ekv550 ds jp

MOS FET
EKV550
2006 年 1 月
◆特長
◆パッケージ
パッケージ名:TO-220
●低オン抵抗
●アバランシェ エネルギー耐量保証
●ゲート静電気保護用ダイオード内蔵
◆アプリケーション
●DC-DC コンバータ
●高速SW
◆内部等価回路
D(2)
G(1)
S(3)
絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧
VDSS
50
V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧
VGSS
±20
V
ID
±50A
A
±150A
A
85 (Tc=25℃)
W
150
mJ
ドレ イン電流 (直
流)
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス )
許
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
ア
チ
保
バ
ャ
ラ
ン
ネ
存
シ
ェ
ル
温
電
温
ID(pulse)
※1
PD
EAS
※2
流
IAS
50
A
度
Tch
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=72μH,ILp=50A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
サンケン電気株式会社
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電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
単位
MAX
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±20V
±10
μA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=50V, VGS=0V
100
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=250μA
4.2
V
直流伝達コンダクタンス
Re(Yfs)
VDS=10V, ID=25A
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=25A, VGS=10V
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
オン時遅れ時間
td(on)
立上り時間
ID=100μA,VGS=0V
TYP
VDS=10V
tr
VGS=0V
f=1MHz
50
V
3.0
17
S
12
15
mΩ
2000
pF
1200
500
30
ID=25A, VDD≒25V
RL=1Ω, VGS=10V
360
Rg=10Ω
130
ns
オフ時遅れ時間
td(off)
図2参照
下降時間
tf
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
120
ISD=50A,VGS=0V
1.0
1.5
V
.
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各種代表特性
(Tc=25℃)
ID-VDS Characteristics (typical)
RDS(ON)-ID Characteristics (typical)
150
VGS=10V
9V
12V
14
12
10V
8V
RDS(ON) (mΩ)
10
ID (A)
100
8
6
4
7V
2
0
50
0
10
20
30
40
50
ID (A)
6V
RDS(ON)-Tc Characteristics (typical)
VGS=5
V
ID=25A
VGS=10V
0
25
0
2
4
6
8
10
VDS (V)
RDS(ON) (mΩ)
20
ID-VGS Characteristics (typical)
15
10
5
VDS=10V
50
0
-75
-50
-25
0
25
50
Tc (℃)
75
100
125
150
40
VDS-VGS Characteristics (typical)
30
ID (A)
1.5
Tc=125℃
20
1
10
VDS (V)
25℃
-55℃
0.5
ID=50A
ID=25A
0
0
2
4
6
VGS (V)
8
10
0
1
10
VGS (V)
100
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各種代表特性
(Tc=25℃)
Re(yfs)-ID Characteristics (typical)
VDS=10V
100
Capacitance-VDS Characteristics (typical)
VDS=10V
Tc=-55℃
10000
25℃
VGS=0V
f=1MHz
125℃
Re(yfs) (S)
10
Ciss
0.1
0.1
1
10
ID (A)
100
Capacitance (pF)
1
1000
Coss
IDR-VSD Characteristics (typical)
Crss
50
100
VGS=10V
0
10
20
40
30
40
50
VDS (V)
30
IDR (A)
SAFE OPERATING AREA
1000
20
VGS=5V
VGS=0V
ID(pulse) MAX.
100
10
PW=1ms
PW=10ms
0
0.2
0.4
0.6
VSD (V)
0.8
1
ID (A)
0
1.2
10
RDS(on) LIMITED
PD-Ta Characteristics
Tc=25℃
1shot
90
1
無限大放熱板付
80
70
60
PD (W)
0.1
0.1
50
1
10
100
VDS (V)
40
30
20
10
放熱板無し
0
0
50
100
150
Ta (℃)
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図1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図2 スイッチングタイム 測定方法
RL
VDD≒25V
ID=25A
RL=1Ω
VGS=10V
RG=10Ω
ID
VDS
RG
VDD
VGS
0V
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
(a) 測定回路
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
tf
toff
(b) 出力波形
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外形図
TO-220
質量
(1)
(2)
約 2.1g
(1) ゲート
(3)
(2) ドレイン
(3) ソース
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
サンケン電気株式会社
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する
当社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を
負いません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用
者の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避
けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない
よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種
安全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願
いします。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)
には、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよ
うにお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
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