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FMXA-4202S
2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
パッケージ(TO-3PF 3pin)
概要
超高速 trr に特化した FRD を、大電流パッケージで
ある TO-3PF に組み込みました。
弊社独自の複合ライフタイムキラー技術により、高
温動作時でも超高速 trr を維持しています。
アプリケーション
・ DC-DC コンバーター(フォワード方式・フライバック方式)
・ CCM 方式 PFC 回路(連続方式力率改善回路)
・ インバーター方式の溶接機、溶断機
主要スペック
特長
・ 超高速 FRD
・ 高温時でも超高速を維持(Typ 35ns,Tj=150℃)
・ 大電流パッケージによる優れた放熱性
・ フルモールドパッケージによる優れた絶縁性
代
表
項目
記号
単位
定格
ピーク繰り返し逆電圧
VRM
V
200
順方向降下電圧
平均順電流
逆方向回復時間
特
VF
V
1.2
IF(AV)
A
20
trr
ns
25
条件
IF=10A
性
VF-IF温度特性(代表例)
VR-IR温度特性(代表例)
100
10
Tj = 150℃
1
IR[mA]
IF[A]
Tj = 150℃
Tj = 60℃
10
Tj = 100℃
Tj = 100℃
0.1
Tj = 60℃
0.01
Tj =25℃
Tj = 25℃
0.001
1
0
0.5
1
1.5
0
50
100
150
VR[V]
VF[V]
VF-IF・VR-IR 共に、一素子当たりの特性を示す。
記載されている内容は改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の情報であることをご確認ください .
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ページ 1
200
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2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
 絶対最大定格
No.
項
1
目
記号
単位
定
格
条
件
ピーク非繰返し逆電圧
VRSM
V
200
2
ピーク繰返し逆電圧
VRM
V
200
3
平均順電流
IF(AV)
A
20
減定格の項を参照(ページ3)
4
サージ順電流
IFSM
A
100
10msec.正弦半波単発
5
I2t 限界値
I2t
A2s
50
1msec≦t≦10msec
6
接合部温度
Tj
℃
-40∼+150
7
保存温度
Tstg
℃
-40∼+150
No.1,2,4,5 は一素子当たりの特性を示す。
 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。)
No.
項
目
記号
単位
特
性
条
件
1
順方向降下電圧
VF
V
1.2 max.
IF=10A
2
逆方向漏れ電流
IR
uA
100 max.
VR=VRM
3
高温逆方向漏れ電流
H・IR
mA
30 max.
VR=VRM, Tj=150℃
4
逆方向回復時間
trr
ns
25 max.
IF=IRP=500mA
90% Recovery point, Tj=25℃
5
熱抵抗
Rth(j-c)
℃/W
2.0 max.
No.1,2,3,4 は一素子当たりの特性を示す。
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ページ 2
接合部−ケース間
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Fast Recovery Diode
 特性
平均順電流―順電力損失特性
35
Tj=150℃
30
t
t/T=1/6
T
順電力損失 PF (W)
25
t/T=1/3,sinewave
20
t/T=1/2
15
DC
10
5
0
0
5
10
15
20
平均順電流 IF(AV) (A)
 減定格
リード温度―平均順電流 VR=200V
20
DC
t/T=1/6
15
平均順電流 IF(AV) (A)
Sinewave
t/T=1/3
10
t/T=1/2
5
Tj=150℃
t
T
0
50
100
ケース温度 Tc (℃)
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ページ 3
150
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2010 年 1 月
Fast Recovery Diode
 外形図(mm)
1
2
 マーク表示
XA4202S
整流記号
XX
XX
XA4202S:品名 FMXA-4202S を“XA4202S”と表す
XXXX:ロット番号(製造年月日)を 4 桁で表す
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ページ 4