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15SQ045
15SQ045
2nd Generation Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
2. Generation Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2011-05-11
Type
15 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
45 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7.5±0.1
62.5±0.5
Ø 8±0.1
Nominal current
Nennstrom
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.05
Ø 1.2
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Dimensions - Maße [mm]
Green Molding
Halogen-Free1
Features
Vorteile
45V reverse voltage at low VF
Low value RthL for low Tj
Best trade-off between VF and IR 2)
1000pcs/13” reel for longer reel change intervals
45V Sperrspannung bei niedrigem VF
Niedriger RthL Wert für niedriges Tj
Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2)
1000 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
Grenz- und Kennwerte
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 5 A
IF = 15 A
typ. 0.30
< 0.45
< 0.53
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
15 A3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
290/330 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
420 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C 2)
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
15SQ045
1
2
3
45
From 06/2011 – Ab 06/2011
For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
15SQ045
Characteristics
Kennwerte
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
IR
< 300 µA
typ. 15 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 13 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdrähte
RthL
< 2.5 K/W 2)
120
102
[%]
[A]
Tj = 125°C
100
10
Tj = 25°C
80
1
60
40
10-1
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TA
100
50
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
0
0.4
0.6
1.0
VF
[V]
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
103
[mA]
Tj = 150°C
102
Tj = 125°C
10
Tj = 75°C
1
IR
Tj = 25°C
10
-1
0
VRRM 40
60
80
100
[%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
1
2
2
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
Measured in 3 mm distance from case – use for bypass diodes test
Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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