2sk3711 ds jp

MOSFET
2SK3711
2005 年 12 月
◆パッケージ
◆特長
パッケージ名:TO-3P
●低オン抵抗
●ゲート保護用 Di 内蔵
●アバランシェ エネルギー耐量保証
◆アプリケーション
●車載電動パワーステアリング
●大電流スイッチ
◆内部等価回路図
D(2)
G(1)
S(3)
◆絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧
VDSS
60
V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧
VGSS
±20
V
ID
±70A
A
±140A
A
130 (Tc=25℃)
W
468
mJ
ドレ イン電流 (直
流)
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス )
許
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
チ
ャ
保
ネ
存
ル
温
温
ID(pulse)
※1
PD
EAS
※2
度
Tch
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=1mH,ILp=25A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
サンケン電気株式会社
http://www.sanken-ele.co.jp
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2SK3711
2005 年 12 月
電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
ID=100μA,VGS=0V
TYP
単位
MAX
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
60
V
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±15V
±10
μA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=60V, VGS=0V
100
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
2.0
3.0
4.0
V
直流伝達コンダクタンス
Re(Yfs)
VDS=10V, ID=35A
30
80
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=35A, VGS=10V
入力容量
Ciss
VDS=10V
8000
出力容量
Coss
VGS=0V
1250
帰還容量
Crss
f=1MHz
1000
オン時遅れ時間
td(on)
ID=35A, VDD≒20V
110
立上り時間
tr
RL=0.57Ω, VGS=10V
100
440
5.0
td(off)
Rg=22Ω
下降時間
tf
図2参照
160
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ISD=50A,VGS=0V
0.9
時間
trr
6.0
mΩ
pF
ns
オフ時遅れ時間
ソース・ドレイン Di 逆回復
S
ISD=25A,
di/dt=50A/μs
100
1.5
V
ns
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Characteristic Curves
(Tc=25℃)
2SK3711
RDS(ON)-Tc 特性 代表例
2SK3711
ID-VDS 特性 代表例
12.0
80
Ta=25℃
VGS=10V
ID=35A
VGS=10V
10.0
70
VGS=5.0V
60
8.0
RDS(ON) (mΩ)
VGS=4.5V
ID (A)
50
6.0
40
4.0
30
2.0
20
VGS=4.0V
0.0
-100
10
0
0.0
0.5
1.0
VDS (V)
1.5
-50
0
50
Tc (℃)
100
150
200
2.0
2SK3711
RDS(ON)-ID 特性 代表例
2SK3711
PD-TC 定格
140
7.0
∞ Fin
Ta=25℃
VGS=10V
6.0
120
5.0
RDS(ON) (mΩ)
100
PD (W)
80
4.0
3.0
60
2.0
40
1.0
0.0
20
0
10
20
30
40
ID (A)
50
60
70
80
0
0
50
100
150
Tc (℃)
2SK3711
VDS-VGS 特性 代表例
2SK3711
ID-VGS 特性 代表例
1.0
80
VDS=10V
70
0.8
60
0.6
ID (A)
VDS (V)
50
40
0.4
ID=70A
Tc=-55℃
Tc=25℃
30
Tc=150℃
ID=35A
0.2
20
0.0
10
0
5
10
VGS (V)
15
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VGS (V)
5.0
6.0
7.0
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Characteristic Curves
(Tc=25℃)
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SAFE OPERATING AREA
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capacitance-VDS 特性 代表例
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IDR-VSD 特性 代表例
1000
80
100000
Ta=25℃
VGS=0V
f=1MHz
70
ID(pu lse ) m ax
10000
Ciss
RDS (o n ) LIM IT ED
40
Tc=150℃
ID [A]
capacitance (pF)
50
1 m s ( 1 sh o t )
1 0 m s (1 sh o t )
10
30
Tc=25℃
1000
Coss
Tc=-55℃
1
20
Crss
10
0.1
100
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
VSD (V)
1.0
1.2
0
1.4
10
20
30
40
0.1
50
過渡熱抵抗 θjc
1
10
100
VDS [V]
VDS (V)
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10
1
θj-c (℃/W)
IDR (A)
50 0 μs(1 sh o t )
100
60
0.1
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
PW (sec)
1
10
100
サンケン電気株式会社
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図1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図2 スイッチングタイム 測定方法
RL
VDD≒20V
ID
ID=35A
VDS
RG
RL=0.57Ω
VDD
VGS
VGS=10V
0V
RG=22Ω
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
(a) 測定回路
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
tf
toff
(b) 出力波形
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外形図
(TO3P)
15.6 ±0.3
5.0
MAX
14.0 ±0.3
2.1
MAX
13.6 ±0.2
9.6
3.2
±0.2
φ±0.1
1.7
+0.2
-0.3
15.8 ±0.2
0.6
1.0
+0.2
-0.1
+0.2
-0.1
2
+0.2
-0.1
3
+0.2
-0.1
5.45 ±0.1
(1)
2
+0.2
-0.1
5.45 ±0.1
(2)
(3)
質量 約 6.0g
サンケン電気株式会社
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
サンケン電気株式会社
T01-002JA-051117
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当
社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負い
ません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者
の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避け
られません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、
使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安
全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いし
ます。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)に
は、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよう
にお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
サンケン電気株式会社
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