MOS FET EKV550 2006 年 1 月 ◆特長 ◆パッケージ パッケージ名：TO-220 ●低オン抵抗 ●アバランシェ エネルギー耐量保証 ●ゲート静電気保護用ダイオード内蔵 ◆アプリケーション ●ＤＣ－ＤＣ コンバータ ●高速ＳＷ ◆内部等価回路 Ｄ(2) Ｇ(1) Ｓ(3) 絶対最大定格 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 定格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＤＳＳ ５０ Ｖ ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧 ＶＧＳＳ ±２０ Ｖ ＩＤ ±５０Ａ Ａ ±１５０Ａ Ａ ８５ （Ｔｃ＝２５℃） Ｗ １５０ ｍＪ ドレ イン電流 （直 流） ド レ イ ン 電 流 （ パ ル ス ） 許 容 損 失 アバランシェエネルギー耐量 （単一パルス） ア チ 保 バ ャ ラ ン ネ 存 シ ェ ル 温 電 温 ＩＤ（pulse） ※１ ＰＤ ＥＡＳ ※２ 流 ＩＡＳ ５０ Ａ 度 Ｔｃｈ １５０ ℃ 度 Ｔｓｔｇ －５５～１５０ ℃ ※１ ＰＷ≦１００μｓｅｃ．，ｄｕｔｙ ｃｙｃｌｅ≦１％ ※２ ＶＤＤ=２０Ｖ，Ｌ=７２μＨ，ＩＬp=５０Ａ，ｕｎｃｌａｍｐｅｄ，ＲＧ=５０Ω，図１参照 . サンケン電気株式会社 http://sanken-ele.co.jp 1/8 T02-005JA-051226 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 電気的特性 （Ｔａ＝２５℃） 項目 記号 規格 条件 MIN 単位 MAX ドレイン・ソース降伏電圧 Ｖ(BR)ＤＳＳ ゲート・ソース漏れ電流 ＩＧＳＳ VGS=±20V ±１０ μA ドレイン・ソース漏れ電流 ＩＤＳＳ VDS=50V, VGS=0V １００ μA ゲートしきい値電圧 ＶＴＨ VDS=10V, ID=250μA ４．２ V 直流伝達コンダクタンス Ｒｅ（Yfs） VDS=10V, ID=25A 直流オン抵抗 ＲＤＳ（ON） ID=25A, VGS=10V 入力容量 Ｃｉｓｓ 出力容量 Ｃｏｓｓ 帰還容量 Ｃｒｓｓ オン時遅れ時間 ｔｄ（on） 立上り時間 ID=100μA,VGS=0V TYP VDS=10V ｔｒ VGS=0V f=1MHz ５０ V ３．０ １７ S １２ １５ mΩ ２０００ pF １２００ ５００ ３０ ID=25A, VDD≒25V RL=1Ω, VGS=10V ３６０ Rg=10Ω １３０ ns オフ時遅れ時間 ｔｄ（off） 図２参照 下降時間 ｔｆ ソース・ドレイン間Ｄｉ順電圧 ＶＳＤ １２０ ISD=50A,VGS=0V １．０ １．５ V . サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 2/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 各種代表特性 (Tc=25℃) ID-VDS Characteristics (typical) RDS(ON)-ID Characteristics (typical) 150 VGS=10V 9V 12V 14 12 10V 8V RDS(ON) (mΩ) 10 ID (A) 100 8 6 4 7V 2 0 50 0 10 20 30 40 50 ID (A) 6V RDS(ON)-Tc Characteristics (typical) VGS=5 V ID=25A VGS=10V 0 25 0 2 4 6 8 10 VDS (V) RDS(ON) (mΩ) 20 ID-VGS Characteristics (typical) 15 10 5 VDS=10V 50 0 -75 -50 -25 0 25 50 Tc (℃) 75 100 125 150 40 VDS-VGS Characteristics (typical) 30 ID (A) 1.5 Tc=125℃ 20 1 10 VDS (V) 25℃ -55℃ 0.5 ID=50A ID=25A 0 0 2 4 6 VGS (V) 8 10 0 1 10 VGS (V) 100 サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 3/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 各種代表特性 (Tc=25℃) Re(yfs)-ID Characteristics (typical) VDS=10V 100 Capacitance-VDS Characteristics (typical) VDS=10V Tc=-55℃ 10000 25℃ VGS=0V f=1MHz 125℃ Re(yfs) (S) 10 Ciss 0.1 0.1 1 10 ID (A) 100 Capacitance (pF) 1 1000 Coss IDR-VSD Characteristics (typical) Crss 50 100 VGS=10V 0 10 20 40 30 40 50 VDS (V) 30 IDR (A) SAFE OPERATING AREA 1000 20 VGS=5V VGS=0V ID(pulse) MAX. 100 10 PW=1ms PW=10ms 0 0.2 0.4 0.6 VSD (V) 0.8 1 ID (A) 0 1.2 10 RDS(on) LIMITED PD-Ta Characteristics Tc=25℃ 1shot 90 1 無限大放熱板付 80 70 60 ＰＤ (W) 0.1 0.1 50 1 10 100 VDS (V) 40 30 20 10 放熱板無し 0 0 50 100 150 Ta (℃) サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 4/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 図１ アバランシェエネルギー耐量 測定方法 L EAS= V(BR)DSS 1 ･L･ILP2・ 2 V(BR)DSS − VDD V(BR)DSS IL VDS ILp RG VDS VDD VGS IL VDD 0V （ａ） 測定回路 (b) 出力波形 図２ スイッチングタイム 測定方法 RL VDD≒25V ID=25A RL=1Ω VGS=10V RG=10Ω ID VDS RG VDD VGS 0V P.W.=10μs Duty cycle≦1% （ａ） 測定回路 90% VGS 10% 90% VDS 10% td(on) tr td(off) ton tf toff （ｂ） 出力波形 サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 5/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 外形図 TO-220 質量 (1) (2) 約 2.1g (1) ゲート (3) (2) ドレイン (3) ソース サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 6/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 お問い合わせ先 ●東京事務所 〒１７１－００２１ 東京都豊島区西池袋１－１１－１(メトロポリタンプラザビル) TEL：０３－３９８６－６１６６ ●大阪支店 〒５３０－００５７ 大阪市北区曽根崎２－１２－７(梅田第一ビル) TEL：０６－６３１２－８７１６ ●名古屋営業所 〒４５０－０００２ 名古屋市中村区名駅４－２６－２２(名駅ビル) TEL：０５２－５８１－２７６７ ●九州営業所 〒８１２－００１１ 福岡市博多区博多駅前２－２－１(福岡センタービル) TEL：０９２－４１１－５８７１ サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 7/8 MOS FET EKV550 2006 年 1 月 ご注意 ・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、 最新の情報であることをご確認ください。 ・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する 当社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を 負いません。 ・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用 者の責任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避 けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 ・本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など） に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種 安全装置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願 いします。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など） には、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 ・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 ・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 ・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を 有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよ うにお願いします。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 T02-005JA-051226 8/8