低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ◆概要 ◆パッケージ 本製品は、パワーMOSFET と電流モード型 PRC*制 御 IC を１パッケージに内蔵した、PRC*型スイッチ ング電源用パワーIC です。 * PRC（Pulse Ratio Control）･･･OFF 時間固定、 ON 時間制御の制御方式（弊社呼称） 低背、高圧―低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上リー ド端子部)のパッケージを使用しています。 制御部は、起動回路とスタンバイ機能を内蔵してお り、低消費電力、低スタンバイ電力対応が実現でき、 また。充実した保護機能により構成部品の少ない、 コストパフォーマンスの高い電源システムが容易に 構成できます。 パッケージ名：SIP8L（STA8L） ◆アプリケーション ◆主要スペック 主要スペック スタンバイ電源用 白物家電用 デジタル家電用 OA 機器用 産業機器用 通信機器用 などの各種電子機器用スイッチング電源 MOSFET tOFF（固定） 650V(MIN), 2.8Ω(MAX) 8µs(TYP) ◆特長 SIP8L パッケージ（弊社呼称 STA8L、2.54 ピッチ） 高圧－低圧間沿面距離 4mm 以上（基板上リード端 子部） 基板からの高さ 12mm 以下 電流モード型 PRC 制御 オートスタンバイ機能内蔵 （無負荷時入力電力 PIN < 40mW、低消費電力対応） 起動回路内蔵（待機時の消費電力低減と、外付け部 品削減が可能） オートバイアス機能内蔵（バースト発振動作時の動 作安定化） リーディング・エッジ・ブランキング機能内蔵 2 チップ構造による、アバランシェ・エネルギー耐量 保証（サージ吸収回路の簡素化が可能） 保護機能 過電流保護（OCP） -------パルス・バイ・パルス 過負荷保護（OLP） -------過負荷時の発熱軽減、 自動復帰 過電圧保護（OVP） -------ラッチオフ * 過熱保護（TSD） ----------ラッチオフ * *ラッチオフ･･･ラッチオフは、発振停止を継続して 保護を行う動作 応用回路例 1 8 D Startup STR-V100 S/OCP Vcc GND FB/OLP 3 4 5 6 サンケン電気株式会社 http://www.sanken-ele.co.jp 1/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 １ 適用範囲 この規格は、スイッチングレギュレータ用ハイブリッド IC STR-V152 について適用する。 ２ 概要 種 別 ハイブリッド IC 構 造 樹脂封止型（トランスファーモールド） 途 スイッチングレギュレータ 主 用 ３ 絶対最大定格（ ℃） 絶対最大定格（Ta=25℃ 項 目 端 子 記 号 規格値 単位 備 考 ドレイン電流 1−3 IDpeak※1 4.0 A シングルパルス 最大スイッチング電流 1−3 IDMAX 4.0 A V3-5=1.33V Ta=-20～+125℃ アバランシェエネルギ耐量 1−3 EAS※2 90 mJ Source/OCP 端子電圧 3−5 VOCP −0.5～6 V 制御部電源電圧 4−5 VCC 35 V FB /OLP 端子電圧 6−5 VFB/OLP −0.5～10 V 起動端子電圧 8−5 VSTARTUP 600 V MOSFET 部許容損失 1−3 PD1※3 シングルパルス VDD=99V,L=20mH IL=2.8A 無限大放熱器にて 10.6 W 放熱器無し 1.6 制御部許容損失（MIC） 4−5 PD2※4 0.15 W VCC×ICC にて規定 動作時内部フレーム温度 − TF −20 ～ +125 ℃ 推奨動作温度 動作周囲温度 − TOP −20 ～ +125 ℃ 保存温度 − Tstg −40 ～ +125 ℃ チャネル温度 − Tch +150 ℃ ※1 ※2 ※3 ※4 MOS FET A.S.O 曲線参照 MOS FET Tch-EAS 曲線参照 MOS FET Ta-PD1 曲線参照 MIC TF-PD2 曲線参照 サンケン電気株式会社 2/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ４ 電気的特性 4-1 制御部電気的特性（特記なき場合の条件 VCC=20V,Ta=25℃） 項 目 端 子 記 号 MIN 規格値 TYP MAX 単位 備考 動 作 開 始 電 源 電 圧 4−5 VCC(ON) 16 17.5 19.2 V 動 作 停 止 電 源 電 圧 4−5 VCC(OFF) 9 10 11 V 動 流 4−5 ICC(ON) − − 4 mA 非 動 作 時 回 路 電 流 4−5 ICC(OFF) − − 50 µA オートバイアスしきい電圧 4−5 VCC(BIAS) 9.6 10.6 11.6 V − ― 0.2 − − V 間 1−5 tOFF(MAX) 7.3 8 8.7 µsec S o u r c e / O C P しき い 電圧 3−5 VOCP 1.07 1.20 1.33 V リーディングエッジブランキング時間 1−5 tBW 168 280 392 nsec バ ー ス ト し き い 電 圧 6−5 VBURST 0.67 0.76 0.85 V 圧 6−5 VOLP 6.5 7.2 7.9 V 流 6−5 IOLP 18.2 26.0 34.1 µA 最 大 F B 流 出 電 流 6−5 IFB(MAX) 220 300 390 µA 起 動 流 8−5 ISTARTUP 340 790 1230 µA 起 動 回 路 漏 れ 電 流 8−5 ISTART(leak) − − 30 µA 4−5 VCC(OVP) 28.7 31.2 34.1 V 4−5 ICC(H) − − 200 µA 4−5 VCC(La.off) 6.6 7.3 8.0 V − Tj(TSD) 135 − − ℃ ― MIN 規格値 TYP MAX 単位 備考 V 作 時 回 C C ( B I A S ) 最 大 O L P O L P O V P O 路 －V F し C C ( O F F ) 時 F き 流 電 い 出 電 電 電 動 作 電 源 電 圧 ※ 6 ラ ッ チ 回 路 保 持 電 流 ※ 6 ラ ッ チ 回 路 解 除 電 圧 熱 保 護 動 作 温 度 ※6 ラッチ回路とは、OVP, TSD により動作する回路を示す。 4-2 MOSFET 部電気的特性（Ta=25℃） 項 目 端 子 記 号 ドレイン･ソース間電圧 1−3 VDSS 650 − − V ドレイン漏れ電流 1−3 IDSS − − 300 µA ON 抵抗 1−3 RDS(ON) − − 2.8 Ω スイッチング・タイム 1−3 tf − − 250 nsec − θch-F − − 4.05 ℃/W 熱抵抗 サンケン電気株式会社 3/11 ﾁｬﾈﾙ－内部ﾌﾚｰﾑ間 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 サンケン電気株式会社 4/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 サンケン電気株式会社 5/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 サンケン電気株式会社 6/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ５ ブロックダイアグラム（ ブロックダイアグラム（ピン配置 ピン配置） 配置） Vcc 4 Startup 8 OVP UVLO ＋ － Internal Bias Latch ＋ － Delay TSD 1 D Power MOS FET OFF Timer Drive PRC Latch － S Q R OLP Bias ＋ － － ＋ ＋ Burst Blanking ＋ － Discharge FB － OCP 3 Source/OCP ＋ － ＋ Buffer 5 GND 6 FB/OLP 各端子機能 端子番号. 1 2 3 4 5 6 7 8 記 号 D N.C. Source/OCP VCC GND FB/OLP N.C. Startup 名 称 ドレイン端子 ― ソース／OCP 端子 電源端子 グランド端子 フィードバック／OLP 端子 ― 起動端子 その他機能 記号 OVP TSD 機能 過電圧保護回路 過熱保護回路 サンケン電気株式会社 7/11 機 能 MOSFET ドレイン 機能なし MOSFET ソース／過電流保護 制御回路電源入力 グランド 定電圧制御／OLP 信号入力 機能なし 起動電流入力 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ６ 応用回路例 1 8 D Startup STR-V100 S/OCP Vcc GND FB/OLP 3 4 5 6 サンケン電気株式会社 8/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ７ 外形 7.1 外形、寸法および材質 ・SIP8L（弊社呼称 STA8L）パッケージ ・下図リードフォーミングは、No.LF 436 9 ±0.2 2.3 ±0.2 4 ±0.2 1.2±0.1 （根元寸法） 7.2 ±0.5 Dimensions from root +0.2 +0.2 1.15-0.1 +0.2 0.55-0.1 0.55-0.1 7xP2.54±0.1=(17.78) （根元寸法） Dimensions between roots C1.5±0.5 0.7 20.15±0.3 0.7 平面状態図 0.7 側面状態図 Plan 1 2 3 4 5 6 7 0.7 Side view 8 端子材質：Cu 端子の処理：Ni メッキ＋半田ディップ 製品重量：約 2.3g 注記 ―‐‐―部は高さ 0.3 max のゲートバリ発生箇所を示す。 単位：mm a.品名標示 b.ロット番号 第 1 文字 西暦年号下一桁 第 2 文字 月 1～9 月 ：アラビア数字 10 月 ：O 11 月 ：N 12 月 ：D 第 3, 4 文字 製造日 01～31 アラビア数字 7.2 外観 本体は、汚れ、傷、亀裂等なく美麗であること。 7.3 表示 表示は本体に、品名及びロット番号を、明瞭かつ容易に消えぬよう白インクで捺印すること。 サンケン電気株式会社 9/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 ８ 使用上の 使用上の注意 保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となりますので、注意事項に留意され ますようお願いいたします。 8.1 保管上の注意事項 保管環境は、常温(5～35℃)、常湿（40～75％）中が望ましく、高温多湿や温湿度変化の大きな場所を避けて ください 腐食性ガス等の有毒ガスが発生しない塵埃の少ない場所で直射日光を避けてください。 長期保管したものは、使用前に半田付け性やリードの錆等について再点検してください。 8.2 特性検査、取り扱い上の注意事項 受入検査等で特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続等に十分ご 注意ください｡また定格以上の測定は避けてください｡ 8.3 放熱用シリコーングリースをご使用の際の注意 本製品を放熱板に取付けシリコーングリースをご使用する際は、均一に薄く塗布して下さい。必要以上に塗 布することは、無理な応力を加えることになります。 揮発性の放熱用シリコーングリースは長時間経過しますとヒビ割れが生じ、放熱効果を悪化させます。稠度 の小さい（固い）放熱用シリコーングリースは、ビス止め時にモールド樹脂クラックの原因となります。 弊社では、寿命に影響を与えない下記の放熱用シリコーングリースを推奨しております。 品名 メーカー名 G746 信越化学工業（株） YG6260 ﾓﾒﾝﾃｨﾌﾞ･ﾊﾟﾌｫｰﾏﾝｽ･ﾏﾃﾘｱﾙｽﾞ･ｼﾞｬﾊﾟﾝ合同会社 SC102 東レ･ダウコーニング･シリコーン（株） 8.4 推奨動作温度 動作時内部フレーム温度 TF=115 [℃] MAX 8.5 半田付け方法 半田付けの際は、下記条件以内でできるだけ短時間に作業をするよう、ご配慮ください。 ・260±5℃ 10sec. ・350±5℃ 3sec. （半田ごて） 半田付けは製品本体より 1.5mm のところまでとする。 8.6 静電気破壊防止のための取扱注意 デバイスを取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップ等を用い、感電 防止のため、1MΩの抵抗を人体に近い所へ入れてください。 デバイスを取り扱う作業台は導電性のテーブルマットやフロアマット等を敷きアースを取ってください｡ カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください｡ 半田付けをする場合、半田ごてやディップ槽のリーク電圧がデバイスに印加されるのを防ぐため、半田ごて の先やディップ槽をアースしてください。 デバイスを入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔等で、静電対策をしてくだ さい。 サンケン電気株式会社 10/11 低背・ 低背・高圧-低圧間沿面距離 高圧 低圧間沿面距離 4mm 以上(基板上 以上 基板上リード 基板上リード端子部 リード端子部)、 端子部 、 低ノイズ、 ノイズ、低スタンバイ電力対応 スタンバイ電力対応、 電力対応、PRC 型スイッチング電源用 スイッチング電源用パワー 電源用パワーIC パワー STR-V152 2010 年 2 月 8.7 その他 本資料に記載されている内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新 の情報であることをご確認ください。 本資料に記載されている動作例及び回路例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する当社も しくは第三者の工業所有権、知的所有権、その他の権利の侵害問題について当社は一切責任を負いません。 本資料に記載されている製品をご使用の場合は、これらの製品と目的物との組み合わせについて使用者の責 任に於いて検討・判断を行ってください。 当社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられ ません。部品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害等を発生させないよう、使用者 の責任に於いて、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください。 本資料に記載されている製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など）に使 用されることを意図しております。ご使用の場合は、納入仕様書の締結をお願いします。 高い信頼性が要求される装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防災・防犯装置、各種安全装 置など）への使用をご検討の際には、必ず当社販売窓口へご相談及び納入仕様書の締結をお願いします。 極めて高い信頼性が要求される装置（航空宇宙機器、原子力制御、生命維持のための医療機器など）には、 当社の文書による合意がない限り使用しないでください。 本資料に記載された製品は耐放射線設計をしておりません。 本資料に記載された内容を文書による当社の承諾無しに転記複製を禁じます。 本資料に記載されている製品(または技術)を国際的な平和及び安全の維持の妨げとなる使用目的を有する 者に再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり第三者に使用させたりしないようにお願いし ます。 尚、輸出等される場合は外為法のさだめるところに従い必要な手続きをおとりください。 サンケン電気株式会社 11/11