2sa1859a ds jp

2SA1859/1859A
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ (2SC4883/4883Aとコンプリメンタリ)
V
IEBO
VEB=−6V
IC
−2
A
V(BR)CEO
IC=−10mA
−150
V
−180
μA
−10max
−150min
V
−180min
IB
−1
A
hFE
VCE=−10V, IC=−0.7A
60∼240
PC
20(Tc=25℃)
W
VCE(sat)
IC=−0.7A, IB=−70mA
−1.0max
Tj
150
℃
fT
VCE=−12V, IE=0.7A
60typ
MHz
−55∼+150
℃
COB
VCB=−10V, f=1MHz
30typ
pF
V
1.35±0.15
1.35±0.15
■代表的スイッチング特性(エミッタ接地)
2.54
2.2±0.2
VCC
(V)
RL
(Ω)
IC
(A)
VBB1
(V)
VBB2
(V)
IB1
(mA)
IB2
(mA)
ton
(μs)
tstg
(μs)
tf
(μs)
–20
20
–1
–10
5
–100
100
0.5typ
1.0typ
0.5typ
I C – V CE 特性(代 表 例 )
A
0
–2
–4
–6
–8
0
–2
–10
コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V)
–5
–50 –100
0
–500 –1000
0
ベース電流 I B (mA)
h FE – I C 特性(代表例 )
300
ス温度
)
温度
(ケー
ース
–0.5
–1
ベース・エミッタ間電圧 V B E (V)
θ j-a – t特 性
h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 )
(V CE = – 4V)
− 3 0 ˚C
–1A
–10
C(ケ
12
I C =–2A
–0.5A
)
)
温度
ース
–1
–1
(ケ
I B =–5mA
–2
5˚C
–1
コレクタ電流 I C (A)
–3
–1
コレクタ飽和電圧 V C E (s a t ) (V)
0m
A
A
m
0m
00
–6
(V CE = – 4V)
–2
–3
–1
コレクタ電流 I C (A)
I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 )
5mA
–10 mA
0
2.4±0.2
製品質量 約2.0g
イ.品名
ロ.ロット番号
B C E
V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 )
–2
0.85 +0.2
-0.1
0.45 +0.2
-0.1
2.54
25˚
Tstg
ø3.3±0.2
イ
ロ
0.8±0.2
VCB=
−6
3.9
V
VEBO
4.2±0.2
2.8 c0.5
4.0±0.2
10.1±0.2
μA
−10max
ICBO
外形図 FM20(TO220F)
単位
8.4±0.2
−180
−150
試 験 条 件
16.9±0.3
VCEO
記 号
(Ta=25℃)
規 格 値
2SA1859 2SA1859A
±0.2
■電気的特性
(Ta=25℃)
規 格 値
記号
単 位
2SA1859 2SA1859A
VCBO −150
V
−180
13.0min
■絶対最大定格
用途:オーディオ出力ドライバ、TV速度変調
(V C E = – 4V)
7
300
Typ
25 ˚C
100
100
50
–0.02
–0.1
–0.5
–1
–2
過渡熱抵抗 θ j - a (˚C /W)
直流電流増幅率 h FE
直流電流増幅率 h FE
125 ˚C
– 30 ˚C
50
–0.01
–0.1
–0.5
–1
5
1
–2
1
10
f T – I E 特性(代 表 例 )
100
1000 2000
時間 t(ms)
コレクタ電流 I C (A)
コレクタ電流 I C (A)
AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス )
P c – Ta定 格
(V CE = – 12V)
20
–5
100
最大許容損失 P C (W)
コレクタ電流 I C (A )
遮断周波数 f T (MH Z )
10
2
0
付
コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V)
板
2
–50 –100 –200
熱
–10
放
1
–5
大
–0.01
–1
限
2
放熱板なし
自然空冷
1.2SA1859
2.2SA1859A
無
1
s
エミッタ電流 I E (A)
0.5
s
–0.1
–0.5
0.1
ms
–0.5
20
0.05
0m
40
C
1m
10
60
0
0.01
D
–1
Typ
10
80
放熱板なし
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 Ta( ˚C)
33