dkg1020 ds jp

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DKG1020
2011 年 8 月
パッケージ
特長
・低オン抵抗
・ゲート保護用 Di 内蔵
・面実装品
TO252
アプリケーション
・DC/DC コンバータ
・スイッチング
主要スペック
・V(BR)DSS =100V (ID=100uA)
・R DS(ON)=52 mΩ max. (VGS=10V, ID=10A)
・R DS(ON)=59 mΩ max. (VGS=4.5V, ID=10A)
内部等価回路
D(2)
G(1)
S(3)
絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ドレイン・ソース電圧
VDSS
100
V
ゲート・ソース電圧
VGSS
±20
V
ドレイン電流(直流)
ID
±20
A
許
PD
40 (Tc= 25℃ )
W
62. 5
mJ
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
EAS
※1
チ ャ ネ ル 部 温 度
Tch
150
℃
保
Tstg
-55 ~ +150
℃
L 負荷電流遮断時 dv/dt 1
dv/dt 1※1
0. 6
V/ns
ソース・ドレイン間 Di 逆回復時
dv/dt 2
dv/dt 2※2
5
V/ns
存
温
度
ソース・ドレイン間 Di 逆回復時
di/dt※2
100
di/dt
※1 VDD=14V, L=1mH, IL=11A, unclamped, 図1参照
※2 ISD=20A, 図 2 参照
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ページ 1
A/μs
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2011 年 8 月
電気的特性
規格
項目
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±20V
±10
µA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=100V, VGS=0V
100
µA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
1.5
2.5
V
直流伝達コンダクタンス
Re(yfs)
VDS=10V, ID=10A
9. 0
直 流 オ ン 抵 抗
力
容
量
Ciss
出
力
容
量
Coss
帰
還
容
量
Crss
立
上
り
時
間
オ フ 時 遅 れ 時 間
ID=100μA,VGS=0V
MIN
TYP
MAX
100
td(on)
tr
td(off)
下
降
時
間
tf
総
電
荷
量
Qg
総
電
荷
量
Qgs
総
電
荷
量
Qgd
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ソース・ドレイン間Di逆回復時間
t rr
ソース・ドレイン間Di逆回復時間
Qrr
チャネル・ケース間熱抵抗
Rth(ch-c)
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単位
V
2.0
S
ID=10A, VGS=10V
41
52
ID=10A, VGS=4.5V
45
59
RDS(ON)
入
オ ン 時 遅 れ 時 間
条件
(Ta=25℃)
mΩ
2200
VDS =10V
VGS =0V
f=1MHz
210
pF
110
ID=10A
VDD≒50V
RG=20Ω
RL=5Ω
VGS=10V
図 3 参照
40
140
ns
280
340
47
VDD=50V
VGS=10V
ID=20V
8
nC
7
ISD=20A,
VGS=0V
ISD=20A,
di/dt=100A/μs
0.9
1.2
50
ns
60
nC
3.125
ページ 2
V
℃/W
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各種代表特性
(Tc=25℃)
ID - VGS characteristics (typical)
ID - VDS characteristics (typical)
VDS=10V
4.5V
20
20
3.5V
VGS=10V
3.0V
15
ID (A)
ID (A)
15
10
10
Tc=-125℃
75℃
5
25℃
5
0
-30℃
0
0
0.5
1
1.5
0
1
2
3
5
VGS (V)
RDS(ON) - Tc characteristics (typical)
RDS(ON) - ID characteristics (typical)
ID=10A
100
60
VGS=4.5V
80
40
VGS=4.5V
60
RDS(ON) (mΩ)
RDS(ON) (mΩ)
4
VDS (V)
40
10V
20
10V
20
0
0
-75 -50 -25
0
25
50
0
75 100 125 150
Tc (℃)
5
10
15
20
ID (A)
Re(yfs) - ID characteristics (typical)
VDS - VGS characteristics (typical)
VDS=10V
1000
1
100
ID=20A
0.5
Re(yfs) (S)
VDS (V)
1.5
10A
Tc=-30℃
25℃
10
75℃
125℃
5A
0
1
0
5
10
15
20
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1
10
ID (A)
VGS (V)
ページ 3
100
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各種代表特性
(Tc=25℃)
Capacitance - VDS characteristics
VGS=0V
(typical)
f=1MHz
IDR - VSD characteristics (typical)
10000
20
Ciss
15
IDR (A)
Capa (pF)
1000
Coss
100
Tc=125℃
10
75℃
25℃
-30℃
5
Crss
10
0
10
20
30
40
VDS (V)
0
50
0
0.5
1
1.5
VSD (V)
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE - PULSE WIDTH
Single Pulse
rth(ch-c) (℃/W)
10
1
0.1
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
PW (sec)
SAFE OPARATING AREA
PD-Tc characteristics
Tc=25℃
Single Pulse
50
100
With infinite heatsink
40
PT=100us
10
PT=1ms
ID (A)
PD (W)
30
20
1
10
0.1
0
0
50
100
150
Tc (℃)
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1
10
100
VDS (V)
ページ 4
1000
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図 1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
EAS=
(a) 測定回路
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
V(BR)DSS - VDD
2
(b) 出力波形
図 2 ダイオード逆回復時間 測定方法
ISD
trr
di/dt
IRM
V GS
VDD
dv/dt 2
0V
VSD
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図 3 スイッチングタイム 測定方法
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
(a) 測定回路
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toff
(b) 出力波形
ページ 5
tf
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外形図
TO252
質量 約 0.33 g
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