1-1-3 DC/DCコンバータIC SI-8100QLシリーズ ■特長 電流モード制御降圧スイッチング方式 ■絶対最大定格 ・DIP8パッケージ ・電流モード制御方式採用 ・出力電流 3． 5A ・高効率：90％（TYP、Vo＝5V時） ・基準発振器（350kHz） を内蔵 ・垂下型過電流保護、過熱保護回路内蔵 ・ソフトスタート回路内蔵 ・オンオフ機能内蔵（アクティブHi） ・オフ時低消費電流 項 目 記 号 入力電圧 VIN 許容損失＊1 PD 接合部温度＊2 Tj 保存温度 Tstg 熱抵抗(接合部ーケース間) θj-c 熱抵抗(接合部ー周囲間) θj-a 単 位 V W ℃ ℃ ℃/W ℃/W 条 件 ガラスエポキシ基板70×60mm（銅箔エリア1310mm2）実装時 ガラスエポキシ基板70×60mm（銅箔エリア1310mm2）実装時 ＊1： 但し、過熱保護により制限されます。 ＊2： 但し、過熱保護検出温度は約140℃ ■推奨動作条件 項 目 記 号 入力電圧範囲 出力電圧 出力電流範囲 動作時接合部温度範囲 動作温度範囲 VIN Vo Io Tjop Top ■用途 ・DVDレコーダ、FPD-TV ・オンボードローカル電源 ・OA機器 定格値 30 1.56 ー30∼＋150 ー40∼＋150 25 64 規格値 SI-8105QL Vo+3＊1∼28 0.5∼24 0∼3.5 ー30∼＋125 ー30∼＋85 単 位 条 件 V V A ℃ ℃ ＊1： 入力電圧範囲の最小値は、4.75VもしくはVo＋3Vのどちらか大きい値とする。 ■電気的特性 （Ta＝25℃、Vo＝5V設定時） 項 目 VADJ 設定基準電圧 基準電圧温度係数 効率 動作周波数 ラインレギュレーション ロードレギュレーション 過電流保護開始電流 静止時回路電流 SS端子 Low時流出電流 Hiレベル電圧 EN端子 記 号 Lowレベル電圧 Low時流出電流 エラーアンプ電圧ゲイン エラーアンプトランスコンダクタンス カレントセンスアンプインピーダンス 最大ONデューティ 最少ON時間 条件 (ΔVADJ/ΔT) 条 件 η 条 件 fo 条 件 ΔVoLINE 条 件 ΔVoLOAD 条 件 Is 条 件 Iq 条 件 Iq(OFF) 条 件 ISSL 条 件 VC/EH 条 件 VC/EL 条 件 IC/EH 条 件 AEA GEA 1/GCS DMAX DMIN min. 0.485 315 規格値 SI-8105QL typ. 0.500 VIN＝12V, Io＝1A 0.05 VIN＝12V, Io＝1A, Ta＝ー40∼＋85℃ 90 VIN＝12V, Io＝1A 350 VIN＝16V, Io＝1A 30 VIN＝8∼28V, Io＝1A 30 VIN＝12V, Io＝0.1∼3.5A 3.6 60 60 20 2.2 ソフトスタート mV A μA V VIN＝12V C5 mV μA 2.8 SI-8100QL kHz mA VIN＝12V, Io＝0A, VEN＝0V 5 VIN＝12V, VSSL＝0V 8 SS IC % 385 6.0 VIN＝12V 5 VEN＝0V 1000 800 0.35 92 100 V mV/℃ VIN＝12V 18 VIN＝12V, Io＝0A, VEN＝open ＊：8番端子は、SS端子で、 コンデンサーを接続することによりソフトスタートさせることができます。SS端子 はＩ Ｃ内部電源にプルアップされていますので、外部からの電圧印加はできません。 52 単 位 max. 0.515 V μA V/V μA/V V/A % nsec. SI-8100QLシリーズ ■外形図 （単位：mm） 7 5 6 端子配列 ①BS ②IN ③SW ④GND ⑤FB ⑥COMP ⑦EN ⑧SS 6.5±0.2 8 2 4 3 4.2±0.3 3.4±0.1 9.4±0.3 7.5±0.5 1 1.0+0.3 -0.05 7.6 1.5+0.3 -0.05 +0.1 0.25-0. 05 3.3±0.2 樹脂封じ型 不燃化度：UL規格94V-0 製品質量：約0.49g 0.5±0.1 2.54 0.25 M 0°∼15° 0.89 TYP ■ブロック図 2 IN Current Sense Amp OSC Boot REG OCP 5v_ldo P.REG 1 BS VREF 0.5V PWM LOGIC ON OFF 7 EN OVP TSD Drive 3 SW 5v_ldo 6 COMP 5 FB Amp UVLO 0.5V 4 GND 8 SS ■標準接続回路図 VIN 7 2 IN 1 BS EN C4 R1 SI-8105QL 8 C1 SS 6 C5 GND COMP C6 OPEN C3 R3 VO L1 SW 3 FB 5 D1 GND VFB C2 R2 IADJ GND C1:10μF/50V (murata製:GRM55DB31H106KA87) C2:22μF/16V (murata製:GRM32ER71A226KE20) C3:560pF＊1 (murata製:GRM18ﾀｲﾌﾟ) C4:10nF (murata製: GRM18ﾀｲﾌﾟ) C5:10nF (murata製: GRM18ﾀｲﾌﾟ) L1:10μH D1:SPB-G56S (サンケン製) SJPB-L4 (サンケン製) R1:46kΩ (Vo=5V設定) R2:5.1kΩ R3:24kΩ＊1 ＊1：Vo＝5V設定時 IC 53