2sk3710 ds jp

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2SK3710
2011 年 5 月
特長
パッケージ
・ 低オン抵抗 5.0mΩ VGS=10V
・ G-S 間ツェナーDi 内蔵
・ 面実装品
TO-220S
アプリケーション
・DC-DC コンバータ
・モータードライブ
内部等価回路
主要スペック
D(2)
・V(BR)DSS = 60V (ID=100uA)
・RDS(ON) = 5mΩ max (ID=35A / VGS=10V)
G(1)
S(3)
絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース電圧
VDSS
60
V
ゲート・ソース電圧
VGSS
± 20
V
流)
ID
± 85
A
ドレイン電流(パルス)
ID(pulse)
± 17 0
A
10 0 ( Tc = 25 ℃ )
W
40 0
mJ
ドレイン電流(直
※1
PD
許容損失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
EAS
※2
アバランシェ電流
IAS
25
A
チ ャ(単一パルス)
ネ ル 部 温 度
Tch
15 0
℃
保
Tstg
- 55 ~ + 15 0
℃
L 負荷電流遮断時 dv/dt 1
dv/dt 1※2
0. 5
V/ns
ソース・ドレイン間 Di 逆回復時 dv/dt 2
dv/dt 2※3
3
V/ns
ソース・ドレイン間 Di 逆回復時 di/dt
di/dt※3
10 0
A/μs
存
温
度
※1 PW≦100μsec. duty cycle≦1%
※2 VDD=20V, L=1mH, IL=25A, unclamped,R G=50Ω, 図1参照
※3 ISD=25A, 図 2 参照
記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください.
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2011 年 5 月
電気的特性
(Ta=25℃)
規格
項目
記号
条件
MIN
TYP
MAX
単位
V(BR)DSS
ID=100µA,
VGS=0V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 漏 れ 電 流
IGSS
VGS=±15V
± 10
μA
ド
IDSS
VDS=60V,
VGS=0V
10 0
μA
4.0
V
ドレイン・ソース降伏電圧
ゲ
レ
ー
イ
ト
し
ン
き
電
い
値
流
電
VTH
圧
直 流 伝 達 コ ン ダ ク タ ン ス
Re(yfs)
直
RDS(ON)
流
オ
ン
抵
抗
入
力
容
量
Ciss
出
力
容
量
Coss
帰
還
容
量
Crss
間
td(on)
間
tr
オ
ン
立
オ
下
時
上
フ
遅
れ
り
時
降
遅
時
時
れ
時
時
td(off)
間
tf
VSD
VSD
ソース・ドレイン間Di逆回復時間
trr
ID=35A,
VGS=10V
VDS=10V
間
ソース・ドレイン間Di順電圧
VDS=10V,
ID=1mA
VDS=10V,
ID=35A
VGS=0V
f=1MHz
ID=35A
VDD≒20V
RG=22Ω
RGS=50Ω
RL=0.57Ω
VGS=10V
図 3 参照
ISD=50A,
VGS=0V
ISD=25A,
di/dt=50A/µs
60
V
2.0
3.4
30
80
S
5.0
6.0
mΩ
84 0 0
12 0 0
pF
93 0
16 0
17 0
ns
43 0
18 5
0.9
1.5
65
V
ns
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
1.25
℃/W
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗
Rth(ch-a)
62.5
℃/W
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各種代表特性
(Tc=25℃)
ID-VDS characteristics (typical)
ID-VGS characteristics (typical)
100
8V
10V
6V
80
80
60
60
ID (A)
ID (A)
VDS=10V
100
40
Tc = 150℃
25℃
-55℃
40
VGS =5V
20
20
0
0
0.0
0.5
1.0
0
1.5
2
VDS (V)
RDS(ON)-Tc characteristics (typical)
8
VGS=10V
7
6
10
5
8
RDS(ON) (mΩ )
RDS(ON) (mΩ )
6
RDS(ON)-ID characteristics (typical)
ID=35A
VGS=10V
12
4
VGS (V)
6
4
4
3
2
2
1
0
0
-75 -50 -25
0
25
50
0
75 100 125 150
Tc (℃)
40
60
80
100
ID (A)
Re(yfs)-ID characteristics (typical)
VDS-VGS characteristics (typical)
1000
1.0
100
VDS (V)
Re(yf s) (S)
1.5
0.5
20
ID=100A
-55℃
25℃
Tc = 150℃
10
ID=70A
ID=35A
0.0
1
1
10
100
1
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10
ID (A)
VGS (V)
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100
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各種代表特性
(Tc=25℃)
IDR-VSD characteristics (typical)
Capacitance-VDS characteristics
(typical)
VGS=0V
f=1MHz
100000
VGS=0V
100
80
Ciss
IDR (A)
Capacitance (pF)
10000
60
Tc = 150℃
25℃
40
Coss
1000
-55℃
20
Crss
100
0
0
10
20
30
40
0
50
0.2
0.4
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH
10
rth(ch-c) (℃/W)
0.6
0.8
1
VSD (V)
VDS (V)
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
PW (sec)
PD-Ta characteristics (typical)
120
100
With infinite heatsink
PD (W)
80
60
40
20
Without iheatsink
0
0
50
100
150
Ta (℃)
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1
10
1.2
1.4
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図 1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS  VDD
L
dv/dt 1
V(BR)DSS
IL
V DS
ILp
RG
V DD
V GS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図 2 ダイオード逆回復時間 測定方法
ISD
trr
di/dt
VDS
D.U.T
ISD
L
IRM
VDD
VDD
dv/dt 2
RG
V GS
0V
VSD
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図 3 スイッチングタイム 測定方法
90%
RL
VGS
10%
ID
VDS
90%
RG
VGS
VDD
VDS
RGS
10%
0V
td(on)
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
tr
td(off)
ton
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toff
(b) 出力波形
(a) 測定回路
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tf
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2011 年 5 月
外形図
TO-220S
(
(1)
(2)
(3)
(1) ゲート
(2) ドレイン
(3) ソース
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質量
約 1.4g