2sa1695 ds jp

2SA1695
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4468とコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−50mA
−140min
−10
A
hFE
IC=−5A, IB=−0.5A
fT
VCE=−12V, IE=0.5A
20typ
MHz
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
pF
℃
※ランク O(50∼100), P(70∼140), Y(90∼180)
V
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(A)
–60
12
–5
–10
5
–0.5
1.05 +0.2
-0.1
–10
tstg
(μs)
tf
(μs)
0.5
0.17typ
1.86typ
0.27typ
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
A
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
–7 5m A
–6
–50mA
–4
–25mA
–2
–8
–2
–1
–6
–4
–2
I C =–10A
12
I B =–10mA
–5A
0
0
–1
–2
–3
0
–4
0
–0.5
–1.0
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–1.5
0
–2.0
0
ベース電流 I B (A)
h FE – I C 特性(代表 例 )
–1
–1.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
200
温度)
mA
ケース
–100
度)
0m
ス温
–15
ケー
–2
(V CE = – 4V)
–10
A
C(
–
1.4
E
5˚
0
C
製品質量 約6.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
コレクタ電流 I C (A)
–4
m
00
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
–3
mA
–8
コレクタ電流 I C (A)
IB2
(A)
ton
(μs)
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
I C – V CE 特性(代 表 例 )
0
30
2
3
5.45±0.1
VCC
(V)
A
0m
ø3.2±0.1
ロ
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
RL
(Ω)
2.0±0.1
˚C (
−55∼+150
Tstg
VCE(sat)
4.8±0.2
−30
150
Tj
A
W
イ
度)
100(Tc=25℃)
PC
−0.5max
ス温
−4
IB
V
50min※
VCE=−4V, IC=−3A
ケー
VEBO
15.6±0.4
9.6
1.8
μA
5.0±0.2
−10max
˚C(
−140
VCB=−140V
25
VCEO
ICBO
2.0
V
単位
4.0
−140
規格値
19.9±0.3
VCBO
外形図 MT-100(TO3P)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
4.0max
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
20.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ、一般用
(V C E = – 4V)
3
200
100
過渡熱抵抗 θ j - a ( ˚C/W)
Typ
直流電流増幅率 h F E
25 ˚C
100
50
30
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–5
– 30 ˚C
50
30
–0.02
–10
–0.1
–0.5
–1
–5
–10
1
0.5
0.1
1
10
100
f T – I E 特性(代 表 例 )
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
100
–30
30
放
熱
板
50
付
ms
コレクタ電流 I C (A)
大
10
–0.5
限
s
–1
無
3m
10
DC
–5
s
Typ
0m
20
10
遮断周波数 f T (MH Z )
–10
最大許容損失 P C (W)
直流電流増幅率 h F E
125 ˚C
放熱板なし
自然空冷
0
0.02
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
10
–0.1
–3
–5
–10
–50
–100
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–200
3.5
0
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
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