1.7 MB

ASSP
用于 LED 照明的可控硅调光 LED
驱动器 IC
MB39C601
Data Sheet
MB39C601 Cover Sheet
Publication Number MB39C601_DS405-00008
Revision 2.0
Issue Date December 25, 2013
Data
2
Shee t
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
ASSP
用于 LED 照明的可控硅调光 LED
驱动器 IC
MB39C601
Data Sheet
MB39C601 Cover Sheet
■ 产品描述
MB39C601 是反激式开关调节控制器 IC。
它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对 LED 电流的调节。
它非常适合用于常规照明应用,如对传统商用和住宅照明灯泡进行替换等。
■ 特点
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
单次转换提供高功率因子
通过开关频率控制低功耗模式 (LPM) 的突发操作实现轻负载时的高效率
通过 FB 电流控制进行开关频率设置 : 30kHz 到 130kHz
无需外部感应电阻即可控制初级绕组的电流
支持可控硅调光
通过辅助变压器的零能量检测实现高效率和低 EMI
内置低电压时误动作防止电路
内置过载保护功能
内置输出过电压保护功能
内置过温保护功能
LED 负载
: 最大 25W
输入电压范围 VDD
: 9V 到 20V
LED 照明应用的输入电压范围
: AC110VRMS, AC230VRMS
小型封装
: SOP-8 (3.9 毫米 × 5.05 毫米 × 1.75 毫米 [ 最大 ])
■ 应用
• LED 照明
• 可控硅调光 LED 照明
等
在线仿真设计
Easy DesignSim
本产品提供可方便地在线确认电路工作和外接零件的仿真工具。
请通过以下 URL 使用。
http://www.spansion.com/easydesignsim/
Publication Number MB39C601_DS405-00008
Revision 2.0
Issue Date December 25, 2013
This document states the current technical specifications regarding the Spansion product(s) described herein. Spansion Inc. deems the products to have been in sufficient
production volume such that subsequent versions of this document are not expected to change. However, typographical or specification corrections, or modifications to the valid
combinations offered may occur.
Data
Shee t
■ 引脚分配
(顶视图)
FB
1
8
VDD
TZE
2
7
GND
PCL
3
6
DRN
OTM
4
5
VCG
(FPT-8P-M02)
■ 引脚描述
2
引脚编号
引脚名称
输入 / 输出
1
FB
输入
开关频率设置引脚。
2
TZE
输入
变压器辅助绕组的零能量检测引脚。
3
PCL
输入
用于控制变压器初级绕组峰值电流的引脚。
4
OTM
输入
导通时间设置引脚。
5
VCG
—
外部 MOSFET 栅极偏置引脚。
6
DRN
输出
外部 MOSFET 源极连接引脚。
7
GND
—
接地引脚。
8
VDD
—
电源引脚。
说明
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
VIN
AC
CVDD
1
CBULK
1
1
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
1
OTM
1
TZE
FB
VDD
4
2
1
8
IFB
13V
IOTM
OV
Fault
3V
1V
VGATE
On-Time Modulation
and Fault Response
Control
5V
20mV
Shutdown
and Restart
Latch or
Retry
Zero Energy
Detect
Feedback
Processing
Modulators
1.5μA<IFB<210μA
Low Power Mode
210μA<IFB
Over Load
IFB<1.5μA
IFB
10V/8V
UVLO
10V/6V
Fault Latch
Reset
D
IFB
Q
Q
1/t SW
Fault Latch
Reset
Thermal
Shutdown
UVLO
VVCG
Shunt
VVDD
Switch
2V
14V
Current
Sense
VGATE
Discharge
Freq. Modulator
Enable
PWM
Fault
Enable
PWM
IFB
Fault Timing
and Control
VVCG
LDO
IFB
IFB
MB39C601
IP
Current
Modulator
Driver
HS
Drive
3
7
6
5
PCL
GND
DRN
VCG
1
1
DBIAS
D1
1
CVCG
Rst
1
2
1
2
Co
2
2
Rs
Vs
Da ta
Sh eet
■ 方块图 ( 导通时间控制时 )
3
Data
Shee t
■ 绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输入电流
输出电流
符号
条件
额定值
最小值
最大值
单位
VVDD
VDD 引脚
0.3
+25.0
V
VDRN
DRN 引脚
—
+20.0
V
VVCG
VCG 引脚
0.3
+16.0
V
VTZE
TZE 引脚
0.3
+6.0
V
VOTM
OTM 引脚
0.3
+6.0
V
VPCL
PCL 引脚
0.3
+6.0
V
VFB
FB 引脚
0.3
+2.0
V
IVCG
VCG 引脚
—
10
mA
IOTM
OTM 引脚
1
0
mA
IPCL
PCL 引脚
1
0
mA
IFB
FB 引脚
0
1
mA
IDRN
DRN 引脚
—
800
mA
IDRN
DRN 引脚,
脉冲 400ns / 占空比 2% 时
1.5
+6.0
A
—
800*
mW
55
+125
°C
功率消耗
PD
储存温度
TSTG
Ta  +25°C
*: 使用双层 PCB 时的值。
参考 : ja (风速 0m/s) : +125°C/W
< 警告 > 如在半导体器件上施加的负荷 ( 电压、电流、温度等 ) 超过最大额定值,将会导致该器件永久性损坏,
因此任何参数均不得超过其绝对最大额定值。
4
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
■ 推荐工作条件
参数
符号
条件
值
最小值 典型值 最大值
单位
VDD 引脚输入电压
VDD
VDD 引脚
9
—
20
V
VCG 引脚输入电压
VCG
VCG 引脚 (来自低阻抗源)
9
—
13
V
VCG 引脚输入电流
IVCG
VCG 引脚 (来自高阻抗源)
10
—
2000
µA
OTM 引脚关闭 / 重试模式时
10
—
100
k
OTM 引脚闭锁模式时
150
—
750
k
24.3
—
200.0
k
—
200
k
—
200
nF
OTM 引脚对 GND 的电阻
ROTM
PCL 引脚对 GND 的电阻
RPCL
PCL 引脚
TZE 引脚连接电阻
RTZE1
TZE 引脚变压器辅助绕组连接电阻
50
VCG 引脚对 GND 的电容
CVCG
VCG 引脚
33
VDD 引脚旁路电容
工作环境温度
CBP
要在 VDD 和 GND 引脚之间设置的陶瓷电容
0.1
—
1.0
µF
Ta
—
40
+25
+85
°C
< 警告 > 为确保半导体器件的正常运作,必须在推荐的运行环境或条件下使用。器件在所推荐的环境或条件下
运行时,其全部电气特性均可得到保证。请务必在所推荐的工作环境或条件范围内使用该半导体器
件。如超出该等范围使用,可能会影响该器件的可靠性并导致故障。
本公司对本数据手册中未记载的使用范围、运行条件或逻辑组合不作任何保证。如果用户欲在所列条
件之外使用器件,请务必事先联系销售代表。
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
5
Data
Shee t
■ 电气特性
(Ta = +25°C, VVDD = 12V)
VDD 和
VCG 电源
调制
6
值
符号
引脚
编号
VCG 电压
(工作)
VCG (OPERATING)
5
VVDD=14V,
IVCG=2.0mA
13
14
15
V
VCG 电压
(禁能)
VCG (DISABLED)
5
VVDD=12V,
IVCG=26µA,
IFB=350µA
15
16
17
V
VCG 电压差
ΔVCG
5
VCG (DISABLED) 
VCG (OPERATING)
1.75
2.00
2.15
V
VCG 分流
输入电流
IVCG (SREG)
5
VVCG=VCG (DISABLED) 
100mV, VVDD=12V
—
12
26
µA
VCG 分流
负载调节
ΔVCG (SREG)
5
26µA<IVCG5mA,
IFB=350µA
—
125
200
mV
VCG LDO
调节电压
VCG (LREG)
5
VVDD=20V, IVCG=2mA
—
13
—
V
VCG LDO
跌落电压
VCG (LREG, DO)
—
VDDVCG, VVDD=11V,
IVCG=-2mA
—
2.0
2.8
V
UVLO 开启
阈值电压
VDD (ON)
8
—
9.7
10.2
10.7
V
UVLO 关闭
阈值电压
VDD (OFF)
8
—
7.55
8.00
8.50
V
UVLO 滞后
ΔVDD(UVLO)
8
VDD (ON) VDD (OFF)
1.9
2.2
2.5
V
VDD 开关
导通电阻
RDS, ON (VDD)
VVCG=12V, VVDD=7V,
IDRN=50mA
—
4*
10*

5.6
6.0
6.4
V
参数
6, 8
条件
最小值 典型值 最大值
单位
故障锁存器复 VDD
(FAULT RESET)
位 VDD 电压
8
最小开关周期 tSW (HF)
6
频率调制 (FM) 模式时 ,
IFB=5µA
7.215
7.760
8.305
µs
最大开关周期 tSW (LF)
6
IFB=IFB, CNR3 - 20µA
31.5
35.0
38.5
µs
DRN 峰值
电流
6
IFB=5µA, IPCL=100µA
—
3*
—
A
6
IFB=5µA, IPCL=30µA
—
1*
—
A
RPCL 开路的
I
最小峰值电流 DRN (peak, absmin)
6
RPCL= 开路
—
0.45*
—
A
ILIM 消隐
时间
tBLANK (ILIM)
6
IFB=5µA, RPCL=100k,
DRN 上 1.2A 上拉
—
400*
—
ns
PCL 电压
VPCL
3
IFB=5µA
2.94
3.00
3.06
V
3
IFB= 230µA
0.95
1.00
1.05
V
FM 模式时
IFB 宽度
IFB, CNR1
1
tS=tS (LF),
IDRN=IDRN ( 峰值 , 最大 )
145
165
195
µA
AM 模式时
IFB 宽度
IFB,CNR2 - IFB,CNR1
1
tS=tS (LF) ,IDRN ( 峰值 )
变动范围 = IDRN ( 峰值 , 最大 )
~ IDRN ( 峰值 , 最小 )
35
45
65
µA
LPM 时 IFB
宽度
IFB,CNR3 - IFB,CNR2
1
—
50
70
90
µA
LPM 滞后
IFB, LPM-HYST
1
—
10
25
40
µA
FB 电压
VFB
1
0.34
0.70
0.84
V
IDRN (peak)
—
IFB=10µA
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
参数
驱动器
过载故障
关闭阈值
最大导通时间
引脚
编号
值
最小值 典型值 最大值
单位
RDS (on) (DRN)
6, 7
IDRN=4.0A
—
200*
400*
m
驱动器
关闭漏电流
IDRN (OFF)
6, 7
VDRN=12V
—
1.5
20.0
µA
高端驱动器
导通电阻
RDS (on) (HSDRV)
5, 6
高端驱动器 电流 = 50mA
—
6*
11*

DRN 放电
电流
IDIS
6, 7
VDD= 开路, DRN=12V,
故障锁存器置位
2.38
3.40
4.42
mA
零能量阈值
电压
VTZE (TH)
2
—
5*
20*
50*
mV
钳位电压
VTZE (CLAMP)
2
200
160
100
mV
起始定时器
V
工作阈值电压 TZE (START)
2
0.10
0.15
0.20
V
—
150
—
ns
2.0
2.4
2.8
µs
150
240
300
µs
tDRY (TZE)
6
零能量检测的 t
WAIT (TZE)
等待时间
6
起始定时器
周期
6
tST
ITZE=-10µA
—
DRN 上 150 上拉 12V
—
VTZE=0V
OVP 阈值电压 VTZE (OVP)
2
—
4.85
5.00
5.15
V
OVP 消隐
时间
6
—
0.6
1.0
1.7
µs
0.1
0
+0.1
µA
0*
1.5*
3.0*
µA
200
250
300
ms
—
750
—
ms
100
120
150
k
0.7
1.0
1.3
V
tBLANK, OVP
输入偏置电流 ITZE (bias)
2
过载检测电流 IFB (OL)
1
过载延迟时间 tOL
6
IFB=0A
过载后重试
时间
tRETRY
6
ROTM=76k
过载检知
切换电阻
ROTM (TH)
4
关闭阈值电压 VOTM (Vth)
4
OTM=
关闭 OTM
电流
IOTM, PU
4
VOTM= VOTM (vth)
600
450
300
µA
导通时间
tOTM
6
ROTM=383k
3.74
4.17
4.60
µs
6
ROTM=76k
3.4
3.8
4.2
µs
OTM 电压
VOTM
4
2.7
3.0
3.3
V
关闭温度
TSD
—
Tj,温度上升
—
+150*
—
°C
滞后
TSD_HYS
—
Tj,温度下降,
低于 TSD 的度数
—
25*
—
°C
IVDD (STATIC)
8
VVDD=20V, VTZE=1V
1.36
1.80
2.34
mA
IVDD (OPERATING)
8
VVDD=20V
—
3.0*
3.7*
mA
低功耗模式
(LPM) 时
电源电流
IVDD (LPM)
8
IFB=350µA
—
550
900
µA
UVLO 的
电源电流
IVDD(UVLO)
8
VVDD= VDD (ON) 100mV
—
285
500
µA
OTP
电源电流
电源电流
条件
驱动器
导通电阻
变压器零能量
驱动器开启
检测
延迟时间
过电压故障
符号
Sh eet
VTZE=5V
—
—
—
*: 标准设计值
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
7
Data
Shee t
■ 典型特性
电源电流与 Ta
4.0
3.8
3.8
3.6
3.6
3.4
3.4
IDD+ICG [mA]
IDD [mA]
电源电流与 VDD
4.0
3.2
3.0
2.8
3.2
3.0
2.8
2.6
2.6
2.4
2.4
VDD; decreasing from 20V
VCG=OPEN
IFB=5μA
2.2
2.0
2.0
8
10
12
14
16
VDD=12V
VCG=12V
IFB=5μA
2.2
18
20
-40 -30 -20 -10
0
+10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15
-5
+5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
VDD [V]
DRN 峰值电流与 IFB
开关频率与 IFB
160
3.5
140
3.0
120
Ta=+25°C
Ta=+85°C
2.5
IDRN(peak) [A]
100
fSW [kHz]
Ta=-25°C
80
60
Ta=-40°C
40
Ta=+25°C
Ta=+85°C
2.0
1.5
1.0
0.5
20
0
0.0
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
IFB [μA]
150
200
250
300
IFB [uA]
导通时间与 ROTM
DRN 峰值电流与 IPCL
3.5
6
3.0
5
2.5
tOTM [us]
IDRN(peak) [A]
4
2.0
1.5
3
Latch-off
(2)
2
1.0
0.5
Ta=-40°C
Ta=+25°C
Ta=+85°C
1
n=30
0.0
0
0
20
40
60
IPCL [μA]
8
Shutdown/
Retry
(1)
80
100
0
100
200
300
400
500
600
ROTM [kΩ]
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
驱动器导通电阻与 Ta
高端驱动器导通电阻与 Ta
400
12
11
350
10
9
RDS(on)(HSDRN) [W]
RDS(on)(DRN) [mΩ]
300
250
200
150
8
7
6
5
4
3
100
2
1
50
0
0
-40 -30 -20 -10 0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5 +5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
-40 -30 -20 -10
0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80
-35 -25 -15 -5
+5 +15 +25 +35 +45 +55 +65 +75 +85
Ta [°C]
Ta [°C]
功率消耗与 Ta
1000
900
800
功率消耗 [mW]
700
600
500
400
300
200
100
0
-50 -40 -30 -20 -10
0 +10 +20 +30 +40 +50 +60 +70 +80 +90 +100
Ta[°C]
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
9
Data
Shee t
■ 功能说明
(1) LED 电流控制功能
MB39C601 是反激式开关调节控制器。
它根据 LED 负载来控制开关导通时间或控制开关频率,从而实现对 LED 电流的调节。
与 LED 串联的感应电阻 (Rs) 将 LED 电流转换为检测电压 (Vs)。外接误差放大器 (Err AMP) 对 Vs 进行比较。当 Vs 降低
到参考电压以下时,Err AMP 输出上升,进入光电耦合器的电流减小。
通过导通时间控制功能块中的光电耦合器控制 OTM 引脚电流。在导通时间控制中,这控制 OTM 引脚电流下的导通时间。
因此,在 OTM 引脚电流减小时,导通时间增加。由于在导通时间控制中将开关频率设置为固定值,可调节提供给 LED 的平
均电流使其保持稳定。
通过开关频率控制功能块中的光耦合器控制 FB 引脚电流。FB 引脚电流减少时,开关频率增加。由于在开关频率控制中将
导通时间设置为固定值,可调节提供给 LED 的平均电流使其保持稳定。
(2) 共源共栅开关
初级绕组中的开关采用共源共栅连接。外部 MOSFET 的栅极与 VCG 引脚连接,源极与内部驱动器 MOSFET 的漏极连
接。开关处于导通状态时,内部驱动器 MOSFET 开启, HS 驱动器 MOSFET 关闭,外部 MOSFET 的源极电压下降至
GND。在该周期,直流偏置从 VCG 引脚提供给外部 MOSFET 的栅极。因此,外部 MOSFET 开启。
开关处于关闭状态时,内部驱动器 MOSFET 关闭, HS 驱动器 MOSFET 开启,外部 MOSFET 的源极电压上升至 VCG
电压。在该周期,直流偏置从 VCG 引脚提供给外部 MOSFET 的栅极。因此,外部 MOSFET 关闭。此外,进入内部驱动
器 MOSFET 的电流等于初级绕组的电流。因此,可以在不使用感应电阻的情况下检测进入初级绕组的峰值电流。
(3) 固有 PFC (功率因子校正)功能
在交流电压输入中,当使输入电流波形接近正弦波,并使相位差接近零时,功率因子会得到改善。当在不连续传导模式
下采用反激方法工作时,如果将输入电容设置得比较小,则输入电流几乎等于初级绕组的峰值电流 (IPEAK)。
I PEAK =
(
VBULK × t ON
LMP
)
=
(( ))
VBULK
LMP
tON
VBULK :初级绕组的电源电压
LMP
:初级绕组的电感
:导通时间
tON
在导通时间控制中,如果将外接误差放大器的响应速度设置为远小于交流电压频率 (交流电压频率的 1/10 以下),则可
以使导通时间保持不变。因此,输入电流与输入电压成正比,从而使功率因子得到调节。
10
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
(4) 上电序列
当电压输入 VBULK 时,电荷通过启动电阻 (Rst) 充入 VCG 引脚的电容 (CVCG)。因此, VCG 引脚的电压会上升。当
VCG 引脚电压达到外接 MOSFET 的阈值电压时,源极跟随器使 DRN 引脚电压上升。
DRN 引脚通过内部 VDD 开关与 VDD 引脚连接,VDD 电容 (CVDD) 从该 DRN 引脚充电。当 VDD 引脚电压达到 UVLO
阈值电压时, VDD 开关关闭,内部偏置电路工作,开关启动。
开关启动后,通过外接二极管 (DBIAS) 从辅助绕组提供 VDD 引脚电压。辅助绕组与次级绕组的绕线圈数之比以及次级
绕组的电压决定了辅助绕组的电压。因此,只有在辅助绕组的电压上升至高于 VDD 引脚电压时,才会提供 VDD 引脚电压。
在该周期中,必须设置 VDD 引脚的电容,以防止 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下。
DRN 引脚和 VDD 引脚之间需要一个肖特基二极管 (D1)。该二极管用于防止电流经过 VDD 开关的体二极管。
• 启动时的电流路径
VBULK
Primary
Winding
Rst
Ist
HV-MOSFET
CVCG
D1
VDD Start-up Current
CVDD
DBIAS
VDD Operating and LPM Current
VDD
Auxiliary
Winding
VCG
8
5
VDD
Switch
HS
Drive
VCG
Shunt
UVLO
10V/8V
Enable
PWM
14V
DRN
6
2V
Fault
Driver
PWM
Control
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
7
GND
11
Data
Shee t
• 上电序列
VAC
VLED
UVLO 阈值 10V
VDD
UVLO 阈值 8V
VCG
DRN
(5) 掉电序列
从交流线路移除交流电源时,即使 HV MOSFET 正在开关,电流也不会流到次级绕组。LED 电流从输出电容提供,并逐渐
减小。与此相似,由于电流不会流到辅助绕组中,因此 VDD 引脚电压会下降。当 VDD 引脚电压下降到 UVLO 阈值电压以下
时,开关停止,MB39C602 关闭。
• 掉电序列
VAC
VLED
VDD
UVLO 阈值 8V
VCG
DRN
12
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
(6) OTM 部分
通过将电阻 (ROTM) 与 OTM 引脚连接,为其设置导通时间。如下图所示,从 OTM 通过电阻连接光电耦合器的集电极,可
以控制导通时间。
• OTM 引脚控制
On-Time Modulation
and Fault Response
Control
IOTM
VGATE
3V
Fault Timing
and Control
UVLO
1V
OTM
Fault
Latch or
Retry
Shutdown
and Restart
4
Fault Latch
Reset
Thermal
Shutdown
ROTM
下图示出了如何通过设置电阻在 1.5µs 到 5.0µs 之间这一范围对导通时间进行控制。
设置电阻决定对过载保护(闭锁或关闭 / 重试)的控制方法。
关于闭锁与关闭 / 重试模式的详细,请参阅过载保护 (OL) 部分的说明。
导通时间与基于以下等式的设置电阻有关。
(1) ROTM= tOTM × (2 × 1010
[ S ] )
(2) ROTM= tOTM × (0.918 × 1011
[ S ])
tOTM - Constant On-Time [μs]
• 导通时间设置范围
5.0
Shutdown/
Retry
(1)
Latch-off
(2)
1.63
120kΩ Threshold Retry vs Latch-off
32.6
100 120 150
459
ROTM - Constant On-Time Resistance [kΩ]
此外,当 OTM 引脚电压降至 VOTM (Vth) (typ 1V) 以下时可关闭。
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13
Data
Shee t
(7) PCL 部分
通过将电阻与 PCL 引脚连接,为其设置初级绕组的峰值电流。
通过在 PCL 引脚和 GND 之间连接电阻 (RPCL),设置初级端的最大峰值电流。
IDRN(pk) = (
100kV
)
RPCL
开关周期最初约 400ns 的消隐时间会掩盖尖峰噪声。因此,它会防止电流感应发生故障(请参见下图)。
• 通过 PCL 引脚控制电流峰值
DRN
6
IDRN
VGATE
Driver
Current
Sense
tBLANKCL
From
High-Voltage
MOSFET Source
GND
7
From
Optocoupler
Emitter
I FB
FB
IFB
1
Current Modulator
I DRNPK
3
1
IFB, μA
I PCL
165 210
VPCL, V
3
1
IFB, μA
165 210
PCL
3
RPCL
14
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
(8) FB 部
通过设置 FB 引脚的电流,控制开关频率。在导通时间控制中,将 FB 引脚上拉到 VDD,从而设置开关频率。此外,在开关
频率控制中,如下图所示,可通过将 FB 引脚经电阻与光耦合器的发射极连接,控制开关频率。将电阻 (RFB) 接地以消除光电
耦合器的暗电流。
• FB 引脚控制
IFB
RFB
Filter
IFB
FB
1
CFB
Filter
RFB
Feedback
Processing
Modulators
1.5μA<IFB<210μA
Low Power Mode
210μA<IFB
Over Load
IFB<1.5μA
根据 FB 电流 (IFB) 可在以下三种模式之间切换 ( 请参阅 “ • 基于 FB 引脚的开关频率及峰值电流控制动作 ”)。
(1) 频率调制模式 (FM)
HV-MOSFET 的峰值电流设置为最大设置值,通过以 IFB 对开关频率进行调整,控制 LED 电流。开关频率的范围为
30kHz ~ 130kHz。HV-MOSFET 的最大设置电流 IDRN( 峰值 , 最大 ) 通过 PCL 引脚的电阻值而设置。
(2) 幅度调制 (AM)
通过以 IFB 控制 HV-MOSFET 的峰值电流,控制 LED 电流。开关频率约为 30kHz, HV-MOSFET 的峰值电流范围为
最大设置值的 33% ~ 100%。HV-MOSFET 的最大设置电流 IDRN ( 峰值 , 最大 ) 通过 PCL 引脚的电阻值而设置。
(3) 低功耗模式 (LPM)
轻负载时,重复 LPM-ON 与 LPM-OFF 的两个状态。
在 LPM-ON 模式下,以 30kHz 进行开关,向 LED 提供电流。这时,来自光电耦合器的反馈电流变大,进入 LPM-OFF
模式。在 LPM-OFF 模式下,不进行开关,以 Co 内存储的电荷向 LED 提供电流,当来自光电耦合器的反馈电流减少时,
进入 LPM-ON 模式。通过重复这两个状态,实现低功耗下的 LED 照明。
上述 (1) FM, (2) AM, (3) LPM 的三个模式依 LED 负载而变化,负载降低时按 (1) → (2) → (3) 依次迁移。
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15
Data
Shee t
IDRNPK(max) - % of Max Peak DRN Current [%]
• 基于 FB 引脚的开关频率及峰值电流控制动作
AM
FM
Low Power Mode
LPM-ON
LPM-OFF
IFB, CNR1 IFB, CNR2
IFB, CNR3
(165μA) (210μA)
(280μA)
100
IFB, CNR3 - IFB, CNR2
(70μA)
33
t SW(max) - Max Switching Frequency [kHz]
IFB, CNR2 - IFB, CNR1
(45μA)
133
IFB, LPM-HY ST
(25μA)
30
50
100
150
200
250
IFB - Feedback Current [μA]
16
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Da ta
Sh eet
(9) TZE 部分
MB39C601 要求以下三个条件才能启动一个开关周期。
1. 距离上一个开启沿的时间必须等于或长于 IFB 设置的开关时间
2. 距离上一个开启沿的时间必须长于 MB39C601 设置的最小开关周期 (7.5µs=133kHz)
3. 紧接在 TZE 引脚的零能量检测之后,或者,距离上次零能量检测时间长于 tWAIT (TZE) (~2.4µs)
• 开关循环开始迁移图
TZE ≦ 150mV
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge
1 次没有发生
VDD ≧ 10.2V
MB39C601 使能
TZE
<150mV
TZE
>150mV
开始 CLK
Tst=240µs
强制开关
开关频率的定时器结束
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge
开关频率定时器结束
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge
下周期的 ON 开始
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge 发生 1 次以上但开关
频率结束后 2.4µs 的期间内 TZE ≦ 20mV 的
L-Edge 不发生。
开关频率定时器结束
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge
距上次 TZE L-Edge
不开始开关
TZE>150mV
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge 发生 1 次 2.4µs 后,下周期的
ON 开始
以上开关频率定时器结束后 2.4µs
的期间内 TZE ≦ 20mV 的 L-Edge
不发生。
TZE ≦ 20mV 的 L-Edge 发生 1 次以上但开
关频率定时器结束后 2.4µs 的期间内 TZE
≦ 20mV 的 L-Edge 不发生。
如 “ • TZE 引脚连接 ” 所示,TZE 引脚通过电阻分压电路与变压器的辅助绕组连接以检测零能量。
可以将 50ns 到 200ns 的延迟与 CTZE 相加,使初级开关的开启时机与初级绕组波形的调谐底部一致。
• 检测零能量时的开关波形
High Voltage
MOSFET Drain
CTZE - Based
Delay
TZE Input
Switching Time
by IFB
Switching Time (tSW)
IDRN
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17
Data
Shee t
• TZE 引脚连接
NP
NS
NB
1
RTZE1
Zero Energy
Detect
TZE
2
RTZE2
CTZE
20mV
OV
Fault
Fault Timing
and Control
5V
18
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Da ta
Sh eet
■ 各种保护电路
• 低电压锁止保护 (UVLO)
当电源引脚电压 (VDD) 由于启动而处于过渡状态或瞬时下降时,低电压锁止保护 (UVLO) 可保护 IC 避免发生故障,并
保护系统避免受到破坏 / 性能下降。使用比较器检测 VDD 引脚的电压下降,关闭 HS DRIVER 输出,关闭 DRIVER 输出,
停止开关。如果 VDD 引脚电压增大到 UVLO 电路的阈值电压以上,则系统恢复工作。
• 输出过电压保护 (OVP)
LED 处于开路状态并且输出电压上升得太多时,辅助绕组的电压和 TZE 引脚的电压会上升。通过对 TZE 引脚的该电压
进行采样来检测过电压。当 TZE 引脚电压上升到高于 OVP 的阈值电压时,检测到过电压。关闭 HS DRIVER 输出,关闭
DRIVER 输出,开关停止(闭锁)。
如果 VDD 引脚电压降低到故障锁存器复位的电压以下,则会解除 OVP。
• 过载保护 (OL)
在开关频率控制时,如果 LED 的正极或负极由于对地短路发生过载,Rs 将不会有流入电流,流入 IFB 的电流反馈将消
失。FB 引脚电流至 1.5µA 以下时,会检出过载。依由 ROTM 决定的电阻值,过载检出的状态为闭锁或关闭 / 重试状态。
关闭 / 重试
闭锁
… 重复 250ms 开关、 750m 开关停止的状态。过载状态消失时,自动恢复。
… 继续执行 250ms 开关,在这期间如果不能从过载状态恢复,则关闭输出 HS DRIVER,关闭输出
DRIVER,停止开关。此后,即使过载状态消失,也继续保持开关停止状态 ( 闭锁 ),当 VDD 引
脚电压降低至故障锁存器复位电压以下,则会解锁。
• 过载保护序列
Shutdown / retry ROTM = 32.6k ~ 100kΩ
Normal
Operation
Normal
Operation
OL
IFB
1.5μA
1.5μA
DRN
250ms
Latch - off
IFB
ROTM = 150k ~ 459kΩ
Normal
OL
Operation
750ms
250ms
Normal
Operation
750ms
OL
1.5μA
1.5μA
DRN
250ms
250ms
• 过温保护 (OTP)
过温保护 (OTP) 是一项保护 IC 免受热破坏的功能。当结点温度达到 +150 ℃ 时,关闭 HS DRIVER 输出,关闭 DRIVER
输出,开关停止。当结点温度下降到 +125 ℃ 时,开关恢复工作(自动恢复)。
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19
Data
Shee t
■ 各项功能一览表
功能
DRN
放电 SW
保护工作下
的检测条件
返回条件
包装规格
关
关
—
—
—
LS_DRV HS_DRV VDD SW
正常工作
低电压锁止保护 (UVLO)
关
关
开
关
VDD < 8.0V
VDD > 10.2V
待机
OTM 关闭
关
关
开
关
OTM = GND
OTM > 1V
待机
输出过电压保护 (OVP)
关
关
开
开
TZE > 5V
VDD < 6V
过负载
保护
(OL)
关
IFB < 1.5µA
32.6k < ROTM <
100k
IFB > 1.5µA
闭锁
关闭重试
OL 定时器
(250ms)
关闭重试故障
(750ms)
关
关
开
关
关
关
开
开
IFB < 1.5µA
150k < ROTM <
459k
→
VDD > 10.2V
闭锁
LPM 时停止状态
关
关
开
关
IFB > 280µA
IFB < 255µA
—
过温保护 (OTP)
关
关
开
关
Tj > +150°C
Tj < +125°C
—
闭锁
模式
20
关
关闭 /
重试
模式
→
VDD > 10.2V
VDD < 6V
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Da ta
Sh eet
■ 输入 / 输出引脚等效电路图
引脚
编号
引脚
名称
1
FB
2
等效电路图
Vref 5V
FB
1
GND
7
TZE
Vref 5V
3
4
TZE
2
GND
7
PCL
Vref 5V
PCL
3
GND
7
OTM
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
Vref 5V
OTM
4
GND
7
21
Data
引脚
编号
引脚
名称
5
VCG
Shee t
等效电路图
VDD 8
Vref 5V
5 VCG
6
DRN
6 DRN
GND 7
22
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
1
R15
R12
R13
C15
VAR1
R11
P2
P1
F1
1
C10
R10
R5
C1
4 OTM
3 PCL
2 TZE
1 FB
C21
U1
R14
1
4
BR1
6
7
VCG 5
DRN
GND
VDD 8
2
3
L1
C3
1
1
C4
R44
C9
L2
R42
C5
1
D4
+
R31
R2
R1
1
D3
Q1
1
R41
D1
C2
R16
R43
R4
R17
1
U2
5
3
4
2
1
T1
7
9
8
10
C11
D6
R35
C12
2
R24
C19
D9
R25
C13
U5
2
C16
2
R20
D8
R29
D5
Q6
R27
C17
R23
R33
C14
R28
R9
Q2
R10
2
R32
2
U3
C18
R40
R8
C7
R3
R7
U4
2
2
C6
R30
R21
2
R26
R22
C8
R6
+
R19
P4
P3
Da ta
Sh eet
■ 示例应用电路
MB39C601
23
Data
Shee t
• 零件列表
• Vac 90V~145V 50Hz/60Hz (Typ110V) Iout 390mA
编号
24
组件
说明
1
U1
IC PWM CTRLR CASCODE 8-SOIC
2
U2
OPTO ISOLATOR TRANSISTOR OUTPUT
3
U3, U4, U5
4
5
产品编号
供应商
MB39C601
FSL
PS2561L-1-A
CEL
IC OPAMP GP R-R 1MHZ SGL SOT23-5
LMV321IDBVR
TI
VR1
SUR ABSORBER 7MM 430V 1250A ZNR
ERZ-V07D431
Panasonic
BR1
IC RECT BRIDGE 0.5A 600V 4SOIC
MB6S
Fairchild
6
T1*
TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6
430µH RATIO Np/Ns=2.91/1 Np/Na=5.33/1
750811148
Wurth
7
F1
FUSE PICO FAST 2.5A 250V AXIAL
026302.5WRT1L
Littelfuse
8
L1
IND COMMON MODE CHOKE 40MH
750311650
Wurth
9
L2
JUMPER (RES 0.0 1206)
RK73Z2B
KOA
10
Q1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220FP
SPA07N60C3
Infineon
11
Q2
TRANSISTOR NPN 100V 1A SOT-89
FCX493TA
Diodes
12
Q6
TRANSISTOR NPN GP 40V SOT23
MMBT3904-TP
Micro Commercial
13
C1*
CAP .47UF/400VDC METAL POLY
ECQ-E4474KF
Panasonic
14
C2
CAP CER 15000PF 250V X7R 1206
GRM31BR72E153KW01L
muRata
15
C3
CAP CER 10000PF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
16
C4
CAP CER .1UF 25V X7R 10% 0603
GRM188R71E104KA01D
muRata
CAP 100UF 25V ELECT RADIAL 2.5MM
17
C5
18
C6,C7
EEU-FC1E101S
Panasonic
GRM32ER72A225KA35
muRata
19
C8
CAP 560UF 50V ELECT HE RADIAL
UPW1H561MHD
Nichicon
20
C9
CAP .056UF/630VDC METAL POLY
ECQ-E10223KF
Panasonic
21
C10, C15, C17,
C18, C19
CAP CER 10000PF 50V X7R 0603
GRM188R71H103KA01D
muRata
22
C11
CAP CER 2.2NF X1/Y1 RADIAL
DE1E3KX222MA4BL01
muRata
23
C12
CAP CER 220PF 630VDC U2J 1206
GRM31A7U2J221JW31D
muRata
24
C13
CAP CER 0.33UF 16V X7R 0603
GRM188R71C334KA01
muRata
25
C14
CAP CER 1UF 16V X7R 0805
GRM21BR71C105KA01#
muRata
26
C16
CAP CER .1UF 25V 0805
GRM21BR71E104KA01#
muRata
27
C21
CAP .022UF/305VAC X2 METAL POLYPRO
B32921C3223M
Epcos
28
D1
DIODE ULTRA FAST 800V 1A SMA
RS1K-13-F
Diodes
29
D3
DIODE ULTRA FAST 200V SOT-23
MMBD1404
Fairchild
30
D4
DIODE ZENER 18V 225MW SOT-23
BZX84C18LT1
On Semi
31
D5
DIODE GPP FAST 1A 600V DO-41
UF4005
Fairchild
32
D6
DIODE GPP FAST 1A 600V SMA
RS1J
Fairchild
33
D8
SHUNT REGULATOR 5.0V SOT-23
LM4040C50IDBZT
TI
34
D9
DIODE, SWITCHING 70V SC-70
BAW56WT1
On Semi
35
R1,R2,R31
RES 560k 1/4W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD5603F
KOA
36
R3,R6,R15
RES 100k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1003V
Panasonic
37
R4
RES 75.0k 1/4W 5% 1206 SMD
RK73B2BTTD753J
KOA
38
R5
RES 510 METAL FILM 2W 5%
ERG-2SJ511A
Panasonic
39
R7
RES 464k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4643V
Panasonic
40
R8
RES 4.42k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4421V
Panasonic
41
R9
RES 39.2 1/8W 5% 0805 SMD
RK73B2ATTD390J
KOA
42
R10
RES 1.0k METAL FILM 2W 5%
ERG-2SJ102A
Panasonic
43
R11
RES 110k 1/8W 5% 0805 SMD
RK73B2ATTD114J
KOA
CAP CER 2.2UF 100V X7R 1210
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
编号
组件
产品编号
供应商
44
R12
RES 33.2k 1/10W 1% 0603 SMD
说明
ERJ-3EKF3322V
Panasonic
45
R13
RES 40.2k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF4022V
Panasonic
46
R14
RES 634k1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF6343V
Panasonic
47
R16
RES 5.1 1/10W 1% 0603 SMD
RK73H1JTTD5R10F
KOA
48
R17
RES 3.00 1/8W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD3R00F
KOA
49
R18
RES 10.0k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1002V
Panasonic
50
R19
RES .33 1/4W 1% 1206 SMD
ERJ-8RQFR33V
Panasonic
51
R20
RES 301k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF3013V
Panasonic
52
R21
RES 71.5k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF7152V
Panasonic
53
R22
RES 200k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2003V
Panasonic
54
R24, R35
RES 3.01k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF3011V
Panasonic
55
R25, R33
RES 1.00M 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1004V
Panasonic
56
R26
RES 2.00k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2001V
Panasonic
57
R27
RES 511k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF5113V
Panasonic
58
R23, R28
RES 20.0k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF2002V
Panasonic
59
R29
RES 12.7k 1/8W 1% 0805 SMD
RK73H2ATTD1272F
KOA
60
R30
RES 604k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF6043V
Panasonic
61
R32
RES 17.4k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1742V
Panasonic
62
R40
RES 16.5k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1652V
Panasonic
63
R41
64
R42
65
R43
RES 0.0 1/20W 5% 0603 SMD
RK73Z1J
KOA
66
R44
RES 1.0k 1/10W 1% 0603 SMD
ERJ-3EKF1001V
Panasonic
*: Vac 180V ~ 265V 50Hz/60Hz (Typ 230V) Iout 390mA
FSL
: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED
Wurth
: Adolf Wurth GmbH & Co. KG
Infineon : Infineon Technologies AG
CEL
: California Eastern Laboratories, Inc
Fairchild : Fairchild Semiconductor International, lnc.
Diodes
: Diodes, Inc
On Semi : ON Semiconductor
Panasonic : Panasonic Corporation
muRata
: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Epcos
: EPCOS AG
KOA
: KOA Corporation
TI
: Texas Instruments Incorporated
Micro Commercial : Micro Commercial Components Corp.
Nichicon : Nichicon Corporation
Littelfuse : Littelfuse, Inc.
编号
组件
6
C1
CAP .22UF/400VDC METAL POLY
说明
13
T1
TRANSFORMER FLYBACK EE20/10/6
1.2mH RATIO Np/Ns=4.42/1 Np/Na=8.15/1
产品编号
供应商
ECQ-E4224KF
Panasonic
750811145
Wurth
Panasonic : Panasonic Corporation
Wurth
: Adolf Wurth GmbH & Co. KG
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
25
Data
Shee t
■ 使用注意事项
1. 请勿将 IC 配置为超过最大额定值。
如果超过最大额定值使用 IC,则可能导致 LSI 永久损坏。
最好让器件在推荐使用条件下正常工作。如果使用时未遵守这些条件,可能会对 LSI 的可靠性造成不利影响。
2. 请在推荐工作条件范围内使用器件。
推荐的值能够确保在推荐工作条件下进行正常的 LSI 工作。
在推荐工作条件范围内以及为每个项目规定的条件下使用器件时,可以保证电器额定值。
3. 应在考虑共模阻抗的情况下建立印刷电路板的接地线。
4. 采取适当的静电保护措施。
• 半导体材料的容器应具有防静电功能,或由导电材料制成。
• 安装后,应将印刷电路板装在导电袋或导电容器中进行存储和运送。
• 工作平台、工具和设备应正确接地。
• 工作人员应通过人体和地之间 250k 到 1M 的串联电阻实现接地。
5. 请勿施加负电压。
如果使用低于 0.3V 的负电压,可能导致激活 LSI 的寄生晶体管,并且可能导致故障。
26
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
■ 订购信息
零件编号
封装
MB39C601PNF
8 引脚塑料 SOP
(FPT-8P-M02)
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
包装规格
27
Data
Shee t
■ 无铅 (Pb) 版本的 RoHS 合规信息
FUJITSU SEMICONDUCTOR 生产的、名称中含 “E1” 的 LSI 产品符合 RoHS 指令,遵从铅、镉、汞、六价铬、多溴化联苯
(PBB) 及多溴联苯醚 (PBDE) 的标准。零件编号末尾字符为 “E1” 的产品符合 RoHS。
■ 标记格式 (无铅版本)
C601
E1 XXXX
XXX
索引
INDEX
28
无铅版本
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
■ 标签样本 (无铅版本)
无铅标记
JEITA 徽标
MB123456P - 789 - GE1
(3N) 1MB123456P-789-GE1
1000
(3N)2 1561190005 107210
JEDEC 徽标
G
Pb
QC PASS
PCS
1,000
MB123456P - 789 - GE1
2006/03/01
ASSEMBLED IN JAPAN
MB123456P - 789 - GE1
1561190005
无铅产品零件编号末尾字符为 “E1”。
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
1/1
0605 - Z01A
1000
中国组装的产品的标签上打印有
“ASSEMBLED IN CHINA” (中国组装)。
29
Data
Shee t
■ MB39C601PNF 推荐安装条件
[FUJITSU SEMICONDUCTOR 推荐的安装条件 ]
推荐的回流条件
项目
条件
安装方法
IR (红外回流),热空气回流
安装次数
2次
解封之前
请在生产后两年内使用。
从解封到第 2 次回流
小于 8 天
解封后超过储存周期时
请在烘干 (125°C ±3°C, 24H+ 2H/ ─ 0H)
后 8 天内处理
烘干最多可执行两次。
储存周期
储存条件
5°C 到 30°C, 70% RH (相对湿度)或更低 (尽可能最低的湿度)
[ 安装条件 ]
(1) 回流温度曲线
260°C
255°C
主加热
170 °C
至
~
190 °C
(b)
RT
(a)
(c)
(d)
(e)
(d')
“ 高 ” 范围 : 最大 260°C
(a) 温度增加梯度 : 平均 1°C/s 到 4°C/s
(b) 初始加热
: 温度 170°C 到 190°C, 60s 到 180s
(c) 温度增加梯度 : 平均 1°C/s 到 4°C/s
(d) 峰值温度
: 温度最大值 260°C ; 255°C 或更高, 10s 或更短
(d’) 主加热
: 温度 230°C 或更高, 40s 或更短
或
温度 225°C 或更高, 60s 或更短
或
温度 220°C 或更高, 80s 或更短
(e) 冷却
: 自然空冷或强制空冷
注意 : 温度 : 封装主体的最高温度。
(2) JEDEC 条件 : 湿敏度 3 (IPC/JEDEC J-STD-020D)
30
MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
(3) 推荐手工焊接条件(局部加热法)
项目
储存周期
条件
解封之前
生产后两年内
解封到安装期间
生产后两年内
(由于采用局部加热法,因此储存期间中无需
控制湿气。)
储存条件
5°C 到 30°C, 70% RH (相对湿度)或更低 (尽可能最低的湿度)
安装条件
焊铁尖部的温度:最大 400°C
时间:每引脚五秒或更短 *
*: 确保焊铁尖部不会接触到封装主体。
(4) 推荐浸焊条件
项目
条件
安装次数
1次
解封之前
请在生产后两年内使用。
从解封到安装
小于 14 天
解封后超过储存周期时
请在烘干 (125°C ±3°C, 24H+ 2H/ ─ 0H)
后 14 天内处理。
烘干最多可执行两次。
储存周期
储存条件
5°C 到 30°C, 70% RH (相对湿度)或更低 (尽可能最低的湿度)
安装条件
焊筒温度:最大 260°C 时间:五秒或更短
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
31
Data
Shee t
■ 封装尺寸
8-pin plastic SOP
Lead pitch
1.27 mm
Package width ×
package length
3.9 mm × 5.05 mm
Lead shape
Gullwing
Sealing method
Plastic mold
Mounting height
1.75 mm MAX
Weight
0.06 g
(FPT-8P-M02)
8-pin plastic SOP
(FPT-8P-M02)
+0.25
Note 1) *1 : These dimensions include resin protrusion.
Note 2) *2 : These dimensions do not include resin protrusion.
Note 3) Pins width and pins thickness include plating thickness.
Note 4) Pins width do not include tie bar cutting remainder.
+.010
+0.03
*1 5.05 –0.20 .199 –.008
0.22 –0.07
+.001
.009 –.003
8
5
*2 3.90±0.30 6.00±0.20
(.154±.012) (.236±.008)
Details of "A" part
45°
1.55±0.20
(Mounting height)
(.061±.008)
0.25(.010)
0.40(.016)
1
"A"
4
1.27(.050)
0.44±0.08
(.017±.003)
0.13(.005)
0~8°
M
0.50±0.20
(.020±.008)
0.60±0.15
(.024±.006)
0.15±0.10
(.006±.004)
(Stand off)
0.10(.004)
C
2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10
Dimensions in mm (inches).
Note: The values in parentheses are reference values.
请在以下 URL 核对最新的封装尺寸。
http://edevice.fujitsu.com/package/en-search/
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MB39C601_DS405-00008-2v0-Z, December 25, 2013
Da ta
Sh eet
MEMO
December 25, 2013, MB39C601_DS405-00008-2v0-Z
33
Data
Shee t
书末出版说明
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用,不应用于:(1) 存在严重风险或危险,除非能够保证极高的安全性,否则可能对公众造成严重影响,甚至可能直接造成死
亡、人员伤害、物品损坏或其他损失的用途 (如核设施的核反应控制、飞机飞行控制、空中交通控制、公共交通控制、医学
生命支持系统、武器系统的导弹发射控制),或者 (2) 不允许出现故障的用途 (如潜艇中继器和人造卫星)。请注意,对于您
和 / 或任何第三方由于将产品用于上述用途而造成的任何索赔和损失, Spansion 不承担任何责任。任何半导体设备都可能发生
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Regulations 或其他国家 (地区)的适用法律的规定,本文档中介绍的任何产品是在出口方面受到特别限制的商品或技术,则
这些产品的出口必须预先得到相关政府的许可。
商标和声明
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其各自所有者的商标。
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