2sa1668 ds jp

2SA1667/1668
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4381/4382とコンプリメンタリ)
規 格 値
2SA1667 2SA1668
ICBO
V
VCB=
VEBO
−6
V
IEBO
VEB=−6V
IC
−2
A
V(BR)CEO
IC=−25mA
−150
V
−200
μA
−10max
−150min
IB
−1
A
hFE
VCE=−10V, IC=−0.7A
60min
PC
25(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=−0.7A, IB=−0.07A
−1.0max
Tj
150
℃
fT
VCE=−12V, IE=0.2A
20typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
60typ
pF
V
1.35±0.15
1.35±0.15
2.54
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–20
20
–1
–10
5
–100
100
0.4typ
1.5typ
0.5typ
–2
–4
–6
–8
–10
–2
–10
–100
0
–1000
0
)
−30
˚C ( ケ
ース温
温度
ース
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 10V)
400
–0.4
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表例 )
–0.2
度)
度)
ス温
–1A
–0 .5A
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
ケー
–0.4
I C =–2A
0
–0.8
C(ケ
–0.4
–1
–1.2
˚C(
I B =–5mA/Step
–2
125
–0.8
–1.6
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
コレクタ電流 I C (A)
–1.2
0
(V C E = – 10V)
–2
A
–1.6
0
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–3
–5
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代 表 例 )
0m
2.4±0.2
2.2±0.2
VCC
(V)
–2.0
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
25˚
Tstg
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
−200min
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
10.1±0.2
μA
−10max
0.8±0.2
−10max
外形図 FM20(TO220F)
単位
±0.2
試 験 条 件
3.9
V
−200
−150
記 号
8.4±0.2
単 位
16.9±0.3
VCEO
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記号
2SA1667 2SA1668
VCBO −150
−200
用途: TV垂直出力、オーディオ出力ドライバ、一般用
(Ta=25℃)
13.0min
■絶対最大定格
(V C E = – 10V)
5
400
Typ
25 ˚C
– 30 ˚C
100
100
–0.1
–1
–2
30
–0.01
コレクタ電流 I C (A)
–1
0.5
1
10
20
C
150x150x2
大
放
2
付
0x
板
1 00x 1 0
10
熱
10
放熱板なし
自然空冷
1.2SA1667
2.2SA1668
限
–0.1
無
コレクタ電流 I C (A)
s
20
s
ms
30
自然 空冷
シリコーングリス
放熱板はアルミ
寸法単位はmm
1m
20
5m
D
–1
1000
P c – Ta定 格
25
–5
Typ
100
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
40
遮断周波数 f T (MH Z )
–2
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
50
–0.1
1
最大許容損失 P C (W)
40
–0.01
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
50x50x2
放熱板なし
0
0.01
0.1
エミッタ電流 I E (A)
1
2
–0.01
–1
1
–10
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
2
2
–300
0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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