2sa1746 ds jp

2SA1746
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ
−10max
μA
V
IEBO
VEB=−6V
−10max
μA
−6
V
V(BR)CEO
IC=−25mA
−50min
V
−12(パルス−20)
A
hFE
VEBO
VCE=−1V, IC=−5A
50min
IB
−4
A
VCE(sat)
IC=−5A, IB=−80mA
−0.5max
PC
60(Tc=25℃)
W
VBE(sat)
IC=−5A, IB=−80mA
−1.2max
Tj
150
℃
fT
−55∼+150
℃
COB
Tstg
15.6±0.2
V
25typ
MHz
VCB=−10V, f=1MHz
400typ
pF
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–20
4
–5
–10
5
–80
80
0.5typ
0.6typ
0.3typ
1.05 +0.2
-0.1
4.4
1.5
C
E
(V C E = – 1V)
–12
–1.5
–10
–3A
–1A
–1
0
–2
–3
–4
–5
0
–3
–6
–10
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–100
0
–1000
h FE – I C 特性(代 表 例 )
(V C E = – 1V)
25 ˚C
–30 ˚C
100
–0.1
–0.5
–1
–5
50
–0.03
–10
コレクタ電流 I C (A)
–0.5
–5
–1
–10
0.5
0.2
1
10
100
1000
時間 t(ms)
ASO 曲 線( 単 発 パ ル ス )
(V CE = – 12V)
温度
1
コレクタ電流 I C (A)
f T – I E 特性(代 表 例 )
40
–0.1
–1.5
4
過渡熱抵抗 θ j- a ( ˚C/W)
125 ˚C
直流電流増幅率 h F E
直流電流増幅率 h F E
100
–1.0
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
500
Typ
–0.5
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
(V CE = – 1V)
50
–0.03
0
ベース電流 I B (mA)
500
ース
(ケ
0˚C
–2
–5A
)
度)
度)
ス温
ス温
ケー
ケー
C(
–4
I C =–10A
−3
I B =–10mA
–2
–0.5
˚C(
–4
–6
5˚
–30m A
–8
12
–6
–1.0
25
–50mA
コレクタ電流 I C (A)
–8
コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V)
–70mA
0
3.35
製品質量 約6.5g
イ.品名
ロ.ロット番号
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
–10
コレクタ電流 I C (A)
0.65 +0.2
-0.1
5.45±0.1
B
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
–100 mA
0.8
2.15
1.5
VCC
(V)
–120mA
1.75
5.45±0.1
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
–12
3.45 ±0.2
ø3.3±0.2
イ
ロ
V
VCE=−12V, IE=1A
I C – V CE 特性(代 表 例 )
5.5±0.2
3.0
−50
VCB=−70V
0.8±0.2
VCEO
ICBO
5.5
V
単位
1.6
−70
規 格 値
3.3
VCBO
外形図 FM100(T03PF)
(Ta=25℃)
試 験 条 件
記 号
9.5±0.2
単 位
IC
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記 号
23.0±0.3
■絶対最大定格
用途:チョッパレギュレータ、スイッチ、一般用
16.2
LOW VCE (sat)
P c – Ta定 格
60
–30
10
0µ
s
s
10
1m
m
熱
板
付
最大許容損失 P C (W)
放
–1
10
40
大
20
–5
限
コレクタ電流 I C (A)
Typ
無
遮断周波数 f T (MH Z )
s
–10
30
20
自然空冷
放熱板なし
放熱板なし
0
0.1
1
エミッタ電流 I E (A)
32
10
–0.3
–3
–10
–50
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
–100
3.5
0
0
25
50
75
100
周囲温度 Ta( ˚C)
125
150
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