
-
Ω
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS
LX6_2 端子=100mA
VGS=3.6V
-
0.09*
-
Ω
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX6_1 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX6_1 端子=3.6V
-
-
1
µA
SW PMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX6_2 端子=0V
-1
-
-
µA
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX6_2 端子=3.6V
-
-
1
µA
XCTL6 端子=0V~VCC
-
-
1
µA
0
-
(0.3×
VCC)
V
(0.7×
VCC)
-
VCC
V
XCTL6 端子入力電流
IIH
XCTL6 端子
"L"レベル入力電圧
VIL
DD6 使用時
XCTL6 端子
"H"レベル入力電圧
VIH
DD6 未使用時
*: 標準設計値
6. IN 端子放電 SW 抵抗
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
IN1 端子
放電 SW ON 抵抗
IN2/IN3/IN6 端子
放電 SW ON 抵抗
IN4/DCG4 端子
放電 SW ON 抵抗
記号
条件
規格値
最小
標準
最大
単位
VCC=2.5V
30
60
90
Ω
RIN_SW VCC=3.6V
20
40
60
Ω
VCC=5.5V
15
30
45
Ω
3.5
5.0
6.5
kΩ
VCC=2.5V
35
70
100
Ω
RIN_SW VCC=3.6V
28
55
80
Ω
VCC=5.5V
25
50
75
Ω
-
RIN_SW
18
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
7. 電流モード白色 LED ドライバ DD7
(Ta=+25°C, VCC=PVCC1~PVCC6=3.6V)
項目
DC/DC
コンバータ部
[DD7]
記号
出力電流
SW MOS Tr 部
(DD7)
[SW MOS]
過電圧検出器部
(DD7)
[OVP Comp.7]
Io7
規格値
条件
初期値
単位
最小
標準
最大
14.2
15.0
15.8
mA
SW NMOS-Tr ON 抵抗
RNMOS LX7=30mA,VGS=3.6V
-
0.51*
-
Ω
SW NMOS-Tr リーク電流
ILEAK
LX7 端子=3.6V
-
-
1
µA
スレッショルド電圧
VTH
20
22
24
V
入力インピーダンス
RIN
-
550
-
kΩ
RNMOS NSWI=30mA,VGS=3.6V
-
0.5*
-
Ω
ILEAK
-
-
1
µA
白色 LED センス NMOS-Tr ON 抵抗
抵抗接続用 SW 部
(DD7)
NMOS-Tr リーク電流
[NSW]
-
INO7=14V
NSWI=3.6V
*: 標準設計値
8. LDO LDO1
項目
LDO 部
[LDO1]
記号
条件
(Ta=+25°C, PVCCL2, PVCCL3=3.6V)
規格値
単位
最小 標準
最大
出力電圧
VOUT
IOUT=-1mA
3.234
3.300
3.366
V
入出力電圧差
VDIF
IOUT=-10mA
-
0.1
0.2
V
入力安定度
VLINE
IOUT=-5mA,
VCC=3.5V~5.5V
-
-
30
mV
負荷安定度
VLOAD
IOUT=-1mA~-10mA
-30
-
-
mV
PVCCL=0.2Vrms,
f=1kHz,
IOUT=-10mA
20*
30*
-
dB
PVCCL=0.2Vrms,
f=10kHz,
IOUT=-10mA
5*
10*
-
dB
Vout×0.9
10*
15*
-
mA
IPVCCLS
スタンバイ時 (SPI 通信制御)
-
0*
1*
µA
IPVCCL
IOUT=0mA
-
1.2*
1.8*
µA
リップル除去比
過電流保護値
電源電流
RR
ILIMIT
*: 標準設計値
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
19
r1.0
MB39C329
9. LDO LDO2
(Ta=+25°C, PVCCL1~PVCCL3=3.6V)
項目
出力電圧
LDO 部
[LDO2]
記号
VOUT
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
LDO2=3V 設定
IOUT=-1mA
2.970
3.000
3.030
V
LDO2=3.3V 設定
IOUT=-1mA
3.267
3.300
3.333
V
LDO2=4V 設定
IOUT=-1mA
3.960
4.000
4.040
V
LDO2=5V 設定
IOUT=-1mA
4.950
5.000
5.050
V
入出力電圧差
VDIF
PVCCL2=LDO2 出力設定電圧
IOUT=-150mA
-
0.10
0.20
V
入力安定度
VLINE
LDO2=3V,
IOUT=-50mA,
PVCCL2=3.4V~3.8V
-
-
10
mV
負荷安定度
VLOAD
LDO2=3V,
IOUT=-1mA~-50mA
-15
-
-
mV
LDO2=3V,
PVCCL=0.2Vrms,
f=1kHz,
IOUT=-150mA
55*
65*
-
dB
LDO2=3V,
PVCCL=0.2Vrms,
f=1.5MHz,
IOUT=-150mA
20*
30*
-
dB
Vout×0.9
150*
225*
-
mA
スタンバイ時(SPI 通信制御)
-
0
1
µA
IOUT=0mA
-
80
120
µA
リップル除去比
過電流保護値
電源電流
RR
ILIMIT
IPVCCLS
IPVCCL
*: 標準設計値
20
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
10. LDO LDO3
(Ta=+25°C, PVCCL1~PVCCL3=3.6V)
項目
出力電圧
LDO 部
[LDO3]
記号
VOUT
条件
規格値
単位
最小
標準
最大
LDO3=3V 設定
IOUT=-1mA
2.910
3.000
3.090
V
LDO3=3.3V 設定
IOUT=-1mA
3.201
3.300
3.399
V
LDO3=4V 設定
IOUT=-1mA
3.880
4.000
4.120
V
LDO3=5V 設定
IOUT=-1mA
4.850
5.000
5.150
V
入出力電圧差
VDIF
PVCCL3=LDO3 出力設定電圧
IOUT=-80mA
-
0.10
0.20
V
入力安定度
VLINE
LDO3=5V,
IOUT=-50mA,
PVCCL3=5.2V~5.5V
-
-
16
mV
負荷安定度
VLOAD
LDO3=5V,
IOUT=-1mA~-50mA
-25
-
-
mV
LDO3=5V,
PVCCL=5.5V,0.2Vrms,
f=1kHz,
IOUT=-50mA
20*
30*
-
dB
LDO3=5V,
PVCCL=5.5V,0.2Vrms,
f=1.5MHz,
IOUT=-50mA
20*
30*
-
dB
Vout×0.9
80*
120*
-
mA
スタンバイ時(SPI 通信制御)
-
0
1
µA
IOUT=0mA
-
100
150
µA
リップル除去比
過電流保護値
電源電流
RR
ILIMIT
IPVCCLS
IPVCCL
*: 標準設計値
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
21
r1.0
MB39C329
11. CP 部
項目
出力電圧
CP 部
[CP]
記号
VO
条件
PVCCCP=3.3V(DD3)
IO=0mA
(Ta=+25°C, VCC=3.6V)
規格値
単位
最小 標準 最大
5.33
5.50
5.66
V
負荷安定度
VLoad
IO=0mA~-80mA
-
-
300
mV
無負荷時消費電流
IPVCC
IO=0mA
-
200
300
µA
338
375
413
kHz
CP 発振周波数
―
fosc
12. Reset 部
項目
(Ta=+25°C, VCC=3.6V)
規格値
単位
最小 標準 最大
記号
条件
出力電圧
VOL
RST 端子=1.8V(DD2),550μA
-
-
0.4
V
出力電流
IOL
―
1
-
-
mA
スレッショルド電圧
Reset 部
[Reset]
ヒステリシス幅
VTH1
Vo1 端子=
0.950
1.000
1.050
V
VTH2
Vo2 端子=
1.425
1.500
1.575
V
VTH3
Vo3 端子=
2.565
2.700
2.835
V
VH1
Vo1 ヒステリシス
64
80
96
mV
VH2
Vo2 ヒステリシス
64
80
96
mV
VH3
Vo3 ヒステリシス
80
100
120
mV
出力リーク電流
ILEAK
―
-
-
1
µA
リセットディレイ時間
Tdelay
―
22
35
48
ms
22
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
13. RTC 部
項目
条件
ICCR
OSCIN 端子=32.768kHz,
LD 端子=VIL,
CLKOUT 端子="L" (OFF)
PVCCR 接続後内部 CLK 供給
開始までの消費電流*
-
3.0
-
µA
定常動作時
電源電流
(計時消費電流)
ICCR
OSCIN 端子=32.768kHz,
LD 端子=VIL,
CLKOUT 端子="L" (OFF)
PVCCR 接続後内部 CLK 供給
開始後の消費電流*
-
1.5
2.0
µA
電源電圧検出電圧
(RTC 動作開始)
VTH
PVCCR 端子=
1.9
2.0
2.1
V
電源電圧検出電圧
(RTC 動作停止)
VTL
PVCCR 端子=
1.7
1.8
1.9
V
"H"レベル入力電圧
VIH
OSCIN 端子
0.9
-
PVCCR
V
"L"レベル入力電圧
起動時
電源電流
RTC 部
[RTC]
記号
(Ta=+25°C, PVCCR=3.0V, VCC=0V)
規格値
単位
最小
標準
最大
VIL
OSCIN 端子
0
-
0.3
V
入力クロック周波数
fIN
外付け水晶発振子
-
32.768
-
kHz
入力クロック
デューティサイクル
IDCI
OSCIN 端子=32.768kHz
40
50
60
%
*:「■RTC タイミングチャート」を参照してください。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
23
r1.0
MB39C329
14. シリアル I/F 部
項目
記号
条件
CLK 動作周波数
fCLK
-
-
-
2
MHz
CLK Hi レベル時間
tHI
-
250
-
-
ns
CLK Lo レベル時間
tLO
-
250
-
-
ns
DIO セットアップ時間
tDS
-
100
-
-
ns
DIO ホールド時間
tDH
-
100
-
-
ns
DIO ディレイ時間
最小
tRD
-
-
-
200
ns
LD セットアップ時間
tLD
-
100
-
-
ns
LD ホールド時間
tLH
-
100
-
-
ns
LD ディレイ時間
tLDHI
-
100
-
-
ns
LD イネーブル時間
tWLD
-
-
-
0.95
s
ns
CLK 立上り時間
SPI 部
[SPI]
tr
-
-
-
100
CLK 立下り時間
tf
-
-
-
100
ns
LD 立上り時間
trld
-
-
-
1
µs
LD 立下り時間
tfld
-
-
-
1
µs
入力電流
IIH
LD,CLK 端子=0V~Vo2
-
-
1
µA
"H"レベル入力電圧
VIH
LD,CLK,DIO 端子
(Vo2×
0.7)
-
Vo2
V
"L"レベル入力電圧
VIL
LD,CLK,DIO 端子
0
-
(Vo2×
0.3)
V
"H"レベル出力電圧
VOH
DIO 端子=-4mA
(Vo2×
0.8)
-
Vo2
V
"L"レベル出力電圧
VOL
DIO 端子=4mA
0
-
(Vo2×
0.2)
V
出力リーク電流
ILEAK
DIO 端子=Hi-Z 時
-
-
1
µA
tWLD
trld
fCLK
LD
(Ta=+25°C, VCCR=3.0V)
規格値
単位
標準
最大
tLD
tLO
tr
tf
tHI
tLH
80%
20%
CLK
tDS
tDH
tfld
tLDHI
tRD
DIO
Hi-Z
24
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Hi-Z
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 標準動作特性例
(1) IC 全体効率
TOTAL 効率-入力電圧特性
テスト条件
100
変換効率[%]
95
90
85
80
75
70
65
60
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
入力電圧 VIN [V]
DD1:1.2V/600mA
DD2:1.8V/200mA
DD3:3.3V/300mA
DD4:13V/20mA
DD5:-6V/15mA
DD6:4.5V/100mA
DD7:LED 3 灯/30mA
LDO1:3.3V/1mA
LDO2:3.0V/10mA
LDO3:5.0V/10mA
(2) DD1 負荷効率/負荷安定度
1.300
100
1.280
出力電圧 VO [V]
95
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
55
VIN=3.7V
VIN=5.5V
1.260
1.240
1.220
1.200
1.180
1.160
VIN=3.7V
VIN=2.5V
VIN=5.5V
1.140
1.120
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
1.100
0.8
0.0
0.1
0.2
出力負荷 IO [A]
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
(3) DD2 負荷効率/負荷安定度
1.300
100
1.280
95
出力電圧 VO [V]
1.260
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
55
VIN=3.7V
VIN=5.5V
1.240
1.220
1.200
1.180
1.160
VIN=3.7V
VIN=2.5V
VIN=5.5V
1.140
1.120
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1.100
0.0
0.1
0.2
出力負荷 IO [A]
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
(4) DD3 負荷効率/負荷安定度
100
3.400
95
3.380
出力電圧 VO [V]
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
55
VIN=3.7V
VIN=5.5V
3.360
3.340
3.320
3.300
3.280
3.260
VIN=3.7V
VIN=2.5V
VIN=5.5V
3.240
3.220
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
3.200
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
25
r1.0
MB39C329
(5) DD4 負荷効率/負荷安定度
13.10
100
13.08
出力電圧 VO [V]
95
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
55
VIN=3.7V
VIN=5.5V
13.06
13.04
13.02
13.00
12.98
12.96
VIN=3.7V
VIN=2.5V
VIN=5.5V
0.03
0.05
0.07
12.94
12.92
50
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
12.90
0.00
0.10
0.01
0.02
出力負荷 IO [A]
0.04
0.06
0.08
0.09
0.10
出力負荷 IO [A]
100
-5.95
95
-5.97
90
-5.99
出力電圧 VO [V]
変換効率[%]
(6) DD5 負荷効率/負荷安定度
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
VIN=3.7V
VIN=5.5V
55
-6.01
-6.03
-6.05
-6.07
-6.09
VIN=3.7V
-6.11
VIN=2.5V
VIN=5.5V
-6.13
50
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15
-6.15
0.00 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 0.06 0.07 0.08 0.09 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15
出力負荷 IO [A]
出力負荷 IO [A]
(7) DD6 負荷効率/負荷安定度
100
4.600
95
4.580
出力電圧 VO [V]
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
VIN=3.7V
VIN=5.5V
55
4.560
4.540
4.520
4.500
4.480
4.460
VIN=3.7V
4.440
VIN=2.5V
VIN=5.5V
4.420
50
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
4.400
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
出力負荷 IO [A]
(8) DD7 負荷効率/負荷安定度
100
95
変換効率[%]
90
85
80
75
70
65
60
VIN=2.5V
55
VIN=3.7V
VIN=5.5V
50
0
5
10
15
20
25
30
35
出力負荷 IO [A]
26
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
(9) LDO1 負荷安定度
(10) LDO2 負荷安定度
3.100
3.400
VCC=3.7V
PVCCL2=3.2V
VCC=5.5V
3.080
3.360
3.060
出力電圧 VO [V]
出力電圧 VO [V]
VCC=3.5V
3.380
3.340
3.320
3.300
3.280
3.260
3.240
3.220
PVCCL2=3.7V
PVCCL2=5.5V
3.040
3.020
3.000
2.980
2.960
2.940
2.920
3.200
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
2.900
0.00
出力負荷 IO [A]
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0.14
出力負荷 IO [A]
(11) LDO3 負荷安定度
5.100
PVCCL3=5.2V
PVCCL3=5.5V
出力電圧 VO [V]
5.080
5.060
5.040
5.020
5.000
4.980
4.960
4.940
4.920
4.900
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
出力負荷 IO [A]
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
27
r1.0
MB39C329
 機能説明
 DC/DC機能表
起動
出力電圧設定
起動/
通信での
チャネ 切断
ON/OFF
ル
シー
制御
ケンス
切断
ソフト
スタート時間
パワー
オン
ロード
リセット/
SW
低 VCC 時
低電圧
短絡 過熱
通信
通信 リセット
誤動作
保護 保護
切換え
切換え
防止
(SCP) (OTP)
(UVLO)
通常オフ動作
固定
通信
切換え
固定
通信
切換え
固定
SCP
検出
時間
保護時
DD1
○
×
(CTL ピン
のみ)
○
-
5ms
-
ソフト
5ms
オフ
-
ディスチャージ*1
-
○
DD2
○
×
(CTL ピン
のみ)
○
-
5ms
-
ソフト
5ms
オフ
-
ディスチャージ*1
-
○
DD3
○
×
(CTL ピン
のみ)
○
-
5ms
-
ソフト
5ms
オフ
-
ディスチャージ*1
-
○
SW3
○
○
(シーケン
ス起動後)
○
-
10ms
-
-
ディス
チャージ
ディスチャージ
-
-
○
-
ディスチャージ*1
○
-
DD4
DD5
-
-
○
自然放電
-
○
○
-
-
5ms/
10ms
-
ディス
チャージ
自然放電
ディス
自然放電
チャージ
*2
自然放電
ディス
チャージ
5ms/
10ms
-
-
ソフト
5ms
オフ
-
ディスチャージ*1
-
-
自然放電
○
-
-
-
-
×
DD6
○
DD7
-
LDO1
-
(CTL/XCT
-
L6 ピンの
み)
○
5ms
(起動後)
5ms/
10ms
(SW3,
CP
以外)
-
○
(LED
電流)
-
5ms/
10ms
自然放電
-
○
○
(常時起動)
-
-
-
自然放電
-
LDO2
○
○
(シーケン
ス起動後)
-
○
-
5ms/
10ms
自然放電
-
自然放電
-
-
LDO3
-
○
-
○
-
5ms/
10ms
自然放電
-
自然放電
-
-
CP
-
○
○
-
5ms
-
自然放電
-
自然放電
-
-
○
-
-
-
自然
放電
*1: DD1/DD2/DD3/DD4/DD6 の IN 端子ディスチャージ SW 抵抗値は、各チャネルで異なるためディス
チャージ時間も異なります。
IN 端子ディスチャージ SW 抵抗値については、
「■電気的特性」の「IN 端子放電 SW 抵抗」を参照し
てください。
*2: DD5:UVLO 時は、ディスチャージ制御回路のバイアス回路が停止するため自然放電になります。
28
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 DC/DC CTL機能表
H
L
L
L
H
H
L
L
CTL_ON のみで
ON 動作動作動作動作停止停止動作停止動作動作 停止 停止 起動するチャネル
(DD6 使用)
H
H
H
L
L
L
H
H
L
L
CTL_ON のみで
ON 動作動作動作動作停止停止停止停止動作動作 停止 停止 起動するチャネル
(DD6 未使用)
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
ON 動作動作動作動作動作動作動作動作動作動作 動作 動作
CTL_ON 後、通信で
ON(DD6 使用)
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
ON 動作動作動作停止停止停止動作停止停止停止 停止 停止
CTL_ON 後、通信で
OFF(DD6 使用)
CP1
L
LDO3
H
LDO2
 OFF 停止停止停止停止停止停止停止停止動作停止 停止 停止
LDO1

DD7
CTL_CP

DD6
CTL_LDO3

DD5
CTL_LDO2

DD4
CTL_LDO1

SW3
CTL_DD7

DD3
CTL_DD5

DD2
CTL_DD4

DD1
CTL_SW3
L
Power
XCTL6
通信
CTL
外部
備考
スタンバイ時
(CTL_OFF)
(注意事項) ・CTL 端子には、必ず"H"レベル(>1.5V), "L"レベル(<0.3V)のいずれかを入力してくださ
い。
・CTL 端子により停止させた場合、レジスタの値は初期化されます。
再度、通信によりレジスタ値を確定させてください。
・切断シーケンス中に CTL を再投入させた場合、8H および 9H レジスタの値は初期化されま
す。ほかのレジスタは保持されます。
低 VCC 時
誤動作防止回路
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z
L
L
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z 動作
L
Hi-Z Hi-Z Hi-Z
DD7 過電圧
保護回路
動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 動作 Hi-Z 動作 動作 動作 動作 動作 動作
RST
Hi-Z Hi-Z Hi-Z
CPO
L
LDO3
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z
LDO2
L
LDO1
L
NSWI
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z
LX7
過熱保護回路
LX6-2
Hi-Z Hi-Z Hi-Z
LX6-1
L
LX5
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z
LX4-2
L
LX3-2
L
LX3-1
Hi-Z Hi-Z Hi-Z Hi-Z
LX2
短絡保護回路
動作回路
LX1
LX4-1
機能表
PSWO3
 保護動作時
(注意事項) CTL および当該チャネルを OFF した場合にも上記状態になります。
DS405-00009-1v0-J
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29
r1.0
MB39C329
 CTL端子スレッショルド電圧
CTL 端子の入力回路構成はシュミットトリガ形式です。CTL OFF→ON 時、および ON→OFF 時のス
レッショルド電圧はヒステリシス特性を示します(CTL 端子 等価回路図を参照してください)。
また、スレッショルド電圧レベルは VCC 端子電圧に依存します。VCC=3.6V 時には、≒0.9V で
CTL OFF→ON し、≒0.6V で CTL ON→OFF します。
なお、CTL 端子には、必ず"H"レベル(>1.5V), "L"レベル(<0.3V)のいずれかを入力してください。
 CTL 端子 等価回路図
CTLスレッショルド電圧
はヒステリシス特性を
示します。
VCC
ESD保護素子
CTL
ESD保護素子
5kΩ
100kΩ
GND
30
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r1.0
MB39C329
 ソフトスタート動作説明
[DD1, DD2, DD3, DD6]
CTL 投入後、発振周波数の分周信号を利用した D/A コンバータ (DAC)により、IC 内部の誤差増幅器
の非反転入力端子(CS1, CS3, CS2, CS6)が DD1→DD3→DD2→DD6 の順に上昇します。
Vo3 は Vo1 が出力電圧の 80%に達すると上昇を開始し、Vo2 は Vo3 が出力電圧の 80%に達すると上
昇を開始し、Vo6 は Vo2 が出力電圧の 80%に達すると上昇を開始します。
IC 内部の CS6 電圧が VREF レベル (≒2.4V) に達すると、IC がソフトスタート起動シーケンスの完
了フラグを立て、DD6→DD2→DD3→DD1 の順次切断シーケンス動作を許可します。
CTL 切断時、CS6 電圧が VREF レベルに達していない場合は、切断シーケンスを行わず、DD1~DD3
と DD6 は同時に瞬時 OFF します(下図 A 点) 。
CS6 電圧が VREF レベルに達している場合は、切断シーケンスを行い、Vo6 が 20%に達すると Vo2
をソフトオフさせ、Vo2 が 20%に達すると Vo3 をソフトオフさせ、Vo3 が 20%に達すると Vo1 をソ
フトオフさせます (次頁 B 点) 。
なお、切断シーケンス中に CTL が再投入された場合でも、切断シーケンスを行った後に投入シーケン
スを行います (次頁 C 点) 。
 IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達する前に CTL 切断した場合
CTL
2.4V
2.4V
CS1
0.6V
IC内部信号
0.6V
≒0.48V
≒0.48V
5ms
5ms
1.2V
≒80%
Vo1
≒80%
2.4V
2.4V
CS3
0.6V
IC内部信号
0.6V
≒0.48V
≒ 0.48V
5ms
5ms
3.3V
≒80%
≒80%
Vo3
2.4V
CS2
2.4V
0.6V
≒0.48V
0.6V
≒0.48V
IC内部信号
5ms
5ms
1.8V
≒80%
≒80%
Vo2
2.4V
A
2.4V
CS6
0.6V
0.6V
IC内部信号
5ms
5ms
4.5V
Vo6
7ms
5ms
7ms
5ms
自然放電
LDO2
10ms
10ms
ディスチャージ
PSWO3
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
31
r1.0
MB39C329
 IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達した後に CTL 切断し、切断シーケンス中に CTL 再投入した場合
t1≒32ms
C
CTL
2.4V
CS1
IC内部信号
t2≒15ms
2.4V
0.6V
0.6V
5ms
0.6V
≒0.48V
5ms
5ms
≒80%
Vo1
≒0V
2.4V
2.4V
≒1.92V
CS3
IC内部信号
≒1.92V
0.6V
0.6V
≒0.48V
0.6V
5ms
≒80%
Vo3
5ms
≒80%
≒80%
≒20%
≒20%
2.4V
2.4V
≒1.92V
0.6V
CS2
IC内部信号
≒1.92V
0.6V
≒0.48V
0.6V
5ms
5ms
≒80%
Vo2
B
≒20%
≒20%
2.4V
2.4V
CS6
IC内部信号
≒1.92V
≒1.92V
0.6V
0.6V
5ms
0.6V
5ms
Vo6
≒20%
≒20%
7ms
5ms
自然放電
自然放電
LDO2
10ms
ディスチャージ
ディスチャージ
PSWO3
32
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DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
[LDO2/SW3]
LDO2/SW3 は DD3 に連動して起動および切断されます。
LDO2 は、Vo3 がソフトスタート開始後約 7ms で起動します。
切断は Vo3 の電圧低下に連動し、Vo3 が約 2.64V 以下に低下以降は自然放電で電圧低下します。
起動後は、SPI 通信で OFF/ON 可能です。
SW3 は Vo3 が約 2.64V を超えてから起動します。
切断は Vo3 の電圧が低下を始めた時点で OFF します。
起動後は、SPI 通信で OFF/ON 可能です。
2.4V
IC内部
DD3ソフトスタート/
ソフトオフ用
DAC信号
0.6V
0.48V
0.6V
0.48V
2ms
5ms
5ms
≒80%
(≒2.64V)
DD3
≒80%
(≒2.64V)
自然放電
7ms
LDO2
5ms
ディスチャージ
PSWO3
10ms
SW3 ON抵抗
OFF
ディスチャージ素子
ON
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
最大 0.5Ω
20Ω
OFF
OFF
ON
33
r1.0
MB39C329
[DD6 未使用時, DD1, DD2, DD3]
DD6 未使用時も、CTL 投入後、発振周波数の分周信号を利用した D/A コンバータ(DAC)により、IC
内部の誤差増幅器の非反転入力端子 (CS1,CS3,CS2,CS6) が DD1→DD3→DD2→DD6 の順に上昇しま
す。
 DD6 未使用状態で、IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達する前に CTL 切断した場合
CTL
2.4V
2.4V
CS1
0.6V
IC内部信号
0.6V
≒0.48V
≒0.48V
5ms
5ms
1.2V
≒80%
Vo1
≒80%
2.4V
CS3
2.4V
0.6V
IC内部信号
0.6V
≒0.48V
≒0.48V
5ms
5ms
3.3V
≒80%
≒80%
Vo3
2.4V
CS2
2.4V
0.6V
≒0.48V
0.6V
≒0.48V
IC内部信号
5ms
5ms
1.8V
≒80%
≒80%
Vo2
2.4V
2.4V
CS6
IC内部信号
Vo6
7ms
5ms
7ms
5ms
自然放電
LDO2
10ms
10ms
ディスチャージ
PSWO3
34
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 DD6 未使用状態で、IC 内部 CS6 電圧が VREF レベルに達した後に CTL 切断し、切断シーケンス中に
CTL 再投入した場合
t1≒32ms
CTL
2.4V
CS1
IC内部信号
t2≒19ms
2.4V
0.6V
0.6V
5ms
0.6V
≒0.48V
5ms
5ms
≒80%
Vo1
≒0V
2.4V
2.4V
≒1.92V
CS3
IC内部信号
≒1.92V
0.6V
0.6V
≒0.48V
0.6V
5ms
≒80%
Vo3
5ms
≒80%
≒80%
≒20%
≒20%
2.4V
2.4V
≒1.92V
0.6V
CS2
IC内部信号
0.6V
≒0.48V
≒1.92V
0.6V
5ms
5ms
≒80%
≒20%
Vo2
≒20%
2.4V
2.4V
CS6
IC内部信号
≒1.92V
≒1.92V
≒0.12V
≒0.12V
Vo6
7ms
5ms
自然放電
自然放電
LDO2
10ms
ディスチャージ
ディスチャージ
PSWO3
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
35
r1.0
MB39C329
[DD4,DD5,DD7,PSWO3,LDO1,LDO2,LDO3,CP]
SPI 通信において ON/OFF 制御するチャネルは CTL 投入後、SPI 通信により該当チャネルの ON/OFF
状態をレジスタに書き込むことで動作します。
 CTL 投入後通信で ON,ON 状態で CTL 切断の場合
通信による設定未
DD4,5,7
ON
(8Hに従う)
CP
ON
(9Hに従う)
LDO3
ON
(9Hに従う)
CTL
Vo1
Vo3
10ms
Vo3の電圧が低下を始
めた時点でOFFしディ
スチャージします。
PSWO3
Vo3の80%でOFFし
自然放電します。
LDO2
5ms
7ms
Vo2
15ms
Vo6
5ms*1/
10ms
ディスチャージ
Vo4
Vo5
ディスチャージ
15mA
ILED7
5ms*1/
10ms
LDO1
5ms
自然放電
CP
5ms*1/
10ms
自然放電
LDO3
>8.3ms*2
*1: 立上り時間での初期値です。
*2: LDO3 は、CP ON 通信から 8.3ms 以降に ON させてください。
36
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 ON 状態で通信による切断後、CTL 切断の場合
LDO1,2
OFF
(9Hに従う)
LDO3,CP
OFF
(9Hに従う)
DD4,5,7,SW3
OFF
(8Hに従う)
CTL
Vo1
Vo3
ディスチャージ
PSWO3
自然放電
LDO2
Vo2
15ms
Vo6
ディスチャージ
Vo4
Vo5
ディスチャージ
ILED7
ソフトスタート無
(ラッシュ電流無のため)
自然放電
LDO1
32ms
自然放電
CP
自然放電
LDO3
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
37
r1.0
MB39C329
 DCG4端子動作説明
DCG4 端子は、DD4 ディスチャージ制御(ディスチャージまたは自然放電)の SPI 通信設定
(address AH : d7)に関わらず DD4 動作時は Hi-Z, 停止時は"L"になります。
SPI通信:8 H_d7
(DD4 ON/OFF制御
0:OFF/1:ON)
SPI通信:A H_d7
(DD4ディスチャージON/OFF制御
0:ディスチャージ/1:自然放電)
IC内部
DD4制御信号
(dd4_enb)
IC内部
DD4ソフトスタート用
DAC信号
0.6V
0.6V
IC内部
ディスチャージ制御
(dd4_dis)
IN4端子ディスチャージSW
ON
OFF
ON
OFF
自然放電
DD4
DCG4
ディスチャージ
Lo-Force
Hi-Z
38
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Lo-Force
Hi-Z
Lo-Force
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 DD1/DD2/DD3/DD6
ディスチャージSW動作説明
IN1,IN2,IN3,IN6 端子には、ディスチャージ SW が接続されています。
ディスチャージ SW は、ソフトスタート開始時に OFF になり、ソフトオフ完了時に ON になります。
t2≒15ms
CTL
5ms
≒80%
Vo1
IN1端子
ディスチャージ
SW
5ms
ON
OFF
ON
5ms
5ms
≒80%
Vo3
≒20%
IN3端子
ディスチャージ
SW
ON
OFF
ON
5ms
5ms
≒80%
≒20%
Vo2
IN2端子
ディスチャージ
SW
ON
OFF
5ms
ON
5ms
Vo6
≒20%
IN6端子
ディスチャージ
SW
ON
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
OFF
ON
39
r1.0
MB39C329
 リセット動作説明
[パワーオンリセット]
 通常の起動シーケンスの場合
CTL 投入後、DD1→DD3→DD2 の順に起動します。
Vo2 が約 1.58V を超えてから約 35ms 後に RST 端子が"L"→Hi-Z になります。
CTL
ロジック部
電源
1.08V
Vo1
2.80V
Vo3
1.58V
Vo2
←
Reset1 不定
Lo-Force
←
Hi-Z
Typ:35ms
Reset3 不定
→
Lo-Force
←
Reset2 不定
Hi-Z
Typ:35ms
→
Lo-Force
←
RST 不定
→
Typ:35ms
Typ:35ms
(Min:22ms/Max:48ms)
40
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Hi-Z
→
Hi-Z
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
[低電圧リセット]
 通常の切断シーケンスの場合
DD1, DD2, DD3 のうち、いずれかが規定のスレッショルド電圧以下で RST 端子が Hi-Z→"L"にな
ります。
CTL
ロジック部
電源
Vo1
Vo3
Vo2
Hi-Z
Reset3
Hi-Z
Reset2
RST
LoForce
Hi-Z
Reset1
Hi-Z
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
Lo-Force
Lo-Force
不定
不定
不定
不定
41
r1.0
MB39C329
 定常状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合
DD1, DD2, DD3 のうち、いずれかが規定のスレッショルド電圧以下で RST 端子が Hi-Z→"L"にな
ります。
"H"
CTL
1.08V
1.00V
Vo1
2.70V
Vo3
1.58V
1.50V
Vo2
LoForce
Hi-Z
Reset1
Hi-Z
Reset3
Hi-Z
Reset2
RST
2.80V
Hi-Z
Hi-Z
Lo-Force
Lo-Force
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
(注意事項) VIN または Vo1~Vo3 に瞬時電圧低下が発生した場合、リセット回路の電圧しきい値を
越えても瞬時電圧低下時間が (500ns) 以下の場合は、リセット出力が"L"にならない場合が
あります。
42
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DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 起動シーケンス状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合
最後に Vth+ (立上り時 Vth) を超えてから約 35ms 後に RST 端子が"L"→Hi-Z になります。
CTL
ロジック部
電源
1.08V
Vo1
2.8V
Vo3
1.58V
Vo2
←
Reset1
不定
Lo-Force
←
Reset3
不定
→
Typ:35ms
Hi-Z
Typ:35ms
Lo-Force
Hi-Z
←
Reset2
不定
RST
不定
→
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
→
Lo-Force
←
DS405-00009-1v0-J
Typ:35ms
Typ:35ms
(Min:22ms/Max:48ms)
Hi-Z
→
Hi-Z
43
r1.0
MB39C329
 切断シーケンス状態で DD 出力が短幅パルス(スレッショルドを越える急変)となった場合
CTL
ロジック部電源
1.08V
1.0V
Vo1
2.7V
Vo3
2.8V
1.0V
2.7V
Vo2
Reset1
Reset3
Reset2
RST
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
44
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Lo-Force
Lo-Force
Lo-Force
不定
不定
不定
不定
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r1.0
MB39C329
 短絡保護回路の動作説明
各チャネルは、ショート検知コンパレータ (SCP Comp.) で、誤差増幅器の出力レベルを基準電圧と
常に比較動作を行っています。
DC/DC コンバータの負荷条件が安定している場合はショート検知コンパレータの出力は、"L"レベル
となりカウンタとラッチはリセットされます。
負荷条件が負荷短絡などで急激に変化し出力電圧が低下した場合は、ショート検知コンパレータ出
力は、"H"レベルとなります。
このため、三角波発信器で生成されるクロックによりカウンタが動作します。
約 5ms (通信で約 10ms 設定へ変更可) が経過するとラッチをセットし、DD1~DD7, SW3, LDO1~
LDO3, CP をオフさせます。
短絡保護動作時、停止する回路および保護解除条件は各 DD および LDO により異なります。
「・保護回路の動作条件, 停止回路, 解除条件」の表を参照してください。
電源(VCC)を遮断するか、あるいは CTL 端子を"L"レベルにすることで、カウンタとラッチのリセッ
トが可能です。
 タイマ・ラッチ式短絡保護回路
Error
AmpX(DD2~DD6)
INX
(0.6V)
Error
Amp7
IN7
LDOX
Comp.
(LDO1~LDO3)
(0.6V)
IN1
Comp.
(0.6V)
"H"優先
SCP
Comp.
(1.5V)
各チャネル
停止信号
("L":停止)
"L":カウンタリセット
"L":UVLO時
UVLO
XRST
カウンタ
OSC
XRST
ラッチ
"H":SCP時
ロジック
CLK
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DIO
LD
45
r1.0
MB39C329
 保護回路の動作条件,停止回路,
チャネ
ル
保護時
動作
DD1~
DD6
ディス
チャージ
DD7
自然放電
SW3
ディス
チャージ
LDO1
自然放電
LDO2
自然放電
LDO3
自然放電
CP
自然放電
解除条件
短絡保護(SCP)
DD7 過電圧保護(OVP)
-
作動条件:出力電圧低下
保護動作時の処理:
作動条件:出力電圧上昇
LDO1 以外停止
保護動作時の処理:DD7
復帰条件:CTL 再投入
スイッチング停止
復帰条件:出力電圧低下
-
作動条件:出力電圧低下
保護動作時の処理:当該
LDO 停止
復帰条件:当該 LDO 再
投入
(OFF→ON 通信が必要)
-
低 VCC 時
過熱保護(OTP)
誤動作防止(UVLO)
作動条件:入力電圧低
下
保護動作時の処理:
LDO1 以外停止
作動条件:チップ
温度上昇
保護動作時の処
理:全チャネル
復帰条件:入力電圧上
停止
昇とレジスタへの再
書込み
復帰条件:チップ
温度低下とレジ
(注意事項)UVLO は
スタの再書込み
CTL が"H"(通常動作)
時のみ動作します。
-
短絡保護(SCP)において
 LDO1 が短絡後、ほかの DD が短絡の場合は LDO1 は短絡のまま復帰します。
次頁 「・LDO が短絡で停止後、DD が短絡停止した場合」を参照してください。
過熱保護(OTP)解除時の動作




DD1/DD2/DD3/DD6/LDO2/SW3:シーケンスをもって起動
LDO1 起動
通信で制御するチャネル:停止のまま
短絡保護 (SCP) タイマ動作中に過熱保護 (OTP) が動作した場合、短絡保護が優先されます
(過熱保護は動作しません)。ただし LDO1 は除外 (SCP タイマ動作中に OTP で停止)。
低 VCC 時誤動作防止 (UVLO) 解除時の動作
 DD1/DD2/DD3/DD6/LDO2/SW3:シーケンスをもって起動
 LDO1 起動のまま
 通信で制御するチャネル:停止のまま
46
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r1.0
MB39C329
 LDO1 が短絡で停止後、DD が短絡停止した場合
VCC
CTL
(5)LDO1の短絡が
解除されている場合
電圧復帰します。
(1)LDO1が短絡で停止
(4)LDO1の短絡が
解除されていない場合
短絡電流が流れ続けます。
LDO1
LDO1
内部enb信号
Vo1
(3)他のDDが短絡で停止した場合
LDO1は動作復帰します。
SCP
タイマ時間
(2)DD1が短絡
SCP
タイマ時間
Vo3
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47
r1.0
MB39C329
 DD7過電圧保護回路
(OVP) の動作説明
Vo7 が過電圧レベルに達すると、瞬時にスイッチング FET を OFF させます。
センス抵抗に流れる電流がゼロになるため、Error Amp7 が VOH レベルとなり、短絡保護機能が働き
IC が停止します。
 白色 LED 脱落状態で DD7 を ON させた場合
DD7
内部enb信号
22V
Vo7=INO7
(2) FB≒1.2Vで
SCPタイマスタート
1.2V
FB7(IC内部)
SCP
タイマ時間
Hi-Z
LX7
(3) SCPタイマ時間経過で
LDO1以外停止
Vo1
(1) INO7>22Vで
スイッチング停止後
間欠動作へ
48
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r1.0
MB39C329
 SPI通信仕様
SPI インターフェースは、CLK (シリアル クロック) と DIO (シリアル データ) と LD の 3 本の信号
線を使って、1 バイト (8 ビット) 単位のデータ通信を行います。
LD="L"時は通信不可で DIO 入出力端子はハイインピーダンス状態となります。
LD="H"時にアクセス可能となり WRITE モード時は CLK 信号の立上りで DIO 端子から内部レジスタ
への書込みを行い、READ モード時は立下りで内部レジスタからの読み出しが可能となります。
WRITE モード時の内部レジスタへのデータ取込みは CLK 入力の立上りエッジ 8 回ごとに行います。
CLK 入力の立上りが 8 回未満で LD 入力が"L"になった場合はそれまでの DIO 端子からのデータは破
棄されます。
READ モード時の内部レジスタからのデータ読出しは CLK 入力の立下がりごとに行います。
1. WRITE モード
LD
①
②
③
④
⑤
⑥
⑦
⑧
①
②
③
④
⑤
⑥
⑧
⑦
CLK
データ取込み
データ取込み
MSB
DIO
Z
0
LSB MSB
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
D7
LSB
D6
D5
WORD0(モード選択) WORD0(アドレス)
D4
D3
D2
D1
D0
Z
WORD1(入力データ)
WRITEモード
2. READ モード
LD
①
②
③
④
⑤
⑥
⑧
⑦
CLK
MSB
DIO
Z
1
LSB MSB
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
WORD0(モード選択) WORD0(アドレス)
WRITEモード
DS405-00009-1v0-J
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D7
LSB
D6
D5
D4
D3
D2
D1
D0
Z
WORD1(出力データ)
READモード
49
r1.0
MB39C329
3. 連続 WRITE モード
LD
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ②
⑥ ⑦ ⑧ ① ②
データ取込み
データ取込み
データ取込み
LSB MSB
LSB MSB
⑥ ⑦ ⑧
CLK
MSB
DIO
Z
0 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6
WORD0(モード選択) WORD0(アドレス)
WORD1(入力)
データ取込み
LSB MSB
D1 D0 D7 D6
アドレス+1
WORD1(入力)
LSB
D1 D0
Z
アドレス+N
WORD1(入力)
WRITEモード
連続WRITEモードのアドレスは,FHで停止します。FH以降も連続を続けた場合,データは無視となります。
4. 連続 READ モード
LD
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ① ② ③
⑦ ⑧ ① ② ③
⑦ ⑧
CLK
MSB
DIO
Z
LSB MSB
LSB MSB
1 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7 D6
WORD0(モード選択) WORD0(アドレス)
WRITEモード
LSB MSB
D1 D0 D7 D6
LSB
D1 D0
Z
WORD1(出力)
アドレス+1
WORD1(出力)
アドレス+N
WORD1(出力)
READモード
連続モードのアドレスは,FHで停止します。
連続READモードのアドレスは,FHで停止します。FH以降も連続を続けた場合,DIOの出力は"L"となります。
50
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r1.0
MB39C329
5.モード選択
D7
0/1
WORD0
D6
D5
D4
概要
0
0
0
未使用
0
0
1
RTC 設定モード
0
1
0
未使用
0
1
1
DD 設定モード
1
0
0
未使用
1
0
1
未使用
1
1
0
未使用
1
1
1
テストモード
D7=1 の場合、WORD1 は DIO からレジスタ情報を出力する READ モードになります。
LD=1 の場合、RTC WRITE/READ モード選択中は時計およびカレンダーは停止します。
DS405-00009-1v0-J
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51
r1.0
MB39C329
 SPIインターフェースとデータの構成について
1.レジスタマップ
機能
mode
DD 制御 書込み;
3H
読出し;
BH
RTC
TEST
書込み;
1H
読出し;
9H
7H/FH
DATA
Add
ress
内容
bit7
MSB
bit6
bit5
bit4
bit3
bit2
bit1
bit0
LSB
Default
0H
DD4
出力電圧設定
-
-
-
-
D3
D2
D1
D0
04H
1H
DD5
出力電圧設定
-
-
-
-
D3
D2
D1
D0
05H
2H
DD6
出力電圧設定
-
-
-
-
-
-
D1
D0
01H
3H
DD7
ILED 電流制御
-
-
-
D4
D3
D2
D1
D0
0EH
4H
LDO2
出力電圧設定
-
-
-
-
-
-
D1
D0
00H
5H
LDO3
出力電圧設定
-
-
-
-
-
-
D1
D0
03H
6H
ソフトスタート
時間制御
-
-
-
DD4
DD5
DD7 LDO2 LDO3
備考
00H
DD4, DD5, DD7.LDO2, LDO3
"0":5ms (default)
"1":10ms
7H
SCP 検出時間制御
-
-
-
-
-
-
-
SS
00H
一律設定
"0":5ms (default)
"1":10ms
SCP タイマ起動時の書換えは禁止
SCP タイマ中の書換えはタイマ終
了時に反映
8H
DD4,DD5,DD7,SW3
ON/OFF 制御
DD4
DD5
DD7
SW3
-
-
-
-
10H
"0":出力 OFF
"1":出力 ON
9H
LDO1,LDO2,LDO3,CP
ON/OFF 制御
CP
-
-
-
-
C0H
"0":出力 OFF
"1":出力 ON
AH
DD4,DD5,SW3
ディスチャージ
ON/OFF 制御
-
-
-
-
-
00H
自然放電/ディスチャージの切換え
"0":ディスチャージ
"1":自然放電
LDO1 LDO2 LDO3
DD4
DD5
SW3
BH
LDO 状態監視
LDO1 LDO2 LDO3
-
-
-
-
-
00H
Read のみ
"0":正常時
"1":SCP 停止時
status の保持をクリアするためには
CTL の再投入または、SPI 通信から
レジスタリセット信号送信、停止し
た LDO の出力 OFF/ON 切換えが必
要です。
CH
レジスタリセット制御
RESET
-
-
-
-
-
-
-
00H
"0":書込み可能
"1":通信用レジスタ初期化
み不可
DH
Revision ID
-
-
-
-
D3
D2
D1
D0
01H
Read のみ
EH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
未使用アドレス
FH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
未使用アドレス
0H
秒
-
S40
S20
S10
S8
S4
S2
S1
00H
1H
分
-
M40
M20
M10
M8
M4
M2
M1
00H
2H
時
-
-
H20
H10
H8
H4
H2
H1
00H
3H
曜
-
W6
W5
W4
W3
W2
W1
W0
00H
4H
日
-
-
D20
D10
D8
D4
D2
D1
00H
5H
月
-
-
-
6H
年
Y80
Y40
Y20
Y10
Y8
Y4
Y2
Y1
00H
7H
RAM
R7
R6
R5
R4
R3
R2
R1
R0
00H
8H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
9H
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
AH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
BH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
CH
-
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
DH
拡張レジスタ
-
-
-
-
-
-
0CH
EH
フラグ レジスタ
-
-
-
-
-
-
VLF
OSF
03H
FH
コントロール レジスタ
-
-
-
-
-
-
STOP
-
00H
FH
テストモード用
-
-
-
-
-
-
-
-
00H
MO10 MO8 MO4 MO2 MO1
FSEL1 FSEL0
書込
00H
通常時使用禁止
(注意事項) ・レジスタの"-"部はレジスタを持っていないため、read 時は"0"が読み出されます。
・すべてのレジスタは各設定の 8 ビットデータを受け取った後の CLK 信号の立上りにて内部
レジスタへの書込みを行います。
・すべてのレジスタアドレスの読み出しが可能です。未使用部を Read で読み出すと 00H が
出力されます。
・word=7H/FH の FH アドレスは、テスト用として使用します。通常時は使用禁止です。
52
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r1.0
MB39C329
2. レジスタ設定値の保持/初期化条件
条件
(1)
CTL:H/L
(2)
VCC:有/無
(3)
(低 VCC 時誤動作防止: PVCCR:有/無
UVLO)
(4)
SPI 通信
DD 制御:
ch/D7=1
(5)
過熱保護
(OTP)
DD
初期化
制御部
初期化
保持
初期化
8H/9H のみ
初期化
RTC 部 保持
保持
初期化
保持
保持
停止温度:
PVCCR 端子
CTL 端子スレッ
しきい ショルド電圧
VCC 端子 UVLO 電圧
150°C
UVLO 電圧
-
復帰温度:
値
VTL=2.0V/VTH=2.2V
VTL=1.8V/
VTL=0.6V/
125°C
VTH=2.0V
VTH=0.9V
(注意事項) TEST モード用レジスタは、TEST_S 端子が"H"時のみ有効 (書込み可能) です。
(TEST_S 端子は IC 内部でプルダウン[100kΩ]されています。)
万が一書き込まれた場合の初期化条件は、
(1) CTL=L & TEST_S=L (TEST_S 端子のしきい値は、およそ VCC 電圧の 1/2 です。)
(2) VCC 切断です。
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53
r1.0
MB39C329
3. DD/LDO 出力電圧制御
address 0H
address 1H
address 3H
DD4 出力電圧設定
DD5 出力電圧設定
DD7 出力電流設定:センス抵抗 10Ω時
DATA
00H
01H
02H
03H
04H*
05H
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH
0FH
Vo4(V)
11.0
11.5
12.0
12.5
13.0*
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
address 4H,5H
LDO2,LDO3 出力電圧設定
DATA LDO2(V) LDO3(V)
00H
3.0*
3.0
01H
3.3
3.3
02H
4.0
4.0
03H
5.0
5.0*
DATA
00H
01H
02H
03H
04H
05H*
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH
0FH
Vo5(V)
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-7.5*
-8.0
-8.5
-9.0
address 2H
DD6 出力電圧設定
DATA
Vo6(V)
00H
3.3
01H*
4.5*
02H
5.0
03H
5.5
*: 初期値
54
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DATA
00H
01H
02H
03H
04H
05H
06H
07H
08H
09H
0AH
0BH
0CH
0DH
0EH*
0FH
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
1BH
1CH
1DH
1EH
1FH
ILED7(mA)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15*
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
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r1.0
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 RTC構成図と機能
構成図
PVCCR
GND
RTC Analog部
時計
カレンダー
電圧比較
OSCIN
CL1
RTC_Logic 部
rtc_stop
SPI通信部
発振回路
コントロール
発振
停止
32.768kHz
TEST
CL2
OSCOUT
2秒
タイマー
Divide
CLKOUT
CONTROL
CLKOUT
機能
 時計機能
年・月・日・曜・時・分・秒のデータ設定, 計時, 読出し
2000 年~2099 年までのうるう年 (4 の倍数年)
 クロック出力機能
32.768 kHz, 1024 Hz, 1 Hz を選択出力 (CMOS 出力)
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55
r1.0
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 RTC
タイミングチャート
電源投入および再起動とタイミングチャート
 電源投入時および最低動作電圧以下からの再起動時は水晶発振の安定性がわからないため、一定
時間 (tstart=約 3 秒) 経過後から内部に CLK を供給します。
そのため、tstart 時間を経過してから初期設定などを行ってください。
 電源電圧が最低動作電圧より低下し、再度最低動作電圧異常に上昇すると VLF ビットに"1"が設定
されます。
VLF=1 を読み出したときは、VLF=0 を書き込み、RTC 部の初期設定を行ってください。
電源検出電圧(2.0Vtyp)
→ RTC動作開始
定常動作時電源電流(計時消費電流)
PVCCR
起動時電源電流
水晶発振
内部CLK
tstart
約3秒(1秒~3秒)
VLF
x 1
OSF
x
VLF=0書込み
0
OSF=0書込み
0
1
second
x
00
01(+1動作)
minite
x
00
00
hour
x
00
00
時計・カレンダー動作開始
設定
x:不定状態
(注意事項) 内部 CLK が動作するまでの時間 (tstart) は、水晶発振状態によって変化します。3 秒間経過
以降に RTC を設定してください。
56
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r1.0
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電源低下時
電源電圧が低下し最低動作電圧より低くなると、RTC は停止します。
電源検出電圧 (1.8Vtyp)
PVCCR
水晶発振
内部CLK
VLF
x
OSF
x
second
カウント動作
00
x
minite
カウント動作
00
x
hour
カウント動作
00
x
初期状態
x:不定状態
電源検出電圧以下に低下途中から電圧復帰
PVCCR
電源検出電圧
(Typ 1.8V)
電源検出電圧
(Typ 2.0V)
水晶発振
内部CLK
VLF
OSF
second
カウント動作
00 x
00(初期値)
minite
カウント動作
00 x
00(初期値)
hour
カウント動作
00 x
00(初期値)
初期状態
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
初期状態
x:不定状態
57
r1.0
MB39C329
水晶発振停止
 電源電圧が最低動作電圧以上で水晶発振停止した場合、OSF ビットに"1"を設定します。
 OSF=1 を読み出したときは、OSF=0 を書き込み、RTC 部の初期設定を行ってください。
PVCCR
水晶発振
OSF
x
SPI
OSF=0書込み
OSF=0書込み
x:不定状態
58
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 RTC
時計・カレンダー機能
各ビットの表示方法
時計カウンタ
秒カウンタ
アドレス
0H
分カウンタ
アドレス
1H
時カウンタ
アドレス
2H
bit7
0
0
bit6
S40
S40
0
bit5
S20
S20
0
bit4
S10
S10
0
bit3
S8
S8
0
bit2
S4
S4
0
bit1
S2
S2
0
bit0
S1
S1
0
write
read
default
bit7
0
0
bit6
M40
M40
0
bit5
M20
M20
0
bit4
M10
M10
0
bit3
M8
M8
0
bit2
M4
M4
0
bit1
M2
M2
0
bit0
M1
M1
0
write
read
default
bit7
0
0
bit6
0
0
bit5
H20
H20
0
bit4
H10
H10
0
bit3
H8
H8
0
bit2
H4
H4
0
bit1
H2
H2
0
bit0
H1
H1
0
write
read
default
 時計 (時分秒) のカウンタの初期値は"00H"です。
 時間・年月日は、BCD 形式で表現
59 の表示は"5:0101", "9:1001"で"59:01011001"となります。
秒:00~59 の表示
58, 59, 00 となり分カウンタを+1 します。
分:00~59 の表示
58, 59, 00 となり時カウンタを+1 します。
時:00~23 の表示
22, 23, 00 となり日カウンタを+1 します。
時カウンタは 24 時間表示です。
 秒カウンタに書込みを行うと、1 秒未満の分周はリセットされます。
 存在しない時間を設定すると、誤動作の原因になるため正しい値を設定してください。
曜日カウンタ
アドレス
3H
bit7
-
-
0
bit6
W6
W6
0
bit5
W5
W5
0
bit4
W4
W4
0
bit3
W3
W3
0
bit2
W2
W2
0
bit1
W1
W1
0
bit0
W0
W0
0
write
read
default
 曜日カウンタの初期値は"00H"です。
 曜日カウンタは bit0~bit6 で日曜日から土曜日まで各 1 ビットで表示します。
曜日
日曜日
月曜日
火曜日
水曜日
木曜日
金曜日
土曜日
bit[7:0]
01H
02H
04H
08H
10H
20H
40H
bit7
-
-
-
-
-
-
-
bit6
0
0
0
0
0
0
1
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
bit5
0
0
0
0
0
1
0
bit4
0
0
0
0
1
0
0
bit3
0
0
0
1
0
0
0
bit2
0
0
1
0
0
0
0
bit1
0
1
0
0
0
0
0
bit0
1
0
0
0
0
0
0
59
r1.0
MB39C329
複数の曜日を設定しないでください。
上記以外の設定は誤動作の原因になりますので、正しく設定してください。
上記以外の設定時の read は"00H"が読み出されます。
 日カウンタの桁上がり時に、D0~D6 で 1 ビットシフトされて表示します。
カレンダーカウンタ
日カウンタ
アドレス
4H
月カウンタ
アドレス
5H
年カウンタ
アドレス
6H
bit7
0
0
bit6
0
0
bit5
D20
D20
0
bit4
D10
D10
0
bit3
D8
D8
0
bit2
D4
D4
0
bit1
D2
D2
0
bit0
D1
D1
0
write
read
default
bit7
0
0
bit6
0
0
bit5
0
0
bit4
MO10
MO10
0
bit3
MO8
MO8
0
bit2
MO4
MO4
0
bit1
MO2
MO2
0
bit0
MO1
MO1
0
write
read
default
bit7
Y80
Y80
0
bit6
Y40
Y40
0
bit5
Y20
Y20
0
bit4
Y10
Y10
0
bit3
Y8
Y8
0
bit2
Y4
Y4
0
bit1
Y2
Y2
0
bit0
Y1
Y1
0
write
read
default
 カレンダーカウンタの初期値は"00H"です。
 カレンダーは、BCD 形式で表現
29 の表示は"2:0010", "9:1001"で"29:00101001"となります。
日:01~31 の表示(1,3,5,7,8,10,12 月)
30, 31, 01 となり月カウンタを+1 します。
01~30 の表示(4,6,9,11 月)
29, 30, 01 となり月カウンタを+1 します。
01~28 の表示(2 月 通常年)
27, 28, 01 となり月カウンタを+1 します。
01~29 の表示(2 月 うるう年)
28, 29, 01 となり月カウンタを+1 します。
月:01~12 の表示
11, 12, 01 となり年カウンタを+1 します。
年:00~99 の表示
98, 99, 00 となります。
年は 2 桁で表現(2000 年~2099 年を 00~99 で表現)
年が 4 の倍数のときは、うるう年になるので 2 月 29 日を表示します。
 存在しないカレンダーを設定すると、カレンダー誤動作の原因になるため正しい値を設定してく
ださい。
60
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 RTC RAM機能・その他の機能
RAM 機能
SPI から write した情報をレジスタに保持できる RAM 機能を持ちます。
アドレス
7H
bit7
R7
R7
0
bit6
R6
R6
0
bit5
R5
R5
0
bit4
R4
R4
0
bit3
R3
R3
0
bit2
R2
R2
0
bit1
R1
R1
0
bit0
R0
R0
0
write
read
default
RAM 機能は、設定データの write/read 機能のみ有するため、RTC 動作に関与しません。
その他の機能
CLKOUT の周波数選択
CLKOUT 端子に、FSEL1, FSEL0 の設定で下記の周波数をモニタできます。
FSEL1
0
0
1
1
アドレス
DH
FSEL0
0
1
0
1
bit7
0
bit6
0
CLKOUT
32.768kHz
1024Hz
1Hz
停止("L"固定) 初期値
bit5
0
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
bit4
0
bit3
FSEL1
FSEL1
1
bit2
FSEL0
FSEL0
1
bit1
0
bit0
0
write
read
default
61
r1.0
MB39C329
 起動時と初期化のフローチャート
スタート
電源オン
wait
水晶発振安定待ち
電源オン時は"0"設定してください。
Yes
VLF=1?
address = E H
VLF(bit1) = 0 設定
No
Yes
OSF=1?
address = E H
OSF(bit0) = 0 設定
No
次の設定へ
 時計・カレンダー設定のフローチャート
現在の時刻設定
現在の時刻読出し
時刻,年月日設定
address = 0 H~6H
時刻,年月日読出し
address = 0 H~6H
次の設定へ
次の設定へ
62
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 水晶発振回路部 基板レイアウト注意事項
水晶発振回路部は、外部の影響を受けやすいため、回路構成や基板レイアウトなどには十分注意し
てください。
 PCB 基板設計時、OSCIN, OSCOUT 端子と水晶振動子, 外付け容量は近くに配置してください。
 OSCIN・OSCOUT と水晶振動子間の接続は、極力短くし OSCIN 側を優先して近くに配置してくだ
さい。
 ほかの回路部が水晶発振回路の影響を受けたり、水晶発振部がほかの回路部の影響を受けたりし
ないように PCB 基板レイアウトには十分配慮してください。
X'tal
OSCIN
OSCOUT
MB39C329
32.768kHz
CL1
CL2
外付け容量 (CL1,CL2) は、寄生容量を含めて調整してください。
 発振周波数の測定方法
PVCCR
CLKOUT
MB39C329
X'tal
OSCIN
周波数
カウンタ
OSCOUT
32.768kHz
CL1
CL2
CL1/CL2 = 7pF
PVCCR = 3.0V
CLKOUT は、初期設定では"L"固定のため、SPI から FSET1 および FSET0 のビットを設定してくださ
い。
FSEL1
FSEL0
CLKOUT
0
0
32.768kHz
0
1
1024Hz
1
0
1Hz
1
1
停止("L"固定)
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
初期値
63
r1.0
MB39C329
 入出力端子等価回路図 (SPI通信, CLKOUT)
 SPI 入力部
IN2
LD
CLK
5kΩ
GND
 SPI 入出力部
IN2
DIO
R/W ctl
GND
テスト出力部
VREF
CLKOUT
GND
64
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 端子処理方法
 DD6, LDO1~LDO3, CP, RTC 未使用時および角ピン (NC, TEST_C, TEST_S, CKLOUT)の端子処理
IN1
<<DD1: FPWM 降圧: 同期整流>>
PVCC1
A
A
Buck
LX1
Vo1: 1.2V
Io (MAX): 800mA
PGND1
IN2
<<DD2: C-mode 降圧: 同期整流>>
PVCC2
B
B
Buck
LX2
Vo2:1.8V
Io (MAX):500mA
IN3
<<DD3: C-mode 昇降圧: 同期整流>>
PVCC3
C
C
Buck-Boost
(H-bridge)
LX3_1
Vo3: 3.3V
Io (MAX): 800mA
下記含む
ロードSW: 500mA
LDO2: 150mA
CP: 160mA
VO3
LX3_2
PGND3
PSWO3
Vo3_SW: 3.05V
Io (MAX): 500mA
<<DD4: C-mode 昇圧>>
PVCC4
IN4
D
D
Boost
LX4_1
Vo4: 11V~16V
(0.5Vstep)
Io (MAX): 100
LX4_2
PGND24
DCG4
<<DD5: C-mode 反転>>
DCG5
PVCC5
FB5
E
MINE5
E
Inverter
Vo5: -5V~-9V
(0.5Vstep)
Io (MAX): 150mA
LX5
IN5
IN6
<<DD6: C-mode 昇降圧: 同期整流>>
PVCC6
VIN
LX6_1
OPEN
VIN
H:DD6未使用
L:DD6使用 XCTL6
VO6
OPEN
LX6_2
OPEN
PGND6
Vin
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
65
r1.0
MB39C329
 DD6, LDO1~LDO3, CP, RTC 未使用時および角ピン (NC, TEST_C, TEST_S, CKLOUT)の端子処理
Vin
H
<<DD7:C-mode 昇圧>>
Boost
Vo7
Io(MAX):30mA
LX7
PGND7
NSWI
ILED
NSWO
INO7
H
<<LDO1>>
LDO1
OPEN
PVCCL2
<<LDO2>>
VIN
LDO2
OPEN
VIN
PVCCCP
CFP
OPEN
CFM
CPO
OPEN
OPEN
PGNDCP
PVCCL3
<<LDO8>>
VIN
LDO3
OPEN
1.8V(DD2)
RST
Reset
PVCCR
<<RTC>>
OSCIN
OPEN
CLKOUT
OSCOUT
OPEN
1.8V (DD2)
OPEN
SPI通信
CLK
syscom
DIO
LD
VCC
OPEN
or
GND
VIN
Li×1セル
(2.5V~5.5V)
TEST_C
TEST_S
GND
NC
(0.6V)
VR
(2.4V)
VREF
CTL
OPEN or GND
<<WLP-64P 0.5mm pitch>>
使用 pin: 63pin
NC pin : 1pin
66
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 使用上の注意
1.
最大定格以上の条件に設定しないでください。
最大定格を超えて使用した場合、LSI の永久破壊となることがあります。
また、通常動作では、推奨動作条件下で使用することが望ましく、この条件を超えて使用すると
LSI の信頼性に悪影響をおよぼすことがあります。
2.
推奨動作条件でご使用ください。
推奨動作条件は、LSI の正常な動作を保証する推奨値です。
電気的特性の規格値は、推奨動作条件範囲内および各項目条件欄の条件下において保証されます。
3.
プリント基板のアースラインは, 共通インピーダンスを考慮し, 設計してください。
4.
静電気対策を行ってください。
 半導体を入れる容器は、静電気対策を施した容器か、導電性の容器をご使用ください。
 実装後のプリント基板を保管・運搬する場合は、導電性の袋か、容器に収納してください。
 作業台, 工具, 測定機器は、アースをしてください。
 作業する人は、人体とアースの間に 250kΩ ~ 1MΩ の抵抗を直列に入れたアースをしてく
ださい。
5.
負電圧を印加しないでください。
- 0.3 V 以下の負電圧を印加した場合, LSI に寄生トランジスタが発生し誤動作を起こすことがあり
ます。
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
67
r1.0
MB39C329
 オーダ型格
型格
MB39C329PW
パッケージ
備考
プラスチック・WLP, 64 ピン
(WLP-64P-M03)
68
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 RoHS指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合)
富士通セミコンダクター株式会社の LSI 製品は、RoHS 指令に対応し、鉛・カドミウム・水銀・六
価クロムと、特定臭素系難燃剤 PBB と PBDE の基準を遵守しています。この基準に適合している
製品は、型格に"E1"を付加して表します。
 製品捺印 (鉛フリーの場合)
XXXXXX
INDEX 鉛フリー表示
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
69
r1.0
MB39C329
 製品ラベル (鉛フリーの場合の例)
鉛フリー表示
JEITA 規格
JEDEC 規格
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1/1
0605 - Z01A
1000
1561190005
鉛フリー型格は末尾に「E1」あり。
70
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
中国で組立てられた製品のラベルには
「ASSEMBLED IN CHINA」と表記されています。
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 MB39C329PW推奨実装条件
弊社製 SMD パッケージ IC の実装に関しては、下記の方法を推奨します。
JEDEC 条件:Moisture Sensitivity Level 1 (IPC/JEDEC J-STD-020D)
DS405-00009-1v0-J
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
71
r1.0
MB39C329
 パッケージ・外形寸法図
プラスチック・WLP, 64ピン
(WLP-64P-M03)
リードピッチ
0.5 mm
パッケージ幅 ×
パッケージ長さ
4.20 mm × 4.20 mm
リード形状
半田ボール
封止方法
印刷
取付け高さ
0.79 mm Max
質量
0.0279 g
コード(参考)
S-WF BGA64-4.20×4.20-0.50
プラスチック・WLP, 64ピン
(WLP-64P-M03)
4.20±0.05(.165±.002)
3.50(.138)
0.50(.020)TYP
0.50(.020)
TYP
Y
4.20±0.05
(.165±.002)
3.50(.138)
1.50
(.059)
INDEX AREA
(LASER MARKING)
X
1.50
(.059)
0.74±0.05
(.029±.002)
Z
C
0.06(.002) Z
64-ø0.32±0.03
(64-ø.013±.001)
0.13
( .005)
ø0.05(.002) M XYZ
0.24±0.03
(.009±.001)
2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED HMbW64-03Sc-1-1
単位:mm(inches)
注意:括弧内の値は参考値です 。
最新の外形寸法図については, 下記 URL にてご確認ください。
http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/
72
FUJITSU SEMICONDUCTOR CONFIDENTIAL
DS405-00009-1v0-J
r1.0
MB39C329
 目次


























ページ
概要 ......................................................................................................................................................... 1
特長 ......................................................................................................................................................... 1
アプリケーション................................................................................................................................. 2
推奨アプリケーション仕様................................................................................................................. 3
端子配列図............................................................................................................................................. 5
端子機能説明......................................................................................................................................... 6
ブロックダイヤグラム......................................................................................................................... 9
絶対最大定格....................................................................................................................................... 11
推奨動作条件....................................................................................................................................... 12
電気的特性........................................................................................................................................... 14
標準動作特性例................................................................................................................................... 25
機能説明............................................................................................................................................... 28
起動時と初期化のフローチャート................................................................................................... 62
時計・カレンダー設定のフローチャート....................................................................................... 62
水晶発振回路部 基板レイアウト注意事項..................................................................................... 63
発振周波数の測定方法....................................................................................................................... 63
入出力端子等価回路図 (SPI通信, CLKOUT) .................................................................................. 64
端子処理方法....................................................................................................................................... 65
使用上の注意....................................................................................................................................... 67
オーダ型格........................................................................................................................................... 68
RoHS指令に対応した品質管理 (鉛フリーの場合) ........................................................................ 69
製品捺印 (鉛フリーの場合) .............................................................................................................. 69
製品ラベル (鉛フリーの場合の例) .................................................................................................. 70
MB39C329PW推奨実装条件.............................................................................................................. 71
パッケージ・外形寸法図................................................................................................................... 72
目次 ....................................................................................................................................................... 73
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r1.0
MB39C329
富士通セミコンダクター株式会社
〒222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜2-10-23 野村不動産新横浜ビル
http://jp.fujitsu.com/fsl/
電子デバイス製品に関するお問い合わせ先
0120-198-610
受付時間 : 平日9時~17時 (土・日・祝日, 年末年始を除きます)
携帯電話・PHSからもお問い合わせができます。
※電話番号はお間違えのないよう, お確かめのうえおかけください。
本資料の記載内容は, 予告なしに変更することがありますので, 製品のご購入やご使用などのご用命の際は、当社営業窓口にご確認くださ
い。
本資料に記載された動作概要や応用回路例などの情報は, 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので, 実際に使用する機器で
の動作を保証するものではありません。したがって, お客様の機器の設計においてこれらを使用する場合は、お客様の責任において行ってく
ださい。これらの使用に起因する損害などについては, 当社はその責任を負いません。
本資料は、本資料に記載された製品および動作概要・回路図を含む技術情報について, 当社もしくは第三者の特許権, 著作権等の知的財産
権やその他の権利の使用権または実施権を許諾するものではありません。また, これらの使用について, 第三者の知的財産権やその他の権利
の実施ができることの保証を行うものではありません。したがって, これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害など
について, 当社はその責任を負いません。
本資料に記載された製品は, 通常の産業用, 一般事務用, パーソナル用, 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造
されています。極めて高度な安全性が要求され, 仮に当該安全性が確保されない場合,直接生命・身体に対する重大な危険性を伴う用途(原
子力施設における核反応制御, 航空機自動飛行制御, 航空交通管制, 大量輸送システムにおける運行制御, 生命維持のための医療機器, 兵器
システムにおけるミサイル発射制御など), または極めて高い信頼性が要求される用途(海底中継器, 宇宙衛星など)に使用されるよう設計・
製造されたものではありません。したがって,これらの用途へのご使用をお考えのお客様は, 必ず事前に当社営業窓口までご相談ください。
ご相談なく使用されたことにより発生した損害などについては, 当社は責任を負いません。
半導体デバイスには、ある確率で故障や誤動作が発生します。本資料に記載の製品を含め当社半導体デバイスをご使用いただく場合は、当
社半導体デバイスに故障や誤動作が発生した場合も, 結果的に人身事故, 火災事故, 社会的な損害などを生じさせないよう, お客様の責任に
おいて, 装置の冗長設計, 延焼対策設計, 過電流防止対策設計, 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。
本資料に記載された製品および技術情報を輸出または非居住者に提供する場合は, 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規
などの規制をご確認の上, 必要な手続きをおとりください。
本資料に記載されている社名および製品名などの固有名詞は, 各社の商標または登録商標です。
編集
プロモーション推進部
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