低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ◆概要 ◆パッケージ 本製品は、パワーMOSFET と制御 IC を内蔵した擬 似共振型スイッチング電源用パワーIC です。 定常動作時は、擬似共振動作、1 ボトムスキップ擬 似共振動作と 2 ボトムスキップ疑似共振動作、軽負 荷時はバースト発振動作へ自動的に切換わり、低ス タンバイ電力対応が実現できます。 低背、高圧―低圧間沿面距離 6.5mm 以上（基板上 リード端子部）のパッケージを使用しています。 外付け部品が少なく、コストパフォーマンスの高い 電源システムが容易に構成できます。 ◆アプリケーション パッケージ名：SIP10L(STA10L) ◆主要スペック 主要スペック 白物家電 プリンタなどの OA 機器 BD/DVD レコーダ、FPD TV などのデジタル家電 産業機器 通信機 などの各種電子機器用スイッチング電源 MOSFET 850V, 6.5Ω(MAX) ◆特長 SIP10L パッケージ（弊社呼称 STA10L、2.54 ピッチ） 高圧―低圧間沿面距離 6.5mm 以上（基板上リード端 子部） 基板上からの高さ 12mm 以下 マルチ動作モード 負荷状態に合った 4 段階の動作モード切換えにより、 全負荷領域に渡り、高効率・低ノイズとなる最適な電源 動作を実現 モード切換えディレイ時間の調整が可能 電流モード制御方式 起動回路内蔵により低消費電力化 スタンバイ時、オートバースト発振動作により低消費 無負荷時、入力電力 PIN ≤ 0.1W スタンバイ入力補正 AC 入力補正機能付き過電流保護 ソフトスタート機能搭載 最大 ON 時間制限回路内蔵 リーディング・エッジ・ブランキング機能内蔵 2 チップ構造による、アバランシェエネルギ耐量保証 （サージ吸収回路の簡素化が可能） 保護機能 入力補正機能付き過電流保護（OCP） ------------AC 入力電圧の依存性が少ない 過電流保護、パルス・バイ・パルス 過負荷保護（OLP）------ラッチオフ * 過電圧保護（OVP） -----ラッチオフ * 過熱保護（TSD） ---------ラッチオフ * *ラッチオフ･･･ラッチオフは、発振停止を継続して 保護を行う動作 応用回路例 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp 1/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 １ 適用範囲 この規格は、スイッチングレギュレータ用ハイブリッド IC STR-L6472 について適用する。 ２ 概要 種 別 ハイブリッド IC 構 造 樹脂封止型（トランスファーモールド） 途 スイッチングレギュレータ 主 用 ３ 絶対最大定格 ） 絶対最大定格（ 定格（Ta=25°C） 項 目 端子 記号 規格値 単位 備考 ドレイン電流 1−5 IDpeak※1 4.2 A シングルパルス 最大スイッチング電流 1−5 IDMAX※2 4.2 A Ta=−30～+125℃ アバランシェエネルギ耐量 1 − 5 EAS 40 mJ 制御部電源電圧 6−5 VCC 32 V 起動回路端子電圧 1 − 5 VSTARTUP −1.0～VDSS V ADJ 端子流入電流 10 − 5 IADJ※ 3 3.0 mA FB 端子流入電流 7 − 5 IFB※ 3 8.0 mA BD 端子流入電流 8 − 5 IBDIN※3 2.0 mA BD 端子流出電流 8 − 5 IBDOUT※3 −2.0 mA OCP 端子電圧 9 − 5 VOCP −1.5～+2.0 V MOS FET 部許容損失 PD1※4 14.7 W 無限大放熱器にて 1−5 2.0 W 放熱器無し シングルパルス 制御部許容損失(MIC) ― PD2 0.8 W 動作時内部フレーム温度 ― TF −30～+125 °C 動作周囲温度 ― Top −30～+125 °C 保存温度 ― Tstg −40～+125 °C チャネル温度 ― Tch +150 °C ※1 ※2 ※3 ※4 VDD=99V, L=20mH ILpeak=1.9A 推奨動作温度参照 MOS FET A.S.O.曲線参照 最大スイッチング電流について 最大スイッチング電流とは IC 内部のドライブ電圧と MOS FET の Vth により決定するドレイン電流です。 電流の規定は IC を基準として、シンクが＋、ソースが－とします。 MOS FET Ta-PD1 曲線参照 サンケン電気株式会社 2/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ４ 電気的特性 4.1 制御部電気的特性（特記なき場合の条件 Ta=25°C, VCC=20V） MIN 規格値 TYP MAX VCC(ON) 14.4 16.2 18.4 V 6 − 5 VCC(OFF) 9.0 10.0 11.3 V 動作時回路電流 6 − 5 ICC(ON) ― 3.5 5.5 mA 非動作時回路電流 6 − 5 ICC(OFF) ― 10 50 µA 起動回路動作電圧 1 − 5 VSTART(ON) 55 82 100 V 起動電流 6 − 5 ICC(STARTUP) −2.4 −1.4 −0.5 mA OLP 動作後起動電流 6 − 5 ICC(STARTOLP) −1.10 −0.50 −0.15 mA 発振周波数 1 − 5 fOSC 17.5 21.0 25.0 kHz ソフトスタート動作停止電圧 10 − 5 VADJ(SS) 2.0 2.3 2.6 V ソフトスタート動作充電電流 10 − 5 IADJ(SS) −148 −110 −71 µA パワーオフしきい値電圧 10 − 5 VADJ(OFF) 8.2 9.4 10.8 V ボトムスキップ動作しきい値電圧１ 9 − 5 VOCP(BS1) −0.720 −0.668 −0.605 V ボトムスキップ動作しきい値電圧２ 9 − 5 VOCP(BS2) −0.485 −0.435 −0.381 V ボトムスキップ動作しきい値電圧３ 9 − 5 VOCP(BS3) −0.205 −0.145 −0.085 V ボトムスキップ開始電圧 10 − 5 VADJ(BS) 3.8 4.3 4.8 V ボトムスキップ検出バイアス電流 10 − 5 IADJ(BS) −27 −20 −13 µA BD 端子上限クランプ電圧 8 − 5 VBD(HC) ― 6.3 ― V BD 端子下限クランプ電圧 8 − 5 VBD(LC) ― −0.075 ― V 擬似共振動作しきい値電圧 1 8 − 5 VBD(TH1) 0.12 0.31 0.60 V 擬似共振動作しきい値電圧 2 8 − 5 VBD(TH2) 0.01 0.15 0.32 V 最大フィードバック電流 7 − 5 IFB(MAX) −315 −225 −135 µA スタンバイ状態検出電圧 7 − 5 VFB(STBIN) 1.40 1.63 1.85 V スタンバイ状態開始電圧 10 – 5 VADJ(STB) 5.7 6.2 6.8 V スタンバイ動作しきい値電圧 7 − 5 VFB(STBOP) 0.80 1.00 1.25 V 最小 ON 時間(定常時) 1 − 5 tONL(MIN) 0.98 1.62 2.19 µs 最小 ON 時間(入力補正時) 1 − 5 tONH(MIN) 0.54 0.98 1.40 µs 項 目 端 子 記号 動作開始電源電圧 6 − 5 動作停止電源電圧 単位 電源起動動作 通常動作 スタンバイ動作 スタンバイ動作 サンケン電気株式会社 3/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 MIN 規格値 TYP MAX tON(MAX) 31 36 41 µs 1 − 5 tON(LEB) ― 354 ― ns 過電流検出しきい値電圧(定常時) 9 − 5 VOCP(H) −0.975 −0.930 −0.875 V 過電流検出しきい値電圧(入力補正時) 9 − 5 VOCP(L) −0.904 −0.780 −0.656 V OCP 端子流出電流 9 − 5 IOCP(O) −260 −130 −40 µA 入力補正検出しきい値電流 1 8 − 5 IBD(TH1) −575 −500 −425 µA 入力補正検出しきい値電流 2 8 − 5 IBD(TH2) −565 −450 −375 µA OLP バイアス電流 7 − 5 IFB(OLP) −27 −20 −13 µA OLP オートリスタートしきい値電圧 7 − 5 VFB(OLPAUTO) 6.3 6.7 7.3 V OLP ラッチオフバイアス電流 7 − 5 IFB(OLPLa.OFF) −1.5 −1.0 −0.5 mA OLP ラッチオフしきい値電圧 7 − 5 VFB(OLPLa.OFF) 8.6 9.6 10.2 V OVP 動作電源電圧 6 − 5 VCC(OVP) 26.0 28.5 31.0 V 6 − 5 VCC(La.OFF) 6.2 7.5 8.9 V 7 − 5 VFB(MAX) 4.90 5.45 6.00 V ― Tj(TSD) 135 ― ― °C 項 目 端 子 記号 最大 ON 時間 1 − 5 リーディングエッジブランキング時間 単位 保護動作 ラッチ回路解除電源電圧 ※5 フィードバック制御時最大電圧 熱保護動作温度 ※5 ラッチ回路とは、OVP, OLP, TSD により動作する回路を示します。 ※電流の規定は IC を基準として、シンクが＋、ソースが－とします。 4.2 MOSFET 部電気的特性（Ta=25°C） VDSS MIN 850 規格値 TYP ― MAX ― 1 − 5 IDSS ― ― 300 µA ON 抵抗 1 − 5 RDS(ON) ― ― 6.5 Ω スイッチング・タイム 1 − 5 tf ― ― 200 ns ― θch-F ― 2.4 3.1 項 端子 記号 ドレイン･ソース間電圧 1 − 5 ドレイン漏れ電流 熱 抵 抗 目 サンケン電気株式会社 4/11 単位 備考 V °C/W ﾁｬﾈﾙ－内部ﾌﾚｰﾑ間 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 STR-L6472 A.S.O.温度ディレーティング係数曲線 A.S.O. temperature derating coefficient curve STR-L6472 MOS FET A.S.O. 曲線 Ta=25℃ ｼﾝｸﾞﾙﾊﾟﾙｽ Single puｌse curve 10 A.S.O.温度ディレーティング係数[%] A.S.O. temperature derating coefficient 100 0.1ms ドレイン電流 I D〔Ａ〕 Drain Current 80 60 40 オン 抵抗によ る 1 ドレイ ン 電流限界 Drain current limt by ON resistance 1 ms 0.1 20 ご使用に際して左図よ り温度ディレーティン グ係数を 求め、 ASOの温度ディレーティン グを 行って下さい。 ASO temperature derating shall be made by obtaining ASO Coeffcient from the left curve in your use. 0 0 25 50 75 0.01 100 125 150 10 100 ドレイン・ソース間電圧 Drain-to-Source Voltage 内部フレーム温度 TF [℃] Internal frame temperature STR-L6472 M OSFET Ta-P D1 曲線 STR-L6472 アバランシェ・エネルギ耐量 ディレーティング曲線 Avalanche energy derating curve curve 20 無限大放熱器付き With infinite heat sink 15 14.7 許容損失 PD1 〔Ｗ〕 Power dissipation EAS温度ディレーティング係数[%] EAS temperature derating coefficient 100 10 放熱器なし Without heat sink 5 80 60 40 20 2.0 0 0 25 0 25 50 75 100 125 150 50 75 100 125 チャネル温度Tch [℃] Channel temperature 周囲温度 Ta 〔℃〕 Ambient temperature サンケン電気株式会社 5/11 150 1000 VDS〔V〕 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 STR-L6472 過渡熱抵抗曲線 STR-L6472 Transient thermal resistance curve 過渡熱抵抗θ ｃｈ-Ｃ [℃/W] Transient thermal resistance 10 1 0.1 0.01 0.001 0.000001 0.00001 0.0001 0.001 時間 ｔ [s] Time サンケン電気株式会社 6/11 0.01 0.1 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ５ ブロックダイアグラム（ ブロックダイアグラム（ピン配置 ピン配置） 配置） 各端子機能 端子番号 端子記号 名 称 機 能 1～3 D/Startup ドレイン端子／起動回路入力 MOSFET ドレイン及び起動回路入力 5 S/GND ソース／グランド端子 MOSFET ソース及びグランド 6 VCC 電源端子 制御回路電源入力 7 FB フィードバック端子 定電圧制御信号入力／スタンバイ 制御／過負荷検出信号入力 8 BD ボトム検出／入力補正検出端子 ボトム検出信号／入力補正検出信号入力 9 OCP 過電流保護入力端子 10 ADJ アジャスト端子 サンケン電気株式会社 7/11 過電流検出信号／ ボトムスキップ検出信号入力 ソフトスタート動作／ボトムスキップの 遅延時間設定／リモートON/OFF信号入力 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ６ 応用回路例 サンケン電気株式会社 8/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ７ 外形 7.1 外形、寸法および材質 ・SIP10L（弊社呼称 STA10L）パッケージ ・下図リードフォーミングは、No.LF 437 a.品名標示 STR L6472 b.ロット番号 第 1 文字 西暦年号下一桁 第 2 文字 月 1～9 月 ：アラビア数字 10 月 ：O 11 月 ：N 12 月 ：D 第 3,4 文字 製造日 01～31 アラビア数字 端子材質：Cu 端子の処理：Ni メッキ＋半田ディップ 製品重量：約 2.8g 注記 ―‐‐―部は高さ 0.3 max のゲートバリ発生箇所を示す。 単位：mm 7.2 外観 本体は、汚れ、傷、亀裂等なく綺麗であること。 7.3 標示 表示は本体に品名及びロット番号を明瞭かつ容易に消えぬよう白インクで捺印すること。 サンケン電気株式会社 9/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 ８ 使用上の 使用上の注意 保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となりますので、注意事項に留意されま すようお願いいたします。 8.1 保管上の注意事項 保管環境は、常温(5～35℃)、常湿（40～75％）中が望ましく、高温多湿や温湿度変化の大きな場所を避け てください。 腐食性ガス等の有毒ガスが発生しない塵埃の少ない場所で直射日光を避けてください。 長期保管したものは、使用前に半田付け性やリードの錆等について再点検してください。 8.2 特性検査、取り扱い上の注意事項 受入検査等で特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続等に十分ご 注意ください｡また定格以上の測定は避けてください。 8.3 放熱用シリコーングリースをご使用の際の注意 本製品を放熱板に取付けシリコーングリースをご使用する際は、均一に薄く塗布してください。必要以上に 塗布することは、無理な応力を加えることになります。 揮発性の放熱用シリコーングリースは長時間経過しますとヒビ割れが生じ、放熱効果を悪化させます。稠度 の小さい（固い）放熱用シリコーングリースは、ビス止め時にモールド樹脂クラックの原因となります。 弊社では、寿命に影響を与えない下記の放熱用シリコーングリースを推奨しております。 品名 メーカー名 G746 信越化学工業（株） YG6260 ﾓﾒﾝﾃｨﾌﾞ･ﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ･ﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ合同会社 SC102 東レ･ダウコーニング（株） 8.4 推奨動作温度 動作時内部フレーム温度 TF=115 [℃] MAX 8.5 半田付け方法 半田付けの際は、下記条件以内でできるだけ短時間に作業をするよう、ご配慮ください。 ・260±5℃ 10sec. ・350±5℃ 3sec. （半田ごて） 半田付けは製品本体より 1.5mm のところまでとします。 8.6 静電気破壊防止のための取扱注意 デバイスを取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップ等を用い、感電 防止のため、1MΩの抵抗を人体に近い所へ入れてください。 デバイスを取り扱う作業台は導電性のテーブルマットやフロアマット等を敷きアースを取ってください｡ カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください｡ 半田付けをする場合、半田ごてやディップ槽のリーク電圧がデバイスに印加されるのを防ぐため、半田ごて の先やディップ槽をアースしてください。 デバイスを入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔等で、静電対策をしてくだ さい。 8.7 その他 本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新 の情報であることをご確認ください。 本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当社も しくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負いません。 本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者の責 任に於いて検討・判断を行ってください。 サンケン電気株式会社 10/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 6.5mm 以上(リード 以上 リード端子部 全負荷領域高効率、 リード端子部)、 端子部 、全負荷領域高効率、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、擬似共振型スイッチング 擬似共振型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-L6472 2010 年 2 月 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられ ません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、使用者 の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など）に使 用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安全装 置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いします。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）には、 当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を有する 者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないようにお願いし ます。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 11/11