fkv660s ds jp

絶対最大定格
電気的特性
ID=25A
VDD=12V
RL=0.48Ω
VGS=10V
ISD=50A, VGS=0V
VGS = 3.5V
1
0
2
4
6
8
10
0.001
12
Ta=150℃
100℃
50℃
25℃
0℃
−55℃
0
2
1
■ R DS(ON)― I D 特性
3
4
(1.4)
+0.2
+0.3
(単位:mm)
■Re(yfs)― ID 特性
ID = 60A
0.010
VGS = 10V
1
10
100
0.020
VGS = 4V
0.015
VGS = 10V
0.010
200
0
50
ID(A)
10
15
100
TC(℃)
Ta = 25℃
VGS = 0V
(Ta= 25℃)
500
ID(pulse)max
100
140
ED
IT
IM
ID(A)
IDR(A)
120
100
80
10
R
(
DS
O
L
N)
PT
PT
=1
m
s
0m
s
=1
60
1
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
VSD(V)
120
0.1
0.1
1
10
VDS(V)
10
(Ta= 25℃)
VGS = 0V
f = 1MHz
Ciss
1000
Coss
150
Crss
100
■ ASO 曲線(単発パルス)
160
1
ID(A)
10
20
30
VDS(V)
180
1
20
10000
0
■ I DR ― VSD特性
10
■Capacitance ―VDS 特性
(ID = 25A)
0
−60 −50
100
VGS(V)
0.005
0.005
−55℃
25℃
150℃
10A
5
0
Capacitance(pF)
RDS(ON)
(Ω)
VGS = 4V
(VDS = 10V)
1000
25A
0.025
0.025
0.015
2.54±0.5
イ:品名 ロ:ロット番号
0.6
0
6
100
0.4±0.1
0.86 −0.1
2.54±0.5
0.2
5
+0.2
0.1−0.1
1.2±0.2
0.4
0.030
0.020
φ1.6
ロ
1.27±0.2
0.8
■ R DS(ON)―TC 特性
(Ta= 25℃)
0.030
イ
(Ta= 25℃)
VGS(V)
VDS(V)
0
1.5
1.3±0.2
1.0
0.01
20
14
4.44±0.2
10.2±0.3
1.2
0.1
40
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
1.4
VDS(V)
80
μA
■ VDS ―VGS 特性(代表例)
(VDS = 10V)
10
ID(A)
ID(A)
11
2500
900
150
50
400
400
300
1.0
100
4V
V
+10
−5
100
2.5
1.0
20
4.5V
100
60
RDS(ON)
(Ω)
60
VDS=10V
f=1.0MHz
VGS=0V
1000
120
0
ID=100μA, VGS=0V
VGS=+20V
VGS=−10V
VDS=60V, VGS=0V
VDS=10V, ID=250μA
VDS=10V, ID=25A
VGS=10V, ID=25A
Re(yfs)
(S)
10V
6V
140
V(BR)DSS
■ ID―VGS 特性
(Ta= 25℃)
180
160
試 験 条 件
IDSS
VTH
Re(yfs)
RDS(ON)
Ciss
Coss
Crss
t d(on)
tr
t d(off)
tf
VSD
※: PW≦100μs, duty≦1%
■ID―VDS 特性
記 号
IGSS
外形図 TO220S
(Ta=25℃)
規 格 値
単位
min
typ
max
10.0 −0.5
(Ta=25℃)
単位
V
V
A
A
W
°C
°C
+0.3
規 格 値
60
+20, −10
±60
±180
60(Tc=25°C)
150
−40∼+150
3.0−0.5
記 号
VDSS
VGSS
ID
ID(pulse)※
PD
Tch
Tstg
(1.5)
FKV660S
8.6±0.3
MOS FET
40
50
100 200