fkp253 ds jp

MOS FET
FKP253
2007 年 6 月
◆特長
◆パッケージ
パッケージ名:FM20 (TO220 Full Mold)
●低オン抵抗
●低入力容量
●アバランシェ エネルギー耐量保証
◆アプリケーション
●PDP パネルドライブ
●高速SW
◆内部等価回路
D(2)
G(1)
S(3)
◆絶対最大定格
(Ta=25℃)
項目
記号
定格
単位
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 電 圧
VDSS
250
V
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 電 圧
VGSS
±30
V
ID
±20A
A
±80A
A
40 (Tc=25℃)
W
160
mJ
ドレ イン電流 (直
流)
ド レ イ ン 電 流 ( パ ル ス )
許
容
損
失
アバランシェエネルギー耐量
(単一パルス)
ア
チ
保
バ
ャ
ラ
ン
ネ
存
シ
ェ
ル
温
電
温
ID(pulse)
※1
PD
EAS
※2
流
IAS
20
A
度
Tch
150
℃
度
Tstg
-55~150
℃
※1 PW≦100μsec.,duty cycle≦1%
※2 VDD=20V,L=740μH,ILp=20A,unclamped,RG=50Ω,図1参照
.
サンケン電気株式会社
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FKP253
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電気的特性
(Ta=25℃)
項目
記号
規格
条件
MIN
単位
MAX
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS
ゲート・ソース漏れ電流
IGSS
VGS=±30V
±100
nA
ドレイン・ソース漏れ電流
IDSS
VDS=250V, VGS=0V
100
μA
ゲートしきい値電圧
VTH
VDS=10V, ID=1mA
3.0
4.5
V
直流伝達コンダクタンス
Re(Yfs)
VDS=10V, ID=10A
8
直流オン抵抗
RDS(ON)
ID=10A, VGS=10V
入力容量
Ciss
出力容量
Coss
帰還容量
Crss
オン時遅れ時間
td(on)
立上り時間
ID=100μA,VGS=0V
TYP
VDS=25V
tr
VGS=0V
f=1MHz
250
V
17
86
S
95
mΩ
1600
pF
280
50
30
ID=10A, VDD≒120V
RL=12Ω, VGS=10V
60
ns
Rg=5Ω
オフ時遅れ時間
td(off)
下降時間
tf
ソース・ドレイン間Di順電圧
VSD
ISD=20A,VGS=0V
1.0
ソース・ドレイン間Di
逆回復時間
trr
ISD=20A,VGS=0V
Di/dt=100A/μs
140
80
図2参照
45
1.5
V
ns
.
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各種代表特性
(Tc=25℃)
ID-VG S C ha r a ct er ist ics (t y pica l)
ID- VDS C h a r a c t er ist ic s (t y pica l)
VDS=10V
VGS=10V
20
20
6.5V
ID (A)
ID (A)
6.0V
10
5.5V
10
125℃
25℃
5.0V
Tc=-55℃
0
0
2
4
6
8
0
10
0
VDS (V)
2
4
6
8
10
VGS (V)
VDS -VG S C ha r a ct er ist ics (t y pica l)
RDS (ON)-ID C ha r a ct er ist ics (t y p ica l)
VGS=10V
0.12
4
0.10
3
VDS (V)
0.06
2
ID=20A
0.04
1
10A
0.02
0
0.00
0
10
ID (A)
1
20
10
VGS (V)
R DS (ON)- Tc C ha r a ct er ist ics (t y p ic a l)
100
ID=10A
VGS=10V
0.25
0.20
RDS(ON) (Ω)
RDS(ON) (Ω)
0.08
0.15
0.10
0.05
0.00
-100
-50
0
50
100
150
Tc (℃)
.
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各種代表特性
(Tc=25℃)
C a p a cit a nce-VDS C ha r a ct er ist ics (t y pica l)
R e( y fs)-ID C ha r a c t er ist ics (t y pica l)
VDS=10V
f=1MHz
VGS=0V
10000
100
Ciss
10
1000
Capacitance (pF)
Re( y fs) (S)
Tc=-55℃
25℃
1
125℃
0.1
Coss
100
Crss
0.01
0.01
0.1
1
ID (A)
10
100
10
0
IDR -VS D C ha r a ct er ist ics (t y pica l)
10
20
30
40
50
VDS (V)
20
SAFE OPERATING AREA
ID(pulse) max
100
IDR (A)
ID max
100μs(1shot)
10
10
VGS=10V
RDS(on) LIMITED
1
ID [A]
0V
1ms (1shot)
0.1
0
0
0.5
1
1.5
Tc=25℃
VSD (V)
0.01
DC OPERATION
P D-Ta C ha r a ct er ist ics
0.001
50
0.1
1
10
VDS [V]
100
1000
40
With infinite heatsink
PD (W)
30
20
10
Without heatsink
0
0
50
100
150
Ta (℃)
.
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図1 アバランシェエネルギー耐量 測定方法
L
EAS=
V(BR)DSS
1
・L・ILP2・
2
V(BR)DSS − VDD
V(BR)DSS
IL
VDS
ILp
RG
VDS
VDD
VGS
IL
VDD
0V
(a) 測定回路
(b) 出力波形
図2 スイッチングタイム 測定方法
RL
VDD≒120V
ID=10A
RL=12Ω
VGS=10V
RG=5Ω
ID
VDS
RG
VDD
VGS
0V
P.W.=10μs
Duty cycle≦1%
(a) 測定回路
90%
VGS
10%
90%
VDS
10%
td(on)
tr
td(off)
ton
tf
toff
(b) 出力波形
.
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外形図
FM20 (TO220 Full Mold)
(1)
(2)
(3)
(1) ゲート
(2) ドレイン
(3) ソース
質量
約2g
.
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お問い合わせ先
●東京事務所
〒171-0021 東京都豊島区西池袋1-11-1(メトロポリタンプラザビル)
TEL:03-3986-6166
●大阪支店
〒530-0057 大阪市北区曽根崎2-12-7(梅田第一ビル)
TEL:06-6312-8716
●名古屋営業所
〒450-0002 名古屋市中村区名駅4-26-22(名駅ビル)
TEL:052-581-2767
●九州営業所
〒812-0011 福岡市博多区博多駅前2-2-1(福岡センタービル)
TEL:092-411-5871
.
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ご注意
・本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、
最新の情報であることをご確認ください。
・本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する
当社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を
負いません。
・本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用
者の責任に於いて検討・判断を行ってください。
当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避
けられません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させない
よう、使用者の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。
・本資料に記載されている製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)
に使用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。
高い信頼性が要求される装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種
安全装置など)への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願
いします。
極めて高い信頼性が要求される装置(航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など)
には、当社の文書による合意がない限り使用しないでください。
・本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。
・本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。
・ 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を
有する者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないよ
うにお願いします。
尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。
.
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