2SA1695 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4468とコンプリメンタリ) V IEBO VEB＝−6V −10max μA −6 V V(BR)CEO IC＝−50mA −140min −10 A hFE IC＝−5A, IB＝−0.5A fT VCE＝−12V, IE＝0.5A 20typ MHz ℃ COB VCB＝−10V, f＝1MHz 400typ pF ℃ ※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180) V IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (A) –60 12 –5 –10 5 –0.5 1.05 +0.2 -0.1 –10 tstg (μs) tf (μs) 0.5 0.17typ 1.86typ 0.27typ I C – V BE 温 度 特 性（ 代 表 例 ） A コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V) –7 5m A –6 –50mA –4 –25mA –2 –8 –2 –1 –6 –4 –2 I C =–10A 12 I B =–10mA –5A 0 0 –1 –2 –3 0 –4 0 –0.5 –1.0 コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) –1.5 0 –2.0 0 ベース電流 I B (A) h FE – I C 特性（代表 例 ） –1 –1.5 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) θ j-a – t特 性 h FE – I C 温 度 特 性（ 代 表 例 ） (V CE = – 4V) 200 温度） mA ケース –100 度） 0m ス温 –15 ケー –2 (V CE = – 4V) –10 A C（ – 1.4 E 5˚ 0 C 製品質量 約6.0g イ．品名 ロ．ロット番号 コレクタ電流 I C (A) –4 m 00 0.65 +0.2 -0.1 5.45±0.1 B –3 mA –8 コレクタ電流 I C (A) IB2 (A) ton (μs) V CE (sat) – I B 特 性（ 代 表 例 ） I C – V CE 特性（代 表 例 ） 0 30 2 3 5.45±0.1 VCC (V) A 0m ø3.2±0.1 ロ ■代表的スイッチング特性（エミッタ接地） RL (Ω) 2.0±0.1 ˚C （ −55∼＋150 Tstg VCE(sat) 4.8±0.2 −30 150 Tj A W イ 度） 100(Tc＝25℃) PC −0.5max ス温 −4 IB V 50min※ VCE＝−4V, IC＝−3A ケー VEBO 15.6±0.4 9.6 1.8 μA 5.0±0.2 −10max ˚C（ −140 VCB＝−140V 25 VCEO ICBO 2.0 V 単位 4.0 −140 規格値 19.9±0.3 VCBO 外形図 MT-100(TO3P) (Ta＝25℃) 試 験 条 件 記 号 4.0max 単 位 IC ■電気的特性 (Ta＝25℃) 規 格 値 記 号 20.0min ■絶対最大定格 用途：オーディオ、一般用 (V C E = – 4V) 3 200 100 過渡熱抵抗 θ j - a ( ˚C/W) Typ 直流電流増幅率 h F E 25 ˚C 100 50 30 –0.02 –0.1 –0.5 –1 –5 – 30 ˚C 50 30 –0.02 –10 –0.1 –0.5 –1 –5 –10 1 0.5 0.1 1 10 100 f T – I E 特性（代 表 例 ） 1000 2000 時間 t(ms) コレクタ電流 I C (A) コレクタ電流 I C (A) AS O 曲 線（ 単 発 パ ル ス ） P c – Ta定 格 (V CE = – 12V) 100 –30 30 放 熱 板 50 付 ms コレクタ電流 I C (A) 大 10 –0.5 限 s –1 無 3m 10 DC –5 s Typ 0m 20 10 遮断周波数 f T (MH Z ) –10 最大許容損失 P C (W) 直流電流増幅率 h F E 125 ˚C 放熱板なし 自然空冷 0 0.02 0.1 1 エミッタ電流 I E (A) 10 –0.1 –3 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 3.5 0 放熱板なし 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 29