2SA1667/1668 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4381/4382とコンプリメンタリ) 規 格 値 2SA1667 2SA1668 ICBO V VCB＝ VEBO −6 V IEBO VEB＝−6V IC −2 A V(BR)CEO IC＝−25mA −150 V −200 μA −10max −150min IB −1 A hFE VCE＝−10V, IC＝−0.7A 60min PC 25(Tc＝25℃) W VCE(sat) IC＝−0.7A, IB＝−0.07A −1.0max Tj 150 ℃ fT VCE＝−12V, IE＝0.2A 20typ MHz −55∼＋150 ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 60typ pF V 1.35±0.15 1.35±0.15 2.54 ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –20 20 –1 –10 5 –100 100 0.4typ 1.5typ 0.5typ –2 –4 –6 –8 –10 –2 –10 –100 0 –1000 0 ） −30 ˚C （ ケ ース温 温度 ース –0.6 –0.8 –1.0 –1.2 θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 10V) 400 –0.4 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) ベース電流 I B (mA) h FE – I C 特性（代表例 ） –0.2 度） 度） ス温 –1A –0 .5A コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) ケー –0.4 I C =–2A 0 –0.8 C（ケ –0.4 –1 –1.2 ˚C（ I B =–5mA/Step –2 125 –0.8 –1.6 コレクタ電流 I C (A) コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) コレクタ電流 I C (A) –1.2 0 (V C E = – 10V) –2 A –1.6 0 I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） –3 –5 製品質量 約2.0ｇ イ．品名 ロ．ロット番号 B C E V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（代 表 例 ） 0m 2.4±0.2 2.2±0.2 VCC (V) –2.0 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 25˚ Tstg ø3.3±0.2 イ ロ V −200min 4.2±0.2 2.8 c0.5 4.0±0.2 10.1±0.2 μA −10max 0.8±0.2 −10max 外形図 FM20(TO220F) 単位 ±0.2 試 験 条 件 3.9 V −200 −150 記 号 8.4±0.2 単 位 16.9±0.3 VCEO ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記号 2SA1667 2SA1668 VCBO −150 −200 用途： TV垂直出力、オーディオ出力ドライバ、一般用 (Ta＝25℃) 13.0min ■絶対最大定格 (V C E = – 10V) 5 400 Typ 25 ˚C – 30 ˚C 100 100 –0.1 –1 –2 30 –0.01 コレクタ電流 I C (A) –1 0.5 1 10 20 C 150x150x2 大 放 2 付 0x 板 1 00x 1 0 10 熱 10 放熱板なし 自然空冷 1.2SA1667 2.2SA1668 限 –0.1 無 コレクタ電流 I C (A) s 20 s ms 30 自然 空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm 1m 20 5m D –1 1000 P c – Ta定 格 25 –5 Typ 100 時間 t(ms) ASO 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） (V CE = – 12V) 40 遮断周波数 f T (MH Z ) –2 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性（代 表 例 ） 50 –0.1 1 最大許容損失 P C (W) 40 –0.01 過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W) 直流電流増幅率 h FE 直流電流増幅率 h FE 125 ˚C 50x50x2 放熱板なし 0 0.01 0.1 エミッタ電流 I E (A) 1 2 –0.01 –1 1 –10 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) 2 2 –300 0 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 25