F ba s oni c TY PE : ECQE ( T )1 2 5 VACシリ ー^' ( メ タ ライ ス● ド机 エステルフ イ ルムコ 沖● H) 温度特性と周波数特性 <代表例> atlk Hz 1 0 温 度 特 性 周 波 数 特 性 静電容量変化率 静 電容量変化率 ∴ 5 . ▼ 二 0 . 4 1 7 u U F F U ＼ O U く】 5 1 0 60 ･ 40 1 20 0 20 40 60 80 100 1 0 Te mp( o C) 1 0 aHkHz 1DD I DDD I ODOD Fr equency( ) k Hz 誘電正接変化 誘電正接変化 10 8 8 宮 6 雪 d Q 6 ( q B4 5 4 q . l u 4 1 F 7 u u F 00 10 a tDCIOOV 1 0000 インピーダンス特性 絶縁抵抗変化 m I O, 47uF 1 A:1E+1 0 (5 )aUut 2 P 0 . 0 4 7 u F 0 _ 1 U F 〈 1E+ll α D0 C a d u nl 1E+1 2 1 000 C y( k Hz 1 Fl eque1 ) Te J r l r )( D c) 3 1E+1 100 Z 1E+09 o 1E+08 1E+07 60 40 20 0 20 40 Te mp( o C) 60 80 1 00 10 100 10DO Fr equel l Cy( k Hz ) I OOOD 1 00000 TYPE: ECQE(T) ECQE(F) 250VACｼﾘｰｽﾞ (ﾒﾀﾗｲｽﾞﾄﾞ ﾎﾟﾘｴｽﾃﾙ ﾌｨﾙﾑ ｺﾝﾃﾞﾝｻ) 温度特性と周波数特性 <代表例> 温 特 性 静電容量変化率 at 1kHz 静電容量変化率 10 0.01uF 0.047uF 0.1uF 0.47uF 5 ΔＣ／Ｃ (%) 周 波 数 特 性 0.47uF 5 ΔＣ／Ｃ (%) 10 度 0 -5 0.1uF 0.047uF 0 0.01uF -5 -10 -10 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 1 100 10 100 Temp. (℃) 誘電正接変化 at 1kHz 誘電正接変化 10 8 8 6 6 4 0.47uF 0.1uF 4 0.047uF 0.01uF 0.01uF 0.047uF 0.1uF 0.47uF 2 2 0 0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 1 10 at DC100V 1.E+13 100 1000 10000 Frequency (kHz) Temp. (℃) 絶縁抵抗変化 インピーダンス特性 10000 1.E+12 1000 1.E+11 0.047uF 0.1uF 1.E+10 0.47uF 1.E+09 1.E+08 0.01uF Impedance (Ω) 0.01uF ＩＲ (Ω) 10000 Frequency (kHz) tanδ (%) tanδ (%) 10 1000 100 0.047uF 0.1uF 10 0.47uF 1 0.1 1.E+07 0.01 -60 -40 -20 0 20 Temp. (℃) 40 60 80 100 1 10 100 1000 Frequency (kHz) 10000 100000