不連続モード(DCM)型 インターリーブ 力率改善用制御 IC SSC2102S 概要 パッケージ SSC2102S は 電 流 不 連 続 型 （ Discontinuous Conduction Mode ） の イ ン タ ー リ ー ブ 力 率 改 善 コ ン バータ用コントロール IC です。 2 相インターリーブ制御により、入出力リップル電流 が尐なく、低ノイズです。これにより、構成部品が尐なく、 コストパフォーマンスに優れた PFC コンバータを容易に 構成できます。 SOP8 COMP 1 8 IS VIN 2 7 OUT1 VFB 3 6 GND VCC 4 5 OUT2 Not to scale 特長 補助巻線レス構成 電圧モード制御方式 最大オン時間制御回路 ソフトスタート機能 高速負荷応答(HSR) 保護機能 2 段階の過電流保護(OCP) ------- パルス･バイ･パルス 2 段階の出力過電圧保護(OVP) -------------- 自動復帰 低入力電圧検出保護(UVP) ------------------- 自動復帰 ヒステリシス付き過熱保護(TSD) --------------- 自動復帰 オープンループ検出(OLD) -------------------- 自動復帰 VFB 端子/VIN 端子/IS 端子開放保護(OPP) 応用回路例 DBYP BR1 L1 VOUT D1 VAC L2 D2 C1 Q1 Q2 RIN1 IS *設計保証項目 アプリケーション 出力電力 300 W クラスまでの各種電子機器 AC／DC 電源 デジタル家電（大画面 LCDTV、PDP TV など） OA 機器（コンピューター、サーバー、モニターなど） 通信機器 その他 SMPS LINE GND R5 U1 COMP 最大オン時間 tONMAX = 20.7 μs(typ.) エラーアンプ基準電圧 VFB(REF) = 3.5 V(typ.) OUT 端子ソース電流 IOUT(SO) = – 0.5 A* OUT 端子シンク電流 IOUT(SI) = 0.5 A* C2 RCS 1 代表特性 8 C4 2 VIN OUT1 VFB GND VCC OUT2 7 ROUT1 RIN2 CP 4 NC 3 6 5 SSC2102S External Power supply ROUT2 Cf SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 1 SSC2102S 目次 概要 -------------------------------------------------------------------------------------------- 1 1. 絶対最大定格 --------------------------------------------------------------------------- 3 2. 電気的特性 ------------------------------------------------------------------------------ 3 3. ブロックダイアグラム -------------------------------------------------------------------- 6 4. 各端子機能 ------------------------------------------------------------------------------ 6 5. 応用回路例 ------------------------------------------------------------------------------ 7 6. 外形寸法 --------------------------------------------------------------------------------- 8 7. 捺印仕様 --------------------------------------------------------------------------------- 8 8. 動作説明 --------------------------------------------------------------------------------- 9 8.1 DCM インターリーブ方式の動作 ------------------------------------------- 9 8.2 起動動作 ------------------------------------------------------------------------ 9 8.3 電圧制御動作 ----------------------------------------------------------------- 10 8.4 高速負荷応答機能（HSR） ------------------------------------------------- 11 8.5 ゲートドライブ------------------------------------------------------------------ 12 8.6 過電流保護機能（OCP） ---------------------------------------------------- 12 8.7 過電圧保護（OVP）機能 ---------------------------------------------------- 13 8.8 出力オープンループ検出（OLD）機能 ----------------------------------- 14 8.9 端子解放保護（OPP）機能 ------------------------------------------------- 14 8.10 低入力電圧保護（UVP）機能 ---------------------------------------------- 14 8.11 過熱保護機能（TSD） -------------------------------------------------------- 14 9. パラメータの設計 ---------------------------------------------------------------------- 15 9.1 インダクタの設計-------------------------------------------------------------- 15 9.2 過電流検出抵抗 RCS の設定 ----------------------------------------------- 17 10. 設計上の注意点 ----------------------------------------------------------------------- 18 10.1 外付け部品 -------------------------------------------------------------------- 18 10.2 パターン設計 ------------------------------------------------------------------ 18 使用上の注意 ------------------------------------------------------------------------------- 20 注意書き-------------------------------------------------------------------------------------- 21 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2 SSC2102S 1. 絶対最大定格 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“−”と規定します 特記がない場合の条件 TA = 25 °C 2. 項目 記号 COMP 端子電圧 条件 端子 定格 単位 VCOMP 1–6 − 0.3～5.5 V VIN 端子電圧 VIN 2–6 − 0.3～5.5 V VIN 端子電流 IIN 2–6 − 1～1 mA VFB 端子電圧 VFB 3–6 − 0.3～5.5 V VFB 端子電流 IFB 3–6 − 1～1 mA VCC 端子電圧 VCC 4–6 − 0.3～30 V OUT2 端子電圧 VDR2 5–6 − 0.3～30 V OUT1 端子電圧 VDR1 7–6 − 0.3～30 V IS 端子電圧 VIS 8–6 − 16.0～5.5 V IS 端子電流 IIS 8–6 − 1.75～1 mA 動作時フレーム温度 TFOP − − 40～85 °C 保存温度 Tstg − 40～125 °C ジャンクション温度 Tj − 40～125 °C − 電気的特性 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“＋”、ソースが“－”と規定します 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、VCC = 15 V 項目 記 号 条件 端子 Min. Typ. Max. 単位 電源起動動作 VCC 端子動作開始電源電圧 VCC(ON) 4–6 10.8 11.6 12.4 V VCC 端子動作停止電源電圧 VCC(OFF) 4–6 9.8 10.6 11.4 V VCC 端子電圧ヒステリシス VCC(HYS) 4–6 0.8 1.0 1.2 V VCC 端子起動前回路電流 ICC(OFF) 4–6 − 40 100 µA VCC 端子動作時回路電流 ICC(ON) 4–6 − 11.0 15.0 mA VCC 端子出力過電圧時回路 電流 VCC 端子スタンバイ動作時 回路電流 VCC = 11 V ICC(OVP) VFB = 3.9 V 4–6 − 8.0 10.0 mA ICC(Standby) VFB = 0.5 V 4–6 − 100 200 μA 7–6 19.2 20.7 22.2 μs −5 0 5 % 170 180 190 deg 発振制御 OUT1 端子最大オン時間 tONMAX OUT1、OUT2 端子オン時間 マッチング tRATIO OUT1, OUT2 端子位相差 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 PHASE 5–6 7–6 5–6 7–6 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 3 SSC2102S 項目 記 号 条件 端子 Min. Typ. Max. 単位 VFB(REF) 3–6 3.4 3.5 3.6 V gmEA ― 80 100 120 μS エラーアンプ動作 エラーアンプ基準電圧 エラーアンプゲイン エラーアンプ最大ソース電流 エラーアンプ最大電圧 VFB 端子高速負荷応答動作 可能電圧 (1) VFB 端子高速負荷応答動作 開始電圧 COMP 端子高速負荷応答 動作時ソース電流 VFB 端子入力バイアス電流 COMP 端子出力オープン ループ電圧 ICOMP(SO) VFB = 2.8 V 1–6 – 36 – 30 – 24 μA VCOMP(MAX) VFB = 3.0 V 1–6 4.00 4.12 4.25 V VFB(HSR)EN 3–6 3.3 3.4 3.5 V VFB(HSR)AC 3–6 3.1 3.2 3.3 V ICOMP(SO)HSR VFB = 2.5 V 1–6 – 120 – 100 – 80 μA IFB(BIAS) VFB = 3.5 V 3–6 ― ― 1.5 μA ICOMP = 100 µA 1–6 0.7 0.9 1.1 V − − 0.3 V − 10.2 − V − 70 − ns − 35 − ns − – 0.5 − A − 0.5 − A VCOMP(OLD) ドライブ出力 IOUT(SO) 5–6 7–6 5–6 7–6 5–6 7–6 5–6 7–6 5–6 7–6 IOUT(SI) 5–6 7–6 OUT1, OUT2 端子電圧(Low) VOUT(L) IOUT = 20 mA OUT1, OUT2 端子電圧(High) VOUT(H) VCC = 12 V tr VCC = 20 V tf VCC = 20 V OUT1, OUT2 端子 立ち上がり時間 (2) OUT1, OUT2 端子 立ち下がり時間 (2) OUT1, OUT2 端子 ピークソース電流 (1) OUT1, OUT2 端子 ピークシンク電流(1) (1) 設計保証項目 (2) 図 3-1 参照 90% VOUT 10% tr tf 図 3-1 スイッチング時間 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 4 SSC2102S 項目 記 号 条件 端子 Min. Typ. Max. 単位 VFB(OLDL) 3–6 0.46 0.50 0.54 V VFB(OLDH) 3–6 0.64 0.70 0.76 V VFB(SOVP) 3–6 3.60 3.68 3.76 V VFB(OVP) 3–6 3.64 3.72 3.80 V VIS(OCPL) 8–6 − 0.48 − 0.42 − 0.36 V VIS(OCPH) 8–6 − 0.62 − 0.55 − 0.48 V 1–6 80 100 120 μA VIN(P) 2–6 0.1 0.3 0.5 V tVIN 2–6 7 14 21 ms 保護動作 VFB 端子出力オープン ループ停止電圧 VFB 端子出力オープン ループ復帰電圧 VFB 端子出力ソフト過電圧 保護しきい電圧 VFB 端子出力過電圧保護 しきい電圧 IS 端子過電流保護(Low) しきい電圧 IS 端子過電流保護(High) しきい電圧 COMP 端子保護動作シンク 電流 VIN 端子保護しきい電圧 VIN 端子保護動作検出時間 ICOMP(SI) VIS = − 0.5 V 熱保護動作開始温度 (1) TjTSDH – 150 – – °C 熱保護動作停止温度 (1) TjTSDL – 140 – – °C TjTSDHYS – – 10 – °C θｊ-F – − 65 85 °C/W 熱保護動作ヒステリシス (1) 熱抵抗 ジャンクションフレーム間 熱抵抗 (1) 設計保証項目 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 5 SSC2102S 3. ブロックダイアグラム COMP + Gain Control WDT VCC VIN(P) - R Q S Qb OUT1 + VFB 3.5V gm + GND 3.72V - OVP + R Q S Qb OUT2 + 0.7/0.5V IS - Peak Current Limitation OLD + Phase Management - VIN 0.3V VIN(P) OLD UVLO + VCC 4. Vreg5V OVP TSD 各端子機能 COMP 1 8 IS VIN 2 7 OUT1 VFB 3 6 GND VCC 4 5 OUT2 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 端子番号 記号 機能 1 COMP 2 VIN 入力電圧検出信号入力 3 VFB 出力定電圧制御信号／出力過電圧信号 ／出力オープンループ検出信号入力 4 VCC 制御回路電源入力 5 OUT2 ゲートドライブ出力 2 6 GND グランド 7 OUT1 ゲートドライブ出力 1 8 IS 過電流検出信号入力 エラーアンプ出力／位相補正 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 6 SSC2102S 5. 応用回路例 DBYP BR1 L1 VAC D1 VOUT L2 D2 Q2 Q1 C1 C2 R2 RCS 1 COMP R1 R3 LINE GND R5 U1 RIN1 R4 IS 8 C4 2 VIN OUT1 VFB GND VCC OUT2 7 ROUT1 RS RIN2 CVIN CS 4 CP 6 5 SSC2102S CFB SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 NC 3 Cf External Power supply SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. ROUT2 7 SSC2102S 6. 外形寸法 SOIC8 NOTES: 単位：mm Pb フリー品(RoHS 対応) 7. 捺印仕様 8 SC2102 Part Number SKYMD 1 Lot Number Y is the last digit of the year (0 to 9) M is the month (1 to 9,O,N or D) D is a period of days 1 : 1st to 10th 2 : 11th to 20th 3 : 21st to 31st Sanken Control Number SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 8 SSC2102S 8. 動作説明 IL1 D1 L1 特記なき場合の特性数値は、Typ.値を表記します 電流値の極性は、IC を基準として、シンクを“+”、 ソースを“−”と規定します 以 下 、 不 連 続 モ ー ド を DCM (Discontinuous Conduction Mode) 、 力 率 改 善 回 路 を PFC (Power Factor Correction) 回路とします。 ION1 VAC Q1 IOFF1 IL1 D1 L2 Q2 C1 ION2 8.1 DCM インターリーブ方式の動作 C2 IOFF2 RCS 図 8-1～図 8-4 に、単相と 2 相インターリーブ方式の PFC 回路の回路図と、それぞれの動作波形を示しま す。 単層の DCM 方 式の 場 合 、図 8-2 のように 、パ ワーMOSFET のターンオン時のドレイン電流がゼロから 増加するため、急峻な電流変化がなく、スイッチングノ イズが尐ない回路方式です。ただし、入出力リップル電 流が大きいため、使用できる電力に制限があります。 これに対し DCM の 2 相インターリーブ方式は、図 8-3 のように各相が位相差 180 deg で動作します。その ため、入力リップル電流をキャンセルすることができ、出 力リップル電流を小さくできます。また、2 相にすること で各相の電流ピークが小さくなり、スイッチングノイズを 低減できるため、入力フィルタ周りのサイズを小さくでき ます。 図 8-3 2 相インターリーブ方式の PFC 回路 合成インダクタ電流 ILCMP インダクタ 電流 ION1 IL1 IL2 IOFF1 ION2 IOFF2 IL D1 IOFF C1 VAC ION 図 8-4 2 相インターリーブ方式の DCM 動作波形 Q1 C2 8.2 起動動作 RCS 図 8-1 単相方式の PFC 回路 IL ILPEAK 1 ILPEAK 2 FB 端子電圧が VFB 端子出力オープンループ復帰 電圧 VFB(OLDH) = 0.70 V（設定電圧の約 20 %に相当） 以上 ION VCC 端子電圧が動作開始電源電圧 VCC(ON) = 11.6 V 以上 IOFF 図 8-2 単相方式の DCM 動作波形 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 図 8-5 に VCC 端子と COMP 端子の周辺回路を示し ます。 VCC 端子は、制御回路電源入力端子で、外部電源 より電圧を供給します。 AC 電源電圧と VCC 用の外部電源電圧を印加し、次 の条件を満たすと、IC は動作を開始します。 ここで、VCC 端子電圧が VCC(ON)以上でも、FB 端子 電 圧 が VFB 端 子 出 力 オ ー プ ン ル ー プ 停 止 電 圧 VFB(OLDL) = 0.50 V 以下（設定出力電圧の約 14.3 %に 相当）になると、IC は発振を停止します。 起動時の動作波形を図 8-6 に示します。起動時は、 VFB 端子電圧が約 3.2 V（設定出力電圧の約 90 %）に SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 9 SSC2102S 達するまで、COMP 端子をエラーアンプ最大ソース電 流 ICOMP(SO) = – 30 μA で充電し、徐々に電力を増加さ せます。このソフトスタート機能により、部品ストレスを軽 減します。 外部 電源 8 VCC 8.3 電圧制御動作 一般的な単相方式 PFC 回路は、図 8-8 の様に、補助 巻線 D を用いて L1 に流れる電流を検出し、MOSFET の OFF 時間を設定します。 U1 Cf 3 COMP VIN(DC) RS GND 図 8-5 VCC 端子、COMP 端子周辺回路 ソフトスタート期間 C2 Control IC 6 CS VOUT D C1 VAC CP ドレイン電流, IDS(Q1), IDS(Q2) D1 L1 ICOMP(SO) Q1 図 8-8 一般的な PFC 回路の電流検出（単相方式） 定常動作 昇圧タイプの力率改善回路では、オン時間 tON は出 力電力に依存します。DCM 方式の場合、オフ時間 tOFF は式(8-1)で表せます。 0 VFB端子電圧 t OFF > VFB(REF) 約3.2V VFB(OLDH) 0 VIN(DC) VOUT－VIN(DC) t ON (8-1) ここで、 VIN(DC) ：C1 両端電圧 VOUT ：出力電圧 tON ：MOSFET のオン時間 COMP端子電流 0 ICOMP(SO) VCC端子電圧 VCC(ON) 0 時間 図 8-6 起動時動作波形 図 8-7 のように、制御回路動作後、VCC 端子電圧が 動作停止電源電圧 VCC(OFF) = 10.6 V に低下すると、低 入力時動作禁止 UVLO（Undervoltage Lockout）回路 により制御回路は動作を停止し、再び起動前の状態に 戻ります。 これに対し、本 IC は補助巻線 D が必要ないため、外 付け部品が尐なく、シンプルな回路構成が可能です。 図 8-9 に VIN 端子、VFB 端子、COMP 端子の周辺 回路を示します。 tON と tOFF は、VIN 端子電圧、FB 端子電圧、COMP 端子電圧により、IC 内部で設定されます。 VAC VIN(DC) L1 L2 D2 C1 Q1 回路電流 ICC VOUT D1 Q2 C2 LINE GND RCS ICC（ON） 起動 停止 2 VCC（ON） VFB VCC 端子電圧 図 8-7 VCC 端子電圧と回路電流 ICC SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 GND VIN RV RIN2 VCC（OFF） ROUT1 U1 RIN1 6 3 COMP 1 CVIN RS CFB CP ROUT2 CS 図 8-9 VIN、VFB、COMP 端子周辺回路 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 10 SSC2102S tON は出力電力により変化する COMP 端子電圧に比 例します。電圧モード制御のため、最大オン時間 tONMAX = 20.7 µs（VIN = 0.5 V, VCOMP = 4 V のとき）を設 定しています。 最大オン時間は VIN 端子の電圧に依存します。図 8-10 に VIN 端子電圧と、最大オン時間 tONMAX(VIN)の関 係を示します（VCOMP = 4 V のときの代表特性）。 最大オン時間 tONMAX(VIN) (µs) 22 20 18 16 14 COMP 端子の定数設定（エラーアンプ位相補正） COMP 端子は、IC 内部のエラーアンプの出力端子 です。エラーアンプは電流出力で、COMP 端子と GND 端子間に位相補正回路を接続します。 商用周波数の力率改善動作をさせるため、電圧制 御系は、一般に 20 Hz 以下の低周波数に応答するよ うにします。 図 8-9 の位相補正回路、CP、CS、RS の定数の目安 は以下のとおりです。最終的に実機で動作を確認し、 出力電圧 VOUT のリップルが低減するように定数を調 整します。 CP ：0.047 μF～0.47 μF CS ：0.47 μF～10 μF RS ：10 kΩ～100 kΩ 12 8.4 高速負荷応答機能（HSR） 10 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 VIN端子電圧 (V) 図 8-10 VIN 端子電圧と最大オン時間の関係 （VCOMP= 4 V のとき） VIN 端子、VFB 端子の定数設定 VIN 端子は、入力電圧をモニターし、VFB 端子は出 力電圧をモニターしています。この電圧をオフ時間 の演算に用いるため、電圧検出回路のマッチングが 必要になります。 そこで、入力電圧検出部の RIN1、RIN2、CVIN と、出力 電圧 VOUT 検出部の ROUT1、ROUT2、CFB は同じ定数に 設定します。 RIN1、ROUT1 の抵抗値は、数百 kΩ～数 MΩ が目安で す。高圧が印加するため、酸化金属皮膜抵抗などの 耐電蝕性の抵抗を使用します。 RIN1、RIN2、ROUT1、ROUT2 の定数のばらつきは、出力 電圧の精度に影響が出ます。そのため、高精度の抵 抗を使用するか、必要に応じて、図 8-9 のように抵抗 RV を追加して調整します。 CIN、CFB は、ノイズ除去用のコンデンサです。必要に 応じて 0.1 nF～10 nF を接続します。 昇圧方式の PFC の入力電圧は、商用周波数の正弦 波のため、電圧制御は低周波数に応答する系になり、 ダイナミック負荷変動に追従できず、出力電圧 VOUT の 低下が生じやすくなります。 そこで本 IC は、ダイナミック負荷変動などで生じる VOUT の変動を抑えるため、高速負荷応答（High Speed Response）機能を内蔵しています。 図 8-11 に高速負荷応答動作波形を示します。 高速負荷応答機能（HSR）は、VFB 端子電圧が高速 負荷応答動作可能電圧 VFB(HSR)EN = 3.4 V を超えると動 作可能（Enable）になります。 その後、ダイナミック負荷応答などで VOUT が低下し、 VFB 端 子 電 圧 が 高 速 負 荷 応 答 動 作 開 始 電 圧 VFB(HSR)AC = 3.2 V 以下になると HSR が動作（Active）し て、再び VFB(HSR)AC になるまで COMP 端子を高速負荷 応答 COMP 端子ソース電流 ICOMP(SO)HSR = – 100 μA で 充電します。これにより、出力電力を増加させて VOUT の 低下を抑えます。VFB(HSR)AC = 3.2 V は、出力電圧 VOUT 設定の約 91.4 %に相当します。 VFB端子電圧 HSR Enable VFB(REF) VFB(HSR)EN VFB(HSR)AC 入力電圧検出部と出力電圧検出部の分圧比が等し いので、式(8-1)は VIN 端子電圧と VFB 端子電圧を 用いて式(8-2)で表せます。 HSR Active 0 COMP端子電流 t OFF > VIN t ON VFB－VIN ここで、 VIN ：VIN 端子電圧 VFB ：FB 端子電圧 tON ：MOSFET のオン時間 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 0 (8-2) ICOMP(SO) 時間 ICOMP(SO)HSR 図 8-11 高速負荷応答動作波形 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 11 SSC2102S 8.5 ゲートドライブ 8.6 過電流保護機能（OCP） OUT1 端子、OUT2 端子は、外付けパワーMOSFET のゲートドライブ端子です。 OUT1 端子、OUT2 端子の電流、電圧仕様は表 8-1 のとおりで、パワーMOSFET を直接駆動できます。 図 8-13 に IS 端子の周辺回路を示します。本 IC の 過電流検出機能は、L1 と L2 のインダクタ電流を電流検 出抵抗 RCS で検出し、RCS の両端電圧 VRCS を IS 端子 に入力します。 表 8-1 OUT1 端子、OUT2 端子の電流、電圧仕様 項目 記号 規格値 VOUT(L) 0.3 V(max.) L1 D1 VOUT L2 D2 Q2 Q1 C1 C2 R2 IL1 + IL2 VOUT(H) 10.2 V 1 – 0.5 A R3 IS COMP LINE GND 8 C4 2 IOUT(SI) R1 R5 U1 IOUT(SO) R4 RCS 3 0.5 A 4 VIN OUT1 VFB GND VCC OUT2 NC OUT1, OUT2 端子 電圧(Low) OUT1, OUT2 端子 電圧(High) OUT1, OUT2 端子 ピークソース電流 OUT1, OUT2 端子 ピークシンク電流 BR1 VAC 7 6 5 SSC2102S 図 8-12 に OUT1、OUT2 端子周辺回路を示します。 R1、R3 は、実機でパワーMOSFET の損失やゲート 波形（配線パターンによるリンギング低減など）、EMI ノ イズなどを確認し、定数を調整します。数 Ω～数十 Ω が 目安になります。 R2、R4 は、パワーMOSFET ターンオフ時の急峻な dv/dt による誤動作防止用です。10 kΩ～100 kΩ 程度を パワーMOSFET のゲートとソースの近くに接続します。 パワーMOSFET は、しきい値 VGS(th)が、全使用温度 範囲で十分に VGS(th) < VOUT(H) となるものを接続しま す。 L1 D1 L2 2 COMP IS VIN OUT1 VFB GND 8 7 Q1 R1 OCP には、VIS(OCPL)と VIS(OCPH)の 2 段階のしきい電圧 があります。それぞれのしきい電圧における OCP 動作 を以下に示します。 IS 端子過電流保護しきい電圧(Low)：VIS(OCPL) L1 と L2 のインダクタ電流が増加し、IS 端子電圧が VIS(OCPL) = − 0.42 V になると、パルス・バイ・パルスで 出力を Low にし、外付けのパワーMOSFET をターン オフします。このとき、OUT1 端子、OUT2 端子の出 力 VOUT1、VOUT2 の状態によって制御が異なります。 1) 図 8-14 のように、VOUT1、VOUT2 のどちらか片方が High の場合は、High になっている端子の出力を Low にします。 D2 U1 1 図 8-13 IS 端子周辺回路 C2 NC 3 6 IS端子電圧 R2 4 VCC OUT2 5 SSC2102S Q2 R3 0 VIS(OCPL) R4 図 8-12 OUT1、OUT2 端子周辺回路 OUT1端子 電圧, VOUT1 0 OUT2端子 電圧, VOUT2 0 図 8-14 VIS(OCPL)による OCP 動作 （VOUT1、VOUT2 のどちらかが High の場合） SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 12 SSC2102S 2) 図 8-15 のように VOUT1、VOUT2 が両方 High の場合 は、先に High になっていた端子の出力のみを Low にします。 L1 D2 C1 Q1 IS端子電圧 VOUT D1 L2 Q2 C2 RCS LINE GND 0 ICOMP(SI) VIS(OCPL) U1 1 GND COMP VFB RS 6 ROUT1 3 CP OUT1端子 電圧, VOUT1 CFB CS ROUT2 0 図 8-17 VFB 端子周辺回路 OUT2端子 電圧, VOUT2 0 VFB端子電圧 図 8-15 VIS(OCPL)による OCP 動作 （VOUT1、VOUT2 両方が High の場合） IS 端子過電流保護しきい電圧(High)：VIS(OCPH) この保護は、インダクタの短絡やインダクタの飽和な どのアブノーマル時に動作します。アブノーマル時 に L1 や L2 のインダクタ電流が急激に増加し、IS 端 子電圧が VIS(OCPH) = − 0.55 V になると、図 8-16 のよ うにパルス・バイ・パルスで VOUT1、VOUT2 両方を Low にします。 VFB(OVP) VFB(SOVP) VFB(REF) COMP端子 電流 ICOMP(SK) OUT1端子 電圧, VOUT1 OUT2端子 電圧, VOUT2 図 8-18 OVP 動作波形 IS端子電圧 0 VIS(OCPH) OUT1端子電圧 VOUT1 0 OUT2端子電圧 VOUT2 0 図 8-16 VIS(OCPH)による OCP 動作 ソフト過電圧保護（SOVP） 出力電圧が上昇し、VFB 端子が VFB 端子出力ソフト 過電圧保護しきい電圧 VFB(SOVP) = 3.68 V 以上になる と、SOVP 機能が動作し COMP 端子に接続するコン デンサを保護動作時シンク電流 ICOMP(SI) = 100 μA で 放電します。これにより COMP 端子電圧を低下させ 出力電圧の上昇を抑制します。 VFB(SOVP)は、出力設定電圧の約 105 %に相当します。 VFB 端子電圧は出力電圧に比例するため､SOVP 動 作時の出力電圧 VOUT(SOVP)は次式で概算できます。 VOUT (SOVP ) 8.7 過電圧保護（OVP）機能 図 8-17 に VFB 端子周辺回路、図 8-18 に OVP 動 作波形を示します。 出力電圧の過電圧は VFB 端子で検出します。VFB 端子には、ソフト過電圧機能のしきい電圧 VFB(SOVP) と OVP 機能のしきい電圧 VFB(OVP)の 2 段階のしきい電圧 があります。それぞれのしきい電圧における動作を以下 に示します。 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 VOUT VFB (SOVP ) (V) VFB(REF) (8-3) ここで、 VOUT ：定常動作時の出力電圧 VFB(REF) ：エラーアンプ基準電圧 3.5 V 過電圧保護(OVP) SOVP 動作後も出力電圧が上昇し、VFB 端子電圧 が VFB 端 子 出 力 過 電 圧 保 護 し き い 電 圧 VFB(OVP) = 3.72 V 以上になると、OVP が動作し、 OUT1 端子と OUT2 端子の出力を Low にします。 VFB 端子電圧が VFB(SOVP)以下になると、OVP 機能、 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 13 SSC2102S および SOVP 機能を解除してスイッチング動作を再 開します。VFB(OVP)は、出力設定電圧の約 106 %に相 当します。OVP 動作時の出力電圧 VOUT(OVP)は、次 式で概算できます。 VOUT ( OVP ) VOUT VFB ( OVP ) (V) VFB(REF) が IS 端子過電流保護しきい電圧の絶対値に達する と、OCP 機能が動作し、OUT1 端子、OUT2 端子の出 力を Low にします。 VIN 端子開放時：VIN 端子電圧が上昇すると、IC の 動作を制限、または停止します。 (8-4) 8.10 低入力電圧保護（UVP）機能 ここで、 VOUT ：定常動作時の出力電圧 VFB(REF) ：エラーアンプ基準電圧 3.5 V 8.8 出力オープンループ検出（OLD）機能 図 8-19 に VFB 端子周辺回路を示します。OLD 機 能は、出力電圧検出抵抗 ROUT1 が開放（オープン）した 場合に動作します。定常動作状態から ROUT1 が開放す ると、VFB 端子電圧が低下します。VFB 端子電圧が VFB 端 子 出 力 オ ー プ ン ル ー プ 停 止 電 圧 VFB(OLDL) = 0.50 V 以下になると、IC は発振を停止しま す。異常の要因を取り除き、VFB 端子電圧が VFB 端子 出力オープンループ復帰電圧 VFB(OLDH) = 0.70 V 以上 になると、スイッチング動作を再開します。 VFB(OLDH)は、設定出力電圧の約 20 %に相当します。 入力電圧は、VIN 端子で検出します。UVP は入力電 圧の瞬断などにより、入力電圧が低下した際に動作し ます。図 8-20 に入力電圧の瞬断時の動作波形を示し ます。入力電圧が低下して、VIN 端子電圧が VIN 端子 保護電圧 VIN(P) = 0.3 V 以下になり、その状態を IC 内 部で固定した VIN 端子保護動作検出時間 tVIN = 14 ms 以上継続すると、HSR 機能（8.4 項参照）が無効になり、 COMP 端子に接続されたコンデンサを ICOMP(SI)で放電 します。これにより、COMP 端子電圧はゼロ電圧近くま で低下します。その後、入力電圧が増加して VIN 端子 電圧が VIN(P)を超えると、ソフトスタート機能（8.2 項参照） が動作し、徐々に電力が増加します。これにより、部品 ストレスを軽減します。 本機能により、瞬断復帰時の過電流を抑制して、出 力電圧のスムーズな立ち上げが可能です。 瞬断期間 L1 L2 C1 VOUT D1 D2 Q1 tVIN Q2 C2 RCS 6 ソフトスタート VIN端子 電圧 GND U1 VFB LINE GND ROUT1 3 VIN(P) 0 COMP端子 電流 ICOMP(SI) 0 ROUT2 CFB COMP端子 電圧 図 8-19 VFB 端子周辺回路 0 出力電圧 8.9 端子解放保護（OPP）機能 VFB 端子、IS 端子、VIN 端子の端子開放（オープン） 時の保護として、端子開放保護機能を内蔵しています。 これらの端子は、IC 内部でプルアップ電流源に接続し ており、端子の開放時には、各端子電圧が内部の電源 電圧まで上昇します。各端子が開放した際の保護動作 は以下の通りです。 VFB 端子開放時：VFB 端子電圧が上昇すると、OVP 機能が動作し、OUT1 端子、OUT2 端子の出力を Low にします。 IS 端子開放時：IS 端子電圧が上昇し、IS 端子電圧 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 0 図 8-20 入力電圧の瞬断時の動作波形 8.11 過熱保護機能（TSD） IC の 制 御 部 の 温 度 が 熱 保 護 動 作 開 始 温 度 TjTSDH = 150 °C (min.)に達すると、IC はスイッチング動 作を停止します。その後、制御部の温度が低下して熱 保護動作停止温度 TjTSDL = 140 °C (min.)に低下になる と、スイッチング動作を再開します。 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 14 SSC2102S パラメータの設計 9. 本項の説明では、以下の略号を使用します PO ：1 相当たりの PFC 出力電力 (W) η ：PFC 効率 tON ：オン時間(s) VINRMS(MIN) ：入力電圧実効値の下限値 (V) VINRMS(MAX) ：入力電圧実効値の上限値 (V) VOUT ：PFC 出力電圧 (V) IINRMS ：入力電流実効値 (A) DBYP L1 VIN(DC) Q1 Q2 C2 1 RIN1 COMP IS ここで、 KOM ：出力電力のマージン係数 KLM ：インダクタの飽和マージン係数 η ：PFC 効率 I LPEAK( MAX ) R3 8 C4 2 VIN OUT1 VFB GND VCC OUT2 (9-2) LINE GND RCS U1 (W) インダクタ最大ピーク電流の算出 1 相当たりのインダクタ最大ピーク電流 ILPEAK(MAX)は、 上記の結果を用いて次式で算出します。 D2 C1 K OM K LM PO VOUT D1 VAC L2 PIN( MAX ) KOM、KLM の値は一般的に 1.2～1.3 程度です。η は、 パワーMOSFET の RDS(ON)、整流ダイオードの VF に 依存しますが、通常 0.90～0.97 程度です。 回路部品の図記号は、図 9-1 に示すとおりです BR1 最大入力電力の算出 最大入力電力 PIN(MAX)は次式で算出します。 2 2 PIN( MAX ) VINRMS ( MIN ) (A) (9-3) 7 ROUT1 RIN2 CP 4 NC 3 6 (3) 最大 ON 時間の算出 オン時間とオフ時間は、VIN 端子電圧、FB 端子電 圧、COMP 端子電圧により、IC 内部で設定されます。 最大オン時間は、以下の手順で算出します。 5 SSC2102S External Power supply ROUT2 Cf VIN 端子電圧 VIN の算出 VIN 端子電圧 VIN、整流後の電圧を VIN(DC)とすると VIN(DC)と入力電圧の検出抵抗 RIN1、RIN2 の関係は次 式になります。 図 9-1 IC 周辺回路 9.1 インダクタの設計 インダクタは以下の(1)～(6)の手順で設計をします。 (1) 出力電圧 VOUT の設定 まず、出力電圧 VOUT を設定します。昇圧コンバータ は、入力電圧 < 出力電圧です。一般的に出力電 圧 VOUT の設定電圧は、次式のように、最大商用入 力電圧の波高値より 10 V 程度高く設定します。 VOUT 2 VINRMS ( MAX ) 10 (V) (9-1) (2) インダクタの最大ピーク電流の算出（1 相あたり） インダクタに流れる電流の波形は三角波です。各 インダクタに流れる最大ピーク電流 ILPEAK(MAX) は、 以下の手順で求めます。 R IN1 R IN 2 VIN( DC ) R IN 2 VIN また、出力電圧 VOUT と出力電圧の検出抵抗 ROUT1、 ROUT2 の関係は次式になります。 R OUT 1 R OUT 2 VOUT R OUT 2 VFB ( REF) (9-5) 入力電圧の検出抵抗 RIN1、RIN2 の定数は、出力電圧 の検出抵抗 ROUT1、ROUT2 と同一定数に設定するため、 式(9-4)と式(9-5)より VIN は次式になります。 VIN( DC ) VIN ⇒ VIN SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 (9-4) SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. VOUT VFB ( REF) VIN( DC ) VFB ( REF) VOUT (V) 15 SSC2102S また、オン時間が最大になるのは、電源入力電圧が 下限のときなので、そのときの VIN は次式で算出でき ます。 VIN 2 VINRMS ( MIN ) VFB ( REF) VOUT (V) (9-6) 最大オン時間 最大オン時間は VIN 端子の電圧に依存します。式 (9-6)で求めた VIN 端子電圧 VIN と図 8-10（8.3 項） より、最大オン時間を求めます。 (2) ILPEAK(MAX)の算出 KOM = 1.2、KLM = 1.2、η = 0.92、VINRMS(MIN) = 85 V の場合、1 相あたりの最大入力電力 PIN(MAX)は、 PIN( MAX ) K OM K LM PO 1.2 1.2 150 235( W) 0.92 これより、1 相あたりのインダクタ最大ピーク電流 ILPEAK(MAX)は、 I LPEAK( MAX ) (4) 1 相あたりのインダクタンス値 L の算出 1 相あたりの最大インダクタンス値 LMAX は、前項(2)、 (3)の結果を用い次式で算出できます。 L MAX 2 VINRMS ( MIN ) t ONMAX ( VIN ) I LPEAK ( MAX ) (H) (9-7) (5) インダクタの巻数の算出 インダクタの巻数 N は、前項(2)、(4)の結果を用い 次式で算出できます。 N I LPEAK( MAX ) L MAX Ae BMAX (turns) (9-8) ここで、 Ae ：インダクタコアの有効断面積 (m2) ΔBMAX ：最大磁束密度 (T) ＜インダクタの設計例＞ 以下にインダクタの設計例を示します。想定する電 源仕様は以下の通りです。 VINRMS(MIN) = 85 V VINRMS(MAX) = 265 V 1 相当たりの出力電力：PO = 150 W （インターリーブ出力電力合計= 300 W） VIN SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 2 VINRMS ( MIN ) VFB ( REF) VOUT 2 85 3.5 1.08 ( V) 390 (4) 前項(2)、(3)の結果より、 L MAX 2 VINRMS ( MIN ) t ONMAX ( VIN ) I LPEAK ( MAX ) 2 85 18.6 10 6 7.8 286 10 6 (H) (5) Ae = 102 mm2、ΔBMAX = 0.25 T とした場合、前項 (2)、(4)の結果より これより、VOUT = 390 V(DC)に設定 2 2 235 7.8 ( A) 85 図 8-10 より、VIN = 1.08 V のときの tONMAX(VIN)は、 約 18.6 μs。 VOUT 2 VINRMS ( MAX ) 10 2 265 10 385(V) VINRMS ( MIN ) (3) tONMAX(VIN)の算出 VFB(REF) = 3.5 V(typ.)なので、前項(1)の結果より N (1) VOUT の設定 2 2 PIN( MAX ) I LPEAK( MAX ) L MAX Ae BMAX 7.8 286 10 6 102 10 6 0.25 87(turns) SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 16 SSC2102S 9.2 過電流検出抵抗 RCS の設定 過電流の検出は、検出抵抗 RCS で行います。RCS は 各相のインダクタの合成電流を検出します。 合 成 電 流 の ピ ー ク 値 は 、 最 大 オ ン デ ューティーDON(MAX)により変化します。そこで、DON(MAX) からインダクタ電流の係数 KR を求め、合成インダクタ電 流 ILCMP を算出します。この結果から RCS を算出します。 (1) 最大オンデューティーDON(MAX)の算出 DON(MAX)は 9.1 項(1)で設定した出力電圧 VOUT を用 い、次式で算出します。 D ON ( MAX ) VOUT－ 2 VINRMS ( MIN ) (9-9) VOUT (2) インダクタ電流係数 KR の算出 前項(1)の結果より、 (9-13) ＜RCS の設計例＞ 以下に RCS の設計例を示します。想定する電源仕様 は以下の通りです。 VINRMS(MIN) = 85 V VINRMS(MAX) = 265 V 1 相当たりの出力電力：PO = 150 W （インターリーブ出力電力合計= 300 W） 出力電圧：VOUT = 390 V VOUT 2 VINRMS ( MIN ) VOUT 390 2 85 0.69 390 (2) KR の算出 DON(MAX) < 0.5 の場合 DON(MAX) ≥ 0.5 なので、式(9-10)、前項(1)の結果より 0.5 D ON ( MAX ) (9-11) 1 D ON ( MAX ) (3) 合成インダクタ電流 ILCMP(MAX)の算出 ILCMP(MAX)は前項(2)の結果を用い、次式で算出でき ます。 2 2 K OM PO (A) η VINRMS(MIN) (9-12) KR 1 1 D ON ( MAX ) 0.5 D ON ( MAX ) 0.69 0.5 1.28 0.69 (3) ILCMP(MAX)の算出 I LCMP(MAX) K R 2 2 K OM PO η VINRMS(MIN) 1.28 ここで、 KOM ：出力電力のマージン係数 PO ：1 相あたりの出力電力 (W) η ：PFC 効率 KOM の値は一般的に 1.2～1.3 程度です。η は、パ ワーMOSFET の RDS(ON)、整流ダイオードの VF に依 存しますが、通常 0.90～0.97 程度です。 (4) 過電流検出抵抗 RCS の算出 RCS の抵抗値は、前項(3)の結果を用い、次式で算 出できます。 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 (Ω) ここで、 VIS(OCPL) ：IS 端子過電流保護(Low)しきい電圧 − 0.42 V(typ.) (9-10) D ON ( MAX ) I LCMP(MAX) K R I LCMP ( MAX ) D ON ( MAX ) D ON ( MAX ) 0.5 KR 1 VIS( OCPL ) (1) DON(MAX)の算出 DON(MAX) ≥ 0.5 の場合 KR 1 R CS 2 2 1.2 150 8.3(A) 0.92 85 (4) RCS の算出 (3)の結果より、RCS の抵抗値は R CS VIS( OCPL ) I LCMP ( MAX ) 0.42 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 8.3 0.05() 17 SSC2102S 10. 設計上の注意点 10.1 外付け部品 各部品は使用条件に適合したものを使用します。 図 10-1 に IC の周辺回路を示します。 DBYP BR1 L1 VIN(DC) VOUT D1 VAC L2 Q1 Q2 C2 LINE GND RCS 1 RIN1 COMP IS R3 8 C4 2 VIN OUT1 VFB GND VCC OUT2 7 ROUT1 RIN2 CP 4 NC 3 インダクタ L1、L2 インダクタは銅損・鉄損による温度上昇や磁気飽和 に対し、適宜マージンを設けます。 D2 C1 U1 出力側コンデンサ C2 出力の平滑コンデンサは、リップル電流・電圧・温度 上昇に対し、適宜マージンを設けます。また、スイッ チング電源用の許容リップル電流が高い、低イン ピーダンスタイプを使用します。 6 5 SSC2102S External Power supply ROUT2 Cf 10.2 パターン設計 スイッチング電源は、高周波かつ高電圧の電流経路 が存在し、基板のパターンや部品の実装条件が、動作、 ノイズ、損失などに大きく影響します。そのため、高周波 電流ループは極力小さくし、パターンを太くして、ライン インピーダンスを低くする必要があります。 また、GND ラインは輻射ノイズに大きな影響を与える ため、極力太く、短く配線します。 さらに、以下に示す内容を配慮したパターン設計が 必要です。 図 10-2 に IC 周辺回路の接続例を示します。 図 10-1 IC 周辺回路 高圧が印加する高抵抗 RIN1、ROUT1 RIN1、ROUT1 は、高圧の DC 電圧が印加する高抵抗の ため、電食を考慮した抵抗を選択したり、直列に抵 抗を追加して、個々の印加電圧を下げたりするなど の配慮をします。 電流検出抵抗 RCS、 RCS は高周波スイッチング電流が流れるので、内部 インダクタンスが小さく、かつ許容損失を満足するも のを使用します。 ブーストダイオード D1、D2 ブーストダイオードのピーク逆電圧 VRSM は、出力電 圧 VOUT に対し十分にマージンがあるものを選定しま す。また、ノイズ、損失低減のため、逆回復時間 trr の 短い超高速ダイオードを推奨します。弊社ラインアッ プについては弊社営業へお問合せください。 バイパスダイオード DBYP 突入電流などの過大電流に対し、ブーストダイオード DFW を保護するバイパス用ダイオードです。サージ電 流耐量の高いダイオードを推奨します。弊社ラインア ップについては弊社営業へお問合せください。 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 (1) 主回路パターン スイッチング電流が流れる主回路パターンです。こ のパターンは極力太く、電流ループを小さく配線し ます。 (2) GND 端子周り 制御系 GND パターンに主回路の大電流が流れる と、IC の動作に影響を与える可能性があります。制 御系の GND は専用パターンにし、RCS のできるだけ 近くに配線します（図 10-2 の A 点）。 (3) 電流検出用抵抗 RCS 周り RCS は、MOSFET のソースと IS 端子の近くに配置し ま す 。 IS 端 子 の 周 辺 部 品 へ の 配 線 は 、 専 用 パ ターンで RCS の根元から接続します。 主回路系と制御系のグランドは RCS 近傍で接続しま す。 (4) IC 周辺部品 IC に接続する制御系の部品は IC の近くに配置し、 最短で各端子に接続します。 (5) ゲート抵抗 R2、R4 ゲ ート 抵 抗 は R2 、 R4 は、 Q1 、Q2 そ れぞれ の MOSFET のゲート端子とソース端子の近くに接続し ます。 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 18 SSC2102S DBYP BR1 L1 VAC L2 D2 (1) 主回路パターン 太く、ループを小さく配線 C1 Q2 Q1 C2 (3)RCSは、ソース端 子の近くに配置。 (3)RCS の根元から専 用パターンで接続 CP RS RIN2 1 COMP 2 CFB 4 OUT1 VFB GND VCC OUT2 NC 3 VIN A (5)ゲート抵抗 ゲート端子とソース端子 に最短で接続 8 RIN1 CVIN External Power supply R5 IS R4 R2 RCS U1 CS VOUT D1 7 C4 6 LINE GND R1 (2)制御系GND 専用パターンで、RCSの近くに 一点で配線 5 R3 Cf ROUT2 ROUT1 (4)ICに接続する部品はICの近くに配置し、最短で各端子に接続 図 10-2 IC 周辺回路の接続例 SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 19 SSC2102S 使用上の注意 弊社の製品を使用、またはこれを使用した各種装置を設計する場合、定格値に対するディレーティングをどの程度 行うかにより、信頼性に大きく影響します。ディレーティングとは信頼性を確保または向上するため、各定格値から負 荷を軽減した動作範囲を設定したり、サージやノイズなどについて考慮したりすることです。ディレーティングを行う要 素には、一般的に電圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿度などの環境ストレス、半導体製品の自己 発熱による熱ストレスがあります。これらのストレスは、瞬間的数値、あるいは最大値、最小値についても考慮する必要 があります。 なお、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵 IC は、自己発熱が大きく接合部温度のディレーティングの程度が、信 頼性を大きく変える要素となるので十分に配慮してください。 保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となるので、注意事項に留意してくださ い。 保管上の注意事項 保管環境は、常温 （5～35°C）、常湿 （40～75%）中が望ましく、高温多湿の場所、温度や湿度の変化が大きな 場所を避けてください 腐食性ガスなどの有毒ガスが発生しない、塵埃の尐ない場所で、直射日光を避けて保管してください 長期保管したものは、使用前にはんだ付け性やリードの錆などについて再点検してください 特性検査、取り扱い上の注意事項 受入検査などで特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続などに十分 注意してください｡また定格以上の測定は避けてください はんだ付け方法 はんだ付けをする場合は、下記条件以内で、できるだけ短時間で作業してください ・260 ± 5 °C 10 ± 1 s （フロー、2 回） ・380 ± 10 °C 3.5 ± 0.5 s （はんだごて、1 回） 静電気破壊防止のための取扱注意 製品を取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップなどを用い、感電防止のため、 1MΩ の抵抗を人体に近い所へ入れてください 製品を取り扱う作業台は、導電性のテーブルマットやフロアマットなどを敷き、アースを取ってください カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください はんだ付けをする場合、はんだごてやディップ槽のリーク電圧が、製品に印加するのを防ぐため、はんだごての 先やディップ槽のアースを取ってください 製品を入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔などで、静電対策をしてください SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 20 SSC2102S 注意書き 本書に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報 であることを確認してください 本書に記載している動作例、回路例および推奨例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因する弊 社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、生命権、身体権、財産権、その他一切の権利の侵害問題につ いて弊社は一切責任を負いません 弊社の合意がない限り、弊社は、本書に含まれる本製品（商品適性および特定目的または特別環境に対する 適合性を含む）ならびに情報（正確性、有用性、信頼性を含む）について、明示的か黙示的かを問わず、いか なる保証もしておりません 弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けられ ません。製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しないよう、使用者の 責任において、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください 本書に記載している製品は、一般電子機器（家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など）に使用す ることを意図しております。高い信頼性を要求する装置（輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、防 災・防火装置、各種安全装置など）への使用を検討、および一般電子機器であっても長寿命を要求する場合 は、必ず弊社販売窓口へ相談してください。極めて高い信頼性を要求する装置（航空宇宙機器、原子力制御、 生命維持のための医療機器など）には、弊社の文書による合意がない限り使用しないでください 本書に記載している製品の使用にあたり、本書に記載している製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、 あるいはこれらの製品に物理的、化学的、その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任におい てそのリスクを検討の上行ってください 本書に記載している製品は耐放射線設計をしておりません 弊社物流網以外での輸送、製品落下などによるトラブルについて、弊社は一切責任を負いません 本書に記載している内容を、文書による弊社の承諾なしに転記・複製することを禁じます SSC2102S-DS Rev.1.2 Dec. 08, 2014 SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 21