http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 パッケージ 特長 ・低オン抵抗 ・ゲート保護用 Di 内蔵 ・面実装品 TO252 アプリケーション ・DC/DC コンバータ ・スイッチング 主要スペック ・V(BR)DSS =100V (ID=100uA) ・R DS(ON)=52 mΩ max. (VGS=10V, ID=10A) ・R DS(ON)=59 mΩ max. (VGS=4.5V, ID=10A) 内部等価回路 Ｄ(2) Ｇ(1) Ｓ(3) 絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 ドレイン・ソース電圧 VDSS 100 V ゲート・ソース電圧 VGSS ±20 V ドレイン電流（直流） ID ±20 A 許 PD 40 (Tc= 25℃ ) W 62. 5 mJ 容 損 失 アバランシェエネルギー耐量 （単一パルス） EAS ※1 チ ャ ネ ル 部 温 度 Tch 150 ℃ 保 Tstg -55 ~ +150 ℃ L 負荷電流遮断時 dv/dt 1 dv/dt 1※1 0. 6 V/ns ソース・ドレイン間 Di 逆回復時 dv/dt 2 dv/dt 2※2 5 V/ns 存 温 度 ソース・ドレイン間 Di 逆回復時 di/dt※2 100 di/dt ※1 VDD=14V, L=1mH, IL=11A, unclamped, 図１参照 ※2 ISD=20A, 図 2 参照 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 1 A/μs http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 電気的特性 規格 項目 記号 ドレイン・ソース降伏電圧 V(BR)DSS ゲート・ソース漏れ電流 IGSS VGS=±20V ±10 µA ドレイン・ソース漏れ電流 IDSS VDS=100V, VGS=0V 100 µA ゲートしきい値電圧 VTH VDS=10V, ID=1mA 1.5 2.5 V 直流伝達コンダクタンス Re(yfs) VDS=10V, ID=10A 9. 0 直 流 オ ン 抵 抗 力 容 量 Ciss 出 力 容 量 Coss 帰 還 容 量 Crss 立 上 り 時 間 オ フ 時 遅 れ 時 間 ID=100μA,VGS=0V MIN TYP MAX 100 td(on) tr td(off) 下 降 時 間 tf 総 電 荷 量 Qg 総 電 荷 量 Qgs 総 電 荷 量 Qgd ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧 VSD ソース・ドレイン間Ｄｉ逆回復時間 t rr ソース・ドレイン間Ｄｉ逆回復時間 Qrr チャネル・ケース間熱抵抗 Rth(ch-c) Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 単位 V 2.0 S ID=10A, VGS=10V 41 52 ID=10A, VGS=4.5V 45 59 RDS(ON) 入 オ ン 時 遅 れ 時 間 条件 （Ｔａ＝２５℃） mΩ 2200 VDS =10V VGS =0V f=1MHz 210 pF 110 ID=10A VDD≒50V RG=20Ω RL=5Ω VGS=10V 図 3 参照 40 140 ns 280 340 47 VDD=50V VGS=10V ID=20V 8 nC 7 ISD=20A, VGS=0V ISD=20A, di/dt=100A/μs 0.9 1.2 50 ns 60 nC 3.125 ページ 2 V ℃/W http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 各種代表特性 (Tc=25℃) ID - VGS characteristics (typical) ID - VDS characteristics (typical) VDS=10V 4.5V 20 20 3.5V VGS=10V 3.0V 15 ID (A) ID (A) 15 10 10 Tc=-125℃ 75℃ 5 25℃ 5 0 -30℃ 0 0 0.5 1 1.5 0 1 2 3 5 VGS （V) RDS(ON) - Tc characteristics (typical) RDS(ON) - ID characteristics (typical) ID=10A 100 60 VGS=4.5V 80 40 VGS=4.5V 60 RDS(ON) (mΩ) RDS(ON) (mΩ) 4 VDS （V) 40 10V 20 10V 20 0 0 -75 -50 -25 0 25 50 0 75 100 125 150 Tc (℃) 5 10 15 20 ID (A) Re(yfs) - ID characteristics (typical) VDS - VGS characteristics (typical) VDS=10V 1000 1 100 ID=20A 0.5 Re(yfs) (S) VDS (V) 1.5 10A Tc=-30℃ 25℃ 10 75℃ 125℃ 5A 0 1 0 5 10 15 20 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 1 10 ID （A) VGS (V) ページ 3 100 http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 各種代表特性 (Tc=25℃) Capacitance - VDS characteristics VGS=0V (typical) f=1MHz IDR - VSD characteristics (typical) 10000 20 Ciss 15 IDR (A) Capa (pF) 1000 Coss 100 Tc=125℃ 10 75℃ 25℃ -30℃ 5 Crss 10 0 10 20 30 40 VDS (V) 0 50 0 0.5 1 1.5 VSD （V) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH Single Pulse rth(ch-c) (℃/W) 10 1 0.1 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 PW (sec) SAFE OPARATING AREA PD-Tc characteristics Tc=25℃ Single Pulse 50 100 With infinite heatsink 40 PT=100us 10 PT=1ms ID (A) ＰＤ (W) 30 20 1 10 0.1 0 0 50 100 150 Tc (℃) Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 1 10 100 VDS (V) ページ 4 1000 http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 図 1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法 EAS= (ａ) 測定回路 V(BR)DSS 1 ･L･ILP2・ V(BR)DSS - VDD 2 (b) 出力波形 図 2 ダイオード逆回復時間 測定方法 ISD trr di/dt IRM V GS VDD dv/dt 2 0V VSD (ａ) 測定回路 (b) 出力波形 図 3 スイッチングタイム 測定方法 90% VGS 10% 90% VDS 10% td(on) tr td(off) ton (ａ) 測定回路 Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. toff (b) 出力波形 ページ 5 tf http://www.sanken-ele.co.jp ＤＫＧ１０２０ 2011 年 8 月 外形図 TO252 質量 約 0.33 g Copy Right: SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ページ 6